專(zhuān)利名稱(chēng)：P-mos控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種充電器電壓電流反饋控制電路，具體是一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路。
背景技術(shù)：
在開(kāi)關(guān)電源的反饋控制技術(shù)范圍內(nèi)，單電壓?jiǎn)坞娏鞣答伩刂埔呀?jīng)是很成熟的技術(shù)，如附圖1所示，對(duì)于目前常見(jiàn)到的單電壓或電流輸出的開(kāi)關(guān)電源，尤其是對(duì)于一般低功率的充電器來(lái)講，基本滿(mǎn)足電子產(chǎn)品的需求。然而隨著電源行業(yè)的日益發(fā)展和電子產(chǎn)品外觀、功能等的要求，以及產(chǎn)品用途的多樣化、智能化、高功率化，和新技術(shù)新產(chǎn)品的研究開(kāi)發(fā)、應(yīng)用環(huán)境等要求的提高，尤其是充電器方面，對(duì)于充電電池的多樣化、高功率化、充電方法的科學(xué)性等要求，常見(jiàn)到的單電壓或單電流反饋控制已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足需求，這就需要使用多電壓，或多電流，甚至多電壓多電流的反饋控制電路，并且要求精確控制，這樣才能滿(mǎn)足現(xiàn)在及日后產(chǎn)品的需求。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，可實(shí)現(xiàn)多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制的功能。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種PMOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，包括反饋光耦、電壓反饋比較器、電流反饋比較器、輸出電壓檢測(cè)電路、電壓反饋基準(zhǔn)電壓電路、輸出電流檢測(cè)電路和電流反饋基準(zhǔn)電壓電路，其還包括電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路和電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路，電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路通過(guò)電壓反饋基準(zhǔn)電壓連接到電壓反饋比較器的其中一個(gè)輸入端口，輸出電壓檢測(cè)電路連接到電壓反饋比較器的另外一個(gè)輸入端口，電壓反饋比較器的輸出端口連接到反饋光耦，電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路通過(guò)電流反饋基準(zhǔn)電壓連接到電流反饋比較器的其中一個(gè)輸入端口，輸出電流檢測(cè)電路連接到電流反饋比較器的另外一個(gè)輸入端口，電流反饋比較器的輸出端口連接到反饋光耦；電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路包括電阻R7、電阻R8、電阻R5、電阻R6、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2、微處理芯片U3，電阻R4和電阻R9的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R7連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql的漏極，微處理芯片U3的第I管腳通過(guò)電阻R5連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql的源極接+5V電壓，電阻R4和電阻R9的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R8連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極，微處理芯片U3的第2管腳通過(guò)電阻R6連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極接+5V電壓；電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路包括電阻R18、電阻R19、電阻R16、電阻R17、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4、微處理芯片U3，電阻R14和電阻R15的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R18連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極，微處理芯片U3的第8管腳通過(guò)電阻R16連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極接+5V電壓，電阻R14和電阻R15的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R19連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極，微處理芯片U3的第9管腳通過(guò)電阻R17連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4的源極接+5V電壓，微處理芯片U3的第14管腳接+5V電壓，第7管腳接地。反饋光耦包括電阻Rl、光耦U1A、二極管D2，輸出電壓通過(guò)電阻Rl接到光耦UlA中的發(fā)光二極管的陽(yáng)極，光耦UlA中的發(fā)光二極管的陰極與二極管Dl的陽(yáng)極和二極管的陽(yáng)極相連接。電壓反饋比較器包括比較放大器U2A、電阻R2、電容Cl、電容C2、二極管D1，比較放大器第8管腳通過(guò)電容Cl接地，第4管腳直接接地，電容C2和電阻R2串聯(lián)到比較放大器的第I管腳和第2管腳之間，電容C2與比較放大器第I管腳連接，電阻R2與比較放大器第2管腳連接，二極管Dl的陰極連接比較放大器的第I管腳，二極管Dl的陽(yáng)極連接光耦UlA中的發(fā)光二極管的陰極。電流反饋比較器包括比較放大器U2B、電阻R12、電容C3、二極管D2，電容C3和電阻Rl2串聯(lián)到比較放大器的第7管腳和第6管腳之間，電容C3與比較放大器第7管腳連接，電阻R12與比較放大器第6管腳連接，二極管D2的陰極連接比較放大器的第7管腳，二極管D2的陽(yáng)極連接光耦UlA中的發(fā)光二極管的陰極。輸出電壓檢測(cè)電路包括電阻R3、電阻RlO、電阻Rl I，輸出電壓經(jīng)過(guò)電阻RlO和電阻Rll連接到地，電阻R3 —端連接到電阻RlO和電阻Rll之間，一端連接到比較放大器U2A的
第2管腳。電壓反饋基準(zhǔn)電壓電路包括電阻R4、電阻R9，基準(zhǔn)電壓+5V經(jīng)過(guò)電阻R4和電阻R9連接到地，電阻R4和電阻R9連接點(diǎn)連接到比較放大器的第3管腳。輸出電流檢測(cè)電路包括電阻R13，檢流電阻上的電壓經(jīng)過(guò)電阻R13連接到比較放大器U2B的第6管腳。電流反饋基準(zhǔn)電壓電路包括電阻R14、電阻R15，基準(zhǔn)電壓+5V經(jīng)過(guò)電阻R14和電阻R15連接到地，電阻R14和電阻R15連接點(diǎn)連接到比較放大器的第5管腳。與現(xiàn)有電路相比，本實(shí)用新型通過(guò)原電壓電流反饋控制裝置增加電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路和電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路，電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路和電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路中通過(guò)控制P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)，可調(diào)整電壓反饋的基準(zhǔn)電壓和電流反饋的基準(zhǔn)電壓，做到雙電壓雙電流輸出調(diào)整控制，可達(dá)到多電壓多電流輸出精確調(diào)整控制，滿(mǎn)足日益發(fā)展的電源產(chǎn)品的需求；此電路裝置可廣泛用于各種電池充電器和某些專(zhuān)用電源中。

圖1是現(xiàn)有裝置不意圖；圖2是本實(shí)用新型電路示意圖；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一種PMOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路的雙路控制反饋電路的電路原理圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路的多路控制反饋電路的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。如圖2至圖4所示，一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，包括反饋光耦、電壓反饋比較器、電流反饋比較器、輸出電壓檢測(cè)電路、電壓反饋基準(zhǔn)電壓電路、輸出電流檢測(cè)電路和電流反饋基準(zhǔn)電壓電路，還包括電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路和電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路，電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路通過(guò)電壓反饋基準(zhǔn)電壓連接到電壓反饋比較器的其中一個(gè)輸入端口，輸出電壓檢測(cè)電路連接到電壓反饋比較器的另外一個(gè)輸入端口，電壓反饋比較器的輸出端口連接到反饋光耦，電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路通過(guò)電流反饋基準(zhǔn)電壓連接到電流反饋比較器的其中一個(gè)輸入端口，輸出電流檢測(cè)電路連接到電流反饋比較器的另外一個(gè)輸入端口，電流反饋比較器的輸出端口連接到反饋光耦；反饋光耦包括電阻R1、光耦U1A、二極管D2，輸出電壓通過(guò)電阻Rl接到光耦UlA中的發(fā)光二極管的陽(yáng)極，光耦UlA中的發(fā)光二極管的陰極與二極管Dl的陽(yáng)極和二極管的陽(yáng)極相連接；電壓反饋比較器包括比較放大器U2A、電阻R2、電容Cl、電容C2、二極管D1，比較放大器第8管腳通過(guò)電容Cl接地，第4管腳直接接地，電容C2和電阻R2串聯(lián)到比較放大器的第I管腳和第2管腳之間，電容C2與比較放大器第I管腳連接，電阻R2與比較放大器第2管腳連接，二極管Dl的陰極連接比較放大器的第I管腳，二極管Dl的陽(yáng)極連接光耦UlA中的發(fā)光二極管的陰極；電流反饋比較器包括比較放大器U2B、電阻Rl2、電容C3、二極管D2，電容C3和電阻R12串聯(lián)到比較放大器的第7管腳和第6管腳之間，電容C3與比較放大器第7管腳連接，電阻R12與比較放大器第6管腳連接，二極管D2的陰極連接比較放大器的第7管腳，二極管D2的陽(yáng)極連接光耦UlA中的發(fā)光二極管的陰極；輸出電壓檢測(cè)電路包括電阻R3、電阻R10、電阻Rll，輸出電壓經(jīng)過(guò)電阻RlO和電阻Rll連接到地，電阻R3 —端連接到電阻RlO和電阻Rll之間，一端連接到比較放大器U2A的第2管腳；電壓反饋基準(zhǔn)電壓電路包括電阻R4、電阻R9，基準(zhǔn)電壓+5V經(jīng)過(guò)電阻R4和電阻R9連接到地，電阻R4和電阻R9連接點(diǎn)連接到比較放大器的第3管腳；輸出電流檢測(cè)電路包括電阻R13，檢流電阻上的電壓經(jīng)過(guò)電阻R13連接到比較放大器U2B的第6管腳；電流反饋基準(zhǔn)電壓電路包括電阻R14、電阻R15，基準(zhǔn)電壓+5V經(jīng)過(guò)電阻R14和電阻R15連接到地，電阻R14和電阻R15連接點(diǎn)連接到比較放大器的第5管腳；電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路包括電阻R7、電阻R8、電阻R5、電阻R6、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2、微處理芯片U3，電阻R4和電阻R9的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R7連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql的漏極，微處理芯片U3的第I管腳通過(guò)電阻R5連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql的源極接+5V電壓，電阻R4和電阻R9的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R8連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極，微處理芯片U3的第2管腳通過(guò)電阻R6連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極接+5V電壓；電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路包括電阻R18、電阻R19、電阻R16、電阻R17、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4、微處理芯片U3，電阻R14和電阻R15的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R18連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極，微處理芯片U3的第8管腳通過(guò)電阻R16連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極接+5V電壓，電阻R14和電阻R15的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R19連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極，微處理芯片U3的第9管腳通過(guò)電阻R17連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4的源極接+5V電壓，微處理芯片U3的第14管腳接+5V電壓,第7管腳接地。如圖3所示，若沒(méi)有電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路，則只有電阻R4和電阻R9分壓作為輸出電壓的參考電壓，這樣輸出電壓只能有一種，無(wú)法調(diào)整；而增加電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路后，微控制芯片U3的第I管腳和第2管腳輸出低電平或高電平通過(guò)電阻R5和電阻R6控制P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2導(dǎo)通或截止，控制電阻R7和電阻R8接+5V電壓或懸空，從而改變分壓值，改變基準(zhǔn)電壓值，達(dá)到控制多種電壓輸出的目的；微控制芯片U3的第I管腳和第2管腳同時(shí)輸出低電平，分別經(jīng)過(guò)電阻R5和電阻R6控制P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2導(dǎo)通，電阻R7和電阻R8均連接到+5V電壓，電阻R7和電阻R8并聯(lián)到電阻R4，基準(zhǔn)電壓為電阻R4跟電阻R7、電阻R8和電阻R9并聯(lián)后的等效電阻的分壓；微控制芯片U3的第I管腳輸出低電平，第2管腳輸出高電平，分別經(jīng)過(guò)電阻R5和電阻R6控制P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql導(dǎo)通和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2截止，電阻R7接+5V電壓，電阻R8不能連接到+5V電壓處于高阻狀態(tài)，電阻R7和電阻R4并聯(lián)，基準(zhǔn)電壓為電阻R4跟電阻R7和電阻R9并聯(lián)后的等效電阻的分壓；微控制芯片U3的第I管腳輸出高電平，第2管腳輸出低電平，分別經(jīng)過(guò)電阻R5和電阻R6控制P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql截止和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2導(dǎo)通，電阻R7不能連接到+5V電壓處于高阻狀態(tài)，電阻R8接+5V電壓，電阻R8和電阻R4并聯(lián)，基準(zhǔn)電壓為電阻R4跟電阻R8和電阻R9并聯(lián)后的等效電阻的分壓；微控制芯片U3的第I管腳和第2管腳同時(shí)輸出高電平，分別經(jīng)過(guò)電阻R5和電阻R6控制P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2截止，電阻R7和電阻R8都不能連接到+5V電壓處于高阻狀態(tài)，基準(zhǔn)電壓為電阻R4跟電阻R9的分壓；如此，達(dá)到多電壓輸出控制調(diào)整的目的。如圖3所示，若沒(méi)有電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路，則只有電阻R14和電阻R15分壓作為輸出電流的參考電壓，這樣輸出電流只能有一種，無(wú)法調(diào)整；而增加電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路后，微控制芯片U3的第8管腳和第9管腳輸出低電平或高電平通過(guò)電阻R16和電阻R17控制P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4導(dǎo)通或截止，控制電阻R18和電阻R19接+5V電壓或懸空，從而改變分壓值，改變基準(zhǔn)電壓值，達(dá)到控制多種電流輸出的目的；微控制芯片U3的第8管腳和第9管腳同時(shí)輸出低電平，分別經(jīng)過(guò)電阻R16和電阻R17控制P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4導(dǎo)通，電阻R18和電阻R19均連接到+5V電壓，電阻R18和電阻R19并聯(lián)到電阻R14，基準(zhǔn)電壓為電阻R14跟電阻R18、電阻R19和電阻R15并聯(lián)后的等效電阻的分壓；微控制芯片U3的第8管腳輸出低電平，第9管腳輸出高電平，分別經(jīng)過(guò)電阻R16和電阻R17控制P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3導(dǎo)通和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4截止，電阻R18接+5V電壓，電阻R19不能連接到+5V電壓處于高阻狀態(tài)，電阻R18和電阻R15并聯(lián)，基準(zhǔn)電壓為電阻R14跟電阻R18和電阻R15并聯(lián)后的等效電阻的分壓；微控制芯片U3的第8管腳輸出高電平，第9管腳輸出低電平，分別經(jīng)過(guò)電阻R16和電阻R17控制P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3截止和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4導(dǎo)通，電阻R18不能連接到+5V電壓處于高阻狀態(tài)，電阻R19接+5V電壓，電阻R19和電阻R15并聯(lián)，基準(zhǔn)電壓為電阻R14跟電阻R19和電阻R15并聯(lián)后的等效電阻的分壓；微控制芯片U3的第8管腳和第9管腳同時(shí)輸出高電平，分別經(jīng)過(guò)電阻R16和電阻Rl7控制P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3和P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4截止，電阻R18和電阻R19都不能連接到+5V電壓處于高阻狀態(tài)，基準(zhǔn)電壓為電阻R14跟電阻R15的分壓；達(dá)到多電流輸出控制調(diào)整的目的。如圖4所示，電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路可擴(kuò)展到N (N>2)個(gè)，微處理芯片U3的各管腳(如第I管腳至第6管腳)輸出低電平或高電平，通過(guò)各電阻(如Rl至R6)控制各P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管(如Ql至Q6)導(dǎo)通或截止，各電阻(如R7至R8)處于接+5V電壓或未接+5V電壓即高阻狀態(tài)，各接+5V電壓電阻與電阻R4并聯(lián)，此時(shí)電壓反饋的基準(zhǔn)電壓為電阻R4跟各接+5V電壓電阻和電阻R9并聯(lián)后的等效電阻的分壓值，不同的接+5V電壓的電阻的組合可以有不同的分壓值作為輸出電壓的基準(zhǔn)電壓，這樣就可以擴(kuò)展到2N種基準(zhǔn)電壓，就可以控制調(diào)整出2N種輸出電壓，達(dá)到擴(kuò)展到更多電壓輸出控制的目的。如圖4所示，電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路可擴(kuò)展到M (M>2)個(gè)，微處理芯片U3的各管腳(如第8管腳至第13管腳)輸出低電平或高電平，通過(guò)各電阻(如R16至R17)控制各P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管(如Q3至Q4)導(dǎo)通或截止，各電阻(如R18至R19)處于接+5V電壓或未接+5V電壓即高阻狀態(tài)，各接+5V電壓電阻與電阻R14并聯(lián)，此時(shí)電流反饋的基準(zhǔn)電壓為電阻R14跟各接+5V電壓的電阻和電阻R15并聯(lián)后的等效電阻的分壓值，不同的接+5V電壓的電阻的組合可以有不同的分壓值作為輸出電流的基準(zhǔn)電壓，這樣就可以擴(kuò)展到2M種基準(zhǔn)電壓，就可以控制調(diào)整出2M種輸出電流，達(dá)到擴(kuò)展到更多電流輸出控制的目的。
權(quán)利要求1.一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，包括反饋光耦、電壓反饋比較器、電流反饋比較器、輸出電壓檢測(cè)電路、電壓反饋基準(zhǔn)電壓電路、輸出電流檢測(cè)電路和電流反饋基準(zhǔn)電壓電路，其特征在于，還包括電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路和電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路，電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路通過(guò)電壓反饋基準(zhǔn)電壓連接到電壓反饋比較器的其中一個(gè)輸入端口，輸出電壓檢測(cè)電路連接到電壓反饋比較器的另外一個(gè)輸入端口，電壓反饋比較器的輸出端口連接到反饋光耦，電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路通過(guò)電流反饋基準(zhǔn)電壓連接到電流反饋比較器的其中一個(gè)輸入端口，輸出電流檢測(cè)電路連接到電流反饋比較器的另外一個(gè)輸入端口，電流反饋比較器的輸出端口連接到反饋光耦；電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路包括電阻R7、電阻R8、電阻R5、電阻R6、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2、微處理芯片U3，電阻R4和電阻R9的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R7連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql的漏極，微處理芯片U3的第I管腳通過(guò)電阻R5連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Ql的源極接+5V電壓，電阻R4和電阻R9的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R8連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極，微處理芯片U3的第2管腳通過(guò)電阻R6連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極接+5V電壓；電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路包括電阻R18、電阻R19、電阻R16、電阻R17、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4、微處理芯片U3，電阻R14和電阻R15的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R18連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極，微處理芯片U3的第8管腳通過(guò)電阻R16連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極接+5V電壓，電阻R14和電阻R15的連接點(diǎn)通過(guò)電阻R19連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極，微處理芯片U3的第9管腳通過(guò)電阻R17連接到P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵極，P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管Q4的源極接+5V電壓，微處理芯片U3的第14管腳接+5V電壓，第7管腳接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的反饋光耦包括電阻R1、光耦U1A、二極管D2，輸出電壓通過(guò)電阻Rl接到光耦UlA中的發(fā)光二極管的陽(yáng)極，光耦UlA中的發(fā)光二極管的陰極與二極管Dl的陽(yáng)極和二極管的陽(yáng)極相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的電壓反饋比較器包括比較放大器U2A、電阻R2、電容Cl、電容C2、二極管Dl,比較放大器第8管腳通過(guò)電容Cl接地，第4管腳直接接地，電容C2和電阻R2串聯(lián)至Ij比較放大器的第I管腳和第2管腳之間，電容C2與比較放大器第I管腳連接，電阻R2與比較放大器第2管腳連接，二極管Dl的陰極連接比較放大器的第I管腳，二極管Dl的陽(yáng)極連接光耦UlA中的發(fā)光二極管的陰極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的電流反饋比較器包括比較放大器U2B、電阻R12、電容C3、二極管D2，電容C3和電阻R12串聯(lián)到比較放大器的第7管腳和第6管腳之間，電容C3與比較放大器第7管腳連接，電阻R12與比較放大器第6管腳連接，二極管D2的陰極連接比較放大器的第7管腳，二極管D2的陽(yáng)極連接光耦UlA中的發(fā)光二極管的陰極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的輸出電壓檢測(cè)電路包括電阻R3、電阻R10、電阻R11，輸出電壓經(jīng)過(guò)電阻RlO和電阻RlI連接到地，電阻R3 —端連接到電阻RlO和電阻Rll之間，一端連接到比較放大器U2A的第2管腳。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的電壓反饋基準(zhǔn)電壓電路包括電阻R4、電阻R9，基準(zhǔn)電壓+5V經(jīng)過(guò)電阻R4和電阻R9連接到地，電阻R4和電阻R9連接點(diǎn)連接到比較放大器的第3管腳。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的輸出電流檢測(cè)電路包括電阻R13，檢流電阻上的電壓經(jīng)過(guò)電阻R13連接到比較放大器U2B的第6管腳。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，其特征在于，所述的電流反饋基準(zhǔn)電壓電路包括電阻R14、電阻R15，基準(zhǔn)電壓+5V經(jīng)過(guò)電阻R14和電阻R15連接到地，電阻R14和 電阻R15連接點(diǎn)連接到比較放大器的第5管腳。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種P-MOS控制的多電壓多電流精確可調(diào)反饋控制電路，屬于電路技術(shù)領(lǐng)域，電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路通過(guò)電壓反饋基準(zhǔn)電壓連接到電壓反饋比較器的其中一個(gè)輸入端口，輸出電壓檢測(cè)電路連接到電壓反饋比較器的另外一個(gè)輸入端口，電壓反饋比較器的輸出端口連接到反饋光耦，電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路通過(guò)電流反饋基準(zhǔn)電壓連接到電流反饋比較器的其中一個(gè)輸入端口，通過(guò)原電壓電流反饋控制裝置增加電壓反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路和電流反饋基準(zhǔn)電壓調(diào)整電路，可做到雙電壓雙電流輸出調(diào)整控制，甚至可達(dá)到多電壓多電流輸出精確調(diào)整控制。
文檔編號(hào)G05F1/575GK203054662SQ201220745918
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2012年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月29日
發(fā)明者梁為元, 何小雄, 李洋 申請(qǐng)人:徐州市恒源電器有限公司