一種恒流環(huán)路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種恒流環(huán)路，包括：誤差放大器，其一端與電流檢測元件的一端連接；另外一端通過基準產(chǎn)生元件與電流檢測元件的另一端連接；電源，一端接地，另一端與金屬氧化層半導體場效晶體管的源極或漏極連接；所述金屬氧化層半導體場效晶體管的漏極或源極與所述電流檢測元件的另一端連接。本發(fā)明通過直接使用誤差放大器直接構(gòu)成閉環(huán)負反饋環(huán)路，整個環(huán)路只有一級EA增益級；降低了整體環(huán)路的失調(diào)電壓以及偏置電流，從而使恒流電流有更高的精度；同時簡化了環(huán)路結(jié)構(gòu)，降低了實現(xiàn)成本。
【專利說明】一種恒流環(huán)路
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電池【技術領域】，特別是涉及應用于電源管理或者電流檢測領域的恒流環(huán)路。
【背景技術】
[0002]如圖1所示，目前的高精度恒流環(huán)路或者電流檢測電路的實現(xiàn)方式是:通過運算放大器以及R1、R2、R3、R4構(gòu)成閉環(huán)負反饋(其中R1=R3 ;R2=R4)，采樣電流檢測元件Rsense兩端的壓降并放大，輸出在Vout端。
[0003]閉環(huán)增益為:
【權(quán)利要求】
1.一種恒流環(huán)路，其特征在于，包括: 誤差放大器，其一端與電流檢測元件的一端連接；另外一端通過基準產(chǎn)生元件與電流檢測元件的另一端連接； 電源，一端接地，另一端與金屬氧化層半導體場效晶體管的源極或漏極連接；所述金屬氧化層半導體場效晶體管的漏極或源極與所述電流檢測元件的另一端連接。
2.如權(quán)利要求1所述的恒流環(huán)路，其特征在于，所述恒流環(huán)路還包括: 參考基準電流生成電路，連接在所述誤差放大器與基準產(chǎn)生元件之間，用于生成參考基準電流。
3.如權(quán)利要求2所述的恒流環(huán)路，其特征在于，所述參考基準電流生成電路包括: 第二誤差放大器，其一個輸入端輸入帶隙基準電壓VBG,另一輸入端與第二金屬氧化層半導體場效晶體管的源極或漏極連接，輸出端與所述第二金屬氧化層半導體場效晶體管的柵極連接；所述第二金屬氧化層半導體場效晶體管的漏極或源極與所述基準產(chǎn)生元件一端連接，所述第二金屬氧化層半導體場效晶體管的源極或漏極連接基準產(chǎn)生元件之后接地。
4.如權(quán)利要求3所述的恒流環(huán)路，其特征在于，Iref=VBG/Rref2;其中，Iref為基準產(chǎn)生元件兩端的電流。
5.如權(quán)利要求4所述的恒流環(huán)路，其特征在于，所述電流檢測元件為電阻Rsense。
6.如權(quán)利要求5所述的恒流環(huán)路，其特征在于，Isense=IrefX Rref/Rsense, Isense為電阻Rsense兩端的電流，Iref為基準產(chǎn)生元件兩端的電流。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的恒流環(huán)路，其特征在于，所述恒流環(huán)路還包括: 電平轉(zhuǎn)換與驅(qū)動電路，其一端與所述金屬氧化層半導體場效晶體管的柵極連接，另一端與所述誤差放大器的輸出端連接；用于對誤差放大器的輸出進行電平轉(zhuǎn)換和驅(qū)動。
8.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的恒流環(huán)路，其特征在于，所述恒流環(huán)路還包括: 校準電路，連接在所述誤差放大器與基準產(chǎn)生元件之間，用于校準Rref兩端的電壓，修正恒流電流。
9.如權(quán)利要求8所述的恒流環(huán)路，其特征在于，所述校準電路包括若干個電流源，若干個電流源通過串聯(lián)和/或并聯(lián)連接。
10.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的恒流環(huán)路，其特征在于，所述恒流環(huán)路還包括: 電池，一端連接在所述誤差放大器與電流檢測元件之間，另一端接地。
【文檔編號】G05F1/56GK103970170SQ201310036000
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年1月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月30日
【發(fā)明者】胡劼 申請人:中興通訊股份有限公司