電子控制裝置及其控制特性調整方法
【專利摘要】本發(fā)明的電子控制裝置及其控制特性調整方法在由折線特性表示的特定傳感器中設置用于校正檢測信號的固體偏差變動的標簽電阻，以較低的成本來得到高精度的校正信號。將多個樣本的平均特性即標準特性近似為由第1直線、第2直線、第3直線組成的折線，將成為比較調整點的第1、第2直線的坐標點位置作為標準數(shù)據(jù)保存于電子控制裝置的數(shù)據(jù)存儲器中。將作為校正對象的現(xiàn)有樣本特性近似為由第1直線、第2直線、第3直線組成的折線，將第1標簽電阻的電阻值調整為與監(jiān)視輸出的比率相對應的值，將第2標簽電阻的電阻值調整為與監(jiān)視輸出的比率相對應的值。電子控制裝置讀取標簽電阻的電阻值，并與所保存的標準特性進行組合，插補第3直線部分來還原并生成現(xiàn)有樣本特性。
【專利說明】電子控制裝置及其控制特性調整方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子控制裝置、及其控制特性調整方法的改進，該電子控制裝置包括微處理器，所述微處理器與輸入傳感器組的動作狀態(tài)及程序存儲器的內容進行聯(lián)動，從而對電負載組進行驅動控制，并且，在所述電子控制裝置中，輸入傳感器組中的一部分特定傳感器具有用于校正傳感器檢測特性的固體偏差變動的標簽電阻，或者，電負載組中的一部分特定負載具有用于校正輸出特性的固體偏差變動的標簽電阻(label resistor)。
【背景技術】
[0002]對于輸入傳感器的測定輸入與檢測輸出的關系即檢測特性、或者作為例如發(fā)動機、電磁閥這樣的電磁致動器的電負載的控制輸入與所產生的輸出的關系即輸出特性，進行如下動作的電子控制裝置是公知的:使用包括用于校正該固體偏差變動的標簽電阻在內的特性傳感器或特定負載，并由微處理器讀取出標簽電阻的電阻值，根據(jù)所讀取出的電阻值來正確地識別出所使用的特定傳感器的檢測特性或特定負載的輸出特性。
例如，根據(jù)下述專利文獻I “氣體傳感器、氣體傳感器的連接器、以及氣體濃度檢測裝置”，如圖23中所記載的，在氣體傳感器的用于連接外部的連接器部分設有標簽電阻RL，所述氣體傳感器利用第I泵電流IPl來檢測氧濃度(參照圖23(A))，利用第2泵電流IP2來檢測N O X濃度(參照圖23 (B))，對于對第I泵電流IPl的6個級別的修正系數(shù)β = —
2、一 1、0、1、2、3、與對第2泵電流ΙΡ2的6個級別的修正系數(shù)α =- 2、一 1、0、1、2、3之間的二維映射，分配為等級I?36(參照圖23(C))，根據(jù)標簽電阻RL的電阻值來決定是等級I?36中的哪一個，作為其結果，決定修正系數(shù)α、β，從而利用規(guī)定的計算式(I)、(3)、
(4)、(5)來檢測出氧濃度與N O X濃度。
[0003]另外，根據(jù)下述專利文獻2 “噴射器及燃料噴射系統(tǒng)”，在噴射器處設有修正電阻，對燃料噴射用電磁閥的輸出響應特性中包含的固體偏差變動進行修正，如圖24所記載的那樣，為了對用于獲得設為目標的燃料噴射量的指令噴射量計算出用于決定所需的燃料噴射用電磁閥的開閥時間的噴射脈沖時間，對由圖24(A)的實線所示的基本噴射脈沖時間特性，生成由虛線表示的修正后的噴射脈沖時間特性，該修正后的噴射脈沖時間特性是通過基本噴射脈沖時間特性與第1、第2基準修正量代數(shù)相加而得到。
第I及第2基準修正量均可以選擇一20，一 10，±0，+ 10，+20μ s這5個級別的修正量，對由第I及第2基準修正量組成的二維映射分配為等級I?25 (參照圖24 (B))，并利用修正電阻的電阻值來確定是等級I?25中的哪一個。
現(xiàn)有技術文獻 專利文獻
[0004]專利文獻1:日本專利特開平11 一 281617號公報(圖4、圖8、第0062、0065段) 專利文獻2:日本專利特開2000 — 220508號公報(圖14、圖18、第0064、0067段)

【發(fā)明內容】
發(fā)明所要解決的技術問題
[0005]上述專利文獻I中的作為氣體傳感器的特定傳感器具有能夠利用一個標簽電阻來決定兩種修正系數(shù)α、β的特征，該修正系數(shù)α、β均是用于修正第I泵電流IPl及第2泵電流ΙΡ2的比例增益GPlst(P)或GP2st(a)的，對于第2泵電流IP2中的偏移分量IP2off不進行修正而使用固定值。
因此，并沒有示出利用標簽電阻來修正包含偏移分量在內的檢測特性、或至少難以利用一次直線函數(shù)來表示的曲線檢測特性的概念，因此在這種復雜的曲線檢測特性的情況下，需要經由IC存儲器來發(fā)送特性數(shù)據(jù)。
此外，根據(jù)表示專利文獻I的第2實施例的所述文獻中的圖6，將調整第I泵電流IPl的比例增益的修正電阻Rcl、調整第2泵電流IP2的比例增益的修正電阻Rc2、以及調整第2泵電流IP2的偏移電流的修正電阻Rc3用作為檢測裝置內的放大電路的一個電路元器件，然而在這種硬件方法中，由于弱電流信號電路與檢測裝置的外部相連接，因此會產生噪聲誤動作的危險，或檢測裝置的硬件成本會變高，從而產生問題。
[0006]另外，上述專利文獻2中的作為噴射器的特定負載僅僅修正了燃料噴射用電磁閥的響應時間的固體偏差變動，因此并沒有考慮到比例增益的偏差修正，該比例增益決定對燃料噴射用電磁閥的指令電流的大小與噴射脈沖時間之間的關系。
另外，并沒有示出當噴射脈沖時間無法簡單地利用一次直線函數(shù)來表示時利用修正電阻來進行修正的概念，因此在這種復雜的曲線檢測特性的情況下，需要經由IC存儲器來發(fā)送特性數(shù)據(jù)。
[0007]本發(fā)明的第I目的在于，提供一種簡易的電子控制裝置，該電子控制裝置中的特定傳感器的檢測特性或特定負載的輸出特性是單調遞增或單調遞減的曲線特性，而并非山形或谷形的二值曲線，該電子控制裝置適用于檢測特性或輸出特性能以一對以上的折線特性來進行近似的情況，并能抑制由于檢測特性或輸出特性的固體偏差變動而使得控制精度下降。
本發(fā)明的第2目的在于，提供一種簡易的電子控制裝置的控制特性調整方法，能夠應對各種變動原因，從而抑制由于檢測特性或輸出特性的固體偏差變動而使得控制精度下降，其中，所述各種變動原因有:由多個樣本的試驗數(shù)據(jù)的平均值決定的標準特性、與作為對象的現(xiàn)有樣本所相關的個體特性之間的偏差特性較大地依賴于特性直線的傾斜角的偏差；或者傾斜角不發(fā)生變動而偏差分量的變動較大；又或者傾斜角與偏差分量都是原因
坐寸ο
解決技術問題所采用的技術方案
[0008]本發(fā)明的電子控制裝置包括微處理器，該微處理器與輸入傳感器組的動作狀態(tài)及程序存儲器的內容進行聯(lián)動，從而對電負載組進行驅動控制，并且，在所述電子控制裝置中，所述輸入傳感器組的一部分特定傳感器具有用于校正傳感器檢測特性的固體偏差變動的標簽電阻，或者，所述電負載組中的一部分特定負載具有用于校正輸出特性的固體偏差變動的標簽電阻，
所述微處理器還與用于運算處理的RAM存儲器、作為所述程序存儲器的一部分區(qū)域的或分開設置的非易失性數(shù)據(jù)存儲器、以及AD轉換器相連接并相互聯(lián)動，
并且，所述程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器中以規(guī)定數(shù)據(jù)形式保存有多個樣品的實驗數(shù)據(jù)的平均特性數(shù)據(jù)即所述特定傳感器的標準檢測特性數(shù)據(jù)、或者所述特定負載的標準輸出特性數(shù)據(jù)即標準特性數(shù)據(jù)。
所述檢測特性或輸出特性的2次微分值具有不進行正負翻轉的單調遞增特性或單調遞減特性，近似于至少一對以上的折線特性，
所述程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器中還保存有插補信息，該插補信息用于填補近似于折線特性的所述標準特性數(shù)據(jù)、與實際的標準特性數(shù)據(jù)之間的誤差。所述程序存儲器包含成為標簽電阻讀取轉換單元的控制程序，所述標簽電阻讀取轉換單元參照與所述標簽電阻串聯(lián)連接的串聯(lián)電阻的電阻值、以及該標簽電阻的兩端電壓及施加在串聯(lián)電路上的電壓即控制電壓，來計算該標簽電阻的電阻值，并基于所計算出的電阻值來計算所述特定傳感器的檢測特性、或用于修正所述特定負載的輸出特性的固體偏差變動的修正常數(shù)，并將其保存到所述數(shù)據(jù)存儲器或所述RAM存儲器中，
所述修正常數(shù)是以所述標準特性數(shù)據(jù)為基準的所述特定傳感器的個別檢測特性數(shù)據(jù)、或是用于確定所述特定負載的個別輸出特性數(shù)據(jù)即個別特性數(shù)據(jù)的一對調整倍率、或是一對調整加法運算值、又或是將調整倍率與調整加法運算值進行復合后得到的數(shù)據(jù)。
所述調整倍率是通過與所述標準特性數(shù)據(jù)相乘從而得到所述個別特性數(shù)據(jù)的修正常數(shù)，可以是規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)與標準特性數(shù)據(jù)之間的相對比率即調整系數(shù)，或者是與規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)和標準特性數(shù)據(jù)之間的變化率相關的相對比率即斜率系數(shù)，
所述調整加法運算值是通過與所述標準特性數(shù)據(jù)進行代數(shù)加法運算從而得到所述個別特性數(shù)據(jù)的修正常數(shù)，可以是規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)與標準特性數(shù)據(jù)之間的相對偏差即偏置調整值，或者是與規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)和標準特性數(shù)據(jù)之間的變化率相關的相對偏差即斜率調整值。
所述標簽電阻讀取轉換單元在電源開關接通后的運行開始時執(zhí)行，或是在對所述特定傳感器或所述特定負載進行維護更換時執(zhí)行，對所述修正常數(shù)是由所述調整系數(shù)或所述斜率系數(shù)或所述偏置調整值或斜率調整值的哪種組合來構成的進行識別，并將所識別出的修正常數(shù)及所述特定傳感器或所述特定負載的所述標準特性數(shù)據(jù)、與所述插補信息進行組合，從而還原生成所述個別特性數(shù)據(jù)，所述微處理器參照所生成的所述個別檢測特性數(shù)據(jù)來對所述電負載組進行驅動控制，或者參照所生成的所述個別輸出特性數(shù)據(jù)來對所述特定負載進行驅動控制。
[0009]在本發(fā)明的電子控制裝置的控制特性調整方法中，在所述程序存儲器或所述數(shù)據(jù)存儲器中，除了所述標準特性數(shù)據(jù)以外，還添加有用于選擇所述數(shù)據(jù)形式的輔助數(shù)據(jù)，
在由輸入共同的比較調整值的調整輸入軸、和輸出不同的比較監(jiān)視值的監(jiān)視輸出軸所組成的二維坐標上，或者在由輸出共同的比較調整值的調整輸出軸、和輸入不同的比較監(jiān)視值的監(jiān)視輸入軸所組成的二維坐標上，所述標準特性數(shù)據(jù)的標準特性與所述個別特性數(shù)據(jù)的個別特性折線近似，
作為構成所述修正常數(shù)的選擇參數(shù)，所述輔助數(shù)據(jù)可以從如下選擇Al至選擇A7的一部分或全部之中選擇出任意一個:(I)由所述調整系數(shù)與所述斜率系數(shù)的組合形成的選擇Al、或選擇由所述第I及第2調整系數(shù)的組合形成的一對調整系數(shù)的選擇A2 ;或者(2)由所述偏置調整值與斜率調整值的組合形成的選擇A3、或選擇由所述第I及第2偏置調整值形成的一對偏置調整值的選擇A4 ;或者(3)選擇由所述偏置調整值與所述調整系數(shù)的復合組合的選擇A5、或選擇由所述調整系數(shù)與所述斜率調整值的組合形成的復合組合的選擇A6、或者選擇所述偏置調整值與所述斜率系數(shù)的組合的選擇A7，
另外，(4)所述折線特性的坐標軸選擇調整輸入軸對監(jiān)視輸出軸的二維坐標軸即選擇B1、或調整輸出軸對監(jiān)視輸入軸的二維坐標軸即選擇B2中的任意一個，由此，指定共計14種選擇項中的一個來作為選擇參數(shù)，
并且，所述調整系數(shù)是由比率(y nO/ y O)或比率(xnO/xO)來決定的參數(shù)，所述比率(y nO/ y O)是對于共同的比較調整輸入xO、將個別特性的比較監(jiān)視輸出ynO與所述標準特性的比較監(jiān)視輸出yO進行比較后得到的比率，所述比率(xnO/xO)是對于共同的比較調整輸出yO、將所述個別特性的比較監(jiān)視輸入χηΟ與所述標準特性的比較監(jiān)視輸入xO進行比較后得到的比率，
所述斜率系數(shù)是由比率(θ η/ Θ O,或tan Θ n/tan θ O)來決定的參數(shù),所述比率(Θ n/Θ 0，或tan Θ n/tan θ O)是將用于計算所述調整系數(shù)的比較調整點上的所述個別特性的變化率即線段的傾斜角或其正切、與所述標準特性的變化率即線段的傾斜角或其正切進行比較后得到的比率，
所述偏置調整值是由比較偏差(y In — y I)或比較偏差(X In — X I)來決定的參數(shù)，所述比較偏差(y In — y I)是與共同的比較調整輸入xl相對的、所述個別特性的比較監(jiān)視輸出yin與標準特性的比較監(jiān)視輸出yl之間的比較偏差，所述比較偏差(x In —X D是與共同的比較調整輸出yl相對的、所述個別特性的比較監(jiān)視輸入xln與所述標準特性的比較監(jiān)視輸入xl之間的比較偏差，
所述斜率調整值是由比較偏差(θ η — Θ 1，或tan θ η — tan Θ I)來決定的參數(shù),所述比較偏差(θ η — Θ 1，或tan Θ n — tan Θ I)是用于計算所述偏差修正值的比較調整點上的所述個別特性的變化率即線段的傾斜角或其正切、與所述標準特性的變化率即線段的傾斜角或其正切之間的比較偏差。
發(fā)明效果
[0010]如上所述，在本發(fā)明的電子控制裝置中，輸入傳感器組的一部分特定傳感器或電負載組的一部分特定負載包括用于校正檢測特性或輸出特性的固體偏差變動的標簽電阻，在運行開始時將所測定到的標簽電阻的電阻值、與預先存儲的標準特性數(shù)據(jù)及插補信息進行組合，還原生成與所使用的特定傳感器或特定負載相對應的個別特性數(shù)據(jù)，并利用從根據(jù)標簽電阻的電阻值決定的調整系數(shù)或斜率系數(shù)或偏置調整值或斜率調整值中選擇出的多個常數(shù)，來得到折線特性。
因此，如果在電子控制裝置的制造出廠階段利用成為標準樣本的特定傳感器或特定負載來對控制裝置進行調整操作，并在特定傳感器或特定負載的制造出廠階段組裝用于修正固體偏差的標簽電阻，則在組裝兩者的總合組裝階段、或在市場上對特定傳感器或特定負載或電子控制裝置進行維護更換時，無需對兩者進行組合調整，因此使得組裝及維護更換變得容易，從而能夠得到一種利用較為廉價的特定傳感器或特定負載設備、并具有高精度的控制性能的電子控制裝置，
即使在檢測特性或輸出特性是包含一對以上的折線特性的復雜特性，特定傳感器或特定負載中也無需用于存儲修正常數(shù)的IC存儲器，從而能夠通過讀取出小型且廉價的標簽電阻的電阻值來簡單地校正固體偏差變動，由此，無需在特定傳感器或特定負載與電子控制裝置之間進行復雜的信號交互，從而產生能整體地提高經濟性的效果。另外，設在電子控制裝置中的微處理器在不進行輸入輸出控制的期間讀取標簽電阻，并預先生成有個別特性數(shù)據(jù)，因此無需在運行中對標簽電阻進行讀取或轉換處理，從而具有能減少微處理器的控制負擔，并能使用廉價的微處理器的效果。
[0011 ] 如上所述，在本發(fā)明的電子控制裝置的控制特性調整方法中，程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器包含用于選擇修正常數(shù)的數(shù)據(jù)形式的輔助數(shù)據(jù)，所述修正常數(shù)用于根據(jù)標準特性數(shù)據(jù)來計算個別特性數(shù)據(jù)。
因此，在為了生成標準特性數(shù)據(jù)而對多個樣本進行實驗測定時，將此處所獲得的標準特性與各種偏差特性進行對比，選擇修正常數(shù)的變動幅度較小的數(shù)據(jù)形式，從而具有能抑制標簽電阻的電阻值的調整幅度的效果。
此外，例如在標準特性的傾斜角Θ O是非常小的平坦線的情況下，與個別特性的傾斜角θ Π之間的比率即斜率系數(shù)θ η/ Θ O或tan Θ n/tan θ O將變?yōu)檫^大的數(shù)值，導致斜率系數(shù)的變動幅度過大，從而難以利用標簽電阻來表現(xiàn)這種情況。
一般來說，在傾斜角的變動較小、標準特性與個別特性接近于互為平行線狀態(tài)的情況下，偏置方式較為有利，在標準特性與個別特性之間的傾斜角較小、并相對于X軸呈平坦的平行特性的情況下，調整輸入對監(jiān)視輸出的形式較為有利，在相對于X軸呈陡峭的平行特性的情況下，調整輸出對監(jiān)視輸入的方式較為有利。
與此相對，在標準特性與個別特性之間的傾斜角的變動較大的情況下，調整系數(shù)方式較為有利。
在該情況下，當標準特性的線段與個別特性的線段之間的交叉點位于第1、第4坐標的情況下，使用一對調整系數(shù)較為有利，與此相對，當標準特性的線段與個別特性的線段之間的交叉點位于第2、第3坐標的情況下，斜率系數(shù)方式較為有利。
【專利附圖】

【附圖說明】[0012]
圖1是表示本發(fā)明的實施方式I的整體結構圖。
圖2是實施方式I所用的一個一用的標簽電阻的結構圖。
圖3是說明使用圖2的標簽電阻時的調整系數(shù)的特性曲線圖。
圖4是圖2的標簽電阻的分配結構圖。
圖5是實施方式I所用的兩個一用的標簽電阻的結構圖。
圖6是說明使用圖5的標簽電阻時的調整系數(shù)的特性曲線圖。
圖7是實施方式I中的特定負載的控制框圖。
圖8是實施方式I中的特定傳感器及特定負載的調整操作的流程圖。
圖9是實施方式I中的電子控制裝置的調整操作的流程圖。
圖10是實施方式I中的電子控制裝置的運行動作的流程圖。
圖11是表示本發(fā)明的實施方式2的整體結構圖。
圖12是實施方式2中使用的標簽電阻的結構圖。
圖13是說明使用圖12的標簽電阻時的調整系數(shù)的特性曲線圖。 圖14是表示用于計算實施方式2中的修正系數(shù)的變形方式的圖。
圖15是實施方式2中的特定負載的控制框圖。
圖16是帶有實施方式2中的特定傳感器的特定負載的調整操作的流程圖。
圖17是實施方式2中的電子控制裝置的調整操作的流程圖。
圖18是實施方式2中的電子控制裝置的運行動作的流程圖。
圖19是用于說明本發(fā)明的控制特性調整方法中的調整倍率的特性曲線圖。
圖20是用于說明本發(fā)明的控制特性調整方法中的調整加法運算值的特性曲線圖。
圖21是與本發(fā)明的控制特性調整方法中的修正常數(shù)相關的說明圖。
圖22是與本發(fā)明的控制特性調整方法中的修正常數(shù)的分配相關的圖表。
圖23是用于說明作為現(xiàn)有技術的專利文獻I的圖表。
圖24是用于說明作為現(xiàn)有技術的專利文獻2的圖表。
實施方式
[0013]實施方式I
下面，對表示本發(fā)明的實施方式I的整體結構圖即圖1進行說明。
圖1中，以電子控制模塊IlOA為主體構成的電子控制裝置100A例如由負端子與車體101相連的車載電池等外部電源102進行供電，在未圖示的電源開關閉合時，經由激勵中的電源繼電器的輸出觸點103施加作為主電源的供電電壓Vb，經由負載電源繼電器的輸出觸點104施加負載電源電壓Vbb，并直接提供存儲器的備用電源電壓Vbu。
此外，電源繼電器通過閉合未圖示的電源開關來進行激勵，一旦電源繼電器的輸出觸點103閉合而使得電子控制裝置100A開始動作，則利用由電子控制裝置100A產生的自保持指令信號來維持激勵狀態(tài)，從而即使電源開關開路激勵狀態(tài)也得以持續(xù)，若在電子控制裝置100A完成動作停止處理的時刻解除自保持指令信號，則電源繼電器去激勵，輸出觸點103開路。
[0014]電子控制裝置100A與作為輸入信號的傳感器組105相連，該傳感器組包含:與手動操作開關或后述的電負載組108的動作狀態(tài)進行聯(lián)動的各種開關傳感器或模擬傳感器、或者例如作為溫度傳感器的環(huán)境傳感器105a等。
傳感器組105的一部分即特定傳感器106A包括用于校正檢測特性的固體偏差變動的第I及第2標簽電阻61a、62a。
由電子控制裝置100A來進行驅動控制的電負載組108例如是發(fā)動機、電磁閥等致動器，或者是作為人機接口的顯示設備。電負載組108的一部分即特定負載107A對指令輸入產生的輸出特性中存在固體偏差變動，所述特定負載107A包括用于進行校正、使得提供適當?shù)闹噶钚盘栆缘玫阶鳛槟繕说漠a生輸出的標簽電阻74a。
此外，特定傳感器106A的檢測特性或特定負載107A的輸出特性不是山形或谷形曲線，而是單調遞增或單調遞減的曲線特性，在為比較平緩的直線特性的情況下，只需一個標簽電阻即可，在為彎曲特性的情況下使用兩個標簽電阻。
因此，如果特定傳感器106A是比較平緩的直線特性的情況下，使用一個標簽電阻，在特定負載107A是彎曲特性的情況下，使用兩個標簽電阻，這里，作為一個簡單的示例，設特定傳感器106A是兩個一用，而特定負載107A是一個一用。
[0015]電子控制裝置100A的內部設有定電壓電源110a，該定電壓電源IlOa由外部電源102并經由電源繼電器的輸出觸點103來進行供電而產生例如DC5V的穩(wěn)定的控制電壓Vcc，對包含電子控制模塊IlOA或未圖示的接口電路的各單元進行供電。
電子控制模塊IlOA利用總線將作為運算處理裝置的微處理器111、與用于運算處理的RAM存儲器112、例如作為快閃存儲器的非易失性程序存儲器113A、非易失性數(shù)據(jù)存儲器114、多信道AD轉換器115、以及串行一并行轉換器116互相連接而構成。
此外，程序存儲器113A中保存有后述的成為標簽電阻讀取轉換單元1004的控制程序。另外，AD轉換器115中施加有作為基準電壓的控制電壓Vcc，AD轉換器115的模擬輸入信號電壓Vi的數(shù)字轉換值、與控制電壓Vcc和輸入信號電壓Vi的比率成正比，若輸入信號電壓Vi等于控制電壓Vcc，則能得到與AD轉換器115的分辨率相對應的滿刻度值。
將由外部電源102直接供電的定電壓電源IlOb作為備用電源，以使得在電源繼電器的輸出觸點103開路的狀態(tài)下，寫入RAM存儲器112中的數(shù)據(jù)不會消失，在未圖示的電源開關開路使得電源繼電器的輸出觸點103延遲閉合的期間，將寫入RAM存儲器112中的數(shù)據(jù)中的重要數(shù)據(jù)傳送并保存于數(shù)據(jù)存儲器114中。
[0016]此外，可以將以I比特為單位、可進行簡單地電讀寫的非易失性存儲器用作為數(shù)據(jù)存儲器114，在程序存儲器113A是以塊為單位一并進行電清除的快閃存儲器的情況下，也可以將特定的塊用作為數(shù)據(jù)存儲器114。
另外，程序存儲器113A具有如下結構:在連接有未圖示的編程工具或后述的調整工具190的狀態(tài)下，進行程序的重寫，在未連接例如這些工具等的狀態(tài)下，只能進行讀取而不能進行重寫處理。然而，對于數(shù)據(jù)存儲器114，如果即使是程序存儲器113A的一部分區(qū)域、所保存的數(shù)據(jù)塊有所不同，則即使不連接工具也能通過微處理器111自由地進行讀寫然而，在使用快閃存儲器的情況下，可消除的次數(shù)有限，因此一般在運行過程中寫入RAM存儲器112中的數(shù)據(jù)在電源開關開路后馬上被傳送并保存到數(shù)據(jù)存儲器114中。
[0017]設在電子控制裝置100A內部的接口電路160a將與特定傳感器106A的檢測信號進行聯(lián)動的監(jiān)視電壓Val輸入到多通道AD轉換器115。
此外，在特定傳感器106A例如產生DCO?5V的檢測信號的情況下，無需接口電路160a,而在檢測信號電壓較為微小的情況下，利用接口電路160a來進行放大，在檢測信號電壓穿越正負區(qū)域的情況下，利用接口電路160a加上偏置電壓，并進行標準化轉換，使得監(jiān)視電壓Val處于DCO?5V的正坐標區(qū)域。
與第I標簽電阻61a串聯(lián)連接的串聯(lián)電阻161a的一端連接有控制電壓Vcc，將另一端作為第I標簽電阻61a的兩端電壓Va2輸入到多通道AD轉換器115中。
與第2標簽電阻62a串聯(lián)連接的串聯(lián)電阻162a的一端連接有控制電壓Vcc，將另一端作為第2標簽電阻62a的兩端電壓Va3輸入到多通道AD轉換器115中。
與特定負載107A的標簽電阻74a串聯(lián)連接的串聯(lián)電阻174的一端連接有控制電壓Vcc，將另一端作為標簽電阻74a的兩端電壓Va5輸入到多通道AD轉換器115中。
[0018]此外，若將串聯(lián)電阻174的電阻值設為Rl74，將標簽電阻74a的電阻值設為R74，則式(I)和式(2)的關系成立。
Va5 =V cc X R 74/( R 74 + R 174)...........(I)...R 74 = R 174X ( V a5/ V cc) / [ I — ( V a5/ V cc) ]...(2)
因此，能夠根據(jù)作為已知值的串聯(lián)電阻174的電阻值R174、以及AD轉換器115的標簽電阻74a的兩端電壓Va5的數(shù)字轉換值來計算出標簽電阻74a的電阻值。
這點對于第I及第2標簽電阻61a、62a也相同。
以未圖示的晶體管為主體得以構成的電流控制電路171根據(jù)由微處理器111產生的作為脈寬調制信號(P WM信號)的控制指令信號DRl來進行開閉動作，經由與一端施加有負載電源電壓Vbb的特定負載107A的另一端串聯(lián)連接的電流檢測電阻172對特定負載107A進行供電，并根據(jù)閉合時間與開閉周期的比率即開閉占空比來控制負載電流。
電流檢測電阻172的兩端電壓通過差動放大器173放大，并作為負反饋電壓Va4輸入到AD轉換器115中。
[0019]調整工具190A在電子控制裝置100A的出廠調整運行時，經由串行通信電路109進行連接，以進行接口電路160a與電流控制電路171的初始校正，在該出廠調整運行時特定傳感器106A和特定負載107A使用標準樣本。
將接口電路160a的輸入電壓經由用于測量的數(shù)字電壓計191和調整工具190A輸入到電子控制裝置100A中，求出在提供一大一小兩種輸入電壓Vil、Vi2時的監(jiān)視電壓Val經AD轉換器115轉換后得到的數(shù)字轉換值Di1、Di2，并根據(jù)輸入電壓Vi1、Vi2與數(shù)字轉換電壓Dil、Di2的關系，計算出接口電路160a內所施加的實際的偏置電壓、以及接口電路160a的實際放大率。
其結果是，即使在接口電路160a內所施加的偏置電壓、接口電路160a的實際放大率中存在固體偏差變動，也能通過預先將實際測定到的偏置電壓及放大率存儲到數(shù)據(jù)存儲器114中，從而準確地獲取到經由接口電路160a輸入的信號電壓。
[0020]將電流控制電路171的輸出電流經由用于測量的電流檢測器193、數(shù)字電流計192及調整工具190A，輸入到電子控制裝置100A中，求出在提供一大一小兩種輸出電流Ail、Ai2時的負反饋電壓Va4經AD轉換器115轉換后得到的數(shù)字轉換值Dil、Di2，并根據(jù)輸出電流Ail、Ai2與數(shù)字轉換電壓Dil、Di2的關系，計算出由差動放大器173產生的偏移電壓或電流檢測電阻172的實際值，并計算出控制指令信號DRl與實際的輸出電流的關系。
其結果是，即使在電流控制電路171或電流檢測電阻172中存在固體偏差變動，也能通過預先將實際測定到的偏移電壓、電流檢測電阻172的值、控制指令信號DR1、及輸出電流之間的關系存儲到數(shù)據(jù)存儲器114中，從而根據(jù)經由差動放大器173輸入的負反饋電壓Va4來精確地獲取施加給特定負載107A的供電電流，并生成能夠得到作為目標的輸出電流的控制指令信號。
[0021]如上所述，可以認為:電子控制裝置100A內相對于特定傳感器106A或特定負載107A的接口電路預先經過適當?shù)男Ｕ幚?，因而即使特定傳感?06A發(fā)出正負的檢測信號，也能通過接口電路160a內的偏差加法運算來將其重新置于正坐標上的檢測信號。
因此，在下述說明中，對特定傳感器的檢測特性或特定負載的輸出特性均不含有負值的情況進行說明。
[0022]接下來，對圖2、圖3、以及圖4進行說明，圖2是實施方式I中所用的一個一用的標簽電阻74a的結構圖，圖3是對使用了圖2的標簽電阻74a時的調整系數(shù)進行說明的特性曲線圖，圖4是圖2的標簽電阻的分配結構圖。
圖2中，標簽電阻74a依次串聯(lián)連接有多個串聯(lián)電阻80?89，串聯(lián)電阻80?89的電阻值中，后級的電阻值是前級的電阻值的2倍，各個串聯(lián)電阻80?89通過設在調整窗內的多個短路/開路端子B O?B 9來進行短路或開路。
此外，電阻器的電阻值使用等比數(shù)列的標準數(shù)，因此在一個電阻器中依次選擇出具有2倍值的電阻值的電阻器較為困難，所以適當?shù)剡B接以虛線表示的并聯(lián)電阻，從而來進行修正以使其變成近似于2倍的電阻值。
所述短路/開路端子BO?B9與作為目標的標簽電阻74a的電阻值的二進制值相對應，在二進制值“O”時短路，在二進制值“I”時開路。
[0023]在預先構成這種電路的情況下，在通過短路/開路端子BO?B9的任意組合來使端子短路時，利用該組合使作為標簽電阻74a的合成電阻發(fā)生變化，由靠近B9的左側位置上的短路/開路端子發(fā)生短路而導致的標簽電阻74a電阻值的變化要比由靠近BO的位置上的短路/開路端子發(fā)生短路而導致的標簽電阻74a電阻值的變化要大，因此將其置于高比特位。
因此，標簽電阻74a的電阻值是與二進制值(B 9，B 8...B I.B O)成正比的值。 其中，若在二進制值“O”時開路、在二進制值“ I ”時短路，則能得到補數(shù)值。
此外，作為標簽電阻74a的調整操作，利用焊料來使短路/開路端子B O?B 9的一部分或全部短路，根據(jù)情況在全部都開路的狀態(tài)下，若該調整操作結束，則在未圖示的調整窗內注入密封材。
[0024]接下來，對圖3進行說明，圖3是圖1中的特定負載107a的標準特性曲線圖及個別特性曲線圖。
圖3 (A)是表示多個樣本的特定負載107A的輸出特性所相關的平均值的標準特性曲線圖，如果特定負載107A例如是直流發(fā)動機，則橫軸是提供給發(fā)動機的成為控制輸入的供電電流，而縱軸表示發(fā)動機所產生的轉矩。
該標準特性近似為第I線段303a與第2線段304a所組成的折線，第I線段303a與第2線段304a還能近似成一根合成直線305a。
合成直線305a通過坐標點(P 0，V O)，其與橫軸的斜率為Θ O。
其中，P O是規(guī)定的實際測定電流，V O是實際測定電流P O所產生的轉矩，由此標準數(shù)據(jù)(P 0，V 0，Θ0)得以構成。
另外，在實際測定電流為Pi時，合成直線305a與折線數(shù)據(jù)之間存在誤差Λ V i0，與各個實際測定電流Pi相對應地構成差分數(shù)據(jù)(Λ V iO)。
標準數(shù)據(jù)(P O，V O，Θ O)與差分數(shù)據(jù)(Λ V iO)是作為標準輸出特性數(shù)據(jù)保存在程序存儲器113A或數(shù)據(jù)存儲器114中的數(shù)據(jù)。
[0025]圖3 (B)是表示作為出廠檢查對象的現(xiàn)有樣本的特定負載107A的輸出特性的個別特性曲線圖，橫軸與縱軸的關系與圖3(A)的情況相同。
該個別特性近似為第I線段303b與第2線段304b所組成的折線，第I線段303b與第2線段304b還能近似成一根合成直線305b。
合成直線305b通過坐標點(P O，V η)，其與橫軸的斜率為θ η。
其中，P O是規(guī)定的實際測定電流，V η是實際測定電流P O所產生的轉矩，由此個別數(shù)據(jù)(P O，V η，θη)得以構成。
另外，在實際測定電流為Pi時，合成直線305b與折線數(shù)據(jù)之間存在誤差Λ V in，與各個實際測定電流Pi相對應地構成差分數(shù)據(jù)(Λ V in)。 這里，將個別特性中所產生的轉矩Vn與標準特性中所產生的轉矩VO的比率Vn/V0作為一次調整系數(shù)，將個別特性中的斜率θ η與標準特性中的斜率Θ O的比率θ η/ Θ O作為一次斜率系數(shù)，并將一次修正系數(shù)定為(V n/ V 0，θ η/ Θ O)。
該一次修正系數(shù)(V n/ V 0，θ η/ Θ O)由標簽電阻74a的電阻值來體現(xiàn)，微處理器111通過讀取出標簽電阻74a的電阻值，來識別所使用的特定負載107A所相關的一次修正系數(shù)(V n/ V O, θ η/ Θ O)。
[0026]其結果是，微處理器111能夠利用預先保存的標準特性數(shù)據(jù)、以及通過讀取出標簽電阻74a的電阻值而獲取的一次修正系數(shù)，來獲取所使用的特定負載107A即發(fā)動機的個別輸出特性。
如圖3(C)示出了如上述那樣獲取的個別輸出特性，利用標準的合成直線305a及一次修正系數(shù)(V n/ V 0，θ η/ Θ O)來重現(xiàn)與個別的合成直線305b相同的合成直線305c。
通過將標準差分數(shù)據(jù)Λ V iO與該重現(xiàn)的合成直線305c ( = 305b)進行代數(shù)加法運算，來生成第I線段303c及第2線段304c。
由此生成的圖3(C)中的一次修正折線特性與圖3(B)的個別檢查特性相比，差分數(shù)據(jù)Δ V in有所不同。
[0027]圖3(D)示出了二次修正折線特性中的第I線段303d、第2線段304d、合成直線305d。
合成直線305d通過坐標點(P 0，V m)，其與橫軸的斜率為Θ m，標簽電阻74a體現(xiàn)出二次修正系數(shù)(V m/ V 0，Θ m/ Θ O),而非一次修正系數(shù)。
此外，二次修正系數(shù)是計算二次調整系數(shù)(V m/ V O)及二次斜率系數(shù)(Θ m/ Θ O)的值后得到的值，使得在分別使一次調整系數(shù)(V n/ V O)與一次斜率系數(shù)(θ η/ Θ O)的值微增或微減時所得到的一次修正折線特性的第I線段303c及第2線段304c、與個別折線特性中的第I線段303b及第2線段304b之間的相對誤差最小。
微處理器111利用標準數(shù)據(jù)(PO，V 0，Θ O)以及從所述標簽電阻74a的電阻值讀取出的所述二次修正系數(shù)，來確定合成直線305d，并通過將差分數(shù)據(jù)Λ V iO與所確定的合成直線305d進行代數(shù)加法運算，來確定由第I線段303d及第2線段304d組成的二次修正折線特性，并利用所確定的二次修正折線特性來得到特定負載107A的個別輸出特性。
[0028]在上述說明中，對將直流發(fā)動機用作為特定負載107A的情況進行了說明，一般來說，圖3的橫軸為相對于特定負載107A的控制輸入，而縱軸為特定負載107A所產生的輸出。
特別的，在這里的說明中，將控制輸入PO設作共同的調整輸入，將標準特性中所產生的輸出VO與個別特性中所產生的輸出Vn作為監(jiān)視輸出，并進行對比，但也可以將為了能得到共同的調整輸出時的監(jiān)視輸入的比率設作為調整系數(shù)。
另外，也可以不使用斜率系數(shù)，而在合成直線305a上決定一對比較坐標點，并利用標準數(shù)據(jù)(PO，V O, P 00, V 00)來表示合成直線305a，利用一對調整系數(shù)(V n/ V 0，
Vnn/ V 00)來計算出個別的合成直線305b。
[0029]在上述說明中，將規(guī)定的調整比較點上的個別特性數(shù)據(jù)與標準特性數(shù)據(jù)之間的相對比率即調整系數(shù)、或者規(guī)定的調整比較點上的個別特性數(shù)據(jù)與標準特性數(shù)據(jù)之間的變化率所相關的相對比率即斜率系數(shù)設為調整倍率，該調整倍率是通過乘上標準特性數(shù)據(jù)而得到個別特性數(shù)據(jù)的修正常數(shù)。
與此相對，將規(guī)定的調整比較點上的個別特性數(shù)據(jù)與標準特性數(shù)據(jù)之間的相對偏差即偏置調整值、或者規(guī)定的調整比較點上的個別特性數(shù)據(jù)與標準特性數(shù)據(jù)之間的變化率所相關的相對偏差即斜率調整值設為調整加法運算值，該調整加法運算值是通過與標準特性數(shù)據(jù)進行代數(shù)加法運算從而得到個別特性數(shù)據(jù)的修正常數(shù)。
[0030]接下來，對圖4進行說明，圖4是用于說明標簽電阻74a的電阻值的決定方法的圖表。
圖4 (A)示出了在對標簽電阻74a的電阻值進行數(shù)字轉換、從而利用二進制值來表示時的比特位結構。
低比特位(B 4?B O)是用于指定1.04?0.95來作為調整系數(shù)的數(shù)值區(qū)域，例如，在希望將調整系數(shù)設作為0.95時，將低比特位設為00001?00011的中心值00010即可。
由此，在將標簽電阻的調整誤差或AD轉換誤差考慮在內的情況下，即使產生I比特程度的誤差，也能可靠地識別出調整系數(shù)0.95。
此外，在圖4(A)中，將低比特位上的二進制值00001?11110換算成10進制值時為I?30，與I?30相對應地分配調整系數(shù)0.95?1.04。
高比特位(B 8?B 6)用于分配1.04?0.97來作為斜率系數(shù)，例如，在希望將斜率系數(shù)設作為1.01時，設定(B 8，B 7，B 6) = (1,0,0)即可。
該情況下的十進制值為256，然而如果例如十進制值為258 = 256+2，則斜率系數(shù)選擇
1.01，而調整系數(shù)選擇0.95。
[0031]圖4(B)是用于說明其它實施方式中的標簽電阻74a的電阻值的決定方法的圖表，這里，作為修正常數(shù)，在第I比較調整點上應用偏置調整值，而在第2比較調整點上應用使用了調整系數(shù)的數(shù)據(jù)形式。
此外，使用調整系數(shù)、斜率系數(shù)、偏置調整值、斜率調整值的哪個組合作為修正常數(shù)是以數(shù)據(jù)形式的方式預先寫入并保存在程序存儲器113A或數(shù)據(jù)存儲器114中。
圖4 (B)是9行7列共計63格的表，能夠選擇精調與粗調來作為偏置調整值，精調能夠進行( + 3,+ 2,+1,0, — I, — 2, — 3)這7個級別的修正，而粗調能夠進行(+ 6, + 4, +2，0，一 2，一 4，一 6)這7個級別的修正。一個單位的修正量所表示的含義均被定義在程序存儲器113A或數(shù)據(jù)存儲器114中，例如保存有5mV或一 IOKg這樣具體的數(shù)值。
[0032]另外，也可以選擇能夠進行(1.04，1.03，1.02，1.01，1.00，0.99，0.98，0.97，0.96)這9個級別修正的精調、以及能夠進行(1.08，1.06，1.04，1.02，1.00,0.98,0.96,0.94，0.92)這9個級別修正的粗調，來作為調整系數(shù)。
另一方面，標簽電阻能夠進行比特位O?6的7個比特位的選擇調整，由此，可將標簽電阻的數(shù)字轉換值O?127中的I?126作為等級編號來進行分配。
等級編號I?126中，奇數(shù)編號被分配為用于精調，而偶數(shù)編號被分配為用于粗調，例如如果等級編號為81，則偏置調整值以+ 2為單位來進行加法運算修正，而調整系數(shù)進行0.99倍的乘法修正。
另外，例如如果等級編號為82，則偏置調整值以+ 4為單位來進行加法運算修正，而調整系數(shù)進行0.98倍的乘法修正。
[0033]接下來，對圖5及圖6進行說明，圖5是實施方式I中所用的兩個一用的標簽電阻61a、62a的結構圖，圖6是對使用了圖5的標簽電阻61a、62a時的調整系數(shù)進行說明的特性曲線圖。
圖5中，與特定傳感器106A —體化的第I及第2標簽電阻61a、62a由經過激光微調后的薄膜電阻構成，通過一個調整窗來進行電阻值的調整。
此外，薄膜電阻的寬度為X、長度為Y、厚度為T，若將寬度方向上的切割尺寸設為Λ X，將長度方向上的切割尺寸設為△ Y，則通過對初始的電阻值RO進行切割而增加的增加電阻值Λ R可通過式(3)計算得出。
【權利要求】
1.一種電子控制裝置，包括微處理器，該微處理器與輸入傳感器組的動作狀態(tài)及程序存儲器的內容進行聯(lián)動，從而對電負載組進行驅動控制，并且，在所述電子控制裝置中，所述輸入傳感器組的一部分特定傳感器具有用于校正傳感器檢測特性的固體偏差變動的標簽電阻，或者，所述電負載組中的一部分特定負載具有用于校正輸出特性的固體偏差變動的標簽電阻，所述電子控制裝置的特征在于， 所述微處理器還與用于運算處理的RAM存儲器、作為所述程序存儲器的一部分區(qū)域的或分開設置的非易失性數(shù)據(jù)存儲器、以及AD轉換器相連接并相互聯(lián)動， 并且，所述程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器中以規(guī)定數(shù)據(jù)形式保存有多個樣本的實驗數(shù)據(jù)的平均特性數(shù)據(jù)即所述特定傳感器的標準檢測特性數(shù)據(jù)、或者所述特定負載的標準輸出特性數(shù)據(jù)即標準特性數(shù)據(jù)， 所述檢測特性或輸出特性的2次微分值具有不進行正負翻轉的單調遞增特性或單調遞減特性，近似于至少一對以上的折線特性， 所述程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器中還保存有插補信息，該插補信息用于填補近似于折線特性的所述標準特性數(shù)據(jù)、與實際的標準特性數(shù)據(jù)之間的誤差， 所述程序存儲器包含成為標簽電阻讀取轉換單元的控制程序，所述標簽電阻讀取轉換單元參照與所述標簽電阻串聯(lián)連接的串聯(lián)電阻的電阻值、以及該標簽電阻的兩端電壓及施加在串聯(lián)電路上的電壓即控制電壓，來計算該標簽電阻的電阻值，并基于所計算出的電阻值來計算所述特定傳感器的檢測特性、或用于修正所述特定負載的輸出特性的固體偏差變動的修正常數(shù)，并將其保存到所述數(shù)據(jù)存儲器或所述RAM存儲器中， 所述修正常數(shù)是以所述標準特性數(shù)據(jù)為基準的所述特定傳感器的個別檢測特性數(shù)據(jù)，或是用于確定所述特定負載的個別輸出特性數(shù)據(jù)即個別特性數(shù)據(jù)的一對調整倍率，或是一對調整加法運算值，又或是將調整倍率與調整加法運算值進行復合后得到的數(shù)據(jù)， 所述調整倍率是通過與所述標`準特性數(shù)據(jù)相乘從而得到所述個別特性數(shù)據(jù)的修正常數(shù)，可以是規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)與標準特性數(shù)據(jù)之間的相對比率即調整系數(shù)，或者是與規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)和標準特性數(shù)據(jù)之間的變化率相關的相對比率即斜率系數(shù)， 所述調整加法運算值是通過與所述標準特性數(shù)據(jù)進行代數(shù)加法運算從而得到所述個別特性數(shù)據(jù)的修正常數(shù)，可以是規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)與標準特性數(shù)據(jù)之間的相對偏差即偏置調整值，或者是與規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)和標準特性數(shù)據(jù)之間的變化率相關的相對偏差即斜率調整值， 所述標簽電阻讀取轉換單元在電源開關接通后的運行開始時執(zhí)行，或是在對所述特定傳感器或所述特定負載進行維護更換時執(zhí)行，對所述修正常數(shù)是由所述調整系數(shù)或所述斜率系數(shù)或所述偏置調整值或所述斜率調整值的哪種組合來構成的進行識別，并將所識別出的修正常數(shù)及所述特定傳感器或所述特定負載的所述標準特性數(shù)據(jù)、與所述插補信息進行組合，從而還原并生成所述個別特性數(shù)據(jù)， 所述微處理器參照所生成的所述個別檢測特性數(shù)據(jù)來對所述電負載組進行驅動控制，或者參照所生成的所述個別輸出特性數(shù)據(jù)來對所述特定負載進行驅動控制。
2.一種電子控制裝置，包括微處理器，該微處理器與輸入傳感器組的動作狀態(tài)及程序存儲器的內容進行聯(lián)動，從而對電負載組進行驅動控制，并且，在所述電子控制裝置中，所述電負載組的一部分特定負載具有檢測該特定負載的輸出的特定傳感器，所述特定傳感器包括標簽電阻，該標簽電阻用于校正將所述特定負載的輸出特性與所述特定傳感器的檢測特性進行合成后所得到的合成輸出特性的固體偏差變動，所述電子控制裝置的特征在于，所述微處理器還與用于運算處理的RAM存儲器、作為所述程序存儲器的一部分區(qū)域的或分開設置的非易失性數(shù)據(jù)存儲器、以及AD轉換器相連接并相互聯(lián)動， 并且，在所述程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器中，以規(guī)定數(shù)據(jù)形式保存有多個樣本的實驗數(shù)據(jù)的平均特性數(shù)據(jù)即所述特定負載及所述特定傳感器的標準合成特性數(shù)據(jù)， 所述合成輸出特性的2次微分值具有不進行正負翻轉的單調遞增特性或單調遞減特性，近似于至少一對以上的折線特性， 所述程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器中還保存有插補信息，該插補信息用于填補近似于折線特性的所述標準合成數(shù)據(jù)、與實際的標準合成特性數(shù)據(jù)之間的誤差， 所述程序存儲器包含成為標簽電阻讀取轉換單元的控制程序，所述標簽電阻讀取轉換單元參照與所述標簽電阻串聯(lián)連接的串聯(lián)電阻的電阻值、以及該標簽電阻的兩端電壓及施加在串聯(lián)電路上的電壓即控制電壓，來計算該標簽電阻的電阻值，并基于所計算出的電阻值來計算用于修正所述特定負載的合成輸出特性的固體偏差變動的修正常數(shù)，并將其保存到所述數(shù)據(jù)存儲器或所述RAM存儲器中， 所述修正常數(shù)是以所述標準合成特性數(shù)據(jù)即標準特性數(shù)據(jù)為基準、用于確定所述特定負載的個別合成特性數(shù)據(jù)即個別特性數(shù)據(jù)的一對調整倍率，或是一對調整加法運算值，又或是將調整倍率與調整加法運算值進行復合后得到的數(shù)據(jù)， 所述調整倍率是通過 與所述標準特性數(shù)據(jù)相乘從而得到所述個別特性數(shù)據(jù)的修正常數(shù)，可以是規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)與標準特性數(shù)據(jù)之間的相對比率即調整系數(shù)，或者是與規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)和標準特性數(shù)據(jù)之間的變化率相關的相對比率即斜率系數(shù)， 所述調整加法運算值是通過與所述標準特性數(shù)據(jù)進行代數(shù)加法運算從而得到所述個別特性數(shù)據(jù)的修正常數(shù)，可以是規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)與標準特性數(shù)據(jù)之間的相對偏差即偏置調整值，或者是與規(guī)定的調整比較點上的所述個別特性數(shù)據(jù)和標準特性數(shù)據(jù)之間的變化率相關的相對偏差即斜率調整值， 所述標簽電阻讀取轉換單元在電源開關接通后的運行開始時執(zhí)行，或是在對所述特定傳感器或所述特定負載進行維護更換時執(zhí)行，對所述修正常數(shù)是由所述調整系數(shù)或所述斜率系數(shù)或所述偏置調整值或所述斜率調整值的哪種組合來構成的進行識別，并將所識別出的修正常數(shù)、所述插補信息及所述特定負載的所述標準特性數(shù)據(jù)進行組合，從而還原并生成所述個別特性數(shù)據(jù)， 所述微處理器參照所生成的所述個別合成特性數(shù)據(jù)來對所述特定負載進行驅動控制。
3.如權利要求2所述的電子控制裝置，其特征在于， 所述程序存儲器或所述數(shù)據(jù)存儲器中，除了所述特定負載與所述特定傳感器的標準合成特性數(shù)據(jù)以外，還以規(guī)定數(shù)據(jù)形式保存有所述特定負載的標準輸出特性數(shù)據(jù)， 所述微處理器為了使所述特定負載產生作為目標的目標控制輸出，參照所述標準輸出特性數(shù)據(jù)來生成控制指令信號，并且作為其結果，在參照所述特定負載的個別合成特性數(shù)據(jù)而得到的所述特定傳感器的檢測輸出、與所述目標控制輸出之間存在控制偏差時，所述微處理器對所述控制指令信號進行增減修正并進行負反饋控制，以獲取所述目標控制輸出。
4.如權利要求1至3的任一項所述的電子控制裝置，其特征在于， 所述標簽電阻依次串聯(lián)連接有多個串聯(lián)電阻，該串聯(lián)電阻的電阻值中，后級的電阻值是前級的電阻值的2倍，各個串聯(lián)電阻通過設在調整窗內的多個短路/開路端子來進行短路或開路， 所述短路/開路端子與作為目標的標簽電阻的電阻值的二進制值相對應，根據(jù)各比特位的邏輯狀態(tài)來進行短路或開路。
5.如權利要求1至3的任一項所述的電子控制裝置，其特征在于， 所述標簽電阻使用薄膜電阻，該薄膜電阻可以通過調整窗利用激光微調來對電阻值進行調整，以使得在對電阻值進行測量監(jiān)視的同時，利用寬度方向的切割尺寸及長度方向的切割尺寸來使其變?yōu)槟繕穗娮柚怠?br> 6.如權利要求1至3的任一項所述的電子控制裝置，其特征在于， 構成所述標簽電阻的串聯(lián)電阻在構成為漩渦狀的薄膜電阻體處設置有多個連接端子，將該連接端子用作為短路/開路端子，通過調整窗使其短路或開路， 所述短路/開路端子間的電阻預先從小的電阻開始依次通過激光微調來進行調整，以將其調整成依次翻倍的電阻值。
7.如權利要求1至3的任一項所述的電子控制裝置，其特征在于， 將所述微處理器所測定到的所述標簽電阻的數(shù)字轉換值分割成高比特位組及低比特位組來使用，將所述高比特位組及低比特位組分別分配給所述調整系數(shù)或所述斜率系數(shù)或所述偏置調整值或所述斜率調整值中的某一個的設定，將所分配的設定值、以及與所述偏置調整值或所述斜率調整值相關的最小值保存在所述程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器中， 利用與所述最小值相對的倍率來對所述偏置調整值或所述斜率調整值進行設定。
8.如權利要求1至3的任一項所述的電子控制裝置，其特征在于， 由所述微處理器測定到的所述標簽電阻的數(shù)字轉換值與設置在對所述調整系數(shù)或所述斜率系數(shù)或所述偏置調整值或所述斜率調整值的設定值進行分配的二次映射中的流水號相對應， 利用所述流水號來指定所述設定值的等級編號， 在將所述流水號分割成小號組與大號組、或者奇數(shù)編號組與偶數(shù)編號組時，同一等級將被分配到兩個流水號，將分配給各個等級編號的用于精調或用于粗調的所述設定值、以及與所述偏置調整值或所述斜率調整值相關的最小值保存在所述程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器中，利用與所述最小值相對的倍率來對所述偏置調整值或所述斜率調整值進行設定。
9.一種權利要求1或2中所述的電子控制裝置的控制特性調整方法，其特征在于， 在所述程序存儲器或所述數(shù)據(jù)存儲器中，除了所述標準特性數(shù)據(jù)以外，還添加有用于選擇所述數(shù)據(jù)形式的輔助數(shù)據(jù)， 在由輸入共同的比較調整值的調整輸入軸、和輸出不同的比較監(jiān)視值的監(jiān)視輸出軸所組成的二維坐標上，或者在由輸出共同的比較調整值的調整輸出軸、和輸入不同的比較監(jiān)視值的監(jiān)視輸入軸所組成的二維坐標上，所述標準特性數(shù)據(jù)的標準特性與所述個別特性數(shù)據(jù)的個別特性用折線近似，作為構成所述修正常數(shù)的選擇參數(shù)，所述輔助數(shù)據(jù)可以從如下選擇Al至選擇A7的一部分或全部之中選擇出任意一個:(I)由所述調整系數(shù)與所述斜率系數(shù)的組合形成的選擇Al、或選擇由所述第I及第2調整系數(shù)的組合形成的一對調整系數(shù)的選擇A2 ;或者(2)由所述偏置調整值與斜率調整值的組合形成的選擇A3、或選擇由所述第I及第2偏置調整值形成的一對偏置調整值的選擇A4 ;或者(3)選擇由所述偏置調整值與所述調整系數(shù)的復合組合的選擇A5、或選擇由所述調整系數(shù)與所述斜率調整值的組合形成的復合組合的選擇A6、或者選擇所述偏置調整值與所述斜率系數(shù)的組合的選擇A7， 另外，(4)所述折線特性的坐標軸選擇調整輸入軸對監(jiān)視輸出軸的二維坐標軸即選擇B1、或調整輸出軸對監(jiān)視輸入軸的二維坐標軸即選擇B2中的任意一個，由此，指定共計14種選擇項中的一個來作為選擇參數(shù)， 并且，所述調整系數(shù)是由比率(y nO/ y O)或比率(xnO/xO)來決定的參數(shù)，所述比率(y nO/ y O)是對于共同的比較調整輸入xO、將所述個別特性的比較監(jiān)視輸出ynO與所述標準特性的比較監(jiān)視輸出yO進行比較后得到的比率，所述比率(xnO/xO)是對于共同的比較調整輸出yO、將所述個別特性的比較監(jiān)視輸入χηΟ與所述標準特性的比較監(jiān)視輸入xO進行比較后得到的比率， 所述斜率系數(shù)是由比率(θ η/ Θ O,或tan Θ n/tan θ O)來決定的參數(shù),所述比率(Θ n/Θ 0，或tan Θ n/tan θ O)是將用于計算所述調整系數(shù)的比較調整點上的所述個別特性的變化率即線段的傾斜角或其正切、與所述標準特性的變化率即線段的傾斜角或其正切進行比較后得到的比率， 所述偏置調整值是由比較偏差(y In — y I)或比較偏差(X In — X I)來決定的參數(shù)，所述比較偏差(y In — y I)是與共同的比較調整輸入xl相對的、所述個別特性的比較監(jiān)視輸出yin與標準特性的比較監(jiān)視輸出yl之間的比較偏差，所述比較偏差(x In —X D是與共同的比較調整輸出yl相對的、所述個別特性的比較監(jiān)視輸入xln與所述標準特性的比較監(jiān)視輸入xl之間的比較偏差， 所述斜率調整值是由比較偏差(θ η — Θ 1，或tan θ η — tan Θ I)來決定的參數(shù),所述比較偏差(θ η — Θ 1，或tan Θ n — tan Θ I)是用于計算所述偏差修正值的比較調整點上的所述個別特性的變化率即線段的傾斜角或其正切、與所述標準特性的變化率即線段的傾斜角或其正切之間的比較偏差。
10.如權利要求9所述的電子控制裝置的控制特性調整方法，其特征在于， 將所述標準特性近似為由第I線段及第2線段所形成的標準折線特性，并且計算出該第I線段與第2線段之間相對誤差最小的合成直線， 所述標準特性數(shù)據(jù)由標準數(shù)據(jù)及差分數(shù)據(jù)△ V i0構成，所述標準數(shù)據(jù)包含與所述14種選擇參數(shù)中的任意一種相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述合成直線的斜率Θ O、或一對比較調整點的坐標，所述差分數(shù)據(jù)Λ V i0是與大小不同的多個分散調整值Pi相對應的所述第I線段及所述第2線段、與所述合成直線之間的誤差， 將所述個別特性近似為由第I線段及第2線段所形成的個別折線特性，并且計算出該第I線段與第2線段之間相對誤差最小的合成直線， 所述個別特性數(shù)據(jù)由個別數(shù)據(jù)構成，所述個別數(shù)據(jù)包含:在所述標準特性數(shù)據(jù)中所使用的，與選擇參數(shù)相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述合成直線的斜率θ η、或一對比較調整點的坐標， 將所述個別的所述合成直線與所述標準的合成直線相比較，將所述標簽電阻調整為用于確定所述選擇參數(shù)的電阻值， 所述微處理器讀取出所述標簽電阻的電阻值，并提取出所指定的所述選擇參數(shù)，將其作為一次修正常數(shù)， 利用所述標準數(shù)據(jù)及所述一次修正常數(shù)來確定與所述個別的合成直線相同的合成直線，通過將所述差分數(shù)據(jù)Λ ViO作為插補信息與所確定的合成直線進行代數(shù)加法運算，來確定由經修正后的第I線段及第2線段所構成的一次修正折線特性，并利用所確定的一次修正折線特性來還原并生成所述特定傳感器或所述特定負載的個別特性數(shù)據(jù)。
11.如權利要求10所述的電子控制裝置的控制特性調整方法，其特征在于， 根據(jù)成為所述一次修正常數(shù)的所述選擇參數(shù)的值來計算成為二次修正常數(shù)的選擇參數(shù)， 所述二次修正常數(shù)是對所述調整系數(shù)或所述斜率系數(shù)或所述偏置調整值或所述斜率調整值中的任意值進行修正計算的常數(shù)，在使構成所述選擇參數(shù)的所述調整系數(shù)或所述斜率系數(shù)或所述偏置調整值或所述斜率調整值中的任意值微增或微減時得到的，以使得所述一次修正折線特性的第I線段及第2線段、與所述個別折線特性中的第I線段及第2線段之間的相對誤差最小， 將所述標簽電阻調整為用于確定經修正并計算出的所述調整系數(shù)或所述斜率系數(shù)或所述偏置調整值或所述斜率調整值中的任意值的電阻值， 所述微處理器利用從所述標準數(shù)據(jù)和所述標簽電阻的電阻值中所讀取出的所述二次修正常數(shù)，來確定合成直線，并通過對將所述差分數(shù)據(jù)Δ ViO作為插補信息而與所確定的合成直線進行代數(shù)加法運算，來確定對由經補充修正后的第I線段及第2線段所組成的二次修正折線特性，利用所確定的二次修正折線特性來還原并生成所述特定傳感器或所述特定負載的個別特性數(shù)據(jù)。
12.如權利要求9所述的電子控制裝置的控制特性調整方法，其特征在于， 將所述標準特性近似為由第I直線及第2直線組成的標準折線特性， 并且，所述標準特性數(shù)據(jù)由與所述第I直線相關的第I標準數(shù)據(jù)、以及與所述第2直線相關的第2標準數(shù)據(jù)構成， 所述第I標準數(shù)據(jù)包含:與所述14種選擇參數(shù)中的任意一種相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第I直線的斜率θ 10、或一對比較調整點的坐標， 所述第2標準數(shù)據(jù)包含:與所述14種選擇參數(shù)中的任意一種相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第2直線的斜率θ 20、或一對比較調整點的坐標， 將所述個別特性近似為由第I直線及第2直線所組成的個別折線特性，并且，所述個別特性數(shù)據(jù)由與所述第I直線相關的第I個別數(shù)據(jù)、以及與所述第2直線相關的第2個別數(shù)據(jù)構成， 所述第1個別數(shù)據(jù)包含:所述第I標準數(shù)據(jù)中所使用的、與所述選擇參數(shù)相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第I直線的斜率θ In、或一對比較調整點的坐標， 所述第2個別數(shù)據(jù)包含:所述第2標準數(shù)據(jù)所使用的、與所述選擇參數(shù)相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第2直線的斜率θ 2η、或一對比較調整點的坐標， 所述標簽電阻由第1標簽電阻及第2標簽電阻構成，所述第1標簽電阻被調整成用于通過將所述個別的第1直線與所述標準的第I直線相比較，來確定所述選擇參數(shù)的電阻值，所述第2標簽電阻被調整成用于通過將所述個別的第2直線與所述標準的第2直線相比較，來確定所述選擇參數(shù)的電阻值， 所述微處理器讀取出所述第I及第2標簽電阻的電阻值， 提取出與所述個別的第I直線相對的所述選擇參數(shù)，并將其作為第I修正常數(shù)， 提取出與所述個別的第2直線相對的所述選擇參數(shù)，并將其作為第2修正常數(shù)， 利用所述第I標準數(shù)據(jù)及所述第I修正常數(shù)來確定個別的第I直線的計算式， 利用所述第2標準數(shù)據(jù)及所述第2修正常數(shù)來確定個別的第2直線的計算式， 利用由所確定的個別的第1直線與第2直線組成的折線特性，來還原并生成所述特定傳感器或所述特定負載的個別特性數(shù)據(jù)， 并且，所述程序存儲器或所述數(shù)據(jù)存儲器還包含曲率半徑Ra來作為第3標準數(shù)據(jù)，該曲率半徑Ra用于對所述標準的第I直線與第2直線的交叉部分進行圓弧修正， 對于所述個別的第I直線與第2直線的交叉部分，將作為所述第3標準數(shù)據(jù)來保存的曲率半徑Ra作為插補信息，以進行圓弧修正。
13.如權利要求9所述的電子控制裝置的控制特性調整方法，其特征在于， 將所述標準特性近似為由第I直線及第2直線、以及位于所述第I直線與所述第2直線中間的第3直線所組成的標準折線特性， 并且，所述標準特性數(shù)據(jù)由與所述第I直線相關的第I標準數(shù)據(jù)、及與所述第2直線相關的第2標準數(shù)據(jù)構成， 所述第I標準數(shù)據(jù)至少包含:所述第I直線與第3直線的交點位置的坐標、以及與所述14種選擇參數(shù)中的任意一種相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第I直線的斜率、或一對比較調整點的坐標， 所述第2標準數(shù)據(jù)至少包含:所述第2直線與第3直線的交點位置的坐標、以及與所述14種選擇參數(shù)中的任意一種相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第2直線的斜率、或一對比較調整點的坐標， 將所述個別特性近似為由第I直線及第2直線、以及位于所述第I直線與所述第2直線中間的第3直線所組成的個別折線特性， 并且，所述個別特性數(shù)據(jù)由與所述第I直線相關的第I個別數(shù)據(jù)、及與所述第2直線相關的第2個別數(shù)據(jù)構成， 所述第I個別數(shù)據(jù)包含:所述第I標準數(shù)據(jù)中所使用的、與所述選擇參數(shù)相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第I直線的斜率；或一對比較調整點的坐標，所述第2個別數(shù)據(jù)包含:所述第2標準數(shù)據(jù)中所使用的、與所述選擇參數(shù)相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第2直線的斜率；或一對比較調整點的坐標，所述標簽電阻由第I標簽電阻及第2標簽電阻構成，所述第I標簽電阻被調整成用于通過將所述個別的第I直線與所述標準的第I直線相比較、來確定所述選擇參數(shù)的電阻值，所述第2標簽電阻被調整成用于通過將所述個別的第2直線與所述標準的第2直線相比較、來確定所述選擇參數(shù)的電阻值， 所述微處理器讀取出所述第I及第2標簽電阻的電阻值， 提取出與所述個別的第I直線相對的選擇參數(shù)，并將其作為第I修正常數(shù)， 提取出與所述個別的第2直線相對的選擇參數(shù)，并將其作為第2修正常數(shù)， 利用所述第I標準數(shù)據(jù)及所述第I修正常數(shù)來確定個別的第I直線的計算式， 利用所述第2標準數(shù)據(jù)及所述第2修正常數(shù)來確定個別的第2直線的計算式， 根據(jù)所確定的個別的第I直線和第2直線的計算式，來生成成為插補信息的個別的第3直線的計算式， 利用由所確定的個別的所述第I直線和所述第2直線、以及所生成的所述第3直線所組成的折線特性，來還原并生成所述特定傳感器或所述特定負載的個別特性數(shù)據(jù)。
14.如權利要求9所述的電子控制裝置的控制特性調整方法，其特征在于， 將所述標準特性近似為由第I直線及第2直線組成的標準折線特性， 所述標準特性數(shù)據(jù)由與所述第I直線相關的第I標準特性數(shù)據(jù)、以及與所述第2直線相關的第2標準特性數(shù)據(jù)構成，并且所述第I直線與第2直線中的至少一條直線是將前段的第I線段與第2線段進行合成后得到的第I直線，或者是將后段的第I線段與第2線段進行合成后得到的第2直線， 所述第I標準特性數(shù)據(jù)由第I標準數(shù)據(jù)及第I差分數(shù)據(jù)AVil構成，所述第I標準數(shù)據(jù)包含:與所述14種選擇參數(shù)中的任意一種相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第I直線的斜率Θ `10、或一對比較調整點的坐標， 所述第I差分數(shù)據(jù)AVil是與大小不同的多個分散調整值Pil相對應的所述第I線段及第2線段、與所述第I直線之間的誤差， 所述第2標準特性數(shù)據(jù)由第2標準數(shù)據(jù)及第2差分數(shù)據(jù)△ V i2構成，所述第2標準數(shù)據(jù)包含:與所述14種選擇參數(shù)中的任意一種相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第2直線的斜率Θ 20、或一對比較調整點的坐標， 所述第2差分數(shù)據(jù)Λ V i2是與大小不同的多個分散調整值Pi2相對應的所述第I線段及第2線段、與所述第2直線之間的誤差， 將所述個別特性近似為由第I直線及第2直線所組成的個別折線特性，所述第I直線是將前段的第I線段與第2線段進行合成后得到的直線，所述第2直線是將后段的第I線段與第2線段進行合成后得到的直線， 并且，所述個別特性數(shù)據(jù)由與所述第I直線相關的第I個別數(shù)據(jù)、及與所述第2直線相關的第2個別數(shù)據(jù)構成， 所述第I個別數(shù)據(jù)包含:所述第I標準數(shù)據(jù)中所使用的、與所述選擇參數(shù)相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第I直線的斜率Θ In、或一對比較調整點的坐標， 所述第2個別數(shù)據(jù)包含:所述第2標準數(shù)據(jù)中所使用的、與所述選擇參數(shù)相對應的規(guī)定的比較調整點的坐標及比較調整點上的所述第2直線的斜率θ 2n、或一對比較調整點的坐標， 所述標簽電阻由第I標簽電阻及第2標簽電阻構成，所述第I標簽電阻被調整成用于通過將所述個別的第I直線與所述標準的第I直線相比較，來確定的所述選擇參數(shù)的電阻值，所述第2標簽電阻被調整成用于通過將所述個別的第2直線與標準的第2直線相比較、來確定的所述選擇參數(shù)的電阻值， 所述微處理器讀取出所述第I及第2標簽電阻的電阻值， 提取出與所述個別的第I直線相對的所述選擇參數(shù)，并將其作為第I修正常數(shù)， 提取出與所述個別的第2直線相對的所述選擇參數(shù)，并將其作為第2修正常數(shù)， 利用所述第I標準數(shù)據(jù)及所述第I修正常數(shù)來確定個別的第I直線的計算式， 利用所述第2標準數(shù)據(jù)及所述第2修正常數(shù)來確定個別的第2直線的計算式， 將所述第I差分數(shù)據(jù)AVil作為插補信息與所確定的所述第I直線進行代數(shù)加法運算，由此來確定由經修正后的前段的第I線段及第2線段所組成的前段折線特性， 將所述第2差分數(shù)據(jù)△ V i2作為插補信息與所確定的所述第2直線進行代數(shù)加法運算，由此來確定由經修正后的后段的第I線段及第2線段所組成的后段折線特性， 利用由所確定的所述前段折線特性及所述后段折線特性來還原并生成所述特定傳感器或所述特定負載的個別特性數(shù)據(jù)。
15.一種電子控制裝置的控制特性調整方法，該電子控制裝置的控制特性調整方法是權利要求1或2所述的電子控制裝置的控制特性調整方法，其特征在于， 所述特定傳感器或所述特定負載通過環(huán)境傳感器來測定以溫度或氣壓為一個例子的設置環(huán)境， 所述個別特性數(shù)據(jù) 在規(guī)定的基準環(huán)境條件下被測得， 與此相對，所述標準特性數(shù)據(jù)是在所述規(guī)定的基準環(huán)境條件、以及其它環(huán)境條件下所測定到的多個標準特性數(shù)據(jù)，所測得的多個標準特性數(shù)據(jù)被保存于所述程序存儲器或所述數(shù)據(jù)存儲器中， 所述修正常數(shù)由所述調整系數(shù)或所述斜率系數(shù)或所述偏置調整值或所述斜率調整值的多個組合構成，所述調整系數(shù)或所述斜率系數(shù)或所述偏置調整值或所述斜率調整值是基于在所述基準環(huán)境條件下所測定到的標準特性數(shù)據(jù)及個別特性數(shù)據(jù)而計算得出， 所述微處理器生成由所述環(huán)境傳感器所測定到的所述特定傳感器或所述特定負載的設置環(huán)境信息、以及根據(jù)所述多個標準特性數(shù)據(jù)進行插補計算后所得到的當前環(huán)境下的標準特性數(shù)據(jù)，以作為插補信息， 并且，基于所述基準環(huán)境下的修正常數(shù)及所述當前環(huán)境下的標準特性數(shù)據(jù)來還原并生成當前環(huán)境下的個別特性數(shù)據(jù)， 參照當前環(huán)境下的個別檢測特性數(shù)據(jù)來對所述電負載組進行驅動控制，或者參照當前環(huán)境下的個別輸出特性數(shù)據(jù)或個別合成特性來對所述特定負載進行驅動控制。
【文檔編號】G05F1/10GK103823396SQ201310275346
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年7月2日 優(yōu)先權日:2012年11月15日
【發(fā)明者】神崎將造, 有米史光, 西崎廣義 申請人:三菱電機株式會社