基于arm處理器的電機電物理量采集系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了基于ARM處理器的電機電物理量采集系統(tǒng)，包括電源電路、前端調(diào)理電路、A/D轉換電路、CPU集成電路和計算機，所述CPU集成電路包括串口電路、主處理器以及外部存儲器控制接口，所述電源電路為各個單元電路供電，所述前端調(diào)理電路的信號輸入端接待采集的信號，前端調(diào)理電路的信號輸出端接A/D轉換電路的信號輸入端，A/D轉換電路的信號輸出端接主處理器的信號輸入端，所述串口電路的信號輸入端接主處理器，串口電路的信號輸出端接計算機，所述外部存儲器控制接口接Nandflash和SDRAM。本發(fā)明采用上述結構，能夠使硬件電路較為簡單，集成度高，設計和調(diào)試難度明顯降低，便于系統(tǒng)升級。
【專利說明】基于ARM處理器的電機電物理量采集系統(tǒng)

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及信號采集領域，具體涉及基于ARM處理器的電機電物理量采集系統(tǒng)。

【背景技術】
[0002]自19世紀發(fā)明發(fā)電機和電動機以來，由于電能應用方便，電動機的性能優(yōu)良，便于控制，使用與操作簡單，從而得到了迅速普及，應用范圍越來越廣.然而，由于電機運行機制復雜，長期處于高速運轉和高電壓、強磁場環(huán)境之下，運行環(huán)境惡劣，要求電機設備不出故障是不現(xiàn)實的，絕對安全可靠的電機設備也是根本不存在的11J，因此，我們只能從預防故障和減少損失的角度出發(fā)，及時發(fā)現(xiàn)電機的異常，掌握設備的運行狀態(tài)，對已經(jīng)形成的或正在形成的故障進行分析診斷，判斷故障的部位和產(chǎn)生的原因，并及早采取有效的措施，防患于未然.這就需要我們能實時的精確的采集電機在運行中的各種物理量，進而進行有效的分析、判斷故障.傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)多以8 / 16位單片機構成控制系統(tǒng)，其硬件電路較復雜，集成度較低，設計和調(diào)試難度較大，不太方便系統(tǒng)升級，傳統(tǒng)的前后臺式的軟件設計方法限制了硬件系統(tǒng)功能的充分發(fā)揮，影響了系統(tǒng)的實時性與穩(wěn)定性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供基于ARM處理器的電機電物理量采集系統(tǒng)，解決目前的電機電物理量采集系統(tǒng)的硬件電路較復雜，集成度較低，設計和調(diào)試難度較大，不太方便系統(tǒng)升級的問題。
[0004]本發(fā)明為實現(xiàn)上述目的，采用以下技術方案實現(xiàn):基于ARM處理器的電機電物理量采集系統(tǒng)，包括電源電路、前端調(diào)理電路、A/D轉換電路、CPU集成電路和計算機，所述CPU集成電路包括串口電路、主處理器以及外部存儲器控制接口，所述電源電路為各個單元電路供電，所述前端調(diào)理電路的信號輸入端接待采集的信號，前端調(diào)理電路的信號輸出端接A/D轉換電路的信號輸入端，A/D轉換電路的信號輸出端接主處理器的信號輸入端，所述串口電路的信號輸入端接主處理器，串口電路的信號輸出端接計算機，所述外部存儲器控制接口接 Nandflash 和 SDRAM。
[0005]進一步地，作為優(yōu)選方案，本方案所述主處理器的型號為ARM9S3C2410-S。
[0006]進一步地，作為優(yōu)選方案，本方案所述Nandflash的大小為64MB。
[0007]進一步地，作為優(yōu)選方案，本方案所述SDRAM的大小為64MB。
[0008]本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，具有以下優(yōu)點及有益效果:
(I)本發(fā)明通過ARM微處理器對模擬信號進行調(diào)理和高速采集，前端調(diào)理電路將電信號的正弦波整體向上抬高，使之范圍控制在O — 3.3V，然后將電信號輸出到A / D轉換器，最后經(jīng)CPU的處理將采集到的數(shù)據(jù)從串口傳送給計算機，進而方便計算機對電機物理量進行相應的分析。
[0009](2)本發(fā)明硬件電路較為簡單，集成度高，設計和調(diào)試難度明顯降低，便于系統(tǒng)升級。
[0010](3)本發(fā)明還具有體積小、重量輕、功耗低、精度較高、實時性好等優(yōu)點，能有效地采集電機電流、電壓信號，進而使上位機能更方便的進行電機電物理量分析。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明的系統(tǒng)結構組成框圖。

【具體實施方式】
[0012]下面結合實施例對本發(fā)明作進一步地詳細說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0013]實施例:
如圖1所不，本實施例所述的基于ARM處理器的電機電物理量米集系統(tǒng),包括電源電路、前端調(diào)理電路、A/D轉換電路、CPU集成電路和計算機，CPU集成電路包括串口電路、主處理器以及外部存儲器控制接口，電源電路為各個單元電路供電，前端調(diào)理電路的信號輸入端接待采集的信號，前端調(diào)理電路的信號輸出端接A/D轉換電路的信號輸入端，A/D轉換電路的信號輸出端接主處理器的信號輸入端，串口電路的信號輸入端接主處理器，串口電路的信號輸出端接計算機，外部存儲器控制接口接Nandflash和SDRAM。
[0014]作為優(yōu)選，本實施例的主處理器的型號為ARM9S3C2410-S。
[0015]作為優(yōu)選，本實施例的Nandflash的大小為64MB。
[0016]作為優(yōu)選，本實施例的SDRAM的大小為64MB。
[0017]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例，并非對本發(fā)明做任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化，均落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.基于ARM處理器的電機電物理量采集系統(tǒng)，其特征在于:包括電源電路、前端調(diào)理電路、A/D轉換電路、CPU集成電路和計算機，所述CPU集成電路包括串口電路、主處理器以及外部存儲器控制接口，所述電源電路為各個單元電路供電，所述前端調(diào)理電路的信號輸入端接待采集的信號，前端調(diào)理電路的信號輸出端接A/D轉換電路的信號輸入端，A/D轉換電路的信號輸出端接主處理器的信號輸入端，所述串口電路的信號輸入端接主處理器，串口電路的信號輸出端接計算機，所述外部存儲器控制接口接Nandflash和SDRAM。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于ARM處理器的電機電物理量采集系統(tǒng)，其特征在于:所述主處理器的型號為ARM9S3C2410-S。
3.根據(jù)權利要求1所述的基于ARM處理器的電機電物理量采集系統(tǒng)，其特征在于:所述Nandf Iash的大小為64MB。
4.根據(jù)權利要求1所述的基于ARM處理器的電機電物理量采集系統(tǒng)，其特征在于:所述SDRAM的大小為64MB。
【文檔編號】G05B19/04GK104199325SQ201410417982
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月25日 優(yōu)先權日:2014年8月25日
【發(fā)明者】鄧悄 申請人:成都闿陽科技有限公司