小電流發(fā)生裝置及包括該裝置的無功補(bǔ)償裝置調(diào)試系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種小電流發(fā)生裝置及包括該裝置的無功補(bǔ)償裝置調(diào)試系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括控制器、N個(gè)級(jí)聯(lián)的小電流發(fā)生裝置以及與小電流發(fā)生裝置相配合的電平轉(zhuǎn)換電路、驅(qū)動(dòng)芯片。本發(fā)明通過小電流發(fā)生裝置替代大功率換流器，避免了調(diào)試時(shí)大功率換流器頻繁在導(dǎo)通、截止及短路狀態(tài)之間的切換，降低了大功率換流器故障的概率，減少了有功損耗，節(jié)約了調(diào)試成本。
【專利說明】小電流發(fā)生裝置及包括該裝置的無功補(bǔ)償裝置調(diào)試系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及無功補(bǔ)償領(lǐng)域，尤其涉及一種小電流發(fā)生裝置及包括該裝置的無功補(bǔ)償裝置調(diào)試系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償發(fā)生裝置即靜止同步補(bǔ)償器，又名靜止無功發(fā)生器。由于其開關(guān)器件為絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，所以其動(dòng)態(tài)補(bǔ)償效果是早期的同步調(diào)相機(jī)、電容器和無功補(bǔ)償裝置不能比擬的，無功補(bǔ)償裝置以其較低諧波，較高的效率，較快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，成為現(xiàn)代柔性交流輸電系統(tǒng)中的重要設(shè)備。動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償發(fā)生裝置以電壓型逆變器為核心，直流側(cè)采用直流電容為儲(chǔ)能元件以提供電壓支撐，在運(yùn)行時(shí)相當(dāng)于一個(gè)電壓、相位和幅值均可調(diào)的三相交流電源。但是，在無功補(bǔ)償裝置調(diào)試過程中，需要使大功率換流器頻繁在導(dǎo)通、截止及短路狀態(tài)之間切換，造成大量有功損耗，而且一旦調(diào)試出現(xiàn)故障造成器件損壞，成本損失較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于通過一種小電流發(fā)生裝置及包括該裝置的無功補(bǔ)償裝置調(diào)試系統(tǒng)，來解決以上【背景技術(shù)】部分提到的問題。
[0004]為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0005]一種小電流發(fā)生裝置，其包括MOS管Ql、MOS管Q2、MOS管Q3、M0S管Q4及直流電容Cl ;所述MOS管Ql、MOS管Q2、MOS管Q3及MOS管Q4的柵極均連接驅(qū)動(dòng)芯片，所述MOS管Ql的源極與MOS管Q3的漏極連接后的結(jié)點(diǎn)連接待調(diào)試的動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償發(fā)生裝置，所述MOS管Q2的源極與MOS管Q3的漏極連接后的結(jié)點(diǎn)連接與其級(jí)聯(lián)的相同結(jié)構(gòu)的小電流發(fā)生裝置，所述MOS管Ql的漏極與MOS管Q2的漏極、直流電容Cl的一端連接，所述MOS管Q3的源極與MOS管Q2的源極、直流電容Cl的另一端連接。
[0006]本發(fā)明還公開了一種包括上述小電流發(fā)生裝置的無功補(bǔ)償裝置調(diào)試系統(tǒng)，其包括控制器、N個(gè)級(jí)聯(lián)的小電流發(fā)生裝置以及與小電流發(fā)生裝置相配合的電平轉(zhuǎn)換電路、驅(qū)動(dòng)芯片；所述小電流發(fā)生裝置電連接待測(cè)試的動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償發(fā)生裝置，所述驅(qū)動(dòng)芯片與小電流發(fā)生裝置電性連接，所述電平轉(zhuǎn)換電路與驅(qū)動(dòng)芯片電性連接，所述電平轉(zhuǎn)換電路與控制器電性連接；調(diào)試時(shí)，所述控制器輸出的PWM信號(hào)經(jīng)電平轉(zhuǎn)換電路處理后輸出給驅(qū)動(dòng)芯片，驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)小電流發(fā)生裝置中相應(yīng)的MOS管動(dòng)作。
[0007]本發(fā)明提出的小電流發(fā)生裝置及包括該裝置的無功補(bǔ)償裝置調(diào)試系統(tǒng)通過小電流發(fā)生裝置替代大功率換流器，避免了調(diào)試時(shí)大功率換流器頻繁在導(dǎo)通、截止及短路狀態(tài)之間的切換，降低了大功率換流器故障的概率，減少了有功損耗，節(jié)約了調(diào)試成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的小電流發(fā)生裝置電路結(jié)構(gòu)圖；
[0009]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的無功補(bǔ)償裝置調(diào)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。

【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容，除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0011]請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的小電流發(fā)生裝置電路結(jié)構(gòu)圖。
[0012]本實(shí)施例中小電流發(fā)生裝置具體包括MOS管Ql、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4及直流電容Cl。所述MOS管Q1、M0S管Q2、M0S管Q3及MOS管Q4的柵極均連接驅(qū)動(dòng)芯片，所述MOS管Ql的源極與MOS管Q3的漏極連接后的結(jié)點(diǎn)連接待調(diào)試的動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償發(fā)生裝置，所述MOS管Q2的源極與MOS管Q3的漏極連接后的結(jié)點(diǎn)連接與其級(jí)聯(lián)的相同結(jié)構(gòu)的小電流發(fā)生裝置，所述MOS管Ql的漏極與MOS管Q2的漏極、直流電容Cl的一端連接，所述MOS管Q3的源極與MOS管Q2的源極、直流電容Cl的另一端連接。需要說明的是，如圖1中所示，所述與其級(jí)聯(lián)的相同結(jié)構(gòu)的小電流發(fā)生裝置由MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7、MOS管Q8及直流電容C2構(gòu)成，具體連接關(guān)系同上，在此不再贅述。MOS管即指金屬一氧化物-半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
[0013]如圖2所示，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的無功補(bǔ)償裝置調(diào)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。
[0014]本實(shí)施例中包括上述小電流發(fā)生裝置102的無功補(bǔ)償裝置調(diào)試系統(tǒng)具體包括控制器101、N個(gè)級(jí)聯(lián)的小電流發(fā)生裝置102以及與小電流發(fā)生裝置102相配合的電平轉(zhuǎn)換電路103、驅(qū)動(dòng)芯片104 ;所述小電流發(fā)生裝置102電連接待測(cè)試的動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償發(fā)生裝置，所述驅(qū)動(dòng)芯片104與小電流發(fā)生裝置102電性連接，所述電平轉(zhuǎn)換電路103與驅(qū)動(dòng)芯片104電性連接，所述電平轉(zhuǎn)換電路103與控制器101電性連接；調(diào)試時(shí)，所述控制器101輸出的PWM信號(hào)經(jīng)電平轉(zhuǎn)換電路103處理后輸出給驅(qū)動(dòng)芯片104，驅(qū)動(dòng)芯片104驅(qū)動(dòng)小電流發(fā)生裝置102中相應(yīng)的MOS管動(dòng)作。其中，N為正整數(shù)，具體大小可依據(jù)實(shí)際情況靈活調(diào)整。
[0015]本發(fā)明的技術(shù)方案通過小電流發(fā)生裝置替代大功率換流器，避免了調(diào)試時(shí)大功率換流器頻繁在導(dǎo)通、截止及短路狀態(tài)之間的切換，降低了大功率換流器故障的概率，減少了有功損耗，節(jié)約了調(diào)試成本。
[0016]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【權(quán)利要求】
1.一種小電流發(fā)生裝置，其特征在于，包括MOS管Ql、MOS管Q2、MOS管Q3及MOS管Q4 ;所述MOS管Ql、MOS管Q2、MOS管Q3及MOS管Q4的柵極均連接驅(qū)動(dòng)芯片，所述MOS管Q1的源極與MOS管Q3的漏極連接后的結(jié)點(diǎn)連接待調(diào)試的動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償發(fā)生裝置，所述MOS管Q2的源極與MOS管Q3的漏極連接后的結(jié)點(diǎn)連接與其級(jí)聯(lián)的相同結(jié)構(gòu)的小電流發(fā)生裝置，所述MOS管Q1的漏極與MOS管Q2的漏極、直流電容C1的一端連接，所述MOS管Q3的源極與MOS管Q2的源極、直流電容C1的另一端連接。
2.一種包括權(quán)利要求1所述小電流發(fā)生裝置的無功補(bǔ)償裝置調(diào)試系統(tǒng)，其包括控制器、N個(gè)級(jí)聯(lián)的小電流發(fā)生裝置以及與小電流發(fā)生裝置相配合的電平轉(zhuǎn)換電路、驅(qū)動(dòng)芯片；所述小電流發(fā)生裝置電連接待測(cè)試的動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償發(fā)生裝置，所述驅(qū)動(dòng)芯片與小電流發(fā)生裝置電性連接，所述電平轉(zhuǎn)換電路與驅(qū)動(dòng)芯片電性連接，所述電平轉(zhuǎn)換電路與控制器電性連接；調(diào)試時(shí)，所述控制器輸出的PWM信號(hào)經(jīng)電平轉(zhuǎn)換電路處理后輸出給驅(qū)動(dòng)芯片，驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)小電流發(fā)生裝置中相應(yīng)的MOS管動(dòng)作。
【文檔編號(hào)】G05F1/56GK104460804SQ201410764869
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月11日
【發(fā)明者】谷霄飛, 許錫海, 王國(guó)華 申請(qǐng)人:無錫市錫容電力電器有限公司