復(fù)用控制裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種復(fù)用控制裝置，包括主控芯片、第一可控硅驅(qū)動回路、第二可控硅驅(qū)動回路和隔離電路，當(dāng)輸入/輸出端口輸出高阻態(tài)時(shí)，隔離電路使得第一可控硅驅(qū)動回路、第二可控硅驅(qū)動回路不能正常工作。從而消除了在輸入/輸出端口輸出高阻態(tài)時(shí)，驅(qū)動回路誤工作的問題。
【專利說明】復(fù)用控制裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電源控制領(lǐng)域，具體地涉及一種復(fù)用控制裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中的電源板使用同一個(gè)主控芯片端口對兩個(gè)可控硅回路201、202進(jìn)行復(fù)用控制，但是在主控芯片端口輸出高阻態(tài)時(shí)，其中一路可控硅控制回路會出現(xiàn)誤導(dǎo)通的情況；因此，亟需一種通過同一個(gè)芯片端口對兩個(gè)可控硅回路進(jìn)行復(fù)用控制的復(fù)用控制裝置，保證在主控芯片輸出高阻態(tài)時(shí)，可控硅回路不會出現(xiàn)誤導(dǎo)通的情況。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型旨在提供通過同一個(gè)芯片端口對兩個(gè)可控硅回路進(jìn)行復(fù)用控制的裝置，由主控芯片通過該端口輸出不同的狀態(tài)對可控硅回路進(jìn)行精準(zhǔn)選擇，保證在主控芯片輸出高阻態(tài)時(shí)可控硅回路不會出現(xiàn)誤導(dǎo)通的情況。
[0004]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施方案中，提供了一種復(fù)用控制裝置，包括:主控芯片，具有輸入/輸出端口，所述輸入/輸出端口可輸出低電平、高電平和高阻態(tài)，所述輸入/輸出端口分別控制第一可控硅回路和第二可控硅回路；
[0005]第一可控硅驅(qū)動回路，連接在所述第一可控硅回路與所述輸入/輸出端口之間，控制所述第一可控硅回路在所述輸入/輸出端口輸出高電平時(shí)工作；
[0006]第二可控硅驅(qū)動回路，連接在所述第二可控硅回路與所述輸入/輸出端口之間，控制所述第二可控硅回路在所述輸入/輸出端口輸出低電平時(shí)工作；
[0007]隔離電路，連接在所述第一可控硅回路或所述第二可控硅回路與所述輸入/輸出端口之間，控制所述第一可控硅回路和所述第二可控硅回路在所述輸入/輸出端口輸出高阻抗時(shí)不工作。
[0008]優(yōu)選地，所述隔離電路為二極管。
[0009]優(yōu)選地，所述第一可控硅驅(qū)動回路包括第一三極管，所述第一三極管的基極經(jīng)由第七電阻連接所述隔離電路，所述第一三極管的集電極直接連接源電壓，所述第一三極管的射極經(jīng)由第一電阻連接第一可控硅回路，第八電阻的一端連接所述第一三極管的基極或者所述隔離電路，另一端接地。
[0010]優(yōu)選地，所述第二可控硅驅(qū)動回路包括第二三極管、第三三極管，所述第二三極管的基極直接連接所述第三三極管的集電極，所述第二三極管的集電極直接連接源電壓，所述第二三極管的射極經(jīng)由第三電阻連接第二可控硅回路；
[0011]所述第三三極管的基極連接所述隔離電路，且經(jīng)由第六電阻連接源電壓，所述第三三極管的集電極經(jīng)由第五電阻連接源電壓，所述第三三極管的射極接地。
[0012]優(yōu)選地，所述二極管的陽極直接連接所述第三三極管的基極，所述二極管的陰極連接所述輸入/輸出端口，且經(jīng)由第七電阻連接所述第一三極管的基極。
[0013]優(yōu)選地，所述第一三極管為NPN型。
[0014]優(yōu)選地，所述第七電阻阻值和第八電阻的阻值相接近，且為第一電阻的阻值的五倍或以上。
[0015]優(yōu)選地，所述第二三極管和所述第三三極管為NPN型。
[0016]優(yōu)選地，所述第六電阻的阻值為所述第五電阻的阻值的十倍或以上；所述第五電阻的阻值為所述第三電阻的阻值的五倍或以上。
[0017]優(yōu)選地，所述第一可控硅回路或所述第二可控硅回路是加熱器驅(qū)動回路或風(fēng)扇驅(qū)動回路。
[0018]本實(shí)用新型的技術(shù)效果在于，通過隔離電路實(shí)現(xiàn)同一個(gè)芯片端口對兩個(gè)可控硅回路進(jìn)行復(fù)用控制，由主控芯片通過該端口輸出不同的狀態(tài)對可控硅回路進(jìn)行精準(zhǔn)選擇，保證在主控芯片輸出高阻態(tài)時(shí)，可控硅回路不會出現(xiàn)誤導(dǎo)通的情況。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]結(jié)合附圖，從下面的描述以及所附的權(quán)利要求中，將會更容易理解本實(shí)用新型的上述以及其他特征。在附圖中，相同或相似的附圖標(biāo)號指代相同或相似的技術(shù)特征，除非另有說明。
[0020]圖1示出根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的復(fù)用控制裝置。
[0021]圖2示出根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的復(fù)用控制裝置。
[0022]圖3示出在現(xiàn)有技術(shù)中的復(fù)用控制裝置。

【具體實(shí)施方式】
[0023]在下文的【具體實(shí)施方式】中，將參照構(gòu)成本說明書一部分的附圖。在不偏離在此展示的實(shí)用新型主題的原理和范圍的情況下，在本文中大致描述的以及附圖中所圖示的本實(shí)用新型的各方面可以在寬泛的配置變化中進(jìn)行排列、替換、組合、分拆和刪節(jié)，所有這些排列、替換、組合、分拆和刪節(jié)均落入本實(shí)用新型的范圍之內(nèi)。
[0024]本實(shí)用新型提供了一種復(fù)用控制裝置，通過一個(gè)芯片端口實(shí)現(xiàn)對兩個(gè)可控硅回路(所述可控硅回路例如可以是風(fēng)扇驅(qū)動回路或加熱器驅(qū)動回路)的復(fù)用控制。如圖1所示，根據(jù)本實(shí)用新型的復(fù)用控制裝置在電源板上通過主控芯片100的輸入/輸出(I/O)端口實(shí)現(xiàn)對兩個(gè)可控硅回路101和102的復(fù)用控制。
[0025]如圖1所示，根據(jù)本實(shí)用新型的復(fù)用控制裝置包括主控芯片100、第一可控硅驅(qū)動回路103、第二可控硅驅(qū)動回路104和隔離電路。圖1中還示出第一可控硅回路101和第二可控硅回路102。輸入/輸出端口輸出高電平時(shí)，第一可控硅驅(qū)動回路控制第一可控硅回路工作；輸入/輸出端口輸出低電平時(shí)，第二可控硅驅(qū)動回路控制第二可控硅回路；輸入/輸出端口輸出高阻抗時(shí)，隔離電路控制第一可控硅回路和第二可控硅回路不工作。
[0026]隔離電路為二極管D161。
[0027]主控芯片100的I/O端口直接連接二極管D161的陰極。
[0028]第一可控硅驅(qū)動回路103包括第一三極管Q161，三極管Q161的基極經(jīng)由第七電阻R167連接二極管D161的陰極，三極管Q161的集電極直接連接源電壓，三極管Q161的射極經(jīng)由第一電阻R161連接第一可控硅回路101，第八電阻R168的一端連接三極管Q161的基極或者二極管D161的陰極，另一端接地。
[0029]第二可控硅驅(qū)動回路104包括第二三極管Q162、第三三極管Q163，三極管Q162的基極直接連接三極管Q163的集電極，三極管Q162的集電極直接連接源電壓，三極管Q162的射極經(jīng)由第三電阻R163連接第二可控硅回路102 ;三極管Q163的基極連接二極管D161的陽極，且經(jīng)由第六電阻R166連接源電壓，三極管Q163的集電極經(jīng)由第五電阻R165連接源電壓，三極管Q163的射極接地。
[0030]在圖1的實(shí)施方案中:主控芯片100的I/O端口也即輸入/輸出端口，其通過輸出端口功能可輸出低電平、高電平和高阻態(tài)。三極管Q161、Q162和Q163都是放大倍數(shù)在200以上的三極管，導(dǎo)通時(shí)基射電壓VBE為0.7V。
[0031]下面詳細(xì)描述圖1中各主要元件各自的連接關(guān)系。
[0032]主控芯片100:包括I/O端口，該I/O端口可輸出低電平、高電平和高阻態(tài)。該I/O端口直接連接二極管D161的陰極。該I/O端口直接連接電阻R167，電阻R167另一端連接三極管Q161的基極，電阻R168 —端連接三極管Q161的基極，電阻R168另一端連接三極管Q161的射極。
[0033]二極管D161:二極管D161的陽極直接連接三極管Q163的基極，二極管D161的陰極經(jīng)由電阻R167連接三極管Q161的基極。二極管D161的陰極直接連接主控芯片100的I/O 端口。
[0034]三極管Q161:三極管Q161的基極經(jīng)由電阻R167連接二極管D161的陰極。三極管Q161的集電極直接連接+5V的源電壓。三極管Q161的射極經(jīng)由電阻R161連接可控硅回路101。
[0035]三極管Q162:三極管Q162的基極直接連接三極管Q163的集電極。三極管Q162的集電極直接連接+5V的源電壓。三極管Q162的射極經(jīng)由電阻R163連接可控硅回路102。
[0036]三極管Q163:三極管Q163的基極直接連接二極管D161的陽極。三極管Q163的基極經(jīng)由電阻R166連接+5V的源電壓。三極管Q163的集電極經(jīng)由電阻R165連接+5V的源電壓。三極管Q163的集電極直接連接三極管Q162的基極。三極管Q163的射極接地。
[0037]可控硅回路101:可控硅回路101是由電阻R162和可控硅SCR161組成的回路。可控硅SCR161的第一端直接連接上蓋加熱器(top heater) CN 161?？煽毓鑃CR161的第二端直接連接電阻R162的第一端，通過電阻R161連接三極管Q161的射極?？煽毓鑃CR161的第三端通過等電位接地。電阻R162的第二端通過所述等電位接地。
[0038]可控硅回路102:與可控硅回路101相似，可控硅回路102是由電阻R164和可控硅SCR162組成的回路?？煽毓鑃CR162的第一端直接連接側(cè)面加熱器(side heater) CN 162?？煽毓鑃CR162的第二端直接連接電阻R164的第一端，通過電阻R163連接三極管Q162的射極?？煽毓鑃CR162的第三端通過等電位接地。電阻R164的第二端通過所述等電位接地。
[0039]三極管Q161、Q162、Q163為NPN型。電阻R167的阻值和電阻R168相接近，且為電阻R161的五倍或以上。電阻R166的阻值為電阻R165的十倍或以上；電阻R165的阻值為電阻R163的五倍或以上。
[0040]下面詳細(xì)描述根據(jù)本實(shí)用新型的復(fù)用控制裝置通過主控芯片100的I/O端口實(shí)現(xiàn)對兩個(gè)可控硅回路101和102的復(fù)用控制的過程。
[0041]當(dāng)主控芯片100的I/O端口輸出低電平時(shí)，三極管Q161不導(dǎo)通，導(dǎo)致可控硅SCR161不能工作，從而可控硅回路101不能正常工作。通過二極管D161 ( 二極管D161的壓降為0.2至0.3V)的隔離作用，三極管Q163的基射電壓Vbe〈0.7V，三極管Q163不導(dǎo)通，導(dǎo)致三極管Q162的Vbe>0.7V，三極管Q162導(dǎo)通，可控硅SCR162正常工作，從而可控硅回路102正常工作。
[0042]當(dāng)主控芯片100的I/O端口輸出高電平時(shí)，三極管Q161導(dǎo)通，可控硅SCR161正常工作，從而可控硅回路101正常工作。通過二極管D161 ( 二極管D161的壓降為0.2-0.3V)的隔離作用，三極管Q163的基射電壓Vbe>0.7V，能夠?qū)?，?dǎo)致三極管Q162的基射電壓Vbe<0.7V，三極管Q162關(guān)斷，可控硅SCR162不能正常工作，從而可控硅回路102不能正常工作。
[0043]當(dāng)主控芯片100的I/O端口輸出高阻態(tài)時(shí)，三極管Q163的基射電壓VbeX).7V，三極管Q163導(dǎo)通，此時(shí)三極管Q163基極對地的電壓為0.7V，通過二極管D161 ( 二極管D161的壓降為0.2—0.3V)的隔離作用，使電阻R161兩端電壓為0.4-0.5V，即電阻R167、R161和R162上的壓降之和為0.4-0.5V，此時(shí)在三極管Q161基極-集電極之間的電壓較小，使三極管Q161不會出現(xiàn)微導(dǎo)通狀態(tài)，可控硅SCR161不能正常工作，不能實(shí)現(xiàn)可控硅回路101正常工作。當(dāng)三極管Q163工作時(shí)，此時(shí)三極管Q163導(dǎo)通，三極管Q163的集電極為低電平，三極管Q162不能正常工作，可控硅SCR162不能正常工作，同樣不能實(shí)現(xiàn)可控硅回路102正常工作。
[0044]圖2與圖1的差別之處在與電阻R168的連接位置不同，電阻R168 —端連接I/O
端口，另一端接地。
[0045]圖2工作原理基本上和圖1所示電路的工作原理相同。不同之處在于:當(dāng)主控芯片100的I/O端口輸出高阻態(tài)時(shí)，三極管Q163的基射電壓Vbe>0.7V，三極管Q163導(dǎo)通，此時(shí)三極管Q163基極對地的電壓為0.7V，通過二極管D161 ( 二極管D161的壓降為0.2—0.3V)的隔離作用，經(jīng)電阻R167分壓之后，經(jīng)電阻R168與GND相連接，此時(shí)電阻R161兩端電壓為0.2-0.25V，即電阻R161和R162上的壓降之和為0.2-0.25V，在三極管Q161基極-集電極之間的電壓較小，使三極管Q161不會出現(xiàn)微導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)可控硅SCR161不能正常工作，不能實(shí)現(xiàn)可控硅回路101正常工作。當(dāng)三極管Q163工作時(shí)，此時(shí)三極管Q163導(dǎo)通，三極管Q163的集電極為低電平，三極管Q162不能正常工作，可控硅SCR162不能正常工作，同樣不能實(shí)現(xiàn)可控硅回路102正常工作。
[0046]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的通過一個(gè)芯片端口復(fù)用控制兩個(gè)可控硅回路的裝置。圖3為采用主控芯片200的I/O端口實(shí)現(xiàn)對兩個(gè)可控硅回路201和202的復(fù)用控制。
[0047]在圖3中，從三極管Q161的基極到射極并聯(lián)有電容C081和電阻R082。三極管Q161的發(fā)射極接地。三極管Q161的集電極在與三極管Q163基極連接的同時(shí)，與電阻R083連接到+5V。三極管Q163通過電阻R161連接可控硅回路201?？煽毓杌芈?01是由可控硅SCR161和電阻R162組成的回路，與上蓋加熱器CN161相連接，其結(jié)構(gòu)與運(yùn)作方式與可控硅回路101相同，在此不再贅述。
[0048]在圖3中，從三極管Q162的基極到射極并聯(lián)有電容C161和電阻R165。三極管Q162的射極直接連接+5V源電壓。三極管Q162的集電極通過電阻R163連接可控硅回路202。可控硅回路202是由可控硅SCR162和電阻R164組成的回路，與側(cè)面加熱器CN162相連接，其結(jié)構(gòu)與運(yùn)作方式與可控硅回路102相同，在此不再贅述。
[0049]如圖3中所示，當(dāng)主控芯片200的I/O端口輸出高電平時(shí)，可控硅回路201正常工作，可控硅回路202不工作；當(dāng)芯片200的I/O端口輸出低電平時(shí)，可控硅回路201不工作，可控硅回路202正常工作；當(dāng)芯片端口輸出高阻態(tài)時(shí)，可控硅回路202中三極管Q162的源電壓VCC+5V會經(jīng)分壓電阻也即經(jīng)R165 — R166 — R081 — R082與GND相連接。由于三極管Q161、三極管Q162基極-發(fā)射極分壓為0.45V左右，三極管Q161、三極管Q161會出現(xiàn)微導(dǎo)通現(xiàn)象，出現(xiàn)可控硅回路201、202誤工作的情況。此時(shí)三極管Q162有部分電流流經(jīng)R165，流經(jīng)電阻R164電阻的電流減小，從而對可控硅的驅(qū)動能力有影響。而本實(shí)用新型方案不會出現(xiàn)三極管微導(dǎo)通和驅(qū)動電流減小的問題。
[0050]與圖3中所示的現(xiàn)有技術(shù)方案相比，本實(shí)用新型的復(fù)用控制裝置通過主控芯片一個(gè)I/o端口變化輸出狀態(tài)，就可以實(shí)現(xiàn)對兩個(gè)可控硅回路(例如上蓋可控硅回路和側(cè)面可控硅回路)的精準(zhǔn)控制。上蓋可控硅回路和側(cè)面可控硅回路例如可以是風(fēng)扇驅(qū)動回路或加熱器驅(qū)動回路。
[0051]盡管已經(jīng)參照具體實(shí)施方案對本實(shí)用新型進(jìn)行例示和描述，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在不偏離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，可以在具體實(shí)施方案中進(jìn)行上述的以及其他的在形式和細(xì)節(jié)方面的變化，包括但不限于添加、減少或修改元件或以等同物進(jìn)行替代。
【權(quán)利要求】
1.復(fù)用控制裝置，其特征在于:包括:主控芯片，具有輸入/輸出端口，所述輸入/輸出端口可輸出低電平、高電平和高阻態(tài)，所述輸入/輸出端口分別控制第一可控硅回路和第二可控硅回路； 第一可控硅驅(qū)動回路，連接在所述第一可控硅回路與所述輸入/輸出端口之間，控制所述第一可控硅回路在所述輸入/輸出端口輸出高電平時(shí)工作； 第二可控硅驅(qū)動回路，連接在所述第二可控硅回路與所述輸入/輸出端口之間，控制所述第二可控硅回路在所述輸入/輸出端口輸出低電平時(shí)工作； 隔離電路，連接在所述第一可控硅回路或所述第二可控硅回路與所述輸入/輸出端口之間，控制所述第一可控硅回路和所述第二可控硅回路在所述輸入/輸出端口輸出高阻抗時(shí)不工作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)用控制裝置，其特征在于，所述隔離電路為二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)用控制裝置，其特征在于，所述第一可控硅驅(qū)動回路包括第一三極管，所述第一三極管的基極經(jīng)由第七電阻連接所述隔離電路，所述第一三極管的集電極直接連接源電壓，所述第一三極管的射極經(jīng)由第一電阻連接第一可控硅回路，第八電阻的一端連接所述第一三極管的基極或者所述隔離電路，另一端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)用控制裝置，其特征在于，所述第二可控硅驅(qū)動回路包括第二三極管、第三三極管，所述第二三極管的基極直接連接所述第三三極管的集電極，所述第二三極管的集電極直接連接源電壓，所述第二三極管的射極經(jīng)由第三電阻連接第二可控硅回路； 所述第三三極管的基極連接所述隔離電路，且經(jīng)由第六電阻連接源電壓，所述第三三極管的集電極經(jīng)由第五電阻連接源電壓，所述第三三極管的射極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)用控制裝置，其特征在于，所述二極管的陽極直接連接所述第三三極管的基極，所述二極管的陰極連接所述輸入/輸出端口，且經(jīng)由第七電阻連接所述第一三極管的基極。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)用控制裝置，其特征在于，所述第一三極管為NPN型。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)用控制裝置，其特征在于，所述第七電阻阻值和第八電阻的阻值相接近，且為第一電阻的阻值的五倍或以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)用控制裝置，其特征在于，所述第二三極管和所述第三三極管為NPN型。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)用控制裝置，其特征在于，所述第六電阻的阻值為所述第五電阻的阻值的十倍或以上；所述第五電阻的阻值為所述第三電阻的阻值的五倍或以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一所述的復(fù)用控制裝置，其特征在于，所述第一可控硅回路或所述第二可控硅回路是加熱器驅(qū)動回路或風(fēng)扇驅(qū)動回路。
【文檔編號】G05B19/042GK204241914SQ201420784991
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月11日
【發(fā)明者】麻百忠, 黃兵, 雷俊, 董凱 申請人:佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司, 美的集團(tuán)股份有限公司