本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

光耦合器亦稱光電隔離器或光電耦合器，簡稱光耦。它是以光為媒介來傳輸電信號(hào)的器件，通常把發(fā)光器(即紅外線發(fā)光二極管)與受光器(光敏半導(dǎo)體管)封裝在同一管殼內(nèi)。當(dāng)輸入端加電信號(hào)時(shí)發(fā)光器發(fā)出光線，受光器接受光線之后就產(chǎn)生光電流，從輸出端流出，從而實(shí)現(xiàn)了“電-光-電”的轉(zhuǎn)換。以光為媒介把輸入端信號(hào)耦合到輸出端的光電耦合器，由于它具有體積小、壽命長、無觸點(diǎn)、抗干擾能力強(qiáng)、輸出和輸入之間絕緣以及單向傳輸信號(hào)等優(yōu)點(diǎn)，在數(shù)字電路上獲得廣泛的應(yīng)用。

光耦傳輸比特指光耦的電流傳輸比，具體是指光耦的副邊電流IC與原邊電流IF的百分比，計(jì)算公式為CTR＝IC/IF×100％，CTR表示光耦傳輸比，它是光耦的一項(xiàng)重要指標(biāo)。而在大多數(shù)廠家的光耦數(shù)據(jù)手冊(cè)中，傳輸比這項(xiàng)指標(biāo)都是以一個(gè)范圍的形式給出的，例如：PC817光耦合器的傳輸比為80％～160％，達(dá)林頓型光耦合器(如4N30)傳輸比為100％～500％等。

但是，在某些情況下，電路設(shè)計(jì)開發(fā)者需要知道光耦傳輸比較精確的值。而目前尚未存在能夠精確的測(cè)試光耦傳輸比的技術(shù)，從而無法滿足電路設(shè)計(jì)者的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置和系統(tǒng)，能夠準(zhǔn)確的測(cè)試光耦合器的光耦傳輸比，從而滿足電路設(shè)計(jì)者的需求。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置，包括：

與光耦合器相連接，為所述光耦合器提供輸入電壓信號(hào)的可控電源；

與所述可控電源相連接，調(diào)節(jié)所述可控電源輸出電壓信號(hào)的PWM波濾波電路；

與所述光耦合器相連接，采集所述光耦合器的初級(jí)和次級(jí)電流信號(hào)，將所述初級(jí)和次級(jí)電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換電路；

與所述電流信號(hào)轉(zhuǎn)換電路相連接，將所述初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)由模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路；

與所述PWM波濾波電路和所述模數(shù)轉(zhuǎn)換電路相連接，持續(xù)調(diào)整PWM波的占空比，直至所述初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件時(shí)，計(jì)算所述光耦合器光耦傳輸比的主控芯片。

優(yōu)選的，還包括：

光耦卡槽插座；所述光耦合器插在所述光耦卡槽插座上，所述可控電源和所述電流信號(hào)轉(zhuǎn)換電路通過所述光耦卡槽插座與所述光耦合器相連接。

優(yōu)選的，所述光耦卡槽插座為16針孔的光耦卡槽插座。

優(yōu)選的，所述主控芯片為數(shù)字信號(hào)處理DSP芯片。

優(yōu)選的，還包括：

顯示所述光耦合器光耦傳輸比的顯示模塊。

優(yōu)選的，所述顯示模塊為液晶顯示模塊。

優(yōu)選的，還包括：

與所述主控芯片相連接的USB接口。

優(yōu)選的，還包括：

與所述主控芯片相連接的USB接口。

優(yōu)選的，還包括：

與所述主控芯片相連接的USB接口。

一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，包括：

上述所述的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置；以及與所述光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置相連接，調(diào)整所述預(yù)設(shè)測(cè)試條件，顯示所述光耦合器光耦傳輸比的計(jì)算機(jī)。

經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置和系統(tǒng)。本發(fā)明提供的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置，包括：與光耦合器相連接，為所述光耦合器提供輸入電壓信號(hào)的可控電源；與所述可控電源相連接，調(diào)節(jié)所述可控電源輸出電壓信號(hào)的PWM波濾波電路；與所述光耦合器相連接，采集所述光耦合器的初級(jí)和次級(jí)電流信號(hào)，將所述初級(jí)和次級(jí)電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換電路；與所述電流信號(hào)轉(zhuǎn)換電路相連接，將所述初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)由模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路；與所述PWM波濾波電路和所述模數(shù)轉(zhuǎn)換電路相連接，持續(xù)調(diào)整PWM波的占空比，直至所述初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件時(shí)，計(jì)算所述光耦合器光耦傳輸比的主控芯片。即，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，主控芯片通過調(diào)整輸出PWM波的占空比，實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)所述可控電源輸出電壓信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)光耦合器初級(jí)和次級(jí)的電壓信號(hào)相應(yīng)的變化，主控芯片分析光耦合器初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)是否滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件，如不滿足，繼續(xù)調(diào)整輸出PWM波的占空比，直至光耦合器初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件，此時(shí)，再計(jì)算光耦合器的光耦傳輸比，從而保證計(jì)算得到的光耦合器的光耦傳輸比更加準(zhǔn)確。因此，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，能夠準(zhǔn)確的測(cè)試光耦合器的光耦傳輸比，從而滿足電路設(shè)計(jì)者的需求。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另外一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

實(shí)施例

請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)圖。光耦，即光耦合器，如圖1所示，該光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置，包括：

與光耦合器101相連接，為所述光耦合器101提供輸入電壓信號(hào)的可控電源102；

與所述可控電源102相連接，調(diào)節(jié)所述可控電源102輸出電壓信號(hào)的PWM(Pulse Width Modulation，脈沖寬度調(diào)制)波濾波電路103；

與所述光耦合器101相連接，采集所述光耦合器101的初級(jí)和次級(jí)電流信號(hào)，將所述初級(jí)和次級(jí)電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換電路104；

與所述電流信號(hào)轉(zhuǎn)換電路104相連接，將所述初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)由模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路105；

與所述PWM波濾波電路103和所述模數(shù)轉(zhuǎn)換電路105相連接，持續(xù)調(diào)整PWM波的占空比，直至所述初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件時(shí)，計(jì)算所述光耦合器101光耦傳輸比的主控芯片106。

可選的，比如測(cè)量某一種光耦合器正常工作時(shí)的光耦傳輸比，假設(shè)該種光耦合器正常工作時(shí)，初級(jí)輸入電流為5毫安，次級(jí)電壓為5伏，那么所述預(yù)設(shè)測(cè)試條件為：所述初級(jí)電壓信號(hào)需要是初級(jí)輸入電流為5毫安時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓信號(hào)(假設(shè)為a伏)，所述次級(jí)電壓信號(hào)需要為5伏。也就是說，所述主控芯片106在所述初級(jí)電壓信號(hào)為a伏、所述次級(jí)電壓為5伏時(shí)，即滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件時(shí)，才計(jì)算該種光耦合器的光耦傳輸比；否則，持續(xù)調(diào)整PWM波的占空比，直至所述初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件。

需要說明的是，所述預(yù)設(shè)測(cè)試條件為預(yù)先設(shè)定的測(cè)試條件，與具體類別的光耦合器相對(duì)應(yīng)，不同種類的光耦合器，預(yù)設(shè)測(cè)試條件可以不同。預(yù)設(shè)測(cè)試條件可以預(yù)先設(shè)定，固化在所述主控芯片內(nèi)，因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，能夠測(cè)試各個(gè)種類的光耦合器的光耦傳輸比，適用性很強(qiáng)。

具體的，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，主控芯片通過調(diào)整輸出PWM波的占空比，實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)所述可控電源輸出電壓信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)光耦合器初級(jí)和次級(jí)的電壓信號(hào)相應(yīng)的變化，主控芯片分析光耦合器初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)是否滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件，如不滿足，繼續(xù)調(diào)整輸出PWM波的占空比，直至光耦合器初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件，此時(shí)，再計(jì)算光耦合器的光耦傳輸比，從而保證計(jì)算得到的光耦合器的光耦傳輸比更加準(zhǔn)確。也就是說，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，采用逐步反饋調(diào)節(jié)直至采集到的數(shù)據(jù)滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件時(shí)才計(jì)算測(cè)試結(jié)果的測(cè)試方式，使測(cè)試結(jié)果更加精確，測(cè)試過程也比較迅速。

具體的，請(qǐng)參閱圖2，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另外一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置，還包括：

光耦卡槽插座201；

具體的，所述光耦合器101插在所述光耦卡槽插座201上，所述可控電源102和所述電流信號(hào)轉(zhuǎn)換電路104通過所述光耦卡槽插座201與所述光耦合器101相連接。

具體的，所述光耦卡槽插座201可以為容納多個(gè)光耦合器的光耦卡槽插座?？蛇x的，所述光耦卡槽插座201為16針孔的卡槽插座，即，可以插4個(gè)所述光耦合器101，這樣，本發(fā)明提供的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置便可以一次性測(cè)試4路光耦合器，能有效提高效率。

可選的，如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置，還可以包括：

顯示所述光耦合器101的光耦傳輸比的顯示模塊202；

具體的，所述主控芯片101控制所述顯示模塊202顯示由所述主控芯片101計(jì)算得到的所述光耦合器101的光耦傳輸比。

可選的，本發(fā)明實(shí)施例提供的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置，所述顯示模塊為液晶顯示模塊。

具體的，本發(fā)明實(shí)施例提供的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置，還包括：

與所述主控芯片相連接的USB(Universal Serial Bus，通用串行總線)接口；

具體的，相關(guān)技術(shù)人員可以通過所述USB接口與計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)連接，通過計(jì)算機(jī)為所述主控芯片106設(shè)置所述預(yù)設(shè)測(cè)試條件。

可選的，本發(fā)明實(shí)施例提供的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置，所述主控芯片106為DSP(digital signal processing，數(shù)字信號(hào)處理)芯片。

另外，可以理解的是，本發(fā)明提供的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置，也可以測(cè)試不同輸入電流下所述光耦合器101的光耦傳輸比。具體的，所述主控芯片106通過調(diào)整輸出PWM波的占空比，實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)所述光耦合器101的輸入電流，此時(shí)，所述主控芯片106不必再設(shè)置預(yù)設(shè)測(cè)試條件，根據(jù)所述光耦合器101的輸入電流的變化，實(shí)時(shí)計(jì)算相應(yīng)輸入電流值下的光耦傳輸比即可。由于本發(fā)明主要解決的是如何測(cè)試得到光耦合器光耦傳輸比的精確值的問題，因此，對(duì)測(cè)試不同輸入電流下光耦合器的光耦傳輸比的技術(shù)方案，不再詳細(xì)闡述。

另外，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，還公開一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)。

請(qǐng)參閱圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。如圖3所示，該系統(tǒng)包括：

上述本發(fā)明任意一個(gè)實(shí)施例提供的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置301，以及與所述光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置301相連接，調(diào)整所述預(yù)設(shè)測(cè)試條件，顯示所述光耦合器光耦傳輸比的計(jì)算機(jī)302。

具體的，所述光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置301與所述計(jì)算機(jī)302通過USB線相連接，也就是說，所述光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置301設(shè)置有USB接口，所述USB接口與所述主控芯片相連接。

另外，可以理解的是，由于所述光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置301與所述計(jì)算機(jī)302通過USB線相連接，所述光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置301可以接受所述計(jì)算機(jī)302的控制實(shí)現(xiàn)更多功能，比如通過獲取光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置301測(cè)試得到的不同輸入電流下光耦合器的光耦傳輸比，在計(jì)算機(jī)上顯示與光耦合器輸入電流相對(duì)應(yīng)的光耦傳輸比的曲線圖等。

另外，由于上文已對(duì)本發(fā)明任意一個(gè)實(shí)施例提供的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置進(jìn)行了詳細(xì)的闡述，故針對(duì)光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置的具體內(nèi)容，此處不再贅述。

經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置和系統(tǒng)。本發(fā)明提供的光耦傳輸比自動(dòng)測(cè)試裝置，包括：與光耦合器相連接，為所述光耦合器提供輸入電壓信號(hào)的可控電源；與所述可控電源相連接，調(diào)節(jié)所述可控電源輸出電壓信號(hào)的PWM波濾波電路；與所述光耦合器相連接，采集所述光耦合器的初級(jí)和次級(jí)電流信號(hào)，將所述初級(jí)和次級(jí)電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換電路；與所述電流信號(hào)轉(zhuǎn)換電路相連接，將所述初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)由模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的模數(shù)轉(zhuǎn)換電路；與所述PWM波濾波電路和所述模數(shù)轉(zhuǎn)換電路相連接，持續(xù)調(diào)整PWM波的占空比，直至所述初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件時(shí)，計(jì)算所述光耦合器光耦傳輸比的主控芯片。即，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，主控芯片通過調(diào)整輸出PWM波的占空比，實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)所述可控電源輸出電壓信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)光耦合器初級(jí)和次級(jí)的電壓信號(hào)相應(yīng)的變化，主控芯片分析光耦合器初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)是否滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件，如不滿足，繼續(xù)調(diào)整輸出PWM波的占空比，直至光耦合器初級(jí)和次級(jí)電壓信號(hào)滿足預(yù)設(shè)測(cè)試條件，此時(shí)，再計(jì)算光耦合器的光耦傳輸比，從而保證計(jì)算得到的光耦合器的光耦傳輸比更加準(zhǔn)確。因此，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，能夠準(zhǔn)確的測(cè)試光耦合器的光耦傳輸比，從而滿足電路設(shè)計(jì)者的需求。

另外，由于本發(fā)明提供的技術(shù)方案能夠精確地測(cè)得光耦合器的光耦傳輸比，因此，還可以用于光耦合器產(chǎn)品的出廠檢查和進(jìn)廠篩選，應(yīng)用范圍廣，可靠性高。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。