本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種參考電壓發(fā)生裝置。

背景技術(shù)：

隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，高速和低功耗在集成電路中變得越來越重要。然而，在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，隨著器件尺寸的減小，器件的耐受電壓成為限制。例如，可以通過減小柵極氧化物的厚度來提高操作速度，但是這會(huì)限制在柵極氧化物上所允許的電場(chǎng)強(qiáng)度。當(dāng)操作電源電壓高于柵極氧化物所允許的電壓時(shí)，如果沒有以預(yù)定參考電壓來控制的保護(hù)器件，傳統(tǒng)的輸入輸出i/o結(jié)構(gòu)將不能正常工作。

一種現(xiàn)有的參考電壓發(fā)生器包括兩個(gè)串聯(lián)連接的電阻，參考電壓的大小取決于兩個(gè)電阻的阻值。為了減小靜態(tài)電流，兩個(gè)電阻的阻值必須足夠大。但是，當(dāng)參考電壓連接到負(fù)載(例如，i/o結(jié)構(gòu)的輸出驅(qū)動(dòng)器)時(shí)，負(fù)載的某些電特性(例如，等效電容等)會(huì)導(dǎo)致參考電壓產(chǎn)生波動(dòng)偏離期望值。并且，兩個(gè)電阻的阻值越大，參考電壓恢復(fù)到正常水平所消耗的時(shí)間越長(zhǎng)。

因此，需要一種參考電壓發(fā)生裝置，其能夠在參考電壓偏離時(shí)，使參考電壓快速恢復(fù)到期望值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的一個(gè)實(shí)施例的目的在于提供一種參考電壓發(fā)生裝置，其能夠在參考電壓偏離期望值時(shí)，使得參考電壓快速恢復(fù)到期望值。

根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種參考電壓發(fā)生裝置，包括：第一開關(guān)，連接在第一電源軌與輸出節(jié)點(diǎn)之間；第二開關(guān)，連接在第二電源軌與所述輸出節(jié)點(diǎn)之間；第一正反饋模塊，用于向所述第一開關(guān)施 加第一反饋信號(hào)，以控制所述第一開關(guān)的導(dǎo)通程度；第二正反饋模塊，用于向所述第二開關(guān)施加第二反饋信號(hào)，以控制所述第二開關(guān)導(dǎo)通程度；其中，當(dāng)輸出節(jié)點(diǎn)輸出的參考電壓增大時(shí)，第一正反饋模塊使所述第一反饋信號(hào)電壓增大，從而第一開關(guān)導(dǎo)通程度減小，并且第二正反饋模塊使所述第二反饋信號(hào)電壓增大，從而第二開關(guān)導(dǎo)通程度增大；當(dāng)輸出節(jié)點(diǎn)輸出的參考電壓減小時(shí)，第一正反饋模塊使所述第一反饋信號(hào)電壓減小，從而第一開關(guān)導(dǎo)通程度增大，并且第二正反饋模塊使所述第二反饋信號(hào)電壓減小，從而第二開關(guān)導(dǎo)通程度減??；其中，所述第一電源軌和第二電源軌兩者之間提供第一電源域電壓；所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)的耐受電壓低于所述第一電源域電壓。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一正反饋模塊根據(jù)所述輸出節(jié)點(diǎn)輸出的參考電壓和比較電壓的比較向所述第一開關(guān)施加所述第一反饋信號(hào)；所述第二正反饋模塊根據(jù)所述輸出節(jié)點(diǎn)輸出的參考電壓和比較電壓的比較向所述第二開關(guān)施加所述第二反饋信號(hào)。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一正反饋模塊包括第一差分放大器；所述第一差分放大器的一個(gè)輸入連接至所述輸出節(jié)點(diǎn)，另一個(gè)輸入接收比較電壓；所述第一差分放大器的輸出端輸出所述第一反饋信號(hào)。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一差分放大器包括：左支電路部分，包括第一pmos晶體管和第二pmos晶體管，其中，所述第一pmos晶體管連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；所述第二pmos晶體管連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第一電源軌之間；右支電路部分，包括第三pmos晶體管和第四pmos晶體管，其中，所述第三pmos晶體管連接在所述第二節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)之間；所述第四pmos晶體管連接在所述第三節(jié)點(diǎn)和所述第一電源軌之間；第一電流源，連接在所述第二節(jié)點(diǎn)和所述第二電源軌之間；其中，所述第一pmos晶體管的柵極連接至所述輸出節(jié)點(diǎn)，所述第三pmos晶體管的柵極接收比較電壓；所述第二pmos晶體管的柵極連接至所述第三節(jié)點(diǎn)，所述第四pmos晶體管的柵極連接至所述第一節(jié)點(diǎn)；所述第一節(jié)點(diǎn)作為所述輸出端輸出所述第一反饋信號(hào)。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一電流源由nmos晶體管形成。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一pmos晶體管、所述第二pmos晶體管、所述第三pmos晶體管、所述第四pmos晶體管和所述nmos晶體管的耐受電壓低于所述第一電源域電壓；所述第一pmos晶體管、所述第二pmos晶體管、所述第三pmos晶體管和所述第四pmos晶體管的總等效阻抗與所述nmos晶體管的等效阻抗基本相同。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第二正反饋模塊包括第二差分放大器；所述第二差分放大器的一個(gè)輸入連接至所述輸出節(jié)點(diǎn)，另一個(gè)輸入接收比較電壓；所述第二差分放大器的輸出端輸出所述第二反饋信號(hào)。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第二差分放大器包括：左支電路部分，包括第一nmos晶體管和第二nmos晶體管，其中，所述第一nmos晶體管連接在第四節(jié)點(diǎn)和第五節(jié)點(diǎn)之間；所述第二nmos晶體管連接在所述第五節(jié)點(diǎn)和所述第二電源軌之間；右支電路部分，包括第三nmos晶體管和第四nmos晶體管，其中，所述第三nmos晶體管連接在所述第四節(jié)點(diǎn)和第六節(jié)點(diǎn)之間；所述第四nmos晶體管連接在所述第六節(jié)點(diǎn)和所述第二電源軌之間；第二電流源，連接在所述第四節(jié)點(diǎn)和所述第一電源軌之間；其中，所述第一nmos晶體管的柵極連接至所述輸出節(jié)點(diǎn)，所述第三nmos晶體管的柵極接收比較電壓；所述第二nmos晶體管的柵極連接至所述第六節(jié)點(diǎn)，所述第四nmos晶體管的柵極連接至所述第五節(jié)點(diǎn)；所述第五節(jié)點(diǎn)作為所述輸出端輸出所述第二反饋信號(hào)。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第二電流源由pmos晶體管形成。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述第一nmos晶體管、所述第二nmos晶體管、所述第三nmos晶體管、所述第四nmos晶體管和所述pmos晶體管的耐受電壓低于所述第一電源域電壓；所述第一nmos晶體管、所述第二nmos晶體管、所述第三nmos晶體管和所述第四nmos晶體管的總等效阻抗與所述pmos晶體管的等效阻抗基本相同。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述裝置還包括：比較電壓產(chǎn)生模塊，用于產(chǎn)生所述比較電壓。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述比較電壓產(chǎn)生模塊包括：串聯(lián)連接的兩個(gè)或更多個(gè)電阻，所述兩個(gè)或更多個(gè)電阻連接在第一電源軌和第二電源軌之間。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述比較電壓產(chǎn)生模塊包括：串聯(lián)連接的兩個(gè)或更多個(gè)二極管連接形式的晶體管，所述兩個(gè)或更多個(gè)二極管連接形式的晶體管連接在第一電源軌和第二電源軌之間。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述裝置還包括：連接到所述輸出節(jié)點(diǎn)的電容性負(fù)載。

本公開實(shí)施例提供的參考電壓發(fā)生裝置，當(dāng)參考電壓偏離期望值時(shí)，通過第一正反饋模塊和第二正反饋模塊調(diào)整向第一開關(guān)和第二開關(guān)施加的反饋信號(hào)，可以將參考電壓快速恢復(fù)到期望值，提高了器件的穩(wěn)定性和靈敏性。

通過以下參照附圖對(duì)本公開的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本公開的其它特征、方面及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說明

附圖構(gòu)成本說明書的一部分，其描述了本公開的示例性實(shí)施例，并且連同說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理，在附圖中：

圖1示出了根據(jù)本公開一個(gè)實(shí)施例的參考電壓發(fā)生裝置的示意圖；

圖2示出了根據(jù)圖1所示實(shí)施例的一種具體實(shí)現(xiàn)方式的參考電壓發(fā)生裝置的示意圖；

圖3示出了第一反饋信號(hào)電壓和第二反饋信號(hào)電壓隨參考電壓變化，以及第一開關(guān)和第二開關(guān)之間的電流隨參考電壓變化的模擬示意圖；

圖4示出了根據(jù)本公開又一個(gè)實(shí)施例的參考電壓發(fā)生裝置的示意圖；

圖5示出了根據(jù)本公開再一個(gè)實(shí)施例的參考電壓發(fā)生裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本公開的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)理解，除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不應(yīng)被理解為對(duì)本發(fā)明范圍的限制。

此外，應(yīng)當(dāng)理解，為了便于描述，附圖中所示出的各個(gè)部件的尺寸并不必然按照實(shí)際的比例關(guān)系繪制，例如某些層的厚度或?qū)挾瓤梢韵鄬?duì)于其他層有所夸大。

以下對(duì)示例性實(shí)施例的描述僅僅是說明性的，在任何意義上都不作為對(duì)本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和裝置可能不作詳細(xì)討論，但在適用這些技術(shù)、方法和裝置情況下，這些技術(shù)、方法和裝置應(yīng)當(dāng)被視為本說明書的一部分。

應(yīng)注意，相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義或說明，則在隨后的附圖的說明中將不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

圖1示出了根據(jù)本公開一個(gè)實(shí)施例的參考電壓發(fā)生裝置的示意圖。如圖1所示，該參考電壓發(fā)生裝置包括第一開關(guān)101、第二開關(guān)102、第一正反饋模塊103和第二正反饋模塊104。

第一開關(guān)101連接在第一電源軌105與輸出節(jié)點(diǎn)106之間。第二開關(guān)102連接在第二電源軌107與輸出節(jié)點(diǎn)106之間。如圖1所示，第一開關(guān)101可以由pmos晶體管實(shí)現(xiàn)，而第二開關(guān)102可以由nmos晶體管實(shí)現(xiàn)。另外，需要說明的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易地理解，當(dāng)開關(guān)被稱為“連接在a和b之間”時(shí)，是針對(duì)其電流傳輸端子而言的。例如，當(dāng)稱mos晶體管連接在a和b之間，是指mos晶體管的源極和漏極中的一個(gè)連接到a和b中的一方，而源極和漏極中的另一個(gè)連接到a和b中的另一方。

第一正反饋模塊103用于向第一開關(guān)101施加第一反饋信號(hào)，以控制第一開關(guān)101的導(dǎo)通程度。第一正反饋模塊103可以被配置為：當(dāng)輸 出節(jié)點(diǎn)106輸出的參考電壓ref增大時(shí)，使第一反饋信號(hào)電壓增大，從而第一開關(guān)101導(dǎo)通程度減??；當(dāng)參考電壓ref減小時(shí)，使第一反饋信號(hào)電壓減小，從而第一開關(guān)101導(dǎo)通程度增大。

第二正反饋模塊104用于向第二開關(guān)102施加第二反饋信號(hào)，以控制第二開關(guān)102導(dǎo)通程度。第二正反饋模塊可以被配置為：當(dāng)輸出節(jié)點(diǎn)106輸出的參考電壓ref增大時(shí)，使第二反饋信號(hào)電壓增大，從而第二開關(guān)102導(dǎo)通程度增大；當(dāng)參考電壓ref減小時(shí)，使第二反饋信號(hào)電壓減小，從而第二開關(guān)102導(dǎo)通程度減小。

第一電源軌105和第二電源軌107兩者之間提供第一電源域電壓。例如，第一電源軌105可以被提供電壓vdd(例如，3.3v)，而第二電源軌107可以被提供電壓vss(例如，接地)，從而第一電源域電壓為3.3v。第一開關(guān)101和第二開關(guān)102的耐受電壓可以低于第一電源域電壓。例如，第一電源域電壓為3.3v，第一開關(guān)101和第二開關(guān)102的耐受電壓為1.8v。

下面對(duì)參考電壓發(fā)生裝置的操作過程進(jìn)行說明。

當(dāng)參考電壓ref為期望值時(shí)，第一反饋信號(hào)電壓設(shè)定為vdd-vtp，第二反饋信號(hào)電壓設(shè)定為vtn，其中，vdd為電源電壓，vtp為第一開關(guān)101的閾值電壓，vtn為第二開關(guān)102的閾值電壓。當(dāng)參考電壓增大時(shí)，第一正反饋模塊103輸出的第一反饋信號(hào)電壓增大，使得第一開關(guān)101的導(dǎo)通程度減小；并且，第二正反饋模塊104輸出的第二反饋信號(hào)電壓增大，使得第二開關(guān)102的導(dǎo)通程度增大。從而，降低參考電壓ref，使得參考電壓ref恢復(fù)到期望值。

當(dāng)參考電壓減小時(shí)，第一正反饋模塊103輸出的第一反饋信號(hào)電壓減小，使得第一開關(guān)101的導(dǎo)通程度增大；并且，第二正反饋模塊104輸出的第二反饋信號(hào)電壓減小，使得第二開關(guān)102的導(dǎo)通程度減小。從而，增大參考電壓ref，使得參考電壓ref恢復(fù)到期望值。

本實(shí)施例提供的參考電壓發(fā)生裝置通過設(shè)置第一正反饋模塊和第二反饋模塊，使得參考電壓偏離期望值時(shí)可以快速恢復(fù)到期望值。

在一個(gè)實(shí)施例中，第一正反饋模塊103可以根據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)106輸出 的參考電壓和比較電壓compare的比較向第一開關(guān)101施加第一反饋信號(hào)；第二正反饋模塊104可以根據(jù)輸出節(jié)點(diǎn)106輸出的參考電壓和比較電壓compare的比較向第二開關(guān)102施加第二反饋信號(hào)。

圖2示出了根據(jù)該實(shí)施例的一種具體實(shí)現(xiàn)方式的參考電壓發(fā)生裝置的示意圖。如圖2所示，第一正反饋模塊103和第二正反饋模塊104均可以采用差分放大器來實(shí)現(xiàn)。具體地，第一正反饋模塊103可以包括第一差分放大器，第二正反饋模塊104可以包括第二差分放大器。其中，第一差分放大器的一個(gè)輸入連接至輸出節(jié)點(diǎn)，另一個(gè)輸入接收比較電壓；第一差分放大器的輸出端輸出第一反饋信號(hào)。第二差分放大器的一個(gè)輸入連接至輸出節(jié)點(diǎn)，另一個(gè)輸入接收比較電壓；第二差分放大器的輸出端輸出第二反饋信號(hào)。

下面結(jié)合圖2分別對(duì)第一差分放大器和第二差分放大器的結(jié)構(gòu)以及操作過程進(jìn)行說明。

首先介紹第一正反饋模塊103包括的第一差分放大器的結(jié)構(gòu)。

參見圖2，第一差分放大器包括左支電路部分、右支電路部分、以及第一電流源208。左支電路部分包括第一pmos晶體管201和第二pmos晶體管202，其中，第一pmos晶體管201連接在第一節(jié)點(diǎn)203和第二節(jié)點(diǎn)204之間；第二pmos晶體管202連接在第一節(jié)點(diǎn)203和第一電源軌105之間。

右支電路部分包括第三pmos晶體管205和第四pmos晶體管206，其中，第三pmos晶體管205連接在第二節(jié)點(diǎn)204和第三節(jié)點(diǎn)207之間；第四pmos晶體管206連接在第三節(jié)點(diǎn)207和第一電源軌105之間。

第一電流源208連接在第二節(jié)點(diǎn)204和第二電源軌107之間。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電流源208由nmos晶體管形成。

在第一正反饋模塊103包括的第一差分放大器中，第一pmos晶體管201的柵極作為第一差分放大器的一個(gè)輸入連接至輸出節(jié)點(diǎn)106，第三pmos晶體管205的柵極作為第一差分放大器的另一個(gè)輸入接收比較電壓compare。第二pmos晶體管202的柵極連接至第三節(jié)點(diǎn) 207，第四pmos晶體管206的柵極連接至第一節(jié)點(diǎn)203；第一節(jié)點(diǎn)203作為輸出端輸出第一反饋信號(hào)，以施加到第一開關(guān)101。

在一個(gè)實(shí)施例中，第一pmos晶體管201、第二pmos晶體管202、第三pmos晶體管205、第四pmos晶體管206和nmos晶體管208的耐受電壓低于第一電源域電壓。優(yōu)選地，所述第一pmos晶體管、所述第二pmos晶體管、所述第三pmos晶體管和所述第四pmos晶體管的總等效阻抗與所述nmos晶體管的等效阻抗基本相同。從而，可以使第二節(jié)點(diǎn)204的電平為所述第一電源域電壓的中值或附近，從而保證第一差分放大器中各器件工作的穩(wěn)定性。

下面說明第一差分放大器的操作過程的一個(gè)示例的配置。

該示例中，所有晶體管的閾值電壓的絕對(duì)值為約0.5v，比較電壓compare為約1.65v，參考電壓vef為期望值(例如，穩(wěn)態(tài)值，這里取1.8v)。此時(shí)，第一pmos晶體管201、第二pmos晶體管202、以及第一電流源208被配置為導(dǎo)通，第三pmos晶體管205和第四pmos晶體管206被配置為關(guān)斷，此時(shí)第一節(jié)點(diǎn)203輸出的第一反饋信號(hào)的電壓被配置為例如2.87v。

當(dāng)參考電壓ref變得小于1.8v(例如向1.5v減小)時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)203輸出的第一反饋信號(hào)電壓減小，變得小于2.87v(例如，向約2.3v減小)，從而使得第一開關(guān)101的導(dǎo)通程度增大。例如，當(dāng)參考電壓ref變得小于1.8v(例如向1.5v減小)時(shí)(此時(shí)，第一電流源208仍被配置為導(dǎo)通)，第一pmos晶體管201被配置為導(dǎo)通程度增大，使得第一節(jié)點(diǎn)203輸出的第一反饋信號(hào)電壓減小。從而，使得第四pmos晶體管206逐漸變?yōu)閷?dǎo)通，這又使得節(jié)點(diǎn)207處的電壓增加，從而第二pmos晶體管202被配置為導(dǎo)通程度減小，進(jìn)一步減小了第一節(jié)點(diǎn)203輸出的第一反饋信號(hào)電壓。第一反饋信號(hào)電壓變得小于2.87v(例如，減小向約2.3v)，從而使得第一開關(guān)101的導(dǎo)通程度增大。而第一開關(guān)101的導(dǎo)通程度增大使得參考電壓ref的電位被上拉(增加)。

當(dāng)參考電壓ref變得大于1.8v(例如，向2v增大)時(shí)，使得第一節(jié)點(diǎn)203輸出的第一反饋信號(hào)電壓增加，變得大于2.87v，從而使得 第一開關(guān)101的導(dǎo)通程度減小。例如，當(dāng)參考電壓vef變得大于1.8v(例如，向2v增大)時(shí)(此時(shí)，第一電流源208仍被配置為導(dǎo)通)，第一pmos晶體管201被配置為導(dǎo)通程度減小，使得第一節(jié)點(diǎn)203輸出的第一反饋信號(hào)電壓增加。這又使得第四pmos晶體管206進(jìn)一步關(guān)斷(截止)，從而使得節(jié)點(diǎn)207處的電壓降低，進(jìn)而第二pmos晶體管202被配置為導(dǎo)通程度增加，進(jìn)一步增加了第一節(jié)點(diǎn)203輸出的第一反饋信號(hào)電壓。從而，使得第一節(jié)點(diǎn)203輸出的第一反饋信號(hào)電壓增加，變得大于2.87v，從而使得第一開關(guān)101的導(dǎo)通程度減小。而第一開關(guān)101的導(dǎo)通程度減小使得輸出ref的電位被下拉(減小)。

應(yīng)理解，根據(jù)放大系數(shù)的不同，反饋信號(hào)的變化程度可以不同于(例如，優(yōu)選大于)參考電壓ref的變化程度。

下面介紹第二正反饋模塊104包括的第二差分放大器的結(jié)構(gòu)。

參見圖2，第二差分放大器包括左支電路部分、右支電路部分、以及第二電流源215。

左支電路部分包括第一nmos晶體管208和第二nmos晶體管209，其中，第一nmos晶體管208連接在第四節(jié)點(diǎn)210和第五節(jié)點(diǎn)211之間；第二nmos晶體管209連接在第五節(jié)點(diǎn)211和第二電源軌107之間。

右支電路部分包括第三nmos晶體管212和第四nmos晶體管213，其中，第三nmos晶體管212連接在第四節(jié)點(diǎn)210和第六節(jié)點(diǎn)214之間；第四nmos晶體管213連接在第六節(jié)點(diǎn)214和第二電源軌107之間。

第二電流源215連接在第四節(jié)點(diǎn)210和第一電源軌105之間。在一個(gè)實(shí)施例中，第二電流源215可以由pmos晶體管形成。

在第二正反饋模塊104包括的第二差分放大器中，第一nmos晶體管208的柵極作為第二差分放大器的一個(gè)輸入連接至輸出節(jié)點(diǎn)，第三nmos晶體管212的柵極作為第二差分放大器的另一個(gè)輸入接收比較電壓compare。第二nmos晶體管209的柵極連接至第六節(jié)點(diǎn)214，第四nmos晶體管213的柵極連接至第五節(jié)點(diǎn)211；第五節(jié)點(diǎn)211作為 輸出端輸出第二反饋信號(hào)，以施加到第二開關(guān)102。

在一個(gè)實(shí)施例中，第一nmos晶體管208、第二nmos晶體管209、第三nmos晶體管212、第四nmos晶體管213和pmos晶體管215的耐受電壓低于第一電源域電壓。優(yōu)選地，所述第一nmos晶體管、所述第二nmos晶體管、所述第三nmos晶體管和所述第四nmos晶體管的總等效阻抗與所述pmos晶體管等效阻抗基本相同。從而，使得第四節(jié)點(diǎn)210的電平為所述第一電源域電壓的中值或附近，保證第二差分放大器中各器件工作的穩(wěn)定性。

下面說明第二差分放大器的操作過程的一個(gè)示例的配置。

同樣，該示例中，所有晶體管的閾值電壓的絕對(duì)值為約0.5v，比較電壓compare為1.65v，參考電壓ref為期望值(這里取1.8v)。此時(shí)，第一nmos晶體管208、第二nmos晶體管209、第三nmos晶體管212、以及第二電流源215被配置為導(dǎo)通，第四nmos晶體管213被配置為關(guān)斷，此時(shí)第五節(jié)點(diǎn)211輸出的第二反饋信號(hào)的電壓被配置為0.42v。

當(dāng)參考電壓ref變得小于1.8v(例如向1.5v減小)時(shí)，第五節(jié)點(diǎn)211輸出的第二反饋信號(hào)的電壓減小，變得小于0.42v，從而使得第二開關(guān)102的導(dǎo)通程度減小。例如，當(dāng)參考電壓ref變得小于1.8v(例如向1.5v減小)時(shí)(此時(shí)，第二電流源215被配置為導(dǎo)通)，第一nmos晶體管208被配置為導(dǎo)通程度減小，使得第五節(jié)點(diǎn)211處的電壓減小。這又使得第四nmos晶體管213進(jìn)一步關(guān)斷(截止)，從而使得節(jié)點(diǎn)214處的電位增加，進(jìn)而第二nmos晶體管209的導(dǎo)通程度增加，進(jìn)一步減小了第五節(jié)點(diǎn)211處輸出的第二反饋信號(hào)電壓。從而，使得第五節(jié)點(diǎn)211輸出的第二反饋信號(hào)電壓變得小于0.42v，從而使得第二開關(guān)102的導(dǎo)通程度減小。而第二開關(guān)102的導(dǎo)通程度減小使得參考電壓ref的電位被上拉(增加)。

當(dāng)參考電壓ref變得大于1.8v(例如，向2v增大)時(shí)，第五節(jié)點(diǎn)211輸出的第二反饋信號(hào)電壓增加，變得大于0.42v，從而使得第二開關(guān)102的導(dǎo)通程度增加。例如，當(dāng)參考電壓ref變得大于1.8v(例 如，向2v增大)時(shí)(此時(shí)，第二電流源215被配置為導(dǎo)通)，第一nmos晶體管208被配置為導(dǎo)通程度增加，使得第五節(jié)點(diǎn)211輸出的第二反饋信號(hào)電壓增加。從而，使得第四nmos晶體管213逐漸變?yōu)閷?dǎo)通，這又使得節(jié)點(diǎn)214處的電壓減小，從而使得第二nmos晶體管209導(dǎo)通程度減小，進(jìn)一步增加了第五節(jié)點(diǎn)211輸出的第二反饋信號(hào)電壓。使得第五節(jié)點(diǎn)211輸出的第二反饋信號(hào)電壓變得大于0.42v，從而使得第二開關(guān)102的導(dǎo)通程度增大。而第二開關(guān)102的導(dǎo)通程度增加使得輸出ref的電位被下拉(減小)。

圖3示出了第一反饋信號(hào)電壓和第二反饋信號(hào)電壓隨參考電壓變化，以及第一開關(guān)和第二開關(guān)之間的電流隨參考電壓變化的模擬示意圖。圖3的a部分中的曲線是對(duì)參考電壓ref的信號(hào)進(jìn)行dc掃描的仿真結(jié)果，其中，橫坐標(biāo)表示參考電壓ref的電壓，縱坐標(biāo)表示其他節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓；圖3中的b部分的橫坐標(biāo)表示參考電壓，縱坐標(biāo)表示第一開關(guān)和第二開關(guān)之間的電流；圖3中的c部分是b部分中的圓圈所示區(qū)域的放大示意圖。如圖3中的a、b和c部分所示，當(dāng)參考電壓ref為1.8v時(shí)，第一反饋信號(hào)電壓vbp為2.87v，第二反饋信號(hào)電壓vbn為0.42v，此時(shí)，第一開關(guān)101和第二開關(guān)102之間的電流i＝0ma；當(dāng)參考電壓ref小于1.8v時(shí)，第一反饋信號(hào)電壓vbp小于2.87v，第二反饋信號(hào)電壓vbn小于0.42v，此時(shí)，第一開關(guān)101和第二開關(guān)102之間的電流i>0ma，表示有電流從第一電源軌(例如，vdd)經(jīng)第一開關(guān)101灌入節(jié)點(diǎn)106，從而使得參考電壓ref快速恢復(fù)到1.8v；當(dāng)參考電壓ref大于1.8v時(shí)，第一反饋信號(hào)電壓vbp大于2.87v，第二反饋信號(hào)電壓vbn大于0.42v，此時(shí)，第一開關(guān)101和第二開關(guān)102之間的電流i<0ma，表示電流從節(jié)點(diǎn)106經(jīng)第二開關(guān)102流入第二電源軌(例如，地)，從而使得參考電壓ref快速恢復(fù)到1.8v。

圖4示出了根據(jù)本公開又一個(gè)實(shí)施例的參考電壓發(fā)生裝置的示意圖。如圖4所示，參考電壓發(fā)生裝置還可以包括：比較電壓產(chǎn)生模塊401，用于產(chǎn)生比較電壓。

作為比較電壓產(chǎn)生模塊401的一個(gè)具體實(shí)現(xiàn)方式，如圖5所示，可 以采用串聯(lián)連接的兩個(gè)或更多個(gè)二極管連接形式的晶體管501，其中，所述兩個(gè)或更多個(gè)二極管連接形式的晶體管501連接在第一電源軌105和第二電源軌107之間。

作為比較電壓產(chǎn)生模塊401的另一個(gè)具體實(shí)現(xiàn)方式，也可以采用串聯(lián)連接的兩個(gè)或更多個(gè)電阻，其中，所述兩個(gè)或更多個(gè)電阻連接在第一電源軌105和第二電源軌107之間。

此外，上述各實(shí)施例提供的參考電壓發(fā)生裝置還可以包括連接到輸出節(jié)點(diǎn)106的負(fù)載，例如，電容性負(fù)載或電阻性負(fù)載。

至此，已經(jīng)詳細(xì)描述了根據(jù)本公開不同實(shí)施例的參考電壓發(fā)生裝置。為了避免遮蔽本公開的構(gòu)思，沒有描述本領(lǐng)域所公知的一些細(xì)節(jié)，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)上面的描述，完全可以明白如何實(shí)施這里公開的技術(shù)方案。另外，本說明書公開所教導(dǎo)的各實(shí)施例可以自由組合。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以對(duì)上面說明的實(shí)施例進(jìn)行多種修改而不脫離如所附權(quán)利要求限定的本公開的精神和范圍。