本發(fā)明涉及電源管理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器的抑制過沖電路。

背景技術(shù)：
低壓差線性穩(wěn)壓器(簡稱LDO)具有結(jié)構(gòu)簡單、低輸入輸出電壓、低噪聲等優(yōu)點，因而被廣泛應(yīng)用在便攜式電子產(chǎn)品設(shè)備中。隨著當(dāng)今電子產(chǎn)品的發(fā)展，對LDO的性能也提出了新的要求：更低的功耗，更好的瞬態(tài)響應(yīng)，更高的集成度。針對負(fù)載變化很大的應(yīng)用場合，要求LDO對瞬態(tài)響應(yīng)非?？?，盡可能在負(fù)載變化的時候保持輸出電壓的穩(wěn)定。對于應(yīng)用LDO較多的便攜式產(chǎn)品中，負(fù)載電流突變的情況很普通，所以對LDO的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的研究越來越受到重視。傳統(tǒng)的LDO的電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，需在輸出端Vout額外增加一個大的輸出電容Cout，其電容的值達(dá)到μF級。這種結(jié)構(gòu)雖然穩(wěn)定，而且負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)好，但是增加的外圍輸出電容使得芯片的使用更加復(fù)雜，LDO的零極點不容易控制。如圖2所示，現(xiàn)階段，無片外電容型的LDO結(jié)構(gòu)由于節(jié)省了片外的大電容，結(jié)構(gòu)簡單，成為了研究的熱點。在無片外電容型的LDO的設(shè)計中，由于在輸出端沒有大電容，在負(fù)載變化時，其輸出相對于傳統(tǒng)LDO受到的影響更大，因此設(shè)計時要尤其注意LDO的瞬態(tài)響應(yīng)性能?，F(xiàn)在已經(jīng)提出了很多瞬態(tài)增強電路來提高無片外電容的LDO的瞬態(tài)響應(yīng)。但是這些傳統(tǒng)的LDO瞬態(tài)響應(yīng)增強電路結(jié)構(gòu)十分復(fù)雜，功耗比較大，容易對電路的穩(wěn)定性造成影響。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明為克服上述現(xiàn)有技術(shù)所述的至少一種缺陷，提供一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器的抑制過沖電路，具有結(jié)構(gòu)簡單，低功耗，響應(yīng)快的特點。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種用于低壓差線性穩(wěn)壓器的抑制過沖電路，包括依次連接的運算電壓檢測電路單元、過沖抑制電路單元和偏置電路單元；所述電壓檢測電路單元用于檢測輸出電壓變化；所述偏置電路單元為過沖抑制電路單元提供偏置電壓；所述過沖抑制電路單元用于產(chǎn)生輸出電容的放電電流，從而抑制輸出過沖。在一種優(yōu)選的方案中，所述的電壓檢測電路單元包括電容Cm，電容Cm的第一端與低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端連接，電容Cm的第二端與過沖抑制電路單元連接。電容Cm即為密勒補償電容，密勒補償電容在起LDO環(huán)路中頻率補償作用的同時也可以探測輸出電壓的變化，從而省掉了額外電壓檢測電容的使用，減小電路面積。在一種優(yōu)選的方案中，所述的過沖抑制電路單元部分包括NMOS管M1、M5和M6，還包括PMOS管M2和M3，M1的柵極接所述電容Cm的第二端，M1的源極接地，M1的漏極接M2的漏極，M2和M3以電流鏡結(jié)構(gòu)連接，即M2的漏極、柵極與M3的柵極連接，M2和M3的源極接電源，M3的漏極與的M5漏極連接，M5的源極接地，M5的柵極與偏置電路單元的偏置電壓輸出端連接。M1的寬長比非常小，在穩(wěn)態(tài)...