本公開總體上涉及電壓調(diào)節(jié)器，并且更具體地涉及電壓調(diào)節(jié)器中的電源電壓抑制(svr)。

背景技術(shù)：

電源電壓抑制(svr)是用于表征電壓調(diào)節(jié)器的性能的最重要的參數(shù)之一。電壓調(diào)節(jié)器接收輸入電壓或電源電壓并且生成受控的或經(jīng)調(diào)節(jié)的輸出電壓，該輸出電壓具有獨(dú)立于電源電壓中的變化的近似恒定的值。由于存在于電源電壓上的交流分量或噪聲信號(hào)，可能存在電源電壓的值中的變化。該噪聲信號(hào)或簡單地“噪聲”可以由各種因素引起，各種因素例如為耦合到調(diào)節(jié)器或被定位為靠近調(diào)節(jié)器的電子電路裝置中的部件的開關(guān)。電壓調(diào)節(jié)器的svr指示電壓調(diào)節(jié)器抑制該噪聲以使得這些變化不存在于調(diào)節(jié)器的輸出電壓上的能力。svr通常在利用輸出電壓中的變化除以輸入電壓中的變化的比率的對(duì)數(shù)尺度上以分貝來測(cè)量。

如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，電壓調(diào)節(jié)器的svr是與頻率相關(guān)的參數(shù)，其具有由在形成電壓調(diào)節(jié)器時(shí)使用的電路裝置的類型以及該電路裝置的物理布局確定的特性。svr通常隨著頻率增大而變差并且受電壓調(diào)節(jié)器中的寄生部件(其存在于所有電子電路中)影響。這是事實(shí)，因?yàn)殡S著輸入上的噪聲的頻率增加，該噪聲中的更多部分通過這些寄生部件耦合到電壓調(diào)節(jié)器的輸出，從而使調(diào)節(jié)器的svr惡化。

當(dāng)電壓調(diào)節(jié)器被形成在集成電路中的情況下，在形成調(diào)節(jié)器的部件之間的距離可以極其小，從而導(dǎo)致寄生元件，尤其是電容性寄生元件，其具有可能不利地影響電壓調(diào)節(jié)器的svr的較大值。例如，由極其薄的層間電介質(zhì)分開的導(dǎo)電層可能導(dǎo)致在毫微微法拉級(jí)范圍中的寄生電容。盡管毫微微法拉級(jí)寄生電容具有在絕對(duì)項(xiàng)中的極小值，但是電抗值和由這樣的寄生電容引入的得到的電容性耦合能夠在現(xiàn)代集成電路的頻率操作范圍中是顯著的，尤其是在兆赫茲和吉赫茲頻率范圍中。該不想要的電容性耦合降低電壓調(diào)節(jié)器的svr，其當(dāng)然是不期望的。隨著操作的頻率增加，這些寄生電容的電容性耦合增大，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的。

無論電壓調(diào)節(jié)器的電路裝置如何被物理地布置在集成電路或用于形成這樣的電路裝置的特定材料中，都不能夠完全避免或消除寄生電容和相關(guān)聯(lián)的不期望的寄生耦合效應(yīng)。通常，進(jìn)行布局修改并且使用屏蔽來減少寄生電容對(duì)電壓調(diào)節(jié)器的svr的不利效應(yīng)。存在對(duì)用于實(shí)現(xiàn)其中這樣的布局修改和屏蔽不能得到期望的性能的svr的期望水平的改進(jìn)的方法的需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，一種控制電壓調(diào)節(jié)器以改進(jìn)電源電壓抑制的方法包括消去電源電壓信號(hào)的噪聲或交流分量，該電源電壓信號(hào)被電容地耦合到電壓調(diào)節(jié)器中的高阻抗節(jié)點(diǎn)。該消去通過將交流分量的反相版本電容性地耦合到高阻抗節(jié)點(diǎn)以由此實(shí)質(zhì)上消去存在于該節(jié)點(diǎn)上的交流分量來完成。高阻抗節(jié)點(diǎn)可以為電壓調(diào)節(jié)器的高阻抗電壓參考節(jié)點(diǎn)。

附圖說明

圖1是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的包括噪聲補(bǔ)償電路的電壓調(diào)節(jié)器的示意圖。

圖2是更詳細(xì)地示出了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的圖1的噪聲補(bǔ)償電路的結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖3是示出了針對(duì)包括噪聲補(bǔ)償電路的圖2的電壓調(diào)節(jié)器的布局后仿真(pls)和沒有補(bǔ)償電路的相同的電壓調(diào)節(jié)器的布局后仿真的根據(jù)頻率變化的電源電壓抑制(svr)的曲線圖。

圖4是示出了針對(duì)圖2的電壓調(diào)節(jié)器的真實(shí)集成電路實(shí)施例的根據(jù)頻率變化的svr的曲線圖。

圖5是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的包括圖1或圖2的電壓調(diào)節(jié)器的電子設(shè)備的功能框圖。

具體實(shí)施方式

圖1是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的包括改進(jìn)了電壓調(diào)節(jié)器的電源電壓抑制(svr)的噪聲補(bǔ)償電路102的電壓調(diào)節(jié)器100的示意圖。在電壓調(diào)節(jié)器100中并且一般地在電壓調(diào)節(jié)器中，最明顯的寄生電容性耦合是在輸入電壓線路或電源電壓線路與電壓調(diào)節(jié)器中的高阻抗節(jié)點(diǎn)之間的那些。在圖1的實(shí)施例中，電源電壓線路被指定為輸入電壓節(jié)點(diǎn)或電源電壓節(jié)點(diǎn)104，并且噪聲補(bǔ)償電路102耦合在該電源電壓節(jié)點(diǎn)與電壓調(diào)節(jié)器100中的高阻抗參考電壓節(jié)點(diǎn)106之間。在操作時(shí)，噪聲補(bǔ)償電路102生成參考電壓節(jié)點(diǎn)106上的噪聲消去信號(hào)nc，其消去或至少減少由于在參考電壓節(jié)點(diǎn)與電源電壓節(jié)點(diǎn)104之間的寄生電容性耦合而存在于高阻抗參考電壓節(jié)點(diǎn)106上的噪聲信號(hào)n，如下面將更詳細(xì)地描述的。節(jié)點(diǎn)104和106上的噪聲還可以被稱為在本說明書中的這些節(jié)點(diǎn)上的“噪聲信號(hào)”。

電壓調(diào)節(jié)器100包括耦合在電源電壓節(jié)點(diǎn)104與參考節(jié)點(diǎn)110之間的電壓參考電路108，參考節(jié)點(diǎn)110耦合到圖1的實(shí)施例中的接地gnd。電壓參考電路108根據(jù)電源電壓vin生成具有獨(dú)立于電源電壓的值的近似恒定的值的參考電壓，假定電源電壓處于指定操作范圍內(nèi)。通過低通rc濾波器111提供參考電壓vref以在高阻抗參考電壓節(jié)點(diǎn)106上提供經(jīng)濾波的參考電壓vref_filt。rc濾波器111對(duì)可能存在于來自電壓參考電路108的vref電壓上的高頻噪聲進(jìn)行濾波并且包括耦合在電壓參考電路108的輸出與參考電壓節(jié)點(diǎn)106之間的電阻器rfilt。rc濾波器111的濾波電容器cfilt耦合在參考電壓節(jié)點(diǎn)與參考節(jié)點(diǎn)110之間，參考節(jié)點(diǎn)110耦合到接地gnd。

電壓調(diào)節(jié)器100還包括輸出電路112，其可操作用于響應(yīng)于高阻抗參考電壓節(jié)點(diǎn)106上的經(jīng)濾波的參考電壓vref_filt而生成輸出節(jié)點(diǎn)114上的輸出電壓vout。在圖1的實(shí)施例中，輸出電路包括誤差放大器116，誤差放大器116是圖1的實(shí)施例中的運(yùn)算放大器。誤差放大器116驅(qū)動(dòng)pmos晶體管118，pmos晶體管118具有耦合到電源電壓節(jié)點(diǎn)104的源極和耦合到輸出節(jié)點(diǎn)114的漏極。包括電阻器r1和r2的分壓器120與在輸出節(jié)點(diǎn)114與耦合到接地gnd的參考節(jié)點(diǎn)110之間的pmos晶體管118串聯(lián)耦合。在電阻器r1和r2的互連處定義的反饋節(jié)點(diǎn)122將反饋電壓vf提供到誤差放大器116的反相輸入。在操作時(shí)，誤差放大器116驅(qū)動(dòng)pmos晶體管118使得節(jié)點(diǎn)122上的反饋電壓vf與高阻抗參考電壓節(jié)點(diǎn)106上的經(jīng)濾波的參考電壓vref_filt相等。電阻器r1和r2的值被選擇為使得當(dāng)反饋電壓vf與經(jīng)濾波的參考電壓vref_filt相等時(shí)輸出電壓vout具有期望的值。

在描述噪聲補(bǔ)償電路102的更詳細(xì)的操作之前，將首先更詳細(xì)地討論參考電壓節(jié)點(diǎn)106的特性。通常在傳統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)器中完成通過rc濾波器對(duì)電壓調(diào)節(jié)器中的參考電壓節(jié)點(diǎn)的濾波。該rc濾波減少了參考電壓節(jié)點(diǎn)上的高頻噪聲，改進(jìn)了電壓調(diào)節(jié)器的svr性能，并且提供了軟啟動(dòng)波形定義，如將由本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到的。rc濾波器111還提供針對(duì)電壓調(diào)節(jié)器100的所有這些功能。來自電壓參考電路108的參考電壓信號(hào)vref被rc濾波器111濾波以提供經(jīng)濾波的參考電壓信號(hào)vref_filt。rc濾波器111的截止頻率應(yīng)當(dāng)足夠低以去除來自電壓參考電路108的vref信號(hào)的噪聲頻譜的最大可能部分以及從電源電壓節(jié)點(diǎn)104上的電源電壓vin去除耦合到參考電壓節(jié)點(diǎn)106的可能的高頻信號(hào)。

為了使rc濾波器111提供低截止頻率，形成濾波器的電阻器rfilt和電容器cfilt的值必須具有足夠大的值。因?yàn)殡娙莸闹的軌虮恍纬稍诘湫图呻娐分?，所以電容器cfilt的最大值通常限于大約100-200皮法拉(pf)。結(jié)果，為了實(shí)現(xiàn)rc濾波器111的期望的低截止頻率，電阻器rfilt的值必須相當(dāng)大，通常在10mω到100mω的范圍中。電阻器rfilt的該很大的值使參考電壓節(jié)點(diǎn)106變成很高阻抗節(jié)點(diǎn)。參考電壓節(jié)點(diǎn)106上的這樣的高阻抗使該節(jié)點(diǎn)易受噪聲影響，因?yàn)轳詈系皆摴?jié)點(diǎn)的任何噪聲不具有任何低阻抗路徑來跟隨以從該節(jié)點(diǎn)中被去除。這將導(dǎo)致參考電壓節(jié)點(diǎn)上的被疊加到經(jīng)濾波的參考電壓信號(hào)vref_filt上的相對(duì)大的噪聲信號(hào)。

噪聲能夠以不同的方式耦合到參考電壓節(jié)點(diǎn)106，但是最占主導(dǎo)的方式是在接收電源電壓vin的電源電壓節(jié)點(diǎn)104與參考電壓節(jié)點(diǎn)之間的電容性耦合。該電容性耦合在圖1上被描繪為耦合在節(jié)點(diǎn)104與參考電壓節(jié)點(diǎn)106之間的寄生電容cpar。存在于電源電壓節(jié)點(diǎn)104上的噪聲到參考電壓節(jié)點(diǎn)106的耦合可能不利地影響電壓調(diào)節(jié)器100的svr性能，因?yàn)榇嬖谟趨⒖茧妷汗?jié)點(diǎn)106上的任何噪聲可以被誤差放大器116放大并被提供在疊加在輸出電壓vout上的輸出節(jié)點(diǎn)114上。理想地，來自節(jié)點(diǎn)104的噪聲到高阻抗參考節(jié)點(diǎn)106的耦合將被最小化以獲得調(diào)節(jié)器100的良好svr性能。然而，如先前所描述的，寄生電容cpar的值難以減小到足夠小的值以避免對(duì)電壓調(diào)節(jié)器100的svr的負(fù)面影響。

代替嘗試最小化寄生電容cpar的值并且由此最小化在節(jié)點(diǎn)104與106之間的耦合，噪聲補(bǔ)償電路102生成參考電壓節(jié)點(diǎn)106上的噪聲消去信號(hào)nc以減小或消去由于在參考電壓節(jié)點(diǎn)與電源電壓節(jié)點(diǎn)104之間的寄生電容cpar而存在于高阻抗參考電壓節(jié)點(diǎn)106上的噪聲信號(hào)n。為了消去由于寄生電容cpar而在節(jié)點(diǎn)106上生成的噪聲信號(hào)n，噪聲補(bǔ)償電路102生成噪聲消去信號(hào)nc，其被反相或者具有相對(duì)于噪聲信號(hào)n的180度相移。因此，在圖1的實(shí)施例中，噪聲補(bǔ)償電路102包括反相緩沖器124，反相緩沖器124對(duì)存在于節(jié)點(diǎn)104上的噪聲信號(hào)n進(jìn)行反相以生成噪聲補(bǔ)償信號(hào)nc，噪聲補(bǔ)償信號(hào)nc繼而通過補(bǔ)償電容器ccomp被供應(yīng)到參考電壓節(jié)點(diǎn)106。緩沖器124具有增益a并且為了消去噪聲信號(hào)n，補(bǔ)償電容器ccomp的值被選擇為使得其中a是反相緩沖器124的增益的幅值。

補(bǔ)償電路102以這種方式通過補(bǔ)償路徑生成在幅值上相等但是在相位上相對(duì)于通過寄生路徑耦合的噪聲信號(hào)n移位180度(即，反相)的信號(hào)。補(bǔ)償路徑和寄生路徑在圖1中利用箭頭來指示。補(bǔ)償電路102的反相緩沖器124具有用于有效地消去噪聲信號(hào)n的寬的帶寬。這是事實(shí)，因?yàn)閷H僅消去噪聲信號(hào)n的由反相緩沖器124放大和相移的頻譜的那些部分。反相緩沖器124的帶寬因此理想地至少與噪聲信號(hào)n的頻譜一樣寬并且與噪聲信號(hào)n的頻譜交疊。

圖2是更詳細(xì)地示出了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的圖1的噪聲補(bǔ)償電路102的結(jié)構(gòu)的示意圖。與圖1中的部件相同的部件已經(jīng)被給出相同的附圖標(biāo)記并且將不再詳細(xì)描述。圖2圖示了補(bǔ)償電路102中的反相緩沖器124的一個(gè)實(shí)施例。在圖2的實(shí)施例中，反相緩沖器124由pmos晶體管200形成，pmos晶體管200的漏極d和源極s與在電壓參考節(jié)點(diǎn)106與接地節(jié)點(diǎn)110之間的電流源202串聯(lián)耦合。pmos晶體管200被耦合為使其漏極d耦合到其柵極g的二極管耦合的晶體管。另外，pmos晶體管200的主體或體b耦合到電源電壓節(jié)點(diǎn)104并且在實(shí)現(xiàn)噪聲信號(hào)n的期望的信號(hào)反相中用于生成噪聲補(bǔ)償信號(hào)，如下面更詳細(xì)地描述的。

反相緩沖器124的該實(shí)施例是簡單的電路，包括僅僅pmos晶體管200和電流源202，用于在dc漏極到源極電流ib處使pmos晶體管偏置。緩沖器124的該簡單性減小了由電路占用的所需要的硅面積并且還減少電路的電流消耗。在操作時(shí)，偏置電流ib定義pmos晶體管200的柵極到源極電壓vgs。然而，該柵極到源極電壓vgs還根據(jù)晶體管的源極到體電壓vsb而變化。該源極到體電壓vsb取決于存在于電源電壓節(jié)點(diǎn)104上的噪聲信號(hào)n，因?yàn)樵礃O被維持在由電壓參考電路108提供的恒定參考電壓vref處。當(dāng)源極到體電壓vsb增大(即，電源電壓節(jié)點(diǎn)104上的電壓增大)時(shí)，晶體管200的柵極到源極電壓vgs也增大。因?yàn)榫w管200的源極s被保持在固定參考電壓vref處，所以，柵極到源極電壓vgs電壓增大的事實(shí)意味著耦合在一起的柵極g和漏極d的電壓必須減小。這對(duì)于柵極到源極電壓vgs電壓增大而言必需是成立的。結(jié)果，柵極g和漏極d上的電壓的極性以及因此相位相對(duì)于體b上的電壓(其是電源電壓節(jié)點(diǎn)104上的電壓)是相反的。因此，如圖2中可見，存在于電源電壓節(jié)點(diǎn)104并且因此存在于晶體管200的體b上的噪聲信號(hào)n導(dǎo)致晶體管生成該信號(hào)的反相的或180度相移的版本，其形式為晶體管的柵極g上的噪聲消去信號(hào)nc。該nc信號(hào)再次通過補(bǔ)償電容器ccomp被施加到參考電壓節(jié)點(diǎn)106以消去通過寄生電容器cpar耦合到該節(jié)點(diǎn)的噪聲信號(hào)n，如以上參考圖1所討論的。

如剛剛描述的，柵極g和漏極d電壓相對(duì)于存在于節(jié)點(diǎn)104上的電源電壓vin上的噪聲信號(hào)n具有相反的極性(即，被反相)。在晶體管200的源極到體電壓vsb與柵極到源極電壓vgs之間的關(guān)系由以下公式給出：

其中δvt是pmos晶體管200的閾值電壓vt中的變化，vto是當(dāng)源極到主體電壓vsb＝0時(shí)該晶體管的閾值電壓，γ是晶體管的主體效應(yīng)參數(shù)，并且是當(dāng)vsb＝0并且在柵極上的電壓足以確保在晶體管中存在溝道時(shí)在晶體管的耗盡層兩端的表面和體之間的電位降。這些參數(shù)和等式1一般將由本領(lǐng)域技術(shù)人員理解。

從等式1，可看到在源極到主體電壓vsb與柵極到源極電壓vgs(即，等式1中的閾值電壓vt)之間的關(guān)系是非線性的，因?yàn)関sb項(xiàng)在等式1中的平方根符號(hào)之下。此外，平方根函數(shù)的積由主體效應(yīng)參數(shù)(γ)縮放。這意味著包括pmos晶體管200的反相緩沖器124的傳輸特性或增益在大部分情況下不同于一。這在針對(duì)圖2的反相緩沖器124的實(shí)施例中通過調(diào)節(jié)補(bǔ)償電容器ccomp的值來得到補(bǔ)償。為了完成補(bǔ)償，意味著噪聲消去信號(hào)nc具有足以完全消去耦合到電壓參考節(jié)點(diǎn)106的噪聲信號(hào)n的幅值和相位，補(bǔ)償電容器ccomp的值再次等于其中a現(xiàn)在是存在于pmos晶體管200的漏極d和柵極g的dc電壓不影響晶體管的操作，因?yàn)闁艠O和漏極針對(duì)來自參考電壓節(jié)點(diǎn)106的dc信號(hào)由補(bǔ)償電容器ccomp隔離耦合。代替地，pmos晶體管200的傳輸特性是重要的，因?yàn)檫@些傳輸特性需要處理指定頻率范圍中的信號(hào)，在指定頻率范圍內(nèi)要改進(jìn)調(diào)節(jié)器100的svr。svr是如以上提到的頻率相關(guān)參數(shù)，并且因此pmos晶體管200的傳輸特性必須在要改進(jìn)svr的頻率范圍中對(duì)信號(hào)進(jìn)行操作。

圖3是以實(shí)線示出了針對(duì)包括噪聲補(bǔ)償電路102的圖2的電壓調(diào)節(jié)器100的布局后仿真根據(jù)頻率變化的電源電壓抑制(svr)的曲線圖。圖3還通過虛線示出了省略了補(bǔ)償電路102的圖1或圖2的電壓調(diào)節(jié)器100的svr的布局后仿真。布局后仿真是在已經(jīng)生成了針對(duì)電路的計(jì)算機(jī)生成的物理布局之后對(duì)電路的操作的計(jì)算機(jī)仿真，如將由本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到的。圖3的曲線圖在豎軸上以分貝db示出了svr并且沿水平軸示出了頻率。圖3中的示例中感興趣的頻率范圍被假定為從大約10hz到10khz。如在曲線圖中可見的，具有圖2的補(bǔ)償電路102(實(shí)線)的調(diào)節(jié)器100的svr在該頻率范圍上比沒有補(bǔ)償電路的電壓調(diào)節(jié)器的svr在該相同頻率范圍上(實(shí)線)更高，達(dá)到大約100db的峰值。

圖4是同樣示出了針對(duì)圖2的電壓調(diào)節(jié)器100的實(shí)際集成電路實(shí)施例根據(jù)頻率變化的svr的曲線圖。曲線圖的豎軸再次以分貝db示出svr，而頻率同樣沿水平軸被示出。一直到大約1khz，svr很高，如剛好低于+90db并且在大約1khz處，svr的幅值開始減小。svr越正越好，并且如圖4中看到的，甚至在10khz處，svr仍然幾乎為+80db。圖4圖示了實(shí)際上被形成在半導(dǎo)體芯片中的圖2的電壓調(diào)節(jié)器100提供在感興趣的頻率范圍(即10hz-10khz)上的良好svr的真實(shí)實(shí)施例。

圖5是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的包括圖1或圖2的電壓調(diào)節(jié)器100的電子設(shè)備500的功能框圖。圖5的示例實(shí)施例中的電子設(shè)備500包括處理電路裝置502，其控制電子設(shè)備500的總體操作并還運(yùn)行向電子設(shè)備的用戶提供特定功能的應(yīng)用或“apps”504。電壓調(diào)節(jié)器100被示出為被包含在電子設(shè)備500的電源管理子系統(tǒng)506中并且將所生成的輸出電壓vout提供給電子設(shè)備中的其他部件。電子設(shè)備500可以是任何類型的電子設(shè)備，例如智能電話、平板計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、其他類型的便攜式電子設(shè)備(如音樂播放器)、可穿戴電子設(shè)備(如心率或活動(dòng)監(jiān)測(cè)器)等。

電子設(shè)備500的電源管理子系統(tǒng)506耦合到處理電路裝置502并且可以包括用于對(duì)電子設(shè)備500供電的電池以及還有用于控制設(shè)備的功率相關(guān)操作模式(例如對(duì)電池的充電、功率節(jié)省模式等)的控制電路裝置。電子設(shè)備500還包括視頻部件，例如具有如液晶顯示器(lcd)的觸摸顯示器(未示出)和附接到或被形成為觸摸顯示器的一體部分的觸摸面板(未示出)的觸摸屏508。在操作時(shí)，觸摸屏508感測(cè)電子設(shè)備500的用戶的觸摸并且將感測(cè)到的觸摸信息提供到處理電路裝置502以由此允許用戶與電子設(shè)備接口對(duì)接并控制電子設(shè)備的操作。處理電路裝置502還控制觸摸屏508以在觸摸屏的觸摸顯示器部分上顯示期望的視覺內(nèi)容。

電子設(shè)備500還包括耦合到處理電路裝置502的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)或存儲(chǔ)器510以用于存儲(chǔ)和檢索包括應(yīng)用504和運(yùn)行在處理電路裝置上的并且由電子設(shè)備500在操作期間使用的其他軟件的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器510的典型類型的示例包括固態(tài)存儲(chǔ)器(例如dram、sram和flash)、固態(tài)硬盤(ssd)，并且可以包括適合于電子設(shè)備500的期望的功能的任何其他類型的存儲(chǔ)器，包括數(shù)字視頻盤(dvd)、只讀緊湊盤(cd-rom)、讀寫緊湊盤(cd-rw)存儲(chǔ)器、磁帶、硬盤和軟磁盤、盒式磁帶等。

輸入設(shè)備512耦合到處理電路裝置502并且可以包括小鍵盤(無論是通過觸摸屏508還是單獨(dú)地實(shí)現(xiàn)的)、壓力傳感器、加速度計(jì)、麥克風(fēng)、鍵盤、鼠標(biāo)、用于捕獲靜態(tài)和視頻圖像的數(shù)字相機(jī)、以及其他適當(dāng)?shù)妮斎朐O(shè)備。輸出設(shè)備514耦合到處理電路裝置502并且可以包括例如音頻輸出設(shè)備，例如揚(yáng)聲器、打印機(jī)、振動(dòng)設(shè)備等。輸入設(shè)備512和輸出設(shè)備514共同地可以包括用于電子設(shè)備500的其他類型的典型通信端口，例如usb端口、hdmi端口等。電子設(shè)備500還包括耦合到處理電路裝置502的通信子系統(tǒng)516并且其可以包括用于向設(shè)備提供對(duì)應(yīng)的功能的wi-fi、gps、蜂窩和藍(lán)牙子系統(tǒng)。輸入設(shè)備512、輸出設(shè)備514、通信子系統(tǒng)516的具體類型和數(shù)量以及甚至電源管理子系統(tǒng)506的具體功能將當(dāng)然取決于電子設(shè)備500的類型。

以上描述的各個(gè)實(shí)施例能夠被組合以提供另外的實(shí)施例。在本說明書中引用的和/或在申請(qǐng)數(shù)據(jù)文件中列出的任何美國專利、美國專利申請(qǐng)公布、美國專利申請(qǐng)、外國專利、外國專利申請(qǐng)和非專利公布通過引用整體并入本。上述實(shí)施例的各方面能夠在必要時(shí)被修改以采用各個(gè)專利、申請(qǐng)和公布的構(gòu)思來提供另外的其他實(shí)施例。

可以鑒于上述描述對(duì)各實(shí)施例進(jìn)行這些和其他改變。總體上，在下面的權(quán)利要求中，使用的術(shù)語不應(yīng)當(dāng)被理解為將權(quán)利要求限于在本說明書和權(quán)利要求書中公開的具體實(shí)施例，而是應(yīng)當(dāng)被理解為包括所有可能的實(shí)施例連同這樣的權(quán)利要求被授予的等價(jià)要件的完整范圍。因此，權(quán)利要求不受本公開限制。