本發(fā)明關(guān)于一種紅外光控制的技術(shù)，更進(jìn)一步來說，本發(fā)明關(guān)于一種單一電池紅外線電路以及使用其的遙控器。

背景技術(shù)：

圖1為先前技術(shù)的具有紅外線發(fā)射功能的裝置的電路圖。請(qǐng)參考圖1，此具有紅外線發(fā)射功能的裝置包括一微處理器101、一紅外線發(fā)光二極管102以及至少兩個(gè)串聯(lián)的電池103。微處理器101具有一輸入輸出接腳P01，此輸入輸出接腳P01耦接紅外線發(fā)光二極管102的陽極。微處理器101通過上述輸入輸出接腳P01，輸出脈沖信號(hào)PS給紅外線發(fā)光二極管102。

在先前技術(shù)中，由于紅外線發(fā)光二極管102的門檻電壓在1.0V～1.5V之間，又，一般的電池在無負(fù)載時(shí)的電壓一般是1.5V左右。未使用的新電池，空載電壓可能接近1.65V，隨著使用電池電壓會(huì)不斷下降，在電壓低于1.0V或0.9V后可認(rèn)為電池已經(jīng)失效。電池當(dāng)接上負(fù)載后，隨輸出電流的增加電壓會(huì)下降，在一般負(fù)載下電壓常常會(huì)降至1.1V至1.3V之間。一顆電池的電壓可能超過紅外線發(fā)射管的門檻電壓，也有可能低過門檻電壓,當(dāng)高過門檻電壓時(shí)，因?yàn)楦哌^的電壓值太低，因此，通過紅外線發(fā)光二極管的電流較小，導(dǎo)致是發(fā)射距離過短，使用者無法接受。另外，當(dāng)電池被使用一陣子之后，電池的電壓低于紅外線發(fā)光二極管的門檻電壓，此時(shí)，紅外線發(fā)光二極管無法發(fā)射紅外線，因此紅外線發(fā)射功能的裝置一般需要至少串聯(lián)兩個(gè)電池。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一目的在于提供一種單一電池紅外線電路以及使用其的遙控器，僅利用單一個(gè)電池，便可以驅(qū)動(dòng)門檻電壓大約等于電池電壓的紅外線發(fā)光二極管電路。

有鑒于此，本發(fā)明提供一種單一電池紅外線電路，此單一電池紅外線電路用以僅用一單一電池驅(qū)動(dòng)，其中，上述單一電池輸出一電池電壓，上述單一電池紅外線電路包括一紅外線發(fā)光二極管電路、一電感以及一微處理器。紅外線發(fā)光二極管電路耦接在電池電壓與一共接電壓之間。電感耦接在電池電壓與一共接電壓之間。微處理器的輸入輸出端口耦接電感以及紅外線發(fā)光二極管電路。當(dāng)發(fā)射紅外線時(shí)，微處理器通過輸入輸出端口控制電池電壓對(duì)電感充電，利用電感電流連續(xù)的原理，強(qiáng)迫紅外線發(fā)光二極管電路導(dǎo)通。

本發(fā)明另外提出一種遙控器，此遙控器包括一單一電池以及一單一電池紅外線電路。上述單一電池輸出一電池電壓。上述單一電池紅外線電路包括一紅外線發(fā)光二極管電路、一電感以及一微處理器。紅外線發(fā)光二極管電路耦接在電池電壓與一共接電壓之間。電感耦接在電池電壓與一共接電壓之間。微處理器的輸入輸出端口耦接電感以及紅外線發(fā)光二極管電路。當(dāng)按鈕被壓下，微處理器依照所壓下的按鈕，控制紅外線發(fā)光二極管電路發(fā)射紅外線。當(dāng)發(fā)射紅外線時(shí)，微處理器通過輸入輸出端口控制電池電壓對(duì)電感充電，利用電感電流連續(xù)的原理，強(qiáng)迫紅外線發(fā)光二極管電路導(dǎo)通。

依照本發(fā)明較佳實(shí)施例所述的單一電池紅外線電路以及使用其的遙控器，上述電感包括一第一端以及一第二端，上述紅外線發(fā)光二極管電路包括一陽極端以及一陰極端，此電感的第一端耦接電池電壓，此電感的第二端耦接微處理器的輸入輸出端口，上述紅外線發(fā)光二極管電路的陽極端耦接該微處理器的輸入輸出端口，此紅外線發(fā)光二極管電路的陰極端耦接共接電壓。當(dāng)發(fā)射紅外線時(shí)，微處理器控制輸入輸出端口輸出共接電壓，之后，微處理器設(shè)置輸入輸出端口為高阻抗，使電感儲(chǔ)存的能量，流過紅外線發(fā)光二極管電路。

依照本發(fā)明較佳實(shí)施例所述的單一電池紅外線電路以及使用其的遙控器，上述電感包括一第一端以及一第二端，上述紅外線發(fā)光二極管電路包括一陽極端以及一陰極端，此電感的第一端耦接共接電壓，此電感的第二端耦接該微處理器的輸入輸出端口，上述紅外線發(fā)光二極管電路的陽極端耦接電池電壓，上述紅外線發(fā)光二極管電路的陰極端耦接微處理器的輸入輸出端口。當(dāng)發(fā)射紅外線時(shí)，微處理器控制輸入輸出端口輸出一電源電壓，之后，微處理器設(shè)置該輸入輸出端口為高阻抗，使電感儲(chǔ)存的能量，流過紅外線發(fā)光二極管電路。

依照本發(fā)明較佳實(shí)施例所述的單一電池紅外線電路以及使用其的遙控器，上述電感包括一第一端以及一第二端，上述紅外線發(fā)光二極管電路包括一陽極端以及一陰極端，此電感的第一端耦接電池電壓，此電感的第二端耦接微處理器的輸入輸出端口，上述紅外線發(fā)光二極管電路的陰極端耦接電池電壓，上述紅外線發(fā)光二極管電路的陽極端耦接微處理器的輸入輸出端口，其中，上述微處理器的共接電壓端耦接共接電壓。當(dāng)發(fā)射紅外線時(shí)，上述微處理器控制輸入輸出端口輸出一共接電壓，之后，上述微處理器設(shè)置輸入輸出端口為高阻抗，使電感儲(chǔ)存的能量，流過紅外線發(fā)光二極管電路。

本發(fā)明的精神在于利用電感儲(chǔ)存能量。另外，電感的電流必須連續(xù)，導(dǎo)致上述紅外線發(fā)光二極管電路被強(qiáng)迫流過電感所儲(chǔ)存的能量。因此，即便使用單一電池，亦能通過電感驅(qū)動(dòng)紅外線發(fā)光二極管電路。即便此單一電池的電池電壓僅小于該紅外線發(fā)光二極管電路的門檻電壓，亦能通過電感驅(qū)動(dòng)紅外線發(fā)光二極管電路。

為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為先前技術(shù)的具有紅外線發(fā)射功能的裝置的電路圖。

圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的遙控器的電路圖。

圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的電路圖。

圖4為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的操作波形圖。

圖4A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T41的電流示意圖。

圖4B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T42的電流示意圖。

圖5為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的電路圖。

圖6為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的操作波形圖。

圖6A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T61的電流示意圖。

圖6B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T62的電流示意圖。

圖7為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的電路圖。

圖8為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的操作波形圖。

圖8A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T81的電流示意圖。

圖8B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T82的電流示意圖。

圖9為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的電路圖。

圖10為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的詳細(xì)電路圖。

圖11為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的圖10的單一電池紅外線電路203的操作波形圖。

附圖標(biāo)號(hào)：

101：微處理器

102：紅外線發(fā)光二極管

103：紅外線接收器

P01：輸入輸出接腳

PS：脈沖信號(hào)

201：一組按鈕

202：單一電池

203：本發(fā)明實(shí)施例的單一電池紅外線電路

301、501、701：紅外線發(fā)光二極管電路

302、502、702：電感

303、503、703：微處理器

IOP：微處理器的輸入輸出端口

VCOM：共接電壓

VBAT：電池電壓

VDD：微處理器的電源端

GND：微處理器的接地端

401：微處理器303的輸入輸出端口IOP的波形

402：電感302的電流波形

T41、T42、T61、T62、T81、T82：時(shí)間

IL：電感的電流

601：微處理器503的輸入輸出端口IOP的波形

602：電感502的電流波形

801：微處理器703的輸入輸出端口IOP的波形

802：電感702的電流波形

903：微處理器

IOP1：第一輸入輸出端口

IOP2：第二輸入輸出端口

901：紅外線發(fā)光二極管

902：電感

MP1：P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

MN1：第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

MN2：第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

DP1：寄生二極管

VDDM：微處理器的電源電壓

PG1：給予P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MP1的柵極的信號(hào)

NG1：給予第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1的柵極的信號(hào)

NG2：給予第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1的柵極的信號(hào)

IL：流經(jīng)電感902的電流

IIR：流經(jīng)紅外線發(fā)光二極管901的電流

IMP：流過P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MP1的電流

WKUP：微處理器903的喚醒使能信號(hào)

LVRB：低電壓重置信號(hào)。

T1、T2：時(shí)間

1101：給予第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1的柵極的頻率250KHz的開關(guān)信號(hào)NG1(短脈沖)

具體實(shí)施方式

圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的遙控器的電路圖。請(qǐng)參考圖2，此遙控器包括一組按鈕201、一單一電池202以及一本發(fā)明實(shí)施例的單一電池紅外線電路203。圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的電路圖。請(qǐng)參考圖3，此單一電池紅外線電路203包括一紅外線發(fā)光二極管電路301、一電感302以及一微處理器303，另外，為了說明方便，在此圖3中，還了單一電池202以及按鈕201。按鈕201耦接微處理器303。紅外線發(fā)光二極管電路301的陽極被耦接到微處理器303的輸入輸出端口IOP，紅外線發(fā)光二極管電路301的陰極被耦接到共接電壓VCOM。在此實(shí)施例中，紅外線發(fā)光二極管電路301的門檻電壓大于電池電壓VBAT。電感302的第一端被耦接到電池電壓VBAT，電感302的第二端被耦接到微處理器303的輸入輸出端口IOP。微處理器303的電源端VDD被耦接到電池電壓VBAT，微處理器303的接地端GND被耦接到共接電壓VCOM。

圖4為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的操作波形圖。請(qǐng)參考圖4，為了簡化說明，假設(shè)按鈕201被下壓時(shí)，一般來說，會(huì)輸出一串的紅外線脈沖，在此實(shí)施例中，為解釋方便，以單一電池紅外線電路203輸出一個(gè)紅外線脈沖來說明。波形401表示微處理器303的輸入輸出端口IOP的波形；波形402表示電感302的電流波形。當(dāng)按鈕201被下壓時(shí)，微處理器303控制輸入輸出端口由高阻抗?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)為邏輯低電壓，此時(shí)電感302開始被充電，在時(shí)間T41內(nèi)，電感302的電流線性上升。此時(shí)電感302的電流IL如圖4A所示。圖4A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T41的電流示意圖。

當(dāng)輸入輸出端口IOP由邏輯低電壓轉(zhuǎn)為高阻抗?fàn)顟B(tài)時(shí)，由于電感302的電流必須連續(xù)，故在時(shí)間T42，電感302的電流會(huì)由紅外線發(fā)光二極管電路301的陽極流到共接電壓VCOM，并且電感302的電流會(huì)線性下降。此時(shí)電感302的電流IL如圖4B所示。圖4B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T42的電流示意圖。因此，即便僅使用一個(gè)電池201，亦可以驅(qū)動(dòng)紅外線發(fā)光二極管電路301，使其發(fā)射紅外線信號(hào)。

圖5為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的電路圖。請(qǐng)參考圖5，此單一電池紅外線電路203包括一紅外線發(fā)光二極管電路501、一電感502以及一微處理器503，另外，為了說明方便，在此圖5中，還了單一電池202以及按鈕201。按鈕201耦接微處理器503。紅外線發(fā)光二極管電路501的陽極被耦接到電池電壓VBAT，紅外線發(fā)光二極管電路501的陰極被耦接到微處理器503的輸入輸出端口IOP。電感502的第一端被耦接到微處理器503的輸入輸出端口IOP，電感502的第二端被耦接到共接電壓VCOM。微處理器503的電源端VDD被耦接到電池電壓VBAT，微處理器503的接地端GND被耦接到共接電壓VCOM。

圖6為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的操作波形圖。請(qǐng)參考圖6，為了簡化說明，假設(shè)按鈕201被下壓時(shí)，一般來說，會(huì)輸出一串的紅外線脈沖，在此實(shí)施例中，為解釋方便，以單一電池紅外線電路203輸出一個(gè)紅外線脈沖來說明。波形601表示微處理器503的輸入輸出端口IOP的波形；波形602表示電感502的電流波形。當(dāng)按鈕201被下壓時(shí)，微處理器503控制輸入輸出端口由高阻抗?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)為邏輯高電壓，此時(shí)電感502開始被充電，在時(shí)間T61內(nèi)，電流線性上升。此時(shí)電感502的電流IL如圖6A所示。圖6A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T61的電流示意圖。

當(dāng)輸入輸出端口IOP由邏輯高電壓轉(zhuǎn)為高阻抗?fàn)顟B(tài)時(shí)，由于電感502的電流必須連續(xù)，故在時(shí)間T62，電感502的電流會(huì)由紅外線發(fā)光二極管電路501的陽極流向共接電壓VCOM，并且電感502的電流會(huì)線性下降。此時(shí)電感502的電流IL如圖6B所示。圖6B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T62的電流示意圖。因此，即便僅使用一個(gè)電池201，亦可以驅(qū)動(dòng)紅外線發(fā)光二極管電路501，使其發(fā)射紅外線信號(hào)。

圖7為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的電路圖。請(qǐng)參考圖7，此單一電池紅外線電路203包括一紅外線發(fā)光二極管電路701、一電感702以及一微處理器703，另外，為了說明方便，在此圖7中，還了單一電池202以及按鈕201。按鈕201耦接微處理器703。紅外線發(fā)光二極管電路701的陽極被耦接到微處理器703的輸入輸出端口IOP，紅外線發(fā)光二極管電路701的陰極被耦接到電池電壓VBAT。電感702的第一端被耦接到電池電壓VBAT，電感702的第二端被耦接到微處理器703的輸入輸出端口IOP。微處理器703的電源端VDD被耦接到電池電壓VBAT，微處理器703的接地端GND被耦接到共接電壓VCOM。

圖8為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的操作波形圖。請(qǐng)參考圖8，為了簡化說明，假設(shè)按鈕201被下壓時(shí)，一般來說，會(huì)輸出一串的紅外線脈沖，在此實(shí)施例中，為解釋方便，以單一電池紅外線電路203輸出一個(gè)紅外線脈沖來說明。波形801表示微處理器703的輸入輸出端口IOP的波形；波形802表示電感702的電流波形。當(dāng)按鈕201被下壓時(shí)，微處理器703控制輸入輸出端口由高阻抗?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)為邏輯低電壓，此時(shí)電感702開始被充電，在時(shí)間T81內(nèi)，電流線性上升。此時(shí)電感702的電流IL如圖8A所示。圖8A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T81的電流示意圖。

當(dāng)輸入輸出端口IOP由邏輯低電壓轉(zhuǎn)為高阻抗?fàn)顟B(tài)時(shí)，由于電感702的電流必須連續(xù)，故在時(shí)間T82，電感702的電流會(huì)由紅外線發(fā)光二極管電路701的陽極流向電池電壓VBAT，并且電感702的電流會(huì)線性下降。此時(shí)電感702的電流IL如圖8B所示。圖8B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203在時(shí)間T82的電流示意圖。因此，即便僅使用一個(gè)電池201，亦可以驅(qū)動(dòng)紅外線發(fā)光二極管電路701，使其發(fā)射紅外線信號(hào)。

上述三個(gè)實(shí)施例雖然都是不同的連接關(guān)系。但是，基本上，都是利用電感先儲(chǔ)存能量，之后釋放能量讓紅外線發(fā)光二極管電路導(dǎo)通并發(fā)出紅外線。只要紅外線發(fā)光二極管電路耦接在電池電壓VBAT與共接電壓VCOM之間，且電感耦接在電池電壓VBAT與共接電壓VCOM之間，且當(dāng)發(fā)射紅外線時(shí)，微處理器通過輸入輸出端口控制電池電壓VBAT對(duì)電感充電，并利用電感電流連續(xù)的原理，強(qiáng)迫紅外線發(fā)光二極管電路導(dǎo)通，就是屬于本發(fā)明的范疇。故本發(fā)明不以上述三個(gè)實(shí)施例為限。

圖9為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的電路圖。請(qǐng)參考圖9與圖3，此圖9的實(shí)施例與圖3的實(shí)施例的差異在于，圖9的實(shí)施例的微處理器903沒有電源端VDD，且微處理器903具有第一輸入輸出端口IOP1以及第二輸入輸出端口IOP2，另外，紅外線發(fā)光二極管901的陰極耦接微處理器903的第二輸入輸出端口IOP2。電感902同樣耦接在電池電壓VBAT與微處理器903的第一輸入輸出端口IOP1之間。在此實(shí)施例中，微處理器903通過其第一輸入輸出端口IOP1接收工作所需的電力。

圖10為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的單一電池紅外線電路203的詳細(xì)電路圖。請(qǐng)參考圖10，其中，虛線內(nèi)部是微處理器903的內(nèi)部，虛線外部是外部電路。在此實(shí)施例中，微處理器903的內(nèi)部具有一P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MP1、一第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1以及第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN2，P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MP1具有一寄生二極管DP1。

圖11為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的圖10的單一電池紅外線電路203的操作波形圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖10以及圖11，VBAT表示電池電壓；VDDM表示微處理器903的電源電壓；PG1表示給予P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MP1的柵極的信號(hào)；NG1表示給予第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1的柵極的信號(hào)；NG2表示給予第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1的柵極的信號(hào)；IL表示流經(jīng)電感902的電流；IIR表示流經(jīng)紅外線發(fā)光二極管901的電流；IMP表示流過P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MP1的電流；WKUP表示微處理器903的喚醒使能信號(hào)；LVRB表示低電壓重置信號(hào)。

同樣地，假設(shè)此單一電池紅外線電路203是紅外線遙控器。當(dāng)沒有進(jìn)行遙控時(shí)，微處理器903處在待機(jī)狀態(tài)。其工作電壓僅需0.9V。當(dāng)使用者下壓按鈕時(shí)，喚醒信號(hào)WKUP被使能。此時(shí)，第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1的柵極被給予頻率250KHz的開關(guān)信號(hào)NG1，另外，第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN2的柵極被給予邏輯低電壓NG2，故第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN2處在關(guān)閉的狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝籒型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1截止時(shí)，電感902的電流通過P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MP1的寄生二極管DP1對(duì)微處理器903的電源電壓VDDM充電。

當(dāng)經(jīng)過T1時(shí)間，微處理器903的電源電壓VDDM被充電到2.2V時(shí)，等待T2時(shí)間之后，低電壓重置信號(hào)LVRB被使能，微處理器903被重置。之后，才開始傳送38KHz的遙控信號(hào)。當(dāng)開始傳送38KHz的遙控信號(hào)時(shí)，第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN2被導(dǎo)通，此時(shí)，第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1的柵極被給予頻率38KHz的開關(guān)信號(hào)NG1。由于第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN2被導(dǎo)通，因此，電感902的電流流向紅外線發(fā)光二極管901，以發(fā)射紅外光信號(hào)。又，請(qǐng)參考標(biāo)號(hào)1101，每一次第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN2被關(guān)閉的期間，第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1的柵極被給予頻率250KHz的開關(guān)信號(hào)NG1(短脈沖)，藉此，電感可以對(duì)微處理器903的電源電壓VDDM充電。

當(dāng)信號(hào)送出完成后，低電壓重置信號(hào)LVRB由邏輯高電壓轉(zhuǎn)為邏輯低電壓，給予第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1的柵極的開關(guān)信號(hào)NG1以及給予第二N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN2的柵極的開關(guān)信號(hào)NG2停止切換，微處理器903再度回到待機(jī)狀態(tài)。

較為特殊的是，此實(shí)施例的微處理器903不需要額外的電源電壓腳位。此微處理器903利用第一輸入輸出端口IOP1內(nèi)部的第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MN1進(jìn)行切換，讓電感持續(xù)充放電，使微處理器903得到足夠的電源電壓。另外，上述實(shí)施例中，每次傳送38KHz的遙控信號(hào)后，都會(huì)再度對(duì)微處理器903的電源電壓充電。然而，此種實(shí)施方式僅是較佳實(shí)施方式，若電源電壓穩(wěn)定，亦可以不需要每次傳送38KHz的遙控信號(hào)都進(jìn)行對(duì)微處理器903的電源電壓充電。本發(fā)明不以此為限。再者，上述實(shí)施例雖然是以250KHz的頻率對(duì)微處理器充電，所屬技術(shù)領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知道，此頻率的設(shè)計(jì)與電感值或其他參數(shù)皆有相關(guān)，并非固定一定要做250KHz。故本發(fā)明不以此為限。同樣地，38KHz雖是屬于目前紅外線接收器的頻率，然本發(fā)明并不排除其他應(yīng)用。若其他應(yīng)用使用其他頻帶，本發(fā)明亦可實(shí)施于其他頻率，故本發(fā)明不以此為限。

綜上所述，本發(fā)明的精神在于利用電感儲(chǔ)存能量。另外，電感的電流必須連續(xù)，導(dǎo)致上述紅外線發(fā)光二極管電路被強(qiáng)迫流過電感所儲(chǔ)存的能量。因此，即便使用單一電池，亦能通過電感驅(qū)動(dòng)紅外線發(fā)光二極管電路。即便此單一電池的電池電壓僅小于該紅外線發(fā)光二極管電路的門檻電壓，亦能通過電感驅(qū)動(dòng)紅外線發(fā)光二極管電路。

在較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中所提出的具體實(shí)施例僅用以方便說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，而非將本發(fā)明狹義地限制于上述實(shí)施例，在不超出本發(fā)明的精神及權(quán)利要求的情況下，所做的種種變化實(shí)施，皆屬于本發(fā)明的范圍。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。