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低壓差線性穩(wěn)壓器的制作方法

文檔序號:12461007閱讀:450來源:國知局
低壓差線性穩(wěn)壓器的制作方法與工藝

本發(fā)明實施例涉及模擬集成電路技術(shù),尤其涉及一種低壓差線性穩(wěn)壓器。



背景技術(shù):

移動電話、筆記本電腦和音樂播放器等高級消費電子設(shè)備由電池供電以獲得便攜性。為了使每個電子設(shè)備的功能更強大,采用了越來越復(fù)雜的且高度集成的片上系統(tǒng)(System-on-Chip,SoC)設(shè)計。對于這些片上系統(tǒng),通過各種類型的功率轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)的快速響應(yīng)、高效且低成本的電源管理以獲得競爭優(yōu)勢是至關(guān)重要的。低壓差線性穩(wěn)壓器是一種通用的功率轉(zhuǎn)換器,具有低噪聲、低成本和快速響應(yīng)的優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于片上系統(tǒng)電源管理應(yīng)用。

通過使用負反饋機制,低壓差線性穩(wěn)壓器的控制回路連續(xù)地調(diào)整其功率管的有效電阻,以產(chǎn)生所需的輸出電壓。在典型的低壓差線性穩(wěn)壓器中,通常使用在幾μF范圍內(nèi)的片外電容器來濾除噪聲并且給不同的負載電流下的穩(wěn)定性提供主極點。然而,隨著低壓差線性穩(wěn)壓器的數(shù)量的持續(xù)增加,去除片外電容以降低成本并提高片上系統(tǒng)開發(fā)的集成度變得非常重要。

現(xiàn)有技術(shù)中提供了一種無片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器,圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種無片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖。圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的另一種無片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖。如圖1所示,該電路包括:運算跨導(dǎo)放大器(Operational Transconductance Amplifier,OTA)、功率晶體管MP1、帶隙基準、電阻r1、電阻r2、電阻r3和電容C。帶隙基準為OTA的一個輸入產(chǎn)生的DC參考電壓;電阻r1和電阻r2對輸出電壓進行采樣并反饋到OTA的另一輸入端以調(diào)節(jié)輸出電壓。電容C和電阻r3組成補償網(wǎng)絡(luò),其中電容C是幫助產(chǎn)生主極點的密勒電容,而電阻r3通常用于抵消右半平面零點甚至產(chǎn)生左半平面零點以改善相位裕度。為了實現(xiàn)大的負載電流和小的壓差電壓,功率晶體管MP1通常具有大的W/L比值,因此具有大的寄生電容。因此,可以在OTA和功率晶體管MP1之間增加第二級放大器,如圖2所示。第二級放大器可以具有一個增益來提高總環(huán)路增益,并因此提高穩(wěn)壓器的調(diào)節(jié)精度。其中,第二級放大器也可以是電壓緩沖器,以提高OTA的驅(qū)動能力來獲得更快的速度。

最近,這種全集成低壓差線性穩(wěn)壓器的設(shè)計已經(jīng)引起了巨大的研究動力,但是在大負載范圍內(nèi)同時實現(xiàn)寬帶寬,快速響應(yīng)和良好穩(wěn)定性仍是一項非常具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供一種低壓差線性穩(wěn)壓器,以實現(xiàn)寬帶寬和快速響應(yīng),而不損害環(huán)路穩(wěn)定性或增加靜態(tài)電流消耗。

第一方面,本發(fā)明實施例提供了一種低壓差線性穩(wěn)壓器,包括:誤差放大器和功率晶體管,還包括:動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)和控制器;

所述功率晶體管的源極接電源,所述功率晶體管的柵極與所述誤差放大器的輸出端連接,所述功率晶體管的漏極與所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端連接;所述動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)連接在所述誤差放大器的輸出端與所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端之間,所述控制器的第一端與所述功率晶體管的柵極連接,所述控制器的第二端與所述密勒補償網(wǎng)絡(luò)連接;

其中,所述動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)包含第一阻容支路和至少一個第二阻容支路,所述第一阻容支路與所述至少一個第二阻容支路并聯(lián),所述第一阻容支路包含串聯(lián)的第一電阻和第一電容,所述第二阻容支路包含串聯(lián)的第二電阻和第二電容;

所述控制器用于檢測所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端的電流,并根據(jù)所述電流生成所述動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)的控制信號,以控制所述動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中的第二阻容支路的通斷。

進一步的,還包括反饋電阻,所述反饋電阻連接在所述誤差放大器的正向輸入端與所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端之間。

進一步的,還包括至少一個增益放大器,所述至少一個增益放大器與所述動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中的至少一個第二阻容支路一一對應(yīng);

每一第二阻容支路中的第二電阻與一個增益放大器并聯(lián)。

進一步的,所述至少一個增益放大器的增益為1。

進一步的,還包括第二級放大器,所述第二級放大器串聯(lián)在所述誤差放大器的輸出端與所述功率晶體管的柵極之間。

進一步的,所述第二級放大器為電壓緩沖器。

進一步的,還包括零點發(fā)生器,所述零點發(fā)生器包括第三電阻和第一開關(guān),所述第三電阻和所述第一開關(guān)并聯(lián)后分別與所述第一電阻和第一電容串聯(lián),所述第一開關(guān)的控制信號與所述任意一個動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)的控制信號反相。

進一步的,所述電壓緩沖器包括:第一絕緣柵型晶體管、第二絕緣柵型晶體管、第三絕緣柵型晶體管、第四絕緣柵型晶體管、第五絕緣柵型晶體管、第六絕緣柵型晶體管和第七絕緣柵型晶體管,其中,

所述第七絕緣柵型晶體管的柵極與所述第六絕緣柵型晶體管的柵極相連,所述第七絕緣柵型晶體管的源極分別與所述第二絕緣柵型晶體管的源極、所述第一絕緣柵型晶體管的源極以及所述第六絕緣柵型晶體管的漏極相連,所述第七絕緣柵型晶體管的漏極分別與所述電壓緩沖器的輸出端及所述第二絕緣柵型晶體管的柵極相連;所述第六絕緣柵型晶體管的源極分別與所述第五絕緣柵型晶體管的源極及電源相連;

所述第五絕緣柵型晶體管的柵極與所述第五絕緣柵型晶體管的漏極連接后接地;

所述第一絕緣柵型晶體管的柵極與所述誤差放大器的輸出端相連,所述第一絕緣柵型晶體管的漏極分別與所述第三絕緣柵型晶體管的漏極及所述第三絕緣柵型晶體管的柵極相連;

所述第二絕緣柵型晶體管的漏極分別與所述第四絕緣柵型晶體管的漏極及所述電壓緩沖器的輸出端相連;

所述第三絕緣柵型晶體管的源極和所述第四絕緣柵型晶體管的源極連接后接地,所述第三絕緣柵型晶體管的柵極和所述第四絕緣柵型晶體管的柵極相連。

進一步的,向所述第六絕緣柵型晶體管的源極與所述第二絕緣柵型晶體管的源極之間輸入第一偏置電流,所述第一偏置電流的電流值為預(yù)設(shè)電流值。

進一步的,所述第一偏置電流的電流值按預(yù)設(shè)比例隨所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端的電流值變化。

本實施例提供的低壓差線性穩(wěn)壓器,通過控制器檢測低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端的電流,并根據(jù)電流生成動態(tài)密勒補充網(wǎng)絡(luò)的控制信號,以控制動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中的第二阻容支路的通斷,通過低壓差線性穩(wěn)壓器外接負載的情況,動態(tài)改變給控制回路提供主極點的動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中第二電容。使得低壓差線性穩(wěn)壓器在輕負載時使用較大的補償電容以實現(xiàn)良好的穩(wěn)定性,在重負載時使用較小的補償電容以實現(xiàn)快速響應(yīng)和寬帶寬。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種無片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖;

圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的另一種無片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖;

圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖;

圖4為本發(fā)明實施例一提供的低壓差線性穩(wěn)壓器中的運算跨導(dǎo)放大器的電路圖;

圖5為本發(fā)明實施例一提供的低壓差線性穩(wěn)壓器中的控制器的電路圖;

圖6為本發(fā)明實施例二提供的一種低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖;

圖7為本發(fā)明實施例三提供的一種低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖;

圖8為本發(fā)明實施例三提供的低壓差線性穩(wěn)壓器中的電壓緩沖器的電路圖;

圖9為本發(fā)明實施例四提供的一種低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明??梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是,為了便于描述,附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

實施例一

圖3為本發(fā)明實施例一提供一種的低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖。參見圖3,該低壓差線性穩(wěn)壓器包括:誤差放大器10和功率晶體管MP,還包括:動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20和控制器30;所述功率晶體管MP的源極接電源VIN,所述功率晶體管MP柵極與所述誤差放大器10的輸出端連接,所述功率晶體管MP漏極與所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端VOUT連接;所述動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20連接在所述誤差放大器10的輸出端與所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端VOUT之間,所述控制器30的第一端與所述功率晶體管MP的柵極連接,所述控制器30的第二端與和所述密勒補償網(wǎng)絡(luò)20連接;其中,所述動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20包含第一阻容支路21和至少一個第二阻容支路22,所述第一阻容支路21與所述至少一個第二阻容支路22并聯(lián),所述第一阻容支路21包含串聯(lián)的第一電阻RC0和第一電容C0,所述第二阻容支路包含串聯(lián)的第二電阻RC1,…,RCN和第二電容C1,…,CN;所述控制器30用于檢測所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端VOUT的電流,并根據(jù)所述電流生成所述動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20的控制信號,以控制所述動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20中的第二阻容支路22的通斷。

可選的,所述低壓差線性穩(wěn)壓器還包括反饋電阻40,所述反饋電阻40連接在所述誤差放大器10的正向輸入端與所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端VOUT之間。其中,反饋電阻40包括第一反饋電阻R1和第二反饋電阻R2,其中,第一反饋電阻R1和第二反饋電阻R2串聯(lián)構(gòu)成反饋電阻40,第一反饋電阻R1和第二反饋電阻R2串聯(lián)的中點與誤差放大器10的正向輸入端相連,第一反饋電阻R1的非串聯(lián)端與低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端VOUT相連,第二反饋電阻R2的非串聯(lián)端接地。

在本實施例中,可選的,誤差放大器10可以為運算跨導(dǎo)放大器OTA,OTA包括一個正向輸入端、一個反向輸入端和一個輸出端。向誤差放大器10的反向輸入端輸入一個基準電壓,優(yōu)選的,所述基準電壓為帶隙基準電壓,其中,帶隙基準電壓為穩(wěn)壓器提供參考電壓。動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20包含第一阻容支路21和至少一個第二阻容支路22,示例性的,動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20中包含N個第二阻容支路22,其中,N為不小于1的整數(shù),各個第二阻容支路中的第二電阻分別用RC1,…,RCN表示,第二電容分別用C1,…,CN表示。相應(yīng)的,控制器30根據(jù)低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端VOUT的電流生成的動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20的控制信號為N個,每個控制信號分別對應(yīng)控制每個第二阻容支路22中一個開關(guān)的通斷,每個控制信號對應(yīng)控制的開關(guān)分別用S1,…,SN表示。當(dāng)?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器的輸出端的電流(負載電流)變化時,控制器30產(chǎn)生N個控制信號,分別控制開關(guān)S1,…,SN的通斷,使得第二阻容支路22中的第二電容C1,…,CN保持在動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20中或從動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20切換出來,以達到具有可接受的相位和增益裕度的期望帶寬。具體的,當(dāng)?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器的輸出端VOUT的電流處于其最小值時,控制器30產(chǎn)生的控制信號控制所有開關(guān)閉合,以將動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20中所有的第二電容C1,…,CN接入,以使低壓差線性穩(wěn)壓器達到最佳的穩(wěn)定性;當(dāng)?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器的輸出端VOUT的電流處于某個預(yù)設(shè)的最大值時,控制器30產(chǎn)生的控制信號控制所有開關(guān)S1,…,SN全部打開,以將動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20中所有的第二電容C1,…,CN切斷,以使低壓差線性穩(wěn)壓器獲得最佳的相位裕度和最佳的瞬態(tài)響應(yīng)速度。

在本實施例中,運算跨導(dǎo)放大器OTA可以是一個電流鏡式放大器。圖4是本實施例提供的低壓差線性穩(wěn)壓器中的運算跨導(dǎo)放大器的電路圖。如圖4所示,OTA包括一對由第一晶體管M1-M2組成的輸入端,三個由第二晶體管M3-M4,M5-M6,M7-M8組成的電流鏡,一個由偏置電流IB1和第三晶體管M9-M10組成的偏置網(wǎng)絡(luò),第四晶體管M11,第四晶體管M11的柵極電壓可以被單獨產(chǎn)生的,且第四晶體管可以為OAT提供動態(tài)偏置電流。第二晶體管M3-M6的源極接電源;第二晶體管M7-M8的源極、第三晶體管M9-M10的源極及第四晶體管M11的源極相連并接地;第一晶體管M1-M2的源極、第三晶體管M10的漏極及第四晶體管M11的漏極相連;第一晶體管M1的漏極和第二晶體管M3的漏極相連;第一晶體管M2的漏極和第二晶體管M5的漏極相連;第二晶體管M4的漏極和第二晶體管M7的漏極相連;第二晶體管M6的漏極和第二晶體管M8的漏極相連,且該連接點為OTA的輸出端;偏置電流IB1為輸入電源和第三晶體管M9的漏極之間的電流。通過瞬時地增加或減少OTA中的偏置電流IB1,以提高低壓差線性穩(wěn)壓器輸出端的電流瞬變時的響應(yīng)速度。該電流鏡式放大器可以提供寬輸出電壓擺幅,有利于提高低壓差線性穩(wěn)壓器的寬負載范圍。

圖5為本實施例提供的低壓差線性穩(wěn)壓器中的控制器的電路圖。為了便于討論,功率晶體管MP也在控制器的電路圖中示出??刂破靼娏鳈z測模塊和控制信號生成模塊,其中電流檢測模塊由第五晶體管MSEN和第六晶體管M31-M34組成,第六晶體管M31-M34形成放大器,使得第五晶體管MSEN的漏極電壓與功率晶體管的漏極電壓相同,以實現(xiàn)精確的電流檢測。為了節(jié)省電流檢測模塊的功耗,檢測比,即第五晶體管MSEN與功率晶體管MP的大小比為1:M,通常M為遠遠大于1的整數(shù),例如M為100或1000等。檢測到的電流通過第七晶體管M35-M37鏡像以在M37中提供自適應(yīng)偏置電流。檢測到的電流也通過第八晶體管M38和M41被鏡像,以幫助產(chǎn)生用于低壓差線性穩(wěn)壓器中的動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)的控制信號。為了示范說明,僅示出了控制開關(guān)S1和S2的兩個控制信號S1和S2的生成。第一固定偏置電流IB3和第二固定偏置電流IB7具有某個預(yù)定的電流值。假設(shè)低壓差線性穩(wěn)壓器具有非常小的初始負載電流,因此控制信號S1和S2都處于高電平,第二電容被接入動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中,以形成對穩(wěn)定性的強補償。在這種情況下,第九晶體管M39和M42導(dǎo)通以允許IB4和IB7通過,而第十晶體管M40截止以阻斷IB5。當(dāng)負載電流超過第一個特定預(yù)定值IL1,使得第八晶體管M38的電流高于IB3和IB4的電流之和時,第八晶體管M38的漏極電壓被下拉,因此控制信號S1被下拉至低電平,以切斷動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中對應(yīng)的第二電容C1。因此,動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中的總的第二電容減小,并且低壓差線性穩(wěn)壓器的帶寬得到改善。在這種情況下,S1處于低電平,因此晶體管第十晶體管M40導(dǎo)通以允許IB5通過。當(dāng)負載電流進一步增加以超過第二個特定預(yù)定義值IL2,使得第十一晶體管M41的電流高于IB5,IB6和IB7的總電流之和時,第十一晶體管M41的漏極電壓被下拉,并且因此控制信號S2被下拉到低電平,以切斷其在動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中的第二電容C2。因此,動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中的總的第二電容進一步減小,并且低壓差線性穩(wěn)壓器的帶寬得到進一步改善。根據(jù)需要可以用類似的方法生成更多的控制信號。由于實際上負載電流可能有變化,因此通過IB4和IB7引入滯后以避免控制信號產(chǎn)生中的振蕩。示例性的,當(dāng)負載電流增加到超過IL1,使得第八晶體管M38的電流高于IB3和IB4之和時,則控制信號S1從高電平切換到低電平。因為在這種情況下,第九晶體管M39被關(guān)閉,并且IB4被阻塞,只有當(dāng)負載電流大大降低,使得第八晶體管M38的電流甚至低于IB3本身,則第八晶體管M38的漏極被上拉,控制信號S1被上拉至高電平,否則控制信號S1將保持在低電平,負載的電流小變化不會導(dǎo)致S1被錯誤觸發(fā)。類似地,當(dāng)負載電流超過IL2,使得第十一晶體管M41的電流高于IB5、IB6和IB7之和時,則控制信號S2從高電平切換到低電平,IB7被第九晶體管M42阻擋。只有當(dāng)負載電流大大降低時,第十一晶體管M41低于IB5和IB6之和,以便再次觸發(fā)控制信號S2回到高電平。

本實施例提供的低壓差線性穩(wěn)壓器,通過控制器檢測低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端的電流,并根據(jù)電流生成動態(tài)密勒補充網(wǎng)絡(luò)的控制信號,以控制動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中的第二阻容支路的通斷,通過低壓差線性穩(wěn)壓器外接負載的情況,動態(tài)改變給控制回路提供主極點的動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中第二電容。使得低壓差線性穩(wěn)壓器在輕負載時使用較大的補償電容以實現(xiàn)良好的穩(wěn)定性,在重負載時使用較小的補償電容以實現(xiàn)快速響應(yīng)和寬帶寬。

實施例二

圖6為本實施例提供的一種低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖。本實施例在上述實施例的基礎(chǔ)上,增加了至少一個增益放大器23。

可選的,低壓差線性穩(wěn)壓器還包括至少一個增益放大器23,所述至少一個增益放大器23與所述動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20中的至少一個第二阻容支路22一一對應(yīng);每一第二阻容支路22中的第二電阻RC1,…,RCN與一個增益放大器23并聯(lián)。可選的,所述至少一個增益放大器23的增益為1。

如圖6所示,增益放大器23的個數(shù)為N,每個增益放大器23由控制器30產(chǎn)生的控制信號的相反信號控制開關(guān)S1b,…,SNb的通斷,以切換每個增益放大器23分別接在誤差放大器20輸出端VEA與相應(yīng)的第二電容C1,…,CN的一個端子(即VEA1,…,VEAN)之間。當(dāng)?shù)诙娙軨1,…,CN中的任意一個切換接入動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20時,通常在需要大補償電容的輕負載時發(fā)生,相應(yīng)的增益放大器23被關(guān)閉,使得其輸出處于高阻抗狀態(tài)并且不影響VEA1,…,VEAN,同時節(jié)省了輕負載時的功耗。當(dāng)?shù)诙娙軨1,…,CN中的任意一個從動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20切換出去時,通常在需要小補償電容的重負載時發(fā)生,相應(yīng)的增益放大器23將被接通,使得VEA1,…,VEAN將跟隨變化VEA變化。由于在穩(wěn)態(tài)中沒有電流流過電容,所以電壓VEA1,…,VEAN應(yīng)該等于VEA。因此,穩(wěn)態(tài)VEA1,…,VEAN電壓總是處于期望的電平。當(dāng)大負載電流瞬變發(fā)生并且第二電容需要被接入或切出動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20時,VEA1,…,VEAN將不會通過開關(guān)Sx1,…,SN和第二電阻RC1,…,RCN向VEA引起大的電壓尖,使得瞬態(tài)響應(yīng)變得更平滑。由于當(dāng)?shù)诙娙軨1,…,CN從動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)20斷開時負載電流大,所以相應(yīng)的導(dǎo)通的增益放大器23消耗的額外電流不會損害穩(wěn)壓器的電流效率。

本實施例提供的低壓差線性穩(wěn)壓器,通過增加至少一個增益放大器,進一步提高了低壓差線性穩(wěn)壓器的瞬態(tài)響應(yīng)速度。

實施例三

圖7為本實施例提供的一種低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖。本實施例在上述實施例的基礎(chǔ)上,增加了第二級放大器50。

可選的,低壓差線性穩(wěn)壓器還包括第二級放大器50,所述第二級放大器50串聯(lián)在所述誤差放大器10的輸出端與所述功率晶體管MP的柵極之間??蛇x的,所述第二級放大器50為電壓緩沖器。

圖8為本實施例提供的低壓差線性穩(wěn)壓器中的電壓緩沖器的電路圖。如圖8所示,所述電壓緩沖器包括:第一絕緣柵型晶體管M21、第二絕緣柵型晶體管M22、第三絕緣柵型晶體管M23、第四絕緣柵型晶體管M24、第五絕緣柵型晶體管M25、第六絕緣柵型晶體管M26和第七絕緣柵型晶體管M27,其中,所述第七絕緣柵型晶體管M27的柵極與所述第六絕緣柵型晶體管M26的柵極相連,所述第七絕緣柵型晶體管M27的源極分別與所述第二絕緣柵型晶體管M22的源極、所述第一絕緣柵型晶體管M21的源極以及所述第六絕緣柵型晶體管M26的漏極相連,所述第七絕緣柵型晶體管M27的漏極分別與所述電壓緩沖器的輸出端及所述第二絕緣柵型晶體管M22的柵極相連;所述第六絕緣柵型晶體管M26的源極分別與所述第五絕緣柵型晶體管M25的源極及電源相連;所述第五絕緣柵型晶體管M25的柵極與所述第五絕緣柵型晶體管M25的漏極連接后接地;所述第一絕緣柵型晶體管M21的柵極與所述誤差放大器的輸出端相連,所述第一絕緣柵型晶體管M21的漏極分別與所述第三絕緣柵型晶體管M23的漏極及所述第三絕緣柵型晶體管M23的柵極相連;所述第二絕緣柵型晶體管M22的漏極分別與所述第四絕緣柵型晶體管M24的漏極及所述電壓緩沖器的輸出端相連;所述第三絕緣柵型晶體管M23的源極和所述第四絕緣柵型晶體管M24的源極連接后接地,所述第三絕緣柵型晶體管M23的柵極和所述第四絕緣柵型晶體管M24的柵極相連??蛇x的,向所述第六絕緣柵型晶體管M26的源極與所述第二絕緣柵型晶體管M22的源極之間輸入第一偏置電流IAB,所述第一偏置電流IAB的電流值為預(yù)設(shè)電流值。示例性的,所述第一偏置電流IAB的電流值按預(yù)設(shè)比例隨所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端的電流值變化。第一偏置電流IAB可以由圖5中第七晶體管M37提供自適應(yīng)偏置電流。

在本實施例中,第一絕緣柵型晶體管M21和第二絕緣柵型晶體管M22組成電壓緩沖器的輸入端;第三絕緣柵型晶體管M23和第四絕緣柵型晶體管M24組成電壓緩沖器的有源負載;第五絕緣柵型晶體管M25、第六絕緣柵型晶體管M26和第五絕緣柵型晶體管M25的漏極與地之間的第二偏置電流IB2組偏置網(wǎng)絡(luò)。當(dāng)?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器的輸出端的電流較小時,OTA輸出端的電壓VEA接近電源電壓,電壓緩沖器中的VBS為高電平,此時,第七絕緣柵型晶體管M27導(dǎo)通,第六絕緣柵型晶體管M26的電流可以通過第七絕緣柵型晶體管的導(dǎo)通,對電壓緩沖器的輸出端電壓VGP充電,使得功率晶體管在弱反轉(zhuǎn)或亞閾值區(qū)域中工作。當(dāng)?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器的輸出端的電流較大時,OTA輸出端的電壓VEA較小,電壓緩沖器中的VBS也較小,此時,第七絕緣柵型晶體管M27被關(guān)閉,又由于第一絕緣柵型晶體管M21和第二絕緣柵型晶體管M22組成電壓緩沖器的輸入端,使得電壓緩沖器的輸出擺幅的下限可以非常小,以允許低壓差線性穩(wěn)壓器中的功率晶體管更好接通,從而利于該低壓差穩(wěn)壓器實現(xiàn)較大的最大負載電流能力。需要說明的是,電壓緩沖器不僅可以適用于本實施例提供的低壓差線性穩(wěn)壓器中,而且也可以適用于一般的有片外電容或無片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器中。

本實施例提供的低壓差線性穩(wěn)壓器,通過低功率寬擺幅的電壓緩沖器,在保證低壓差線性穩(wěn)壓器調(diào)節(jié)精度的基礎(chǔ)上,進一步提高了低壓差線性穩(wěn)壓器的響應(yīng)速度,使得低壓差線性穩(wěn)壓器更加有利于片上系統(tǒng)電源管理的應(yīng)用。

實施例四

圖9為本實施例提供的一種低壓差線性穩(wěn)壓器的電路圖。本實施例在上述實施例的基礎(chǔ)上,增加了零點發(fā)生器24。

可選的,低壓差線性穩(wěn)壓器還包括零點發(fā)生器24,所述零點發(fā)生器24包括第三電阻R0和第一開關(guān)S1b,所述第三電阻R0和所述第一開關(guān)S1b并聯(lián)分別與在所述第一電阻RC0和第一電容C0串聯(lián),所述第一開關(guān)S1b的控制信號與所述任意一個動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)的控制信號反相。

示例性的,第一開關(guān)S1b的控制信號為動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中控制開關(guān)S1的控制信號的相反信號,容易理解的是,當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)S1b關(guān)閉時,開關(guān)S1打開,當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)S1b打開時,開關(guān)S1關(guān)閉。第三電阻R0與第一開關(guān)S1b并聯(lián)后串聯(lián)在第一電阻RC0和第一電容C0之間。其中,第三電阻R0的電阻值遠遠大于第一電阻RC0的電阻值。第一開關(guān)S1b與第三電阻R0構(gòu)成零點發(fā)生器24,該零點發(fā)生器24為左半平面(Left Half Plane,LHP)零點發(fā)生器,使得低壓差線性穩(wěn)壓器在輕負載或者無負載時獲得更好的相位裕度。當(dāng)?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器的輸出端的電流很小時,開關(guān)S1,…,SN閉合,同時第一S1b打開,第三電阻R0接入動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)。由于第三電阻R0的電阻值遠大于第一電阻RC0,使得動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中引入的右半平面(Right Half Plane,RHP)零點可以得到減輕,消除,甚至創(chuàng)造出一個LHP零點,這樣可以獲得一個更好的相位裕度。當(dāng)?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器的輸出端的電流增加時,不再需要一個大的電阻來獲得好的相位裕度。而且,如果電阻太大會使動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)斷開,這樣會破壞動態(tài)密勒頻率補償?shù)男Ч?,極點分離效應(yīng)也會消失。因此,當(dāng)?shù)蛪翰罹€性穩(wěn)壓器輸出端的電流增加到某個預(yù)定的值時,第一開關(guān)S1b閉合,第一電阻R0從動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中斷開。

本實施例提供的低壓差線性穩(wěn)壓器,通過增加零點發(fā)生器,在輕負載或無負載時,使動態(tài)密勒補償網(wǎng)絡(luò)中的電阻具有較大的電阻值,而在重負載時具有較小的電阻值,使得低壓差線性穩(wěn)壓器獲得更好的相位裕度。可以有助于消除由動態(tài)密勒補償引入的右半平面零點,創(chuàng)造一個適當(dāng)?shù)淖蟀肫矫媪泓c而不破壞密勒頻率補償和極點分離效果。

注意,上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解,本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例,對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此,雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明,但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下,還可以包括更多其他等效實施例,而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。

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