本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種偏置電流產(chǎn)生電路。
背景技術(shù)：
偏置電流是模擬集成電路中的一種重要參考源，是系統(tǒng)中不可缺少的一部分。
目前雙極型工藝下的偏置電流產(chǎn)生電路都隨電源電壓的變化而具有較大變化。在很多精度要求高的集成電路模塊中，會要求一個隨電源電壓的變化盡可能小的偏置電流。傳統(tǒng)的偏置電流產(chǎn)生電路已經(jīng)不能滿足高精度系統(tǒng)的要求。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
為解決現(xiàn)有雙極型工藝下偏置電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生的偏置電流隨電源電壓的變化而具有較大變化的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種產(chǎn)生電流隨電源電壓變化小的偏置電流產(chǎn)生電路。
一種偏置電流產(chǎn)生電路，包括：第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第一pnp三極管p1、第二pnp三極管p2、第三pnp三極管p3、第一npn三極管n1、第二npn三極管n2和第三npn三極管n3；第一電阻r1一端接電源vdd，另一端接第一pnp三極管p1和第二pnp三極管p2的發(fā)射極；第一pnp三極管p1的基極和集電極相接，并接到第二pnp三極管p2的基極、第一npn三極管n1的基極和集電極以及第二npn三極管n2的基極；第二pnp三極管p2的集電極接到第二npn三極管n2的集電極和第三npn三極管n3的基極；第一npn三極管n1的發(fā)射極接到第三npn三極管n3的發(fā)射極和第二電阻r2的一端；第二電阻r2的另一端接地；第二npn三極管n2的發(fā)射極接到第三電阻r3的一端；第三電阻r3的另一端接地；第三pnp三極管p3的發(fā)射極接電源vdd，基極和集電極接輸出端bias；第三npn三極管n3的集電極接輸出端bias；第一npn三極管n1的個數(shù)是第二npn三極管n2的n倍，n為大于等于2的整數(shù)。
進(jìn)一步的，n的取值為2。
進(jìn)一步的，n的取值為8.
由于第一npn三極管n1和第二npn三極管n2的個數(shù)區(qū)別，所以它們的基極和發(fā)射極的壓差也不同，利用它們發(fā)射極與基極壓差(即vbe)的區(qū)別產(chǎn)生一路電流，此電流與電源電壓完全無關(guān)，通過輸出端bias提供給其它模塊。
綜上所述，本發(fā)明提供的偏置電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生的電流與電源電壓完全無關(guān)，能夠滿足系統(tǒng)高精度的要求。
附圖說明
圖1是本發(fā)明實施方式提供的偏置電流產(chǎn)生電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了，下面結(jié)合具體實施方式并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。
為解決現(xiàn)有雙極型工藝下偏置電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生的偏置電流隨電源電壓的變化而具有較大變化的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種產(chǎn)生電流隨電源電壓變化小的偏置電流產(chǎn)生電路。如圖1所示，該電路包括：第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3、第一pnp三極管p1、第二pnp三極管p2、第三pnp三極管p3、第一npn三極管n1、第二npn三極管n2和第三npn三極管n3；第一電阻r1一端接電源vdd，另一端接第一pnp三極管p1和第二pnp三極管p2的發(fā)射極；第一pnp三極管p1的基極和集電極相接，并接到第二pnp三極管p2的基極、第一npn三極管n1的基極和集電極以及第二npn三極管n2的基極；第二pnp三極管p2的集電極接到第二npn三極管n2的集電極和第三npn三極管n3的基極；第一npn三極管n1的發(fā)射極接到第三npn三極管n3的發(fā)射極和第二電阻r2的一端；第二電阻r2的另一端接地；第二npn三極管n2的發(fā)射極接到第三電阻r3的一端；第三電阻r3的另一端接地；第三pnp三極管p3的發(fā)射極接電源vdd，基極和集電極接輸出端bias；第三npn三極管n3的集電極接輸出端bias；第一npn三極管n1的個數(shù)是第二npn三極管n2的n倍，n為大于等于2的整數(shù)。
作為本發(fā)明實施例，n取2，此時電路占用面積最小。
為了提供大的偏置電流，對應(yīng)的n的取值偏大，一般取8，便于版圖布局，第二npn三極管n2放置在正中間，8個第一npn三極管放置在四周，構(gòu)成三乘三的矩陣模式。
由于第一npn三極管n1和第二npn三極管n2的個數(shù)區(qū)別，所以它們的基極和發(fā)射極的壓差也不同，利用它們發(fā)射極與基極壓差(即vbe)的區(qū)別，即產(chǎn)生一路δvbe/r的電流，此電流與電源電壓完全無關(guān)，通過輸出端bias提供給其它模塊。
綜上所述，本發(fā)明提供的偏置電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生的電流與電源電壓完全無關(guān)，能夠滿足系統(tǒng)高精度的要求。
應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的上述具體實施方式僅僅用于示例性說明或解釋本發(fā)明的原理，而不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。因此，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。