本說明書一般涉及后預(yù)防性維護(hù)(pm)腔室控制旋鈕的估計。更具體地說，本說明書涉及到在執(zhí)行諸如腔室季化之類的腔室恢復(fù)程序之后估計與腔室條件相關(guān)聯(lián)的腔室控制旋鈕設(shè)定。

背景技術(shù)：

1、基板處理可以包括一系列的制程，這些制程依據(jù)電路設(shè)計在半導(dǎo)體(例如硅晶片)中產(chǎn)生電路。這些制程可以在一系列的腔室中實(shí)現(xiàn)?，F(xiàn)代半導(dǎo)體制造設(shè)施的成功操作可能旨在促進(jìn)在晶片中形成電路的過程中將穩(wěn)定的晶片流從一個腔室移動到另一個腔室。在執(zhí)行許多基板制程的過程中，處理腔室的條件可能會被改變，這可能導(dǎo)致經(jīng)處理的基板無法滿足期望的條件和結(jié)果。

2、一個這樣的基板制程可以包括等離子體蝕刻，這是一種借由從晶片表面移除分層材料，將掩模材料層中的圖案轉(zhuǎn)移到掩模下的另一層(如導(dǎo)電或電介質(zhì)材料層)的過程。這樣的過程不可避免地會產(chǎn)生不同種類的蝕刻副產(chǎn)物，如氧化硅和有機(jī)聚合物，這取決于分層材料和蝕刻化學(xué)物質(zhì)。一些副產(chǎn)物沉積到執(zhí)行等離子體蝕刻制程的腔室的內(nèi)表面上。副產(chǎn)物的沉積可能會影響蝕刻效能，影響的方式例如是將顆粒(如薄片)沉積到基板上，或與等離子體反應(yīng)并影響制程結(jié)果。

3、為了減輕蝕刻副產(chǎn)物的影響，可以采用預(yù)防性維護(hù)(如腔室清潔)定期從腔室壁移除沉積物。在腔室清潔的一個示例性說明中，使腔室停止生產(chǎn)，并將清潔等離子體(例如用于清潔硅蝕刻期間沉積的氧化硅的cf4+o2等離子體)引入腔室。這種等離子體與沉積物發(fā)生反應(yīng)，而這種反應(yīng)的產(chǎn)物被抽出腔室。然而，在這樣的腔室清潔之后，人們觀察到，干凈的腔室壁使腔室不適合立即進(jìn)行生產(chǎn)晶片蝕刻。腔室季化(seasoning)是一種蝕刻一系列基板(如空白硅晶片)以恢復(fù)適合生產(chǎn)基板制程的腔室條件的程序。在腔室季化后，一層薄薄的氧化硅覆蓋腔室壁。然后，該腔室被返回以進(jìn)行生產(chǎn)晶片蝕刻，直到需要進(jìn)行下一輪的腔室清潔和季化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、描述了一種用于后預(yù)防性維護(hù)控制旋鈕估計的方法和系統(tǒng)。在一些實(shí)施例中，一種方法包括以下步驟：由處理設(shè)備，接收傳感器數(shù)據(jù)，該傳感器數(shù)據(jù)表明處理基板的處理腔室的環(huán)境在該處理腔室上執(zhí)行的腔室恢復(fù)程序之后的第一狀態(tài)。該方法進(jìn)一步包括以下步驟：接收基板制程數(shù)據(jù)，該基板制程數(shù)據(jù)表明與由具有在該腔室恢復(fù)程序之前處于第二狀態(tài)的該環(huán)境的該處理腔室執(zhí)行基板處理程序相關(guān)聯(lián)的一組制程參數(shù)值。該方法進(jìn)一步包括以下步驟：使用一個或多個機(jī)器學(xué)習(xí)模型(mlm)處理該傳感器數(shù)據(jù)和該基板制程數(shù)據(jù)，以決定一個或多個輸出。該一個或多個輸出包括對該組制程參數(shù)值中的至少一者的第一更新。該第一更新可以與由具有處于該第一狀態(tài)的該環(huán)境的該處理腔室執(zhí)行該基板處理程序相關(guān)聯(lián)。該方法可以進(jìn)一步包括以下步驟：準(zhǔn)備表明該第一更新的通知以在圖形用戶界面(gui)上呈現(xiàn)。該方法可以進(jìn)一步包括以下步驟：導(dǎo)致該處理腔室基于該第一更新執(zhí)行該基板處理程序的選集(selection)。

2、在一些實(shí)施例中，一種用于訓(xùn)練機(jī)器學(xué)習(xí)模型以預(yù)測對一組制程參數(shù)值的更新的方法包括以下步驟：由制程設(shè)備接收訓(xùn)練數(shù)據(jù)。該訓(xùn)練數(shù)據(jù)包括第一傳感器數(shù)據(jù)，該第一傳感器數(shù)據(jù)表明處理基板的第一處理腔室的環(huán)境在該第一處理腔室上執(zhí)行的腔室恢復(fù)程序之后的第一狀態(tài)。該訓(xùn)練數(shù)據(jù)可以進(jìn)一步包括第一基板制程數(shù)據(jù)，該第一基板制程數(shù)據(jù)表明與由具有在該腔室恢復(fù)程序之前處于第二狀態(tài)的該環(huán)境的該第一處理腔室執(zhí)行第一基板處理程序相關(guān)聯(lián)的第一組制程參數(shù)值。該訓(xùn)練數(shù)據(jù)可以進(jìn)一步包括第二基板制程數(shù)據(jù)，該第二基板制程數(shù)據(jù)表明對該第一組制程參數(shù)值中的至少一者的第一更新。該第一更新可以與由具有處于該第一狀態(tài)的該環(huán)境的該第一處理腔室執(zhí)行該第一基板處理程序相關(guān)聯(lián)。該方法進(jìn)一步包括以下步驟：由該處理設(shè)備，用輸入數(shù)據(jù)和目標(biāo)輸出訓(xùn)練一個或多個機(jī)器學(xué)習(xí)模型(mlm)。該輸入數(shù)據(jù)包括該第一傳感器數(shù)據(jù)和該第一基板制程數(shù)據(jù)。該目標(biāo)輸出可以包括該第二基板制程數(shù)據(jù)。該一個或多個經(jīng)訓(xùn)練的mlm可以接收具有新傳感器數(shù)據(jù)的新輸入。該新傳感器數(shù)據(jù)可以表明處理新基板的新處理腔室的該環(huán)境在該腔室恢復(fù)程序之后的第三狀態(tài)。該新傳感器數(shù)據(jù)可以進(jìn)一步包括第三基板制程數(shù)據(jù)，該第三基板制程數(shù)據(jù)表明與由具有在該腔室恢復(fù)程序之前處于第四狀態(tài)的該環(huán)境的該新處理腔室執(zhí)行該第一基板處理程序相關(guān)聯(lián)的第二組制程參數(shù)值，以基于該新輸入產(chǎn)生新輸出。該新輸出表明對該第二組制程參數(shù)值中的至少一者的第二更新。該第二更新與由具有處于該第三狀態(tài)的該環(huán)境的該新處理腔室執(zhí)行該第一基板處理程序相關(guān)聯(lián)。

3、在一些實(shí)施例中，上述方法可以儲存在包括指令的非暫時性機(jī)器可讀取儲存介質(zhì)上，這些指令當(dāng)由處理設(shè)備執(zhí)行時，導(dǎo)致該處理設(shè)備執(zhí)行操作，這些操作可以包括前述方法中描述的一個或多個步驟。

技術(shù)特征：

1.一種方法，包括以下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一終點(diǎn)檢測條件與所述處理腔室的所述環(huán)境的光學(xué)傳感器測量對應(yīng)。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中決定所述第一終點(diǎn)檢測條件的步驟包括以下步驟：

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述決定性模型包括機(jī)械學(xué)模型，所述機(jī)械學(xué)模型是借由使用所述一個或多個歷史制程參數(shù)和所述一個或多個歷史終點(diǎn)檢測條件來至少執(zhí)行線性指數(shù)回歸來產(chǎn)生的。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中：

7.如權(quán)利要求6所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括以下步驟：

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中處理所述傳感器數(shù)據(jù)和所述基板制程數(shù)據(jù)的步驟進(jìn)一步包括以下步驟：

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個或多個mlm中的至少一者是使用最小絕對值收斂和選擇運(yùn)算符(lasso)回歸或脊回歸中的至少一者來訓(xùn)練的。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述腔室恢復(fù)程序包括在預(yù)防性維護(hù)(pm)程序之后執(zhí)行的腔室季化程序。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一組制程參數(shù)值包括表明制程溫度、制程壓力或制程持續(xù)時間中的至少一者的一個或多個值。

12.一種方法，包括以下步驟：

13.如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：

14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中訓(xùn)練所述一個或多個mlm的步驟進(jìn)一步包括以下步驟：使用所述訓(xùn)練數(shù)據(jù)執(zhí)行梯度增強(qiáng)回歸(gbr)。

15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中：

16.一種包括指令的非暫時性機(jī)器可讀取儲存介質(zhì)，當(dāng)所述指令由處理設(shè)備執(zhí)行時，導(dǎo)致所述處理設(shè)備執(zhí)行包括以下步驟的操作：

17.如權(quán)利要求16所述的非暫時性機(jī)器可讀取儲存介質(zhì)，所述操作進(jìn)一步包括以下步驟：

18.如權(quán)利要求16所述的非暫時性機(jī)器可讀取儲存介質(zhì)，其中：

19.如權(quán)利要求18所述的非暫時性機(jī)器可讀取儲存介質(zhì)，所述操作進(jìn)一步包括以下步驟：

20.如權(quán)利要求16所述的非暫時性機(jī)器可讀取儲存介質(zhì)，所述操作進(jìn)一步包括以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本說明書的主題可以在方法、系統(tǒng)、計算機(jī)可讀取儲存介質(zhì)等中實(shí)施。一種方法可以包括以下步驟：接收(i)傳感器數(shù)據(jù)，表明處理基板的處理腔室的環(huán)境在腔室恢復(fù)程序之后的第一狀態(tài)，以及(ii)基板制程數(shù)據(jù)，表明與由具有處于該腔室恢復(fù)程序之前的第二狀態(tài)的該環(huán)境的該處理腔室執(zhí)行基板處理程序相關(guān)聯(lián)的一組制程參數(shù)值。該方法進(jìn)一步包括以下步驟：使用一個或多個機(jī)器學(xué)習(xí)模型處理該傳感器數(shù)據(jù)和該基板制程數(shù)據(jù)，以決定一個或多個輸出。該一個或多個輸出包括對該組制程參數(shù)值中的至少一者的更新。該更新與由具有處于該第一狀態(tài)的該環(huán)境的該處理腔室執(zhí)行該基板處理程序相關(guān)聯(lián)。

技術(shù)研發(fā)人員：洪政填,金相鴻,張美賢,李珍庚,世埈全
受保護(hù)的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/4