本發(fā)明涉及電源電路，特別涉及一種高可靠性高穩(wěn)定性高壓基準(zhǔn)源。

背景技術(shù)：

1、隨著國內(nèi)高壓工藝的技術(shù)成熟完善，高壓模擬電路朝著大規(guī)模高集成度發(fā)展，但是高壓電路最基本的啟動(dòng)電路確實(shí)一致是個(gè)難點(diǎn)，由于高壓到六七十伏以上，由于高壓mos管的柵壓耐壓都比較低，高壓基準(zhǔn)源的啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)比較麻煩，并且高壓基準(zhǔn)源的啟動(dòng)電路都存在啟動(dòng)電流不恒定的問題，同時(shí)會(huì)隨著工藝和電源的變化影響較大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種高可靠性高穩(wěn)定性高壓基準(zhǔn)源，以解決背景技術(shù)中的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種高可靠性高穩(wěn)定性高壓基準(zhǔn)源，包括高壓pmos管hpmos1~hpmos8、高壓nmos管hnmos1~hnmos4、pmos管pmos1~pmos10、nmos管nmos1~nmos2、三極管q1~q3、電阻r1~r6；

3、pmos管pmos1~pmos8的源端均接電源電壓vdd，pmos管pmos1~pmos8的漏端分別連接高壓pmos管hpmos1~hpmos8的源端；pmos管pmos1的柵端同時(shí)接自身漏端和pmos管pmos2的柵端，pmos管pmos7的柵端同時(shí)接自身漏端和pmos管pmos8的柵端；pmos管pmos3~pmos6的柵端互連；

4、高壓pmos管hpmos1的漏端接高壓nmos管hnmos1的漏端，高壓pmos管hpmos2的漏端和高壓pmos管hpmos3的漏端均接高壓nmos管hnmos2的漏端，高壓pmos管hpmos4的漏端通過電阻r6接高壓nmos管hnmos3的漏端；高壓pmos管hpmos1的柵端同時(shí)接自身漏端和高壓pmos管hpmos2的柵端，高壓pmos管hpmos3~hpmos6的柵端互連，高壓pmos管hpmos4的漏端同時(shí)接pmos管pmos3的柵端和pmos管pmos4的柵端，高壓nmos管hnmos3的漏端同時(shí)接高壓pmos管hpmos3的柵端和高壓pmos管hpmos4的柵端，高壓pmos管hpmos5的漏端同時(shí)接pmos管pmos9的源端和pmos管pmos10的源端；高壓pmos管hpmos6的漏端電流和高壓pmos管hpmos8的漏端電流相加；高壓pmos管hpmos7的漏端接高壓nmos管hnmos4的漏端；

5、電阻r1的第一端接電源電壓vdd，電阻r1的第二端接電阻r2的第一端；電阻r2的第二端同時(shí)接高壓nmos管hnmos1的柵端和三極管q3的集電極；三極管q3的基極同時(shí)接高壓nmos管hnmos1的源端和電阻r3的第一端，三極管q3的發(fā)射極和電阻r3的第二端同時(shí)接地vss；高壓nmos管hnmos2的漏端接自身柵端和高壓nmos管hnmos3的柵端，高壓nmos管hnmos2的源端同時(shí)接三極管q1的集電極和pmos管pmos9的柵端，三極管q1的基極同時(shí)接自身集電極和三極管q2的基極；高壓nmos管hnmos3的源端接三極管q2的集電極，三極管q2的發(fā)射極接電阻r4的第一端，三極管q1的發(fā)射極和電阻r4的第二端均接地vss；pmos管pmos9的漏端接nmos管nmos1的漏端，nmos管nmos1的漏端接自身柵端和nmos管nmos2的柵端；pmos管pmos10的柵端接電阻r5的第一端，pmos管pmos10的漏端接nmos管nmos2的漏端，電阻r5的第二端、nmos管nmos1的源端和nmos管nmos2的源端均接地vss；高壓nmos管hnmos4的柵端接pmos管pmos10的漏端，高壓nmos管hnmos4的源端接電阻r5的第一端。

6、本發(fā)明提供的一種高可靠性高穩(wěn)定性高壓基準(zhǔn)源，實(shí)現(xiàn)方便，不需要特殊的器件。該基準(zhǔn)源適用電壓范圍廣、啟動(dòng)穩(wěn)定可靠、不要特殊器件、滿足任意溫度特性的電流源。

技術(shù)特征：

1.一種高可靠性高穩(wěn)定性高壓基準(zhǔn)源，其特征在于，包括高壓pmos管hpmos1~hpmos8、高壓nmos管hnmos1~hnmos4、pmos管pmos1~pmos10、nmos管nmos1~nmos2、三極管q1~q3、電阻r1~r6；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種高可靠性高穩(wěn)定性高壓基準(zhǔn)源，屬于電源電路領(lǐng)域。本發(fā)明中Is1是通過三極管Q3的VBE與電阻R3構(gòu)成，流過高壓NMOS管hnmos1的電流是VBE3/R3，這個(gè)電流與高壓電源VDD無關(guān)，隨著工藝和溫度變化比較小，通過復(fù)制Is1電流的Is2作為啟動(dòng)電流，可以在電源無論如何變化下都可以穩(wěn)定可靠的啟動(dòng)；通過高壓管hnmos2/hnmos3，使得三極管Q1和Q2可以不需要高壓三極管使得很多工藝都可以滿足產(chǎn)生IPTAT電流；同理，通過三極管Q1和低壓管pmos9/pmos10/nmos1/nmos2及高壓管hnmos4和電阻R5構(gòu)成Ictat電流，實(shí)現(xiàn)方便，不需要特殊的器件。該基準(zhǔn)源適用電壓范圍廣、啟動(dòng)穩(wěn)定可靠、不要特殊器件、滿足任意溫度特性的電流源。

技術(shù)研發(fā)人員：吳光林,袁文師
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海芯熾科技集團(tuán)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2