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半導體制造設備管理系統(tǒng)的工藝條件控制方法

文檔序號:6278144閱讀:521來源:國知局
專利名稱:半導體制造設備管理系統(tǒng)的工藝條件控制方法
技術領域
本發(fā)明涉及半導體制造設備管理系統(tǒng)的工藝條件的控制方法,特別是涉及通過主計算機對將在設備中處理的各個晶片不同地指定特定處理工序標識和處理程序標識(PPID)的方法,從而明顯提高設備的整體生產率。
通常,通過高精度工藝來制造半導體器件。為此高精度工藝,在半導體生產線上設置高功能設備。
由操作者通過管理系統(tǒng)對各設備的運行進行精心地監(jiān)控,以便可以提高設備的運行效率。


圖1所示,半導體制造設備3設置于生產線上。各晶片分別插入盒10的各槽中,形成一批晶片。該批晶片被引入設備3中進行處理。
通過與設備3在線連接的操作者接口個人計算機(O/I PC)2,操作者對設備3的運行進行精心地監(jiān)控。
設備3通過設備服務器4與主機1在線連接。主機1與O/I PC 2在線連接。
一旦操作者把基本制造數據,例如待在設備3中處理的該批晶片10的標識,通過O/I PC2輸入主機1,主機1根據輸入的基本制造數據,檢索如圖2所示的處理工序標識和PPID表,計算通常施加于分組為批次的晶片的工藝條件數據。例如,當由操作者輸入的對應于產品批次標識‘A’的晶片的處理工序標識是‘A0010’時,主機1把處理工序標識‘A0010’與圖2的表所給出的PPID‘a’組合。然后,主機1計算通常施加給對應于產品批次標識‘A’的晶片的工藝條件數據。
之后,操作者檢查工藝條件數據,輸入開始處理命令或終止處理命令,通過在設備3中的推進和拉出該批晶片,對設備3中的晶片進行處理。結果,根據公共的PPID‘a’對設備3中可以獨立操作的多個處理室5進行操作,根據公共的PPID‘a’在處理室5中對盒10的槽中的晶片進行處理。
但是,由于傳統(tǒng)的管理系統(tǒng)中的主機1對于盒中的多個晶片僅能指定一個處理工序標識和一個PPID,所以用公共地指定的處理工序標識和PPID不能滿足各晶片的不同需要。
當處理大規(guī)模的晶片時,傳統(tǒng)的管理系統(tǒng)的這種缺點變得愈加嚴重。大規(guī)模的晶片需要根據為其每個設計的特定處理工序標識和PPID進行逐個地處理。
因此,本發(fā)明的目的在于為插在盒的各個槽中的每個晶片指定不同的處理工序標識或者PPID,根據不同地指定的各處理工序標識或各PPID處理晶片。
本發(fā)明的另一目的在于根據為每個晶片不同指定的處理工序標識或者PPID有效地處理大規(guī)模的晶片。
為了實現(xiàn)上述目的和其它優(yōu)點,本發(fā)明提供一種半導體制造設備管理系統(tǒng)的工藝條件的控制方法。在此方法中,從操作者接收準備在設置于管理系統(tǒng)的設備中進行處理的多個晶片的標識,并與對應的處理工序標識組合。然后,該處理工序標識與對應的PPID組合。把晶片標識、處理工序標識和PPID作為工藝條件數據處理。之后,確定是否輸入了推進信號。如果確定輸入了推進信號,把工藝條件數據下載給對應于設備的設備服務器。根據下載的工藝條件數據,改變設備控制信息。改變后的設備控制信息下載于該設備。
設備控制信息更可取的是流函數信息。
設備控制信息更可取的是S2F41。
因此,本發(fā)明能夠為插入盒的每個晶片指定特定的處理工序標識和PPID。
通過參考附圖具體說明優(yōu)選實施例,將可進一步了解本發(fā)明的上述目的和其他優(yōu)點。
圖1是傳統(tǒng)的半導體制造設備管理系統(tǒng)的示意圖;圖2是存儲于傳統(tǒng)的主計算機中的處理工序標識和PPID表的示意圖;圖3是根據本發(fā)明的半導體制造設備管理系統(tǒng)的示意圖;圖4是根據本發(fā)明的對半導體制造設備管理系統(tǒng)的工藝條件進行控制的方法的流程圖;圖5是根據本發(fā)明的存儲于主機中的處理工序標識和PPID表的示意圖;圖6是根據本發(fā)明的設備控制信息內容的概念性視圖;以及圖7展示的是根據本發(fā)明的設備運行。
以下將參考附圖更全面地說明本發(fā)明,圖中展示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是,本發(fā)明可以按許多不同的方式來體現(xiàn),并不限于按這里給出的實施例來構成;而是提供這些實施例以便徹底和完整地公開本發(fā)明,使本領域的技術人員全面了解本發(fā)明的范圍。
如圖3所示,主機1包括工藝條件組合模塊20,其能夠接收由操作者輸入的各晶片的接收標識,并使晶片標識與對應于每個晶片標識的處理工序標識或PPID組合。
工藝條件組合模塊20為每個晶片標識形成處理工序標識或PPID作為工藝條件數據,并通過設備服務器4把工藝條件數據下載給設備3,以使設備3可以根據處理工序標識或PPID分別運行其多個室5。結果,可以在用于每個晶片的期望的特定工藝條件下處理插入盒10的每個槽中的晶片。
在傳統(tǒng)的管理系統(tǒng)中,根據公共的特定處理工序標識或公共的特定PPID,對插入盒中并分組成批次的一系列晶片進行處理。結果,當它們需要不同的處理工序標識或PPID時,不能適當地處理這些晶片。
但是,在根據本發(fā)明的管理系統(tǒng)中,設備3通過工藝條件組合模塊20的控制接收各種處理工序標識或PPID,這些標識是為插入盒10的各個槽中的每個晶片不同指定的。因此,設備可以根據用于每個晶片的特定處理工序標識或特定PPID來處理晶片。
以下參考圖4的流程圖更具體地說明根據本發(fā)明的半導體制造設備管理系統(tǒng)的工藝條件控制方法。首先,操作者通過O/I PC2把基本制造數據例如待處理晶片的標識輸入工藝條件組合模塊20。然后,工藝條件組合模塊20實時接收各晶片標識(S11)。因此,工藝條件組合模塊20立即識別如圖7所示插入盒10的各個槽11中的各晶片100的標識。
之后,工藝條件組合模塊20檢索主機1的數據庫,把各晶片標識分別與對應的處理工序標識組合(S12)。例如,工藝條件組合模塊20檢索如圖5所示的處理工序標識和PPID表,把插入盒10的第一槽11a中的并具有標識1的第一晶片101與處理工序標識‘A0010’組合,把插入盒10的第二槽11b中的并具有標識2的第二晶片102與處理工序標識‘A0020’組合,把插入盒10的第三槽11c中的并具有標識3的第三晶片103與處理工序標識‘A0030’組合,把插入盒10的第四槽11d中的并具有標識4的第四晶片104與處理工序ID‘A0040’組合。因此,為插入盒10的各個槽11中的每個晶片100指定特定的處理工序標識。
接著,工藝條件組合模塊20檢索主機1的數據庫,把處理工序標識分別與對應的PPID組合(S20)。例如,工藝條件組合模塊20檢索處理工序標識和PPID表,把與第一晶片101組合的處理工序標識‘A0010’與對應的PPID‘al’組合,把與第二晶片102組合的處理工序標識‘A0020’與對應的PPID‘b2’組合,把與第三晶片103組合的處理工序標識‘A0030’與對應的PPID‘c3’組合,把與第四晶片104組合的處理工序標識‘A0040’與對應的PPID‘d4’組合。由此,為插入盒10的各個槽11中的每個晶片100指定特定的PPID。
之后,工藝條件組合模塊20為每個晶片100形成特定的處理工序標識和PPID作為工藝條件數據,通過監(jiān)視O/I PC2確定操作者是否輸入了推進信號(S31和S32)。
如果確定未輸入推進信號,則工藝條件組合模塊20確定延遲對該批晶片的處理,終止控制處理流程。
如果確定輸入了推進信號,則工藝條件組合模塊20確定操作者認可工藝條件數據并對每個晶片100進行特定處理,把工藝條件數據下載到設備服務器4(S40)。由此,設備服務器4根據工藝條件數據改變待下載于設備3的設備控制信息(S51)。
例如,根據由工藝條件組合模塊20形成的如圖6所示的工藝條件數據,設備服務器4改變設備控制信息的內容。第一晶片101的處理工序標識改變?yōu)椤瓵0010’,第二晶片102的處理工序標識改變?yōu)椤瓵0020’,第三晶片103的處理工序標識改變?yōu)椤瓵0030’,第四晶片104的處理工序標識改變?yōu)椤瓵0040’。此外,對應于第1槽11a的PPID改變?yōu)椤產1’,對應于第2槽11b的PPID改變?yōu)椤産2’,對應于第3槽11c的PPID改變?yōu)椤甤3’,對應于第4槽11d的PPID改變?yōu)椤甦4’。
接著,設備服務器4把如上所述改變的設備控制信息下載于設備3(S52)。
此時,根據本發(fā)明,從設備服務器4下載給設備3的設備控制信息是可使通信平穩(wěn)的流函數信息。設備控制信息的流函數形式最好是適用于標準的S2F41。例如,為了使設備服務器通過上述步驟改變設備控制信息,并通過改變設備3的狀態(tài)對插入盒10的各個槽11中的每個晶片100進行特定的處理,設備服務器4把改變后的設備控制信息加載到流函數信息S2F41上,把其上加載了改變后的設備控制信息的流函數信息S2F41下載于設備3。從而根據改變的S2F41的內容改變設備3的狀態(tài)。
之后,設備3施加為各晶片100插入其中的每個槽11指定的處理工序標識和PPID,立即對其中每個進行特定的處理。例如,如圖7所示設備3使用臂3a從盒10的第一槽11a取出第一晶片101,把第一晶片101加載于第一處理室5a。然后,設備3根據對應于處理工序標識‘A0010’的PPID‘a1’操縱第一處理室5a。結果,第一晶片101在其特定工藝條件下進行處理。
使用臂3a從盒10的第二槽11b取出第二晶片102,并加載于第二處理室5b。然后,根據對應于處理工序標識‘A0020’的PPID‘b2’操縱第二處理室5b。結果,第二晶片102在其特定工藝條件下進行處理。
使用臂3a從盒10的第三槽11c取出第三晶片103,并加載于第三處理室5c。然后,根據對應于處理工序標識‘A0030’的PPID‘c3’操縱第三處理室5c。結果,第三晶片103在其特定工藝條件下進行處理。
使用臂3a從盒10的第四槽11d取出第四晶片104,并加載于第四處理室5d。然后,根據對應于處理工序標識‘A0040’的PPID‘d4’操縱第四處理室5d。結果,第四晶片104在其特定工藝條件下進行處理。
因此,在為每個晶片指定的特定工藝條件下,把插入盒10的各個槽中的各晶片100制造成具有良好質量的半導體產品。
之后,工藝條件組合模塊20反復進行上述步驟,從而使加載于設備3的全部晶片100均可在各自特定的工藝條件下進行處理。
如上所述,本發(fā)明通過利用主機為每個晶片不同地指定處理工序標識和PPID,能夠顯著地提高設備的整體生產率。
本發(fā)明可以應用于設置在生產線上并需要預定的控制而對效率無絲毫降低的半導體制造設備。
以上參考實施例已對本發(fā)明做了說明。但是,按照上述說明顯然本領域的技術人員可以做出許多替換、改進和變形。因此,本發(fā)明包含處于權利要求書的精髓和范圍內的所有這些替換、改進和變形。
如上所述,在半導體制造設備管理系統(tǒng)的工藝條件控制方法中,在主機中安裝工藝條件監(jiān)視模塊。通過工藝條件監(jiān)視模塊,為其中插入各晶片的盒的每個槽不同地指定處理工序標識或PPID。從而,通過為每個晶片指定的特定處理工序標識或PPID,可以把插入各個槽中的各晶片制造成具有良好質量的半導體產品。此外,通過為大規(guī)模的晶片中的每個分別指定處理工序標識或PPID,也可以處理大規(guī)模的晶片。
權利要求
1.一種半導體制造設備管理系統(tǒng)的工藝條件的控制方法,包括以下步驟接收由操作者指定的多個晶片標識,把所述晶片標識分別與所述晶片標識所對應的處理工序標識組合;把所述處理工序標識分別與所述處理工序標識所對應的PPID組合;處理所述晶片標識、所述處理工序標識和所述PPID作為工藝條件數據,確定是否輸入了推進信號;如果確定輸入了所述推進信號,則把所述工藝條件數據下載給設備服務器;根據所述工藝條件數據改變設備控制信息,把所述改變后的設備控制信息下載于該設備。
2.根據權利要求1的方法,其特征在于所述設備控制信息是流函數信息。
3.根據權利要求2的方法,其特征在于所述設備控制信息是S2F41。
全文摘要
一種半導體制造設備管理系統(tǒng)的工藝條件的控制方法。通過安裝在主機中的工藝條件組合模塊對半導體制造設備管理系統(tǒng)的工藝條件進行控制。通過工藝條件組合模塊可以為插入盒的合槽中的每個晶片不同地指定處理工序ID或PPID。根據為每個晶片不同地指定的處理工序ID或PPID,可以把晶片制造成具有良好質量的半導體產品。使用不同指定的處理工序ID或PPID,可以更有效地處理大規(guī)模的晶片。
文檔編號G05B19/4155GK1223393SQ9811607
公開日1999年7月21日 申請日期1998年7月16日 優(yōu)先權日1998年7月16日
發(fā)明者權大洪 申請人:三星電子株式會社
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