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單be結(jié)連續(xù)輸出開關(guān)電容帶隙基準電路的制作方法

文檔序號:8257215閱讀:516來源:國知局
單be結(jié)連續(xù)輸出開關(guān)電容帶隙基準電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及調(diào)節(jié)電壓或電流的裝置技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種單BE結(jié)連續(xù)輸出開關(guān)電容帶隙基準電路。
【背景技術(shù)】
[0002]基準電路是所有集成電路系統(tǒng)中最重要的模塊之一,為其他電路模塊提供高精度和高穩(wěn)定性的電壓基準或電流基準,廣泛應用于數(shù)字和模擬集成電路中,比如DC-DC調(diào)制器、線性穩(wěn)壓器、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、閃存、各種驅(qū)動器、通信發(fā)射、接收器等電路。其中,帶隙基準由于結(jié)構(gòu)原理簡單、實現(xiàn)方便、性能優(yōu)良,應用最為廣泛,其特性直接關(guān)系系統(tǒng)的整體性能。
[0003]傳統(tǒng)的帶隙基準電路受到運算放大器輸入失調(diào)電壓影響較大,同時為了減小單路電流降低靜態(tài)功耗,一般采用大的比例電阻,容易占用過大芯片面積?;陂_關(guān)電容的帶隙基準電路可以解決運放的失調(diào)電壓問題,但采用8:1甚至更大比例的三極管(或二極管),仍然不能避免面積過大的問題。且由于制造工藝誤差帶來的三極管比例的偏差以及電流鏡比例的偏差也會對基準的輸出精度帶來影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種單BE結(jié)連續(xù)輸出開關(guān)電容帶隙基準電路,所述電路的輸出基準電壓更精確,工藝靈活性和穩(wěn)定性更高,芯片面積小,沒有采用電阻,可與標準數(shù)字CMOS工藝兼容,兼容性強。
[0005]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是:一種單BE結(jié)連續(xù)輸出開關(guān)電容帶隙基準電路,其特征在于:所述基準電路包括電流源組1、第一可控開關(guān)組sa、BE結(jié)產(chǎn)生電路、第二可控開關(guān)組Sb、電壓存儲電路組a、可控開關(guān)Stl-S6、第一電壓存儲電路、電壓平均存儲電路、第一加法電路、增益電路K、第二電壓存儲電路、第二加法電路和第三電壓存儲電路,電源VDD依次經(jīng)電流源組1、第一可控開關(guān)組33與BE結(jié)產(chǎn)生電路的發(fā)射極連接,BE結(jié)產(chǎn)生電路的發(fā)射極第一路依次經(jīng)可控開關(guān)Stl、第一電壓存儲電路、可控開關(guān)S2與第一加法電路的減輸入端連接,BE結(jié)產(chǎn)生電路的發(fā)射極其余路依次經(jīng)第二可控開關(guān)組Sb、電壓存儲電路組a、電壓平均存儲電路、可控開關(guān)SI與第一加法電路的加輸入端連接,第一加法電路的輸出端依次經(jīng)增益電路K、可控開關(guān)S3、第二電壓存儲電路、可控開關(guān)&與第二加法電路的一個加輸入端連接,第一電壓存儲電路與可控開關(guān)S2的結(jié)點經(jīng)可控開關(guān)S4與第二加法電路的另一個加輸入端連接,第二加法電路的輸出端經(jīng)可控開關(guān)36與第三電壓存儲電路的一端連接,第三電壓存儲電路的另一端為所述基準電路的電壓輸出端。
[0006]進一步的技術(shù)方案在于:所述電流源組I包括若干個電流源In,所述第一可控開關(guān)組Sa包括與所述電流源I n個數(shù)相同的可控開關(guān)S m,所述第二可控開關(guān)組Sb包括與所述電流源In個數(shù)相同的可控開關(guān)S bn,所述電壓存儲電路組a包括與所述電流源1?個數(shù)相同的電壓存儲電路an,電流源I1與可控開關(guān)S al串聯(lián),電流源I 2與可控開關(guān)S a2串聯(lián),依次類推,電流源In與可控開關(guān)S m串聯(lián),相互串聯(lián)的電流源I n和可控開關(guān)S m形成若干條電流源支路,上述若干條電流源支路相互并聯(lián);可控開關(guān)Sbl與電壓存儲電路al串聯(lián),可控開關(guān)Sb2與電壓存儲電路a2串聯(lián),依次類推,可控開關(guān)Sbn與電壓存儲電路an串聯(lián),相互串聯(lián)的可控開關(guān)Sbn和電壓存儲電路an形成若干條電壓存儲支路,上述若干條電壓存儲支路相互并聯(lián),所述η為大于等于2的自然數(shù)。
[0007]進一步的技術(shù)方案在于:所述基準電路還包括位于電壓平均存儲電路與電壓存儲電路組a之間的第三可控開關(guān)組Sc,所述第三可控開關(guān)組Sc包括與所述電流源I ?個數(shù)相同的可控開關(guān)Sm,所述可控開關(guān)Sbl依次與電壓存儲電路al、可控開關(guān)S &串聯(lián),所述可控開關(guān)Sb2依次與電壓存儲電路a2、可控開關(guān)S。2串聯(lián),依次類推,所述可控開關(guān)S bn依次與電壓存儲電路an、可控開關(guān)Sm串聯(lián),相互串聯(lián)的可控開關(guān)S bn、電壓存儲電路an、可控開關(guān)Sm形成若干條電壓存儲支路,上述若干條電壓存儲支路相互并聯(lián),所述η為大于等于2的自然數(shù)。
[0008]進一步的技術(shù)方案在于:所述電壓存儲電路為電容。
[0009]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:所述基準電路通過控制開關(guān)導通順序控制BE結(jié)產(chǎn)生電路上流過不同電流從而產(chǎn)生不同的電壓進而減少三極管或二極管的使用個數(shù),通過多路平均求值,確保更高精度的基準電壓輸出,具有極大的工藝靈活性和穩(wěn)定性,本發(fā)明沒有采用電阻,可與標準數(shù)字CMOS工藝兼容,兼容性強。
【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0011]圖1是本發(fā)明的原理框圖;
圖2是本發(fā)明實施例一的原理圖;
圖3是本發(fā)明實施例一的輸出波形。
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0013]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明,但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣,因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0014]本發(fā)明公開了一種單BE結(jié)連續(xù)輸出開關(guān)電容帶隙基準電路,所述基準電路包括電流源組1、第一可控開關(guān)組sa、BE結(jié)產(chǎn)生電路、第二可控開關(guān)組Sb、電壓存儲電路組a、可控開關(guān)Stl-S6、第一電壓存儲電路(即圖1中的存儲電路I)、電壓平均存儲電路、第一加法電路、增益電路K、第二電壓存儲電路(即圖1中的存儲電路2)、第三可控開關(guān)組S。,第二加法電路和第三電壓存儲電路(即圖1中的存儲電路3)。
[0015]具體連接關(guān)系如圖1所示,電源VDD依次經(jīng)電流源組1、第一可控開關(guān)組&與BE結(jié)產(chǎn)生電路的發(fā)射極連接,BE結(jié)產(chǎn)生電路的發(fā)射極第一路依次經(jīng)可控開關(guān)Stl、第一電壓存儲電路、可控開關(guān)S2與第一加法電路的減輸入端連接,BE結(jié)產(chǎn)生電路的發(fā)射極其余路依次經(jīng)第二可控開關(guān)組sb、電壓存儲電路組a、第三可控開關(guān)組S。、電壓平均存儲電路、可控開關(guān)SI與第一加法電路的加輸入端連接,第一加法電路的輸出端依次經(jīng)增益電路K、可控開關(guān)S3、第二電壓存儲電路、可控開關(guān)35與第二加法電路的一個加輸入端連接,第一電壓存儲電路與可控開關(guān)S2的結(jié)點經(jīng)可控開關(guān)S 4與第二加法電路的另一個加輸入端連接,第二加法電路的輸出端經(jīng)可控開關(guān)S6與第三電壓存儲電路的一端連接,第三電壓存儲電路的另一端為所述基準電路的電壓輸出端。
[0016]如圖1所示,所述電流源組I包括若干個電流源In,所述第一可控開關(guān)組Sa包括與所述電流源In個數(shù)相同的可控開關(guān)S an,所述第二可控開關(guān)組Sb包括與所述電流源I ?個數(shù)相同的可控開關(guān)Sbn,所述第三可控開關(guān)組Sc包括與所述電流源I n個數(shù)相同的可控開關(guān)Sm,所述電壓存儲電路組a包括與所述電流源In個數(shù)相同的電壓存儲電路an (在本發(fā)明中η為大于等于2的自然數(shù))。
[0017]電流源I1與可控開關(guān)S al串聯(lián),電流源12與可控開關(guān)S a2串聯(lián),依次類推,電流源I n與可控開關(guān)San串聯(lián),相互串聯(lián)的電流源I n和可控開關(guān)S m形成若干條電流源支路,上述若干條電流源支路相互并聯(lián)。所述可控開關(guān)Sbl依次與電壓存儲電路al、可控開關(guān)S d串聯(lián),所述可控開關(guān)Sb2依次與電壓存儲電路a2、可控開關(guān)Se2串聯(lián),依次類推,所述可控開關(guān)Sbn依次與電壓存儲電路an、可控開關(guān)Sm串聯(lián),相互串
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