與晶體管Ml解耦，并且電阻器R1+R2...+R(N-1)使最大尺寸的晶體管MN與最小尺寸的晶體管Ml解耦。通過相應(yīng)電阻器Rl-R(N-1)連接晶體管M的柵極，電阻器Rl-R(N-1)可以延遲或最小化連續(xù)晶體管M的寄生電容的直接影響。
[0050]例如，響應(yīng)于電壓調(diào)節(jié)器10需要輸送的電流量的變化(例如，由于負(fù)載的改變)，驅(qū)動(dòng)器12可以調(diào)節(jié)流動(dòng)通過晶體管Ml-MN的電流量。然而，初始地(即，立即或在負(fù)載改變之后不久)，為了調(diào)節(jié)流向電壓調(diào)節(jié)器10的輸出的電流，驅(qū)動(dòng)器12可能需要對(duì)晶體管Ml的寄生電容進(jìn)行充電或放電，并且僅對(duì)晶體管Ml的寄生電容進(jìn)行充電和放電，因?yàn)閬碜云渌w管的寄生電容(例如，晶體管M2-MN)由于經(jīng)由電阻器Rl-R(N-1)的晶體管的解耦而對(duì)功率級(jí)14的總的寄生電容有貢獻(xiàn)。此外，因?yàn)榫w管Ml是最小尺寸的晶體管，晶體管Ml的寄生電容最小，允許流動(dòng)通過晶體管Ml的電流相對(duì)快速地改變以將電壓調(diào)節(jié)器10的輸出電壓穩(wěn)定到恒定輸出電壓電平。
[0051]隨著時(shí)間，晶體管M2的寄生電容可能對(duì)功率級(jí)14的總體寄生電容有貢獻(xiàn)，但是晶體管M3至MN的貢獻(xiàn)可能被延遲，或者可能對(duì)總的寄生電容貢獻(xiàn)是最小的。短時(shí)間之后，晶體管M3的寄生電容可能有貢獻(xiàn)于功率級(jí)14的總的寄生電容等，直到晶體管MN的寄生電容對(duì)功率級(jí)14的總的寄生電容有貢獻(xiàn)。
[0052]以該方式，功率級(jí)14的初始寄生電容被最小化為該晶體管Ml的初始寄生電容，這也是最小尺寸的晶體管，允許由電壓調(diào)節(jié)器10輸送的電流的快速調(diào)節(jié)以將輸出電壓穩(wěn)定到恒定輸出電壓電平。然后，來自附加晶體管的寄生電容對(duì)功率級(jí)14的總的寄生電容連續(xù)有貢獻(xiàn)，這降低了電壓過沖和電壓下沖，允許在輸出電壓中沒有過度波動(dòng)的情況下穩(wěn)定到恒定輸出電壓電平。因此，功率級(jí)14中的晶體管和電阻器的配置可以允許在減少的電壓過沖和下沖的情況下的快速瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間。
[0053]換言之，為了改善瞬態(tài)性能(例如，改善瞬態(tài)負(fù)載調(diào)節(jié))，驅(qū)動(dòng)器12可以“看到”最小可能的電容(例如，驅(qū)動(dòng)器12可能需要對(duì)最小電容進(jìn)行充電或放電，因?yàn)榫w管Ml是最小尺寸的晶體管)。在負(fù)載跳動(dòng)(例如，連接到電壓調(diào)節(jié)器10的負(fù)載的阻抗的改變)的情況下，驅(qū)動(dòng)器12可以能夠更快地驅(qū)動(dòng)旁通器件(即功率級(jí)14)，因?yàn)轵?qū)動(dòng)器12將僅“看到”來自最小尺寸的晶體管(S卩，晶體管Ml)的寄生電容。
[0054]可能存在對(duì)晶體管Ml的尺寸的要求。晶體管Ml的尺寸應(yīng)當(dāng)大得足以使晶體管Ml能夠?qū)⒆銐虻碾娏鬏斔偷诫妷赫{(diào)節(jié)器10的輸出直至晶體管M2開始輸送電流。換言之，響應(yīng)于將電壓調(diào)節(jié)器10的輸出保持在恒定輸出電壓電平處所需要的電流量的改變，第一晶體管(例如，晶體管Ml)被配置輸送所需要的電流量，直至流動(dòng)通過第二晶體管(例如，晶體管M2)的電流量改變。
[0055]例如，因?yàn)榫w管M2大于晶體管Ml(并且因此具有較大寄生電容)，所以可能需要對(duì)流經(jīng)晶體管M2的電流的較長時(shí)間來改變(即，在當(dāng)流動(dòng)通過晶體管M2的電流量相對(duì)于流動(dòng)通過晶體管Ml的電流量的時(shí)間改變，可能存在延遲)。如果晶體管Ml過小而無法在流動(dòng)通過晶體管M2的電流量開始改變之前輸送所需要的電流，則在由電壓調(diào)節(jié)器10輸出的電流中存在下降，使得在輸出電壓電平中的下降。因此，通過確保晶體管Ml大得足以提供電流直到晶體管M2開始輸送電流，該技術(shù)可以確保在輸出電壓電平中初始地存在過度下降。
[0056]除了提供在減小的電壓過沖和電壓下沖的情況下的快速瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間的技術(shù)，該技術(shù)可以進(jìn)一步最小化電壓過沖。如上所述，驅(qū)動(dòng)器12驅(qū)動(dòng)功率級(jí)14的晶體管M1-MN。在本公開中所描述的技術(shù)中，驅(qū)動(dòng)器12可以包括多個(gè)單獨(dú)電流源，其中的每一個(gè)都驅(qū)動(dòng)晶體管Ml-MN中的相應(yīng)一個(gè)的柵極。換言之，驅(qū)動(dòng)器12可以獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)晶體管Ml-MN的柵極。
[0057]如示，驅(qū)動(dòng)器12包括電流源Ip, I至Ip, No電流源Ip, I至Ip, N中的每一個(gè)可以驅(qū)動(dòng)(即，將電流輸出到)晶體管Ml-MN中的相應(yīng)一個(gè)。例如，源Ip，I向晶體管Ml的柵極直接輸出，電流源Ip，2向晶體管M2的柵極直接輸出等，其中電流源Ip，N直接向晶體管MN的柵極輸出。
[0058]此外，對(duì)于晶體管Ml-MN中的任何一個(gè)，除了相應(yīng)電流源之外的電流源可以經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)電阻器來驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O。例如，晶體管Ml的柵極連接到電流源Ip，1，但是還通過電阻器Rl連接到電流源Ip，2，通過電阻器Rl和R2連接到Ip，3等。例如，晶體管Ml的柵極通過電阻R(N-1)、R(N-2)并且一直通過Rl連接到電流源Ip，N。其他晶體管可以類似地連接到電流源。
[0059]圖1圖示了驅(qū)動(dòng)器12內(nèi)的節(jié)點(diǎn)16。節(jié)點(diǎn)16是所有的Ip電流(即，Ip，I至Ip, N)滿足對(duì)地的流動(dòng)作為電流In的節(jié)點(diǎn)。例如，電流Ip，I至Ip，N被如此標(biāo)記，因?yàn)槠潆娏鲝碾娫吹恼?P)電壓節(jié)點(diǎn)流動(dòng)，并且電流In被如此標(biāo)記，因?yàn)槠潆娏髁鲃?dòng)到電源的負(fù)(η)電壓節(jié)點(diǎn)(例如，接地節(jié)點(diǎn))。因此，In表示Ip, I至Ip, N的總電流。因此，In等于Ipj 1+Ip，2+Ip，3+...+Ipj No
[0060]通過將Ip電流劃分成Ip，I至Ip，N，該技術(shù)可以確保電壓調(diào)節(jié)器10的輸出處的電壓過沖被進(jìn)一步最小化。例如，在一些其他技術(shù)中，處理使用多個(gè)Ip電流，這些其他技術(shù)利用通過In電流以推挽方式工作的單個(gè)Ip電流。然而，在這些其他技術(shù)中，后級(jí)晶體管的寄生電容可以在需要被輸送的電流量減少的情況下過慢地放電而產(chǎn)生過沖。
[0061]例如，電壓調(diào)節(jié)器10可以將電流輸送到多個(gè)負(fù)載。如果負(fù)載中的一個(gè)變得斷開連接(被稱為負(fù)載突降)，則電壓調(diào)節(jié)器10的輸出電壓可能突然激增。例如，假定電壓調(diào)節(jié)器10的輸出電壓是10V，并且電壓調(diào)節(jié)器10是并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)5個(gè)負(fù)載，每一個(gè)都具有I千歐的阻抗。在該示例中，每個(gè)負(fù)載被是1mA的下沉電流，這意味著電壓調(diào)節(jié)器10輸送50mA的電流。假設(shè)有5個(gè)負(fù)載中的3個(gè)變得斷開連接(S卩，存在三個(gè)負(fù)載的負(fù)載突降)。在該情況下，為了使輸出電壓在1V處保持恒定，電壓調(diào)節(jié)器10可能需要輸送20mA的電流。然而，電壓調(diào)節(jié)器10可能無法將輸送的電流從50mA立即調(diào)節(jié)為20mA。因此，在該示例中，50mA可以流動(dòng)通過其余兩個(gè)I千歐的負(fù)載(即，25mA通過每個(gè)I千歐負(fù)載)，使輸出電壓從1V達(dá)到至25V，并且在電壓調(diào)節(jié)器10的輸出電壓上產(chǎn)生過沖。
[0062]如果沒有以及時(shí)的方式對(duì)后級(jí)加到的晶體管的寄生電容進(jìn)行放電，則即使以圖1中所示的方式來劃分功率級(jí)14的晶體管，電壓調(diào)節(jié)器10的輸出電壓也可能過沖。例如，在僅使用一個(gè)Ip電流的其他技術(shù)中，對(duì)晶體管MN的寄生電容進(jìn)行放電所需要的時(shí)間基于電阻器Rl-R(N-1)的電阻的和乘以晶體管麗的寄生電容。
[0063]然而，在本公開中描述的技術(shù)中，對(duì)晶體管MN的電容進(jìn)行放電所需要的時(shí)間主要基于晶體管麗的寄生電容，這可以小于基于電阻器Rl-R(N-1)的電阻的和乘以晶體管麗的寄生電容的單個(gè)Ip電流技術(shù)的放電速率。晶體管MN的放電速率主要基于晶體管MN的寄生電容的原因是除了通過晶體管Rl-R(N-1)驅(qū)動(dòng)晶體管MN的柵極的其他電流源，還存在直接驅(qū)動(dòng)晶體管MN的柵極的電流源。以該方式，電流源Ip，I至Ip，N響應(yīng)于由電壓調(diào)節(jié)器10驅(qū)動(dòng)的一個(gè)或多個(gè)負(fù)載(例如，負(fù)載突降)的電阻中的減小而對(duì)后級(jí)晶體管(例如，晶體管MN)的寄生電容進(jìn)行及時(shí)放電。
[0064]例如，除了其他電流源之外，通過相應(yīng)的電阻器來由電流Ip，N直接驅(qū)動(dòng)晶體管MN。除了其他電流源之外，通過相應(yīng)的電阻器來由電流Ip，N-l直接驅(qū)動(dòng)最大晶體管(即，晶體管M(N-l))。以該方式，驅(qū)動(dòng)器12可以確保以及時(shí)的方式來使后級(jí)晶體管(例如，較大尺寸的晶體管)的寄生電容進(jìn)行放電以進(jìn)一步最小化電壓過沖。
[0065]以該方式，在本公開中描述的技術(shù)中，響應(yīng)于將電壓調(diào)節(jié)器10的輸出保持在恒定電壓電平所需要的電流量的改變，第一電流源(例如，Ip，D和第二電流源(例如，Ip，2)可以被配置為初始地僅對(duì)第一晶體管(例如，晶體管Ml)的寄生電容進(jìn)行充電或放電。例如，響應(yīng)于使電壓調(diào)節(jié)器10的輸出保持在恒定電壓電平所需要的電流量的改變，基于第一晶體管的寄生電容比第二晶體管的寄生電容更快地充電或放電，流動(dòng)通過第一晶體管(例如，晶體管Ml)的電流量比流動(dòng)通過第二晶體管(例如，晶體管M2)的電流量更快地改變。
[0066]在一些示例中，Ip電流可以是與相應(yīng)晶體管的尺寸成比例。例如，Ip, I與晶體管Ml的尺寸成比例。Ip，2與晶體管M2的尺寸成比例等。這意味著，如州大于1?，^1，其大于Ip，N-2等，其中Ip，2大于Ip, 1
[0067]例如，假設(shè)在功率級(jí)14存在兩個(gè)晶體管M(Ml和M2)。這意味著存在兩個(gè)電流源Ip (Ip, I 和 Ip, 2) ο 因此，Ip, I 加 Ip, 2 等于 In(即，Ip, 1+Ip, 2 = In)。而且，變量 Wpassl定義了晶體管Ml的尺寸，并且變量Wpass2定義了晶體管M2的尺寸。在一些示例中，Ip, I與 Ip, 2 的比率等于 Wpassl 與 Wpass2 的比率(即，Ip, 1/Ip, 2 = Wpassl/ffpass2)。因此，基于可用晶體管尺寸和選擇的In電流，能夠確定Ip, I和Ip, 2的值。
[0068]例如，假設(shè)Wpassl等于10000微米(um)，并且Wpass2等于20000um。在該示例中，在負(fù)載跳動(dòng)(即，在電壓調(diào)節(jié)器10的輸出處的負(fù)載突然增加)的情況下，驅(qū)動(dòng)器12可以初始地需要僅對(duì)旁通元件(即，功率級(jí)14)的柵極-源極電容(例如，寄生電容)的1/3進(jìn)行充電。結(jié)果，可以大大降低電壓下沖。
[0069]應(yīng)當(dāng)理解，僅存在兩個(gè)晶體管Ml和M2并且Ip, I與Ip, 2的比率等于Wpassl與Wpass2的比率的先前示例僅出于示例的目的來提供，并且不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是限制的。在其他示例中，可以存在多于兩個(gè)的晶體管Ml和M2，并且在每個(gè)示例中，Ip，I與Ip，2的比率不需要等于Wpassl與Wpass2的比率。而且，分別等于1000um和2000um的Wpassl和Wpass2的值僅出于