壓；所述比較器模塊獲取的電源域供電電壓為所述電源域的分壓電壓。
[0046] 優(yōu)選的，所述DVS負(fù)載電壓存儲(chǔ)器、所述DVS控制模塊和所述數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊集成在 所述芯片中。
[0047] 本發(fā)明的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整方法包括：
[0048] 獲取電源域的負(fù)載等級(jí)，根據(jù)電源域負(fù)載等級(jí)獲取對(duì)應(yīng)電壓值；
[0049] 對(duì)獲取的對(duì)應(yīng)電壓值進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，生成電源域的模擬參考電壓；
[0050] 將電源域的模擬參考電壓與電源域的供電電壓進(jìn)行比較，生成電源域的電壓差 值；
[0051] 根據(jù)電源域的電壓差值調(diào)整電源域的供電電壓。
[0052] 進(jìn)一步，所述獲取電源域的負(fù)載等級(jí)，根據(jù)電源域負(fù)載等級(jí)獲取對(duì)應(yīng)的電壓值包 括：
[0053] 獲取電源域的負(fù)載；根據(jù)電源域的負(fù)載獲取電源域負(fù)載等級(jí)；
[0054] 判斷是否有電源域的負(fù)載等級(jí)與該電源域當(dāng)前供電電壓不匹配，如果有，根據(jù)電 源域負(fù)載等級(jí)獲取對(duì)應(yīng)的電壓值。
[0055] 進(jìn)一步，所述電源域有多個(gè)，所述對(duì)獲取的對(duì)應(yīng)電壓值進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，生成電源域 的模擬參考電壓包括：
[0056] 并行或依次對(duì)所獲取的多個(gè)電源域的對(duì)應(yīng)電壓值進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，生成各電源域的 模擬參考電壓；
[0057] 所述將電源域的模擬參考電壓與電源域的供電電壓進(jìn)行比較，生成電源域的電壓 差值包括，并行或依次將各電源域的模擬參考電壓與該電源域的供電電壓進(jìn)行比較，生成 各電源域的電壓差值。
[0058] 進(jìn)一步，所述將電源域的模擬參考電壓與電源域的供電電壓進(jìn)行比較，獲取電源 域的電壓差值包括：
[0059] 對(duì)電源域供電電壓進(jìn)行分壓，獲得電源域的分壓電壓；
[0060] 將所述電源域的分壓電壓與該電源域的模擬參考電壓進(jìn)行比較，生成該電源域的 電壓差值；
[0061] 其中，所述分壓的分壓比與所述電源域供電電壓增益值匹配。
[0062] 本發(fā)明的DVS裝置和方法與現(xiàn)有技術(shù)的I2C控制方式相比，能加快動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整 的響應(yīng)時(shí)間，有效的提高了DVS控制效率，與GPI0控制方式相比，能減少控制所需的信號(hào) 線，從而減少芯片和PMIC之間的控制引腳，有利于減少芯片面積，降低芯片功耗。
【附圖說(shuō)明】
[0063] 圖1是DVSI2C控制方式結(jié)構(gòu)示意圖；
[0064] 圖2是DVSGPI0控制方式結(jié)構(gòu)示意圖；
[0065] 圖3是本發(fā)明DVS裝置第一種【具體實(shí)施方式】結(jié)構(gòu)示意圖；
[0066] 圖4是本發(fā)明DVS裝置的控制模塊優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方案結(jié)構(gòu)示意圖；
[0067]圖5是本發(fā)明DVS裝置的分壓模塊結(jié)構(gòu)示意圖；
[0068]圖6是本發(fā)明DVS裝置第二種【具體實(shí)施方式】結(jié)構(gòu)示意圖；
[0069] 圖7是本發(fā)明DVS裝置第三種【具體實(shí)施方式】結(jié)構(gòu)示意圖；
[0070] 圖8是本發(fā)明DVS裝置第四種【具體實(shí)施方式】結(jié)構(gòu)示意圖；
[0071] 圖9是本發(fā)明DVS裝置第五種【具體實(shí)施方式】結(jié)構(gòu)示意圖；
[0072] 圖10是本發(fā)明DVS方法流程圖；
[0073] 圖11是本發(fā)明DVS裝置一個(gè)具體實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；
【具體實(shí)施方式】
[0074] 為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附 圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本 發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi) 有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。 [0075] 以下分別進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0076] 本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)及上述附圖中的術(shù)語(yǔ)"第一"、"第二"、"第三"、"第 四"等是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用 的數(shù)據(jù)在適當(dāng)?shù)那闆r下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明實(shí)施例例如能夠以除了在這里圖 示或者描述的那些以外的順序?qū)嵤?br>[0077] 此外，術(shù)語(yǔ)"包括"和"具有"以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含， 例如，包含了一系列步驟或單元的過(guò)程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚的列出的那 些步驟或單元，而是可包括沒(méi)有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過(guò)程、方法、產(chǎn)品、或設(shè)備固有的 其他步驟或單元。
[0078] 參見(jiàn)圖3,圖3為本發(fā)明動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整裝置第一種【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖，所 述動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整裝置用于芯片電源域供電電壓的動(dòng)態(tài)調(diào)整控制，所述芯片至少包括一個(gè)電 源域。如圖3所示，本發(fā)明所提供的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整裝置的一個(gè)實(shí)施例可以包括：
[0079]DVS負(fù)載電壓存儲(chǔ)器101、DVS控制模塊102、數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊103、比較器模塊104。
[0080]DVS負(fù)載電壓存儲(chǔ)器101，存儲(chǔ)電源域各負(fù)載等級(jí)對(duì)應(yīng)的電壓值；
[0081] 其中，所述電源域的負(fù)載等級(jí)可以依據(jù)電源域的功耗情況定義，如，對(duì)第一電源 域，定義其負(fù)載等級(jí)1功耗級(jí)別為0~5mA，負(fù)載等級(jí)2功耗級(jí)別為5mA~20mA;對(duì)第二電 源域，定義其負(fù)載等級(jí)1功耗級(jí)別為〇~10mA，負(fù)載等級(jí)2功耗級(jí)別為10mA~40mA等；各 電源域的負(fù)載等級(jí)數(shù)量以及各負(fù)載等級(jí)對(duì)應(yīng)的功耗級(jí)別可根據(jù)不同的具體芯片預(yù)先設(shè)置。 [0082] 所述電源域的負(fù)載等級(jí)也可以依據(jù)芯片運(yùn)行場(chǎng)景來(lái)定義，如，定義第一場(chǎng)景下，第 一電源域的負(fù)載等級(jí)為負(fù)載等級(jí)1，第二電源域的負(fù)載等級(jí)為負(fù)載等級(jí)1，第二場(chǎng)景下，第 一電源域的負(fù)載等級(jí)為負(fù)載等級(jí)2,第二電源域的負(fù)載等級(jí)為負(fù)載等級(jí)2等。
[0083] 所述電源域的負(fù)載等級(jí)還可以根據(jù)芯片處理器的空閑率來(lái)定義，預(yù)先設(shè)置一個(gè)芯 片空閑率范圍，若處理器的空閑率超出預(yù)設(shè)的空閑率范圍；根據(jù)處理器的空閑率和各電源 域當(dāng)前供電電壓對(duì)應(yīng)的負(fù)載等級(jí)獲得各電源域的負(fù)載等級(jí)。處理器空閑率與各電源域負(fù)載 等級(jí)的對(duì)應(yīng)關(guān)系可根據(jù)芯片設(shè)計(jì)電氣特性參數(shù)和測(cè)試數(shù)據(jù)預(yù)先設(shè)置，本實(shí)施例對(duì)此不作具 體限制。
[0084] 需要說(shuō)明的是，各電源域可以采用相同的負(fù)載等級(jí)設(shè)置，也可以采用不同的負(fù)載 等級(jí)設(shè)置，本發(fā)明對(duì)此沒(méi)有限制。
[0085] 所述電源域各負(fù)載等級(jí)對(duì)應(yīng)的電壓值根據(jù)芯片設(shè)計(jì)電氣特性參數(shù)和測(cè)試數(shù)據(jù)預(yù) 先設(shè)置，作為初始化參數(shù)被存儲(chǔ)到DVS負(fù)載電壓存儲(chǔ)器101。
[0086] 此外，所述DVS負(fù)載電壓存儲(chǔ)器101可以使用任意一種具體的存儲(chǔ)設(shè)備，如，靜態(tài) 隨機(jī)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱，SRAM)或雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱，DDR)等，本發(fā)明對(duì)此不作 具體限制。
[0087]DVS控制模塊102,用于獲取電源域的負(fù)載等級(jí)，并根據(jù)所獲得的電源域的負(fù)載等 級(jí)從所述DVS負(fù)載電壓存儲(chǔ)器101獲取對(duì)應(yīng)的電壓值，發(fā)送給數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊103 ;
[0088] 本實(shí)施例裝置的DVS控制模塊102的一種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式如圖4所示，所述DVS控 制模塊102包括：
[0089] 供電電壓存儲(chǔ)單元401，用于存儲(chǔ)電源域當(dāng)前供電電壓；
[0090] 電源域負(fù)載獲取單元402,用于獲取電源域的負(fù)載情況，并根據(jù)所述電源域的負(fù)載 情況獲取電源域負(fù)載等級(jí)；
[0091] 判斷單元403,判斷是否有負(fù)載等級(jí)與當(dāng)前供電電壓不匹配的電源域，如果有，發(fā) 送觸發(fā)信息到DVS控制單元404 ;
[0092]DVS控制單元404,在所述判斷單元403的觸發(fā)下，根據(jù)獲取的電源域負(fù)載等級(jí)從 所述DVS負(fù)載電壓存儲(chǔ)器101獲取電源域負(fù)載等級(jí)對(duì)應(yīng)的電壓值發(fā)送到數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊103。
[0093] 數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊103,對(duì)DVS控制模塊102發(fā)送來(lái)的電壓值進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，生成電源 域模擬參考電壓輸出到比較器模塊104 ;
[0094] 比較器模塊104,從電源域?qū)?yīng)的BUCK獲取電源域供電電壓；比較所述電源域 模擬參考電壓和所述電源域供電電壓，生成所述電源域的電壓差值，發(fā)送給電源域?qū)?yīng)的 BUCK，由所述BUCK根據(jù)所述電壓差值調(diào)整電源域的供電電壓。
[0095] 本實(shí)施例中，所述DVS負(fù)載電壓存儲(chǔ)器101、DVS控制模塊102、數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊103 可以集成到所述芯片中；所示比較器模塊104可以集成到所述芯片，也可以集成到所述 PMIC中。
[0096