受電裝置1000中的受電線圈(二次線圈)Ls電磁耦合而形成電力傳送變壓器(transformer)來(lái)實(shí)現(xiàn)。由此，能夠非接觸地進(jìn)行電力傳送。
[0022]這樣，受電裝置1000從送電裝置受電通過(guò)無(wú)線供電而送電的電力，將得到的電流整流并輸出。
[0023]該受電裝置1000例如如圖1所示，具備受電部10ULD0型電壓調(diào)節(jié)器100和負(fù)載部 102。
[0024]受電部101具備受電線圈Ls、受電電容器Cs和整流裝置101a。
[0025]受電線圈Ls連接在第I受電端子ACl與第2受電端子AC2之間，與送電裝置的送電線圈電磁耦合。
[0026]受電電容器Cs在第I受電端子ACl與第2受電端子AC2之間，與受電線圈Ls串聯(lián)地連接。
[0027]整流裝置1la將第I受電端子ACl與第2受電端子AC2之間的電壓整流，向電源端子TVDD供給。
[0028]LDO型電壓調(diào)節(jié)器100將從電源端子TVDD的電壓生成的輸出電壓VOUT從輸出端子TOUT輸出。
[0029]負(fù)載電路LO被供給輸出電壓V0UT。該負(fù)載電路LO例如是將電池充電的充電電路或系統(tǒng)IC等。
[0030]這里，LDO型電壓調(diào)節(jié)器100例如如圖1所示，具備電源端子TVDD、輸出端子TOUT、輸出晶體管Ma、第I檢測(cè)晶體管Ml、第I控制晶體管Tl、第I放大電路AMPl、第2檢測(cè)晶體管M2、第2控制晶體管T2、第2放大電路AMP2、比較器COMP1、第3放大電路AMP3、電阻電路RC和模擬/數(shù)字變換電路10。
[0031]電源端子TVDD被從受電部101供給電源電壓PVDD。在電源端子TVDD與固定電位(這里是接地)之間配置有用來(lái)使電源電壓PVDD平滑化的電容器C。
[0032]輸出端子TOUT將輸出電壓VOUT輸出。
[0033]輸出晶體管Ma—端(源極)連接在電源端子TVDD上，另一端(漏極)連接在輸出端子TOUT上。
[0034]第I檢測(cè)晶體管Ml—端(源極)連接在電源端子TVDD上，柵極連接在輸出晶體管Ma的柵極上。該第I檢測(cè)晶體管Ml流過(guò)將在輸出晶體管Ma中流過(guò)的輸出電流1UT進(jìn)行了電流鏡的電流II。
[0035]另外，該第I檢測(cè)晶體管Ml的尺寸設(shè)定得比輸出晶體管Ma的尺寸小。
[0036]第I控制晶體管Tl 一端(源極)連接在第I檢測(cè)晶體管Ml的另一端(漏極)上。
[0037]第I放大電路AMPI控制第I控制晶體管TI的柵極電壓，以使輸出晶體管Ma的另一端(漏極)的電壓與第I檢測(cè)晶體管Ml的另一端(漏極)的電壓相等。
[0038]第2檢測(cè)晶體管M2—端(源極)連接在電源端子TVDD上，柵極連接在輸出晶體管Ma的柵極上。該第2檢測(cè)晶體管M2流過(guò)將在輸出晶體管Ma中流過(guò)的輸出電流1UT進(jìn)行了電流鏡的電流12。
[0039]另外，該第2檢測(cè)晶體管M2的尺寸設(shè)定得比輸出晶體管Ma的尺寸小。
[0040]第2控制晶體管T2—端(源極)連接在第2檢測(cè)晶體管M2的另一端(漏極)上。
[0041]第2放大電路AMP2控制第2控制晶體管T2的柵極電壓，以使輸出晶體管Ma的另一端(漏極)的電壓與第2檢測(cè)晶體管M2的另一端(漏極)的電壓相等。
[0042]第3放大電路AMP3控制輸出晶體管Ma的柵極電壓，以使第I基準(zhǔn)電壓VRl與輸出電壓VOUT相等。
[0043]比較器COMPl的非反轉(zhuǎn)輸入端子被輸入電源電壓PVDD,反轉(zhuǎn)輸入端子被輸入對(duì)輸出電壓VOUT加上第2基準(zhǔn)電壓(基準(zhǔn)值)VR2后的電壓。并且，比較器COMPl根據(jù)這些輸入，輸出比較結(jié)果信號(hào)Sc。
[0044]g卩，比較器COMPl將電源電壓PVDD和輸出電壓VOUT的電位差與基準(zhǔn)值比較，輸出基于其比較結(jié)果的比較結(jié)果信號(hào)Sc。
[0045]電阻電路RC根據(jù)比較結(jié)果信號(hào)Sc，例如成為將第I控制晶體管Tl的另一端(漏極)與固定電位之間的電阻值設(shè)定為第I電阻值的第I狀態(tài)(I)。
[0046]并且，電阻電路RC在上述第I狀態(tài)(I)下，將基于第I控制晶體管Tl的另一端(漏極)的電壓的檢測(cè)電壓Sd從輸出節(jié)點(diǎn)N輸出。
[0047]另外，電阻電路RC在比較結(jié)果信號(hào)Sc規(guī)定了該電位差是基準(zhǔn)值以上的情況下，被切換為已述的第I狀態(tài)(I)。
[0048]此外，電阻電路RC根據(jù)比較結(jié)果信號(hào)Sc，成為將第2控制晶體管T2的另一端(漏極)與固定電位之間的電阻值設(shè)定為第2電阻值的第2狀態(tài)(2)。
[0049]并且，電阻電路RC在上述第2狀態(tài)(2)下，將基于第2控制晶體管T2的另一端(漏極)的電壓的檢測(cè)電壓Sd從輸出節(jié)點(diǎn)N輸出。
[0050]另外，電阻電路RC在比較結(jié)果信號(hào)Sc規(guī)定了該電位差小于該基準(zhǔn)值的情況下，被切換為已述的第2狀態(tài)(2)。
[0051]這樣，電阻電路RC根據(jù)比較結(jié)果信號(hào)Sc而切換上述第I狀態(tài)(I)和第2狀態(tài)(2)。
[0052]另外，已述的固定電位例如是接地電位。
[0053]另外，已述的第I電阻值例如設(shè)定為，在已述的第I狀態(tài)⑴下，第I控制晶體管Tl的另一端(漏極)的電壓成為預(yù)先設(shè)定的目標(biāo)值。
[0054]此外，已述的第2電阻值例如設(shè)定為，在已述的第2狀態(tài)⑵下，第2控制晶體管T2的另一端(漏極)的電壓成為上述目標(biāo)值。
[0055]這里，電阻電路RC例如如圖1所示，具備第I可變電阻R1、第2可變電阻R2和開關(guān)電路SW。
[0056]第I可變電阻Rl —端連接在第I控制晶體管Tl的另一端(漏極)上，另一端連接在該固定電位上。該第I可變電阻Rl的電阻值被設(shè)定為已述的第I電阻值。
[0057]第2可變電阻R2 —端連接在第2控制晶體管T2的另一端(漏極)上，另一端連接在該固定電位上。該第2可變電阻R2的電阻值被設(shè)定為已述的第2電阻值。
[0058]此外，開關(guān)電路SW在已述的第I狀態(tài)(I)中，基于比較結(jié)果信號(hào)Sc，成為將第I控制晶體管Tl的另一端(漏極)與輸出節(jié)點(diǎn)N連接、并將第2控制晶體管T2的另一端(漏極)與輸出節(jié)點(diǎn)N之間切斷的狀態(tài)。
[0059]另一方面，開關(guān)電路SW在已述的第2狀態(tài)⑵中，基于比較結(jié)果信號(hào)Sc，成為將第I控制晶體管Tl的另一端(漏極)與輸出節(jié)點(diǎn)N切斷、并將第2控制晶體管T2的另一端(漏極)與輸出節(jié)點(diǎn)N之間連接的狀態(tài)。
[0060]這樣，開關(guān)電路SW基于比較結(jié)果信號(hào)Sc，切換將第I控制晶體管Tl的另一端(漏極)與輸出節(jié)點(diǎn)N連接并將第2控制晶體管T2的另一端(漏極)與輸出節(jié)點(diǎn)N之間切斷的第I狀態(tài)(I)、和將第I控制晶體管Tl的另一端(漏極)與輸出節(jié)點(diǎn)N切斷并將第2控制晶體管T2的另一端(漏極)與輸出節(jié)點(diǎn)N之間連接的第2狀態(tài)(2)。
[0061]S卩，電阻電路RC基于比較結(jié)果信號(hào)Sc來(lái)切換開關(guān)電路SW，從而將已述的第I狀態(tài)
(I)和第2狀態(tài)⑵切換。
[0062]由此，如后述那樣，根據(jù)電源電壓PVDD與輸出電壓VOUT的電位差，切換使用的第1、第2檢測(cè)晶體管Ml、M2，調(diào)整第1、第2控制晶體管Tl、T2及電阻電路RC。結(jié)果，即使電源電壓PVDD與輸出電壓VOUT之間的電壓差變化，也能夠使檢測(cè)精度提高。即，在根據(jù)電流值而使電源電壓PVDD的電壓值變更的無(wú)線供電的情況下，能夠在較大