過(guò)熱保護(hù)電路及穩(wěn)壓器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及過(guò)熱保護(hù)電路及具備過(guò)熱保護(hù)電路的穩(wěn)壓器。
【背景技術(shù)】
[0002]穩(wěn)壓器有在內(nèi)置的輸出晶體管中的電力損耗大、負(fù)載電流大的情況下因自己發(fā)熱而達(dá)到穩(wěn)壓器自身的破壞的情況。因此，設(shè)置在既定溫度以上的情況下停止對(duì)負(fù)載的電力供給的過(guò)熱保護(hù)電路。
[0003]圖4是設(shè)置在穩(wěn)壓器的、現(xiàn)有的過(guò)熱保護(hù)電路的電路圖?，F(xiàn)有的過(guò)熱保護(hù)電路具備:二極管61 ;電流源62、64 ;電阻2、3、63 ;比較器65 ；PMOS晶體管1、66 ;接地端子100 ;電源端子101 ;以及輸出端子102。雖然未圖示電阻2和電阻3的連接點(diǎn)的分壓電壓VfbJS是連接到穩(wěn)壓器的誤差放大電路，誤差放大電路根據(jù)基準(zhǔn)電壓Vref和分壓電壓Vfb控制輸出晶體管I。
[0004]流過(guò)二極管61的電流因電流源62而流動(dòng)恒定的電流。在使恒定電流流過(guò)二極管61時(shí)，二極管61的正向偏置溫度依賴性在硅的情況下約為一 2mV/°C。在電阻63與電流源64的連接點(diǎn)產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓Vref并向比較器65的同相輸入端子輸入。若將二極管61的陰極側(cè)的電壓設(shè)為Vf、將電源端子101的電壓設(shè)為VDD，則電壓Vf是從電源電壓VDD減去二極管61的正向偏置電壓的電壓，在通常狀態(tài)下為Vf < Vref，通過(guò)比較器65的輸出，使PMOS晶體管66截止，并且不進(jìn)行PMOS晶體管I的控制。
[0005]隨著IC的溫度上升，電壓Vf約以一 2mV/°C的比例變化，當(dāng)與基準(zhǔn)電壓Vref相等時(shí)，比較器65的輸出反轉(zhuǎn)，PMOS晶體管I截止。由此消除PMOS晶體管I的發(fā)熱，IC的溫度下降。而且當(dāng)電壓Vf小于基準(zhǔn)電壓Vref時(shí)比較器65的輸出再次反轉(zhuǎn)，PMOS晶體管I導(dǎo)通(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2002 - 108465號(hào)公報(bào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的課題
然而，在現(xiàn)有的過(guò)熱保護(hù)電路中存在這樣的課題:半導(dǎo)體的元件構(gòu)造上產(chǎn)生的泄漏電流的影響成為不能忽略的值，泄漏電流對(duì)生成過(guò)熱保護(hù)電路的基準(zhǔn)電壓的電流的溫度特性產(chǎn)生影響，在期望溫度下的檢測(cè)動(dòng)作的精度下降。
[0008]本發(fā)明鑒于上述課題而構(gòu)思，提供低消耗電流且無(wú)泄漏電流的影響、檢測(cè)精度良好的過(guò)熱保護(hù)電路及具備過(guò)熱保護(hù)電路的穩(wěn)壓器。
[0009]用于解決課題的方案
為了解決現(xiàn)有的課題，本發(fā)明的過(guò)熱保護(hù)電路及具備過(guò)熱保護(hù)電路的穩(wěn)壓器采用如下結(jié)構(gòu)。
[0010]具備:泄漏電流檢測(cè)電路，在高溫時(shí)檢測(cè)出泄漏電流流動(dòng)的情況；偏置電路，響應(yīng)所述泄漏電流檢測(cè)電路的輸出信號(hào)流動(dòng)偏置電流；以及溫度檢測(cè)電路，根據(jù)所述偏置電流進(jìn)行動(dòng)作。
[0011]發(fā)明效果
本發(fā)明的過(guò)熱保護(hù)電路及具備過(guò)熱保護(hù)電路的穩(wěn)壓器，在低溫時(shí)能以低消耗電流動(dòng)作，在高溫時(shí)不受泄漏電流的影響，且能夠進(jìn)行精度良好的溫度檢測(cè)。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是具備第一實(shí)施方式的過(guò)熱保護(hù)電路的穩(wěn)壓器的電路圖；
圖2是第一實(shí)施方式的過(guò)熱保護(hù)電路的電路圖；
圖3是第二實(shí)施方式的過(guò)熱保護(hù)電路的電路圖；
圖4是現(xiàn)有的過(guò)熱保護(hù)電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0014]<第一實(shí)施方式>
圖1是具備第一實(shí)施方式的過(guò)熱保護(hù)電路的穩(wěn)壓器的電路圖。具備第一實(shí)施方式的過(guò)熱保護(hù)電路的穩(wěn)壓器包括:過(guò)熱保護(hù)電路10 ;輸出晶體管I ;電阻2、3 ;誤差放大電路4 ;基準(zhǔn)電壓電路5 ;接地端子100 ;電源端子101 ;以及輸出端子102。過(guò)熱保護(hù)電路10具備電流源11、泄漏電流檢測(cè)電路20、溫度檢測(cè)電路30和輸出端子110。電流源11是使溫度檢測(cè)電路30的偏置電流流動(dòng)的偏置電路。
[0015]圖2是第一實(shí)施方式的過(guò)熱保護(hù)電路的電路圖。第一實(shí)施方式的過(guò)熱保護(hù)電路具備:PMOS 晶體管 21、42、36、38、40、66 ；NMOS 晶體管 23、24 ;電阻 22,63 ;反相器 31,32 ;開(kāi)關(guān)電路33、34、35、44 ;電流源43 ;二極管61 ;比較器65 ;以及輸出端子110。由PMOS晶體管21和NMOS晶體管23、24和電阻22構(gòu)成泄漏電流檢測(cè)電路20。由反相器31、32和開(kāi)關(guān)電路33、34、35、44和電流源43和PMOS晶體管42、36、38、40構(gòu)成電流源11。由電阻63和二極管61和比較器65和PMOS晶體管66構(gòu)成溫度檢測(cè)電路30。
[0016]對(duì)具備第一實(shí)施方式的過(guò)熱保護(hù)電路的穩(wěn)壓器的連接進(jìn)行說(shuō)明。誤差放大電路4的反相輸入端子與基準(zhǔn)電壓電路5連接，同相輸入端子與電阻2和3的連接點(diǎn)連接，輸出與過(guò)熱保護(hù)電路10的輸出端子110和PMOS晶體管I的柵極連接。電阻3的另一個(gè)端子與接地端子100連接，電阻2的另一個(gè)端子與輸出端子102和PMOS晶體管I的漏極連接，PMOS晶體管I的源極與電源端子101連接。
[0017]PMOS晶體管21的柵極和源極與電源端子101連接，漏極與NMOS晶體管23的柵極和漏極連接。NMOS晶體管23的源極與接地端子100連接。NMOS晶體管24的柵極與NMOS晶體管23的柵極連接，漏極經(jīng)由電阻22與電源端子101連接，源極與接地端子100連接。反相器32的輸入與NMOS晶體管24的漏極連接，輸出與反相器31的輸入連接。反相器31的輸出與開(kāi)關(guān)電路44、33、34、35連接并控制導(dǎo)通截止。開(kāi)關(guān)電路44的一個(gè)端子與電源端子101連接，另一個(gè)端子與PMOS晶體管42的源極連接。開(kāi)關(guān)電路33的一個(gè)端子與電源端子101連接，另一個(gè)端子與PMOS晶體管36的源極連接。開(kāi)關(guān)電路34的一個(gè)端子與電源端子101連接，另一個(gè)端子與PMOS晶體管38的源極連接。開(kāi)關(guān)電路35的一個(gè)端子與電源端子101連接，另一個(gè)端子與PMOS晶體管40的源極連接。PMOS晶體管42的柵極和漏極與電流源43的一個(gè)端子連接，電流源43的另一個(gè)端子與接地端子100連接。PMOS晶體管36的柵極與PMOS晶體管42的柵極連接，漏極與電阻63和比較器65的反相輸入端子連接。電阻63的另一個(gè)端子與接地端子100連接。PMOS晶體管38的柵極與PMOS晶體管42的柵極連接，漏極與二極管61的陽(yáng)極和比較器65的同相輸入端子連接。二極管61的陰極與接地端子100連接。PMOS晶體管40的柵極與PMOS晶體管42的柵極連接，漏極與比較器65連接。PMOS晶體管66的柵極與比較器65的輸出連接，漏極與輸出端子110連接，源極與電源端子101連接。
[0018]接著，對(duì)具備第一實(shí)施方式的過(guò)熱保護(hù)電路的穩(wěn)壓器的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。穩(wěn)壓器在高的溫度下動(dòng)作，或者因作為輸出晶體管動(dòng)作的PMOS晶體管I產(chǎn)生的熱而穩(wěn)壓器的溫度變高時(shí)，在PMOS晶體管21產(chǎn)生泄漏電流。該泄漏電流被由NMOS晶體管23和24構(gòu)成的電流鏡電路鏡像，使