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采樣延時(shí)調(diào)整方法及裝置的制造方法

文檔序號:9216453閱讀:592來源:國知局
采樣延時(shí)調(diào)整方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子信息設(shè)計(jì)技術(shù),尤其涉及一種采樣延時(shí)調(diào)整方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]Soc芯片的emmc控制器與emmc外設(shè)之間的通信速率越來越高。目前主流的接口時(shí)鐘已經(jīng)達(dá)到了 200Mhz。板級環(huán)境比如溫度、濕度會使得時(shí)鐘信號與數(shù)據(jù)信號之間相對相位發(fā)生變化,導(dǎo)致數(shù)據(jù)采樣出錯(cuò),那么就需要針對性的對采樣延時(shí)做調(diào)整。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)的方法是由驅(qū)動(dòng)軟件配置emmc控制器發(fā)送一個(gè)命令給emmc外設(shè),讓emmc外設(shè)回復(fù)一個(gè)特定序列的數(shù)據(jù)給emmc控制器。然后驅(qū)動(dòng)軟件從emmc控制器的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)讀取emmc控制器采樣到的數(shù)據(jù),與特定序列數(shù)據(jù)進(jìn)行對比,判斷是否一致。如果一致就調(diào)整完畢,如果不一致就繼續(xù)調(diào)整,在調(diào)整采樣延時(shí)過程中,系統(tǒng)無法訪問磁盤。這樣就會導(dǎo)致的問題是,如果是溫度濕度劇烈來回變動(dòng)的場景,那么就會導(dǎo)致需要不斷的調(diào)整采樣延時(shí),導(dǎo)致長時(shí)間無法使用磁盤的現(xiàn)象發(fā)生。
[0004]有鑒于此,有必要提供一種技術(shù)方案,以避免出現(xiàn)上述提到的溫濕度劇烈變化帶來的系統(tǒng)磁盤訪問卡頓的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為此,本發(fā)明實(shí)施例提供一種采樣延時(shí)調(diào)整方法及裝置,用以避免出現(xiàn)由于溫濕度劇烈變化帶來的系統(tǒng)磁盤訪問卡頓的現(xiàn)象。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]第一方面,提供一種采樣延時(shí)調(diào)整方法,包括:
[0008]檢測板級環(huán)境的當(dāng)前板級溫度和當(dāng)前板級濕度,并根據(jù)預(yù)設(shè)溫度延時(shí)關(guān)系和預(yù)設(shè)濕度延時(shí)關(guān)系,獲取對應(yīng)的第一延時(shí)和第二延時(shí);其中,所述預(yù)設(shè)溫度延時(shí)關(guān)系用于表示板級溫度區(qū)間與采樣延時(shí)的對應(yīng)關(guān)系,所述預(yù)設(shè)濕度延時(shí)關(guān)系用于表示板級濕度區(qū)間與采樣延時(shí)的對應(yīng)關(guān)系;
[0009]判斷第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)是否與上一次調(diào)整的延時(shí)一致;
[0010]若判定不一致,則觸發(fā)系統(tǒng)中斷,并將第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)設(shè)置為最新調(diào)整的延時(shí)。
[0011]在第一方面第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在所述檢測板級環(huán)境的當(dāng)前板級溫度和當(dāng)前板級濕度之前還包括:當(dāng)確定進(jìn)入延時(shí)調(diào)整模式時(shí),檢測板級環(huán)境的當(dāng)前板級溫度和當(dāng)前板級濕度。
[0012]在第一方面第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在所述當(dāng)確定進(jìn)入延時(shí)調(diào)整模式時(shí)之前還包括:當(dāng)確定進(jìn)入數(shù)據(jù)采樣出錯(cuò)時(shí),確定進(jìn)入延時(shí)調(diào)整模式。
[0013]在第一方面第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述預(yù)設(shè)溫度延時(shí)關(guān)系通過以下方式得到:
[0014]采集多個(gè)不同的溫度,檢測每個(gè)溫度對應(yīng)的采樣延時(shí);
[0015]根據(jù)所述多個(gè)不同的溫度及各溫度對應(yīng)的采樣延時(shí),得到溫度延時(shí)曲線。
[0016]在第一方面第四種可能的實(shí)現(xiàn)方法中,所述預(yù)設(shè)濕度延時(shí)關(guān)系通過以下方式得到:
[0017]采集多個(gè)不同的濕度,檢測每個(gè)濕度對應(yīng)的采樣延時(shí);
[0018]根據(jù)所述多個(gè)不同的濕度及各濕度對應(yīng)的采樣延時(shí),得到濕度延時(shí)曲線。
[0019]第二方面,提供一種采樣延時(shí)調(diào)整裝置,包括控制器、溫度傳感器、濕度傳感器、內(nèi)存、寄存器,所述溫度傳感器、濕度傳感器、內(nèi)存、寄存器均與控制器電氣連接,所述內(nèi)存用于存儲預(yù)設(shè)溫度延時(shí)關(guān)系和預(yù)設(shè)濕度延時(shí)關(guān)系;其中,所述預(yù)設(shè)溫度延時(shí)關(guān)系用于表示板級溫度區(qū)間與采樣延時(shí)的對應(yīng)關(guān)系,所述預(yù)設(shè)濕度延時(shí)關(guān)系用于表示板級濕度區(qū)間與采樣延時(shí)的對應(yīng)關(guān)系;
[0020]所述溫度傳感器,用于檢測板級環(huán)境的板級溫度;
[0021]所述濕度傳感器,用于檢測板級環(huán)境的板級濕度;
[0022]所述控制器,用于接收溫度傳感器傳送的當(dāng)前板級溫度和濕度傳感器傳送的當(dāng)前板級濕度,并根據(jù)內(nèi)存中預(yù)設(shè)溫度延時(shí)關(guān)系和預(yù)設(shè)濕度延時(shí)關(guān)系,獲取當(dāng)前板級溫度和當(dāng)前板級濕度對應(yīng)的第一延時(shí)和第二延時(shí);判斷第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)是否與上一次調(diào)整的延時(shí)一致;以及,若判定不一致,則控制所述寄存器觸發(fā)系統(tǒng)中斷,并將第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)設(shè)置為最新調(diào)整的延時(shí)。
[0023]在第二方面第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述控制器還用于:當(dāng)確定所述寄存器進(jìn)入延時(shí)調(diào)整模式時(shí),觸發(fā)所述溫度傳感器檢測板級環(huán)境的當(dāng)前板級溫度,并觸發(fā)所述濕度傳感器檢測板級環(huán)境的當(dāng)前板級濕度。
[0024]在第二方面第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,所述控制器還用于:當(dāng)確定進(jìn)入數(shù)據(jù)采樣出錯(cuò)時(shí),確定進(jìn)入延時(shí)調(diào)整模式。
[0025]在第二方面第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,還包括溫度延時(shí)生成模塊,用于采集多個(gè)不同的溫度,檢測每個(gè)溫度對應(yīng)的采樣延時(shí);并根據(jù)所述多個(gè)不同的溫度及各溫度對應(yīng)的采樣延時(shí),得到溫度延時(shí)曲線。
[0026]在第二方面第四種可能的實(shí)現(xiàn)方法中,還包括濕度延時(shí)生成模塊,用于采集多個(gè)不同的濕度,檢測每個(gè)濕度對應(yīng)的采樣延時(shí);并根據(jù)所述多個(gè)不同的濕度及各濕度對應(yīng)的采樣延時(shí),得到濕度延時(shí)曲線。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例通過在第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)與上一次調(diào)整的延時(shí)不一致時(shí),觸發(fā)系統(tǒng)中斷并將第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)設(shè)置為最新調(diào)整的延時(shí),即只在第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)與上一次調(diào)整的延時(shí)不一致時(shí)調(diào)整采樣延時(shí),從而實(shí)現(xiàn)了只進(jìn)行一次判斷即可實(shí)現(xiàn)采樣延時(shí)的調(diào)整,采樣延時(shí)調(diào)整的時(shí)間非常短暫,大大降低了磁盤的占用時(shí)間。相較于現(xiàn)有技術(shù),當(dāng)溫度濕度劇烈來回變動(dòng)時(shí),本實(shí)施例降低了長時(shí)間系統(tǒng)磁盤訪問的情況。
【附圖說明】
[0028]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一所適用的采樣延時(shí)調(diào)整方法一流程示意圖;
[0029]圖2為本發(fā)明實(shí)施例二所適用的采樣延時(shí)調(diào)整方法一流程示意圖;
[0030]圖3為本發(fā)明實(shí)施例三所適用的采樣延時(shí)調(diào)整方法一流程示意圖;
[0031]圖4為本發(fā)明實(shí)施例四所適用的采樣延時(shí)調(diào)整裝置一結(jié)構(gòu)模塊圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]為詳細(xì)說明技術(shù)方案的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果,以下結(jié)合具體實(shí)施例并配合附圖詳予說明。
[0033]在本發(fā)明實(shí)施列中,所述板極環(huán)境指的是電路板的環(huán)境。
[0034]實(shí)施例一
[0035]請參閱圖1,提供一種采樣延時(shí)調(diào)整方法,可以包括:
[0036]102、檢測板級環(huán)境的當(dāng)前板級溫度和當(dāng)前板級濕度,并根據(jù)預(yù)設(shè)溫度延時(shí)關(guān)系和預(yù)設(shè)濕度延時(shí)關(guān)系,獲取對應(yīng)的第一延時(shí)和第二延時(shí);其中,所述預(yù)設(shè)溫度延時(shí)關(guān)系用于表示板級溫度區(qū)間與采樣延時(shí)的對應(yīng)關(guān)系,所述預(yù)設(shè)濕度延時(shí)關(guān)系用于表示板級濕度區(qū)間與采樣延時(shí)的對應(yīng)關(guān)系;
[0037]104、判斷第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)是否與上一次調(diào)整的延時(shí)一致;
[0038]106、若判定不一致,則觸發(fā)系統(tǒng)中斷,并將第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)設(shè)置為最新調(diào)整的延時(shí)。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例通過在第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)與上一次調(diào)整的延時(shí)不一致時(shí),觸發(fā)系統(tǒng)中斷并將第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)設(shè)置為最新調(diào)整的延時(shí),即只在第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)與上一次調(diào)整的延時(shí)不一致時(shí)調(diào)整采樣延時(shí),從而實(shí)現(xiàn)了只進(jìn)行一次判斷即可實(shí)現(xiàn)采樣延時(shí)的調(diào)整,采樣延時(shí)調(diào)整的時(shí)間非常短暫,大大降低了磁盤的占用時(shí)間。相較于現(xiàn)有技術(shù),當(dāng)溫度濕度劇烈來回變動(dòng)時(shí),本實(shí)施例降低了長時(shí)間系統(tǒng)磁盤訪問的情況。
[0040]進(jìn)一步的,若現(xiàn)有技術(shù)中溫度濕度變化的幅度較大,那么所需調(diào)整的采樣延時(shí)就比較大,需要多次的發(fā)送命令以及讀取數(shù)據(jù)來進(jìn)行判斷才能調(diào)整到位。本實(shí)施例無論溫度濕度變化的幅度是否較大,均只需要一次判斷即可實(shí)現(xiàn)采樣延時(shí)的調(diào)整,無需多次調(diào)整。
[0041]另外,由于預(yù)設(shè)溫度延時(shí)關(guān)系表示的是板級溫度區(qū)間與采樣延時(shí)的對應(yīng)關(guān)系,也就說明,在某一板級溫度區(qū)間的多個(gè)板級溫度對應(yīng)的是一個(gè)采樣延時(shí),當(dāng)當(dāng)前板級溫度與上一板級溫度屬于同一板級溫度區(qū)間時(shí),并不會進(jìn)行采樣延時(shí)的調(diào)整,故若前后板級溫度相差不大時(shí)一般不會進(jìn)行采樣延時(shí)的調(diào)整。相較于現(xiàn)有技術(shù),當(dāng)溫度濕度劇烈來回變動(dòng)時(shí),本實(shí)施例減少了采樣延時(shí)的調(diào)整次數(shù),節(jié)省了電力及系統(tǒng)成本。
[0042]應(yīng)當(dāng)理解的是,若判定第一延時(shí)和第二延時(shí)之間較小的延時(shí)是與上一次調(diào)整的延時(shí)一致,則表明該采樣延時(shí)對于當(dāng)前板級環(huán)境來說無需調(diào)整。此時(shí)返回步驟102,并繼續(xù)執(zhí)行后面的步驟104和106。由于此時(shí)并不會進(jìn)行采樣延時(shí)的調(diào)整,故不會造成磁盤的占用。
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