NPN三極管導(dǎo)通并向第一組電容充電以增大PMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓使PMOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，從而建立正電源輸出電壓；電源開關(guān)控制信號同時控制第二 NPN三極管導(dǎo)通，在建立的正電源電壓達到開啟負電源閾值時，PNP三極管導(dǎo)通并向第二組電容充電以增大NMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓使NMOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，從而建立負電源輸出電壓；關(guān)斷供電時，電源開關(guān)控制信號使第二 NPN三極管截止進而PNP三極管截止，第二組電容組放電以降低NMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓使NMOS場效應(yīng)管關(guān)斷，負電源輸出電壓逐漸回升至零；電源開關(guān)控制信號同時控制第一 NPN三極管保持導(dǎo)通進而PMOS場效應(yīng)管保持導(dǎo)通以維持正電源輸出電壓，在負電源輸出電壓逐漸回升至零時第一 NPN三極管截止，第一組電容放電以降低PMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓使PMOS場效應(yīng)管關(guān)斷，正電源輸出電壓逐漸歸零。
[0037]本發(fā)明該方法在開通供電時，利用第一組電容的密勒效應(yīng)控制PMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓逐漸增大，使PMOS場效應(yīng)管緩慢導(dǎo)通；利用第二組電容的密勒效應(yīng)控制NMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓逐漸增大，使NMOS場效應(yīng)管緩慢導(dǎo)通。通過場效應(yīng)管的柵極電壓緩慢變化，使場效應(yīng)管緩慢導(dǎo)通，限制對容性負載的充電電流，避免形成開通供電瞬間的大電流沖擊。
[0038]該方法通過分離的硬件元件同時檢測電源開關(guān)控制信號及正電源輸出電壓、負電源輸出電壓，實現(xiàn)在正、負電源開通供電及關(guān)斷供電時序的準(zhǔn)確控制。其原理如圖3所示，當(dāng)通過MCU控制電源開關(guān)控制信號電平為邏輯“I”電平(3.3V)時，或者一6V供電電源輸出電壓有效(輸出一6V)時，緩啟動，電路邏輯控制+6V供電電源供電電子開關(guān)開通；通過MCU控制電源開關(guān)控制信號電平為邏輯“I”電平時，且+6V供電電源輸出電壓有效(輸出+6V)時，緩啟動，電路邏輯控制一6V供電電源供電電子開關(guān)開通。當(dāng)通過MCU控制電源開關(guān)控制信號電平為邏輯“O”電平(OV)時，電路邏輯控制一6V供電電源供電電子開關(guān)關(guān)斷；當(dāng)通過MCU控制電源開關(guān)控制信號電平為邏輯“O”電平時，且一6V供電電源輸出電壓無效(輸出0V)時，電路邏輯控制+6V供電電源供電電子開關(guān)關(guān)斷。
[0039]應(yīng)當(dāng)指出，以上所述【具體實施方式】可以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更全面地理解本發(fā)明創(chuàng)造，但不以任何方式限制本發(fā)明創(chuàng)造。因此，盡管本說明書參照附圖和實施例對本發(fā)明創(chuàng)造已進行了詳細的說明，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，仍然可以對本發(fā)明創(chuàng)造進行修改或者等同替換，總之，一切不脫離本發(fā)明創(chuàng)造的精神和范圍的技術(shù)方案及其改進，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明創(chuàng)造專利的保護范圍當(dāng)中。
【主權(quán)項】
1.一種雙電源供電及斷電時序控制裝置，其特征在于，包括PMOS場效應(yīng)管、NMOS場效應(yīng)管、第一 NPN三極管、第二 NPN三極管、PNP三極管、第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容、第三電容和第四電容， 所述PMOS場效應(yīng)管為正電源的控制主開關(guān)，PMOS場效應(yīng)管的源極連接正電源，柵極連接第一 NPN三極管的集電極，漏極連接正電源輸出；所述NMOS場效應(yīng)管為負電源的控制主開關(guān)，NMOS場效應(yīng)管的源極連接負電源，柵極連接PNP三極管的集電極，漏極連接負電源輸出；所述第一 NPN三極管的基極連接電源開關(guān)控制信號線，發(fā)射極接地；所述PNP三極管的基極與第二 NPN三極管的集電極相連，PNP三極管的發(fā)射極同時連接第一電阻的一端和第二電阻的一端，所述第一電阻的另一端接地，所述第二電阻的另一端接正電源輸出；所述第二 NPN三極管的基極連接電源開關(guān)控制信號線，發(fā)射極接地； 所述第一電容設(shè)置于PMOS場效應(yīng)管的源極和柵極之間，所述第二電容設(shè)置于PMOS場效應(yīng)管的柵極和漏極之間，所述第三電容設(shè)置于NMOS場效應(yīng)管的源極和柵極之間，所述第四電容設(shè)置于NMOS場效應(yīng)管的柵極和漏極之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電源供電及斷電時序控制裝置，其特征在于，還包括第三電阻，所述第三電阻與第一電容并聯(lián)設(shè)置于PMOS場效應(yīng)管的源極和柵極之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙電源供電及斷電時序控制裝置，其特征在于，還包括第四電阻和第五電阻，所述第一 NPN三極管的基極通過第四電阻連接電源開關(guān)控制信號線，所述第一 NPN三極管的基極還連接第五電阻的一端，所述第五電阻的另一端接地。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙電源供電及斷電時序控制裝置，其特征在于，還包括第六電阻和第七電阻，所述第一 NPN三極管的發(fā)射極連接第六電阻后再接地，所述第一 NPN三極管的發(fā)射極還連接第七電阻的一端，所述第七電阻的另一端連接負電源輸出。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙電源供電及斷電時序控制裝置，其特征在于，還包括第八電阻，所述第八電阻與第三電容并聯(lián)于NMOS場效應(yīng)管的源極和柵極之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙電源供電及斷電時序控制裝置，其特征在于，還包括第九電阻，所述第二 NPN三極管的基極通過第九電阻連接電源開關(guān)控制信號線。7.一種雙電源供電及斷電時序控制方法，其特征在于，采用PMOS場效應(yīng)管為正電源的控制主開關(guān)，利用第一NPN三極管和第一組電容控制PMOS場效應(yīng)管的柵極以及控制正電源的開通與斷開；采用NMOS場效應(yīng)管為負電源的控制主開關(guān)，利用PNP三極管和第二組電容控制NMOS場效應(yīng)管的柵極以及控制負電源開通與斷開，在電源開關(guān)控制信號與PNP三極管之間采用第二 NPN三極管； 開通供電時，電源開關(guān)控制信號使第一 NPN三極管導(dǎo)通并向第一組電容充電以增大PMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓使PMOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，從而建立正電源輸出電壓；電源開關(guān)控制信號同時控制第二 NPN三極管導(dǎo)通，在建立的正電源電壓達到開啟負電源閾值時，PNP三極管導(dǎo)通并向第二組電容充電以增大NMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓使NMOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，從而建立負電源輸出電壓； 關(guān)斷供電時，電源開關(guān)控制信號使第二 NPN三極管截止進而PNP三極管截止，第二組電容組放電以降低NMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓使NMOS場效應(yīng)管關(guān)斷，負電源輸出電壓逐漸回升至零；電源開關(guān)控制信號同時控制第一 NPN三極管保持導(dǎo)通進而PMOS場效應(yīng)管保持導(dǎo)通以維持正電源輸出電壓，在負電源輸出電壓逐漸回升至零時第一 NPN三極管截止，第一組電容放電以降低PMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓使PMOS場效應(yīng)管關(guān)斷，正電源輸出電壓逐漸歸零。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙電源供電及斷電時序控制方法，其特征在于，利用第一NPN三極管和第一組電容與第一組電阻配合工作以控制PMOS場效應(yīng)管的柵極以及控制正電源的開通與斷開，并限制正電源開通瞬間的電流沖擊；利用PNP三極管和第二組電容與第二組電容配合工作以控制NMOS場效應(yīng)管的柵極以及控制負電源開通與斷開，并限制負電源開通瞬間的電流沖擊。9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的雙電源供電及斷電時序控制方法，其特征在于，開通供電時，利用第一組電容的密勒效應(yīng)控制PMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓逐漸增大，使PMOS場效應(yīng)管緩慢導(dǎo)通；利用第二組電容的密勒效應(yīng)控制NMOS場效應(yīng)管的源一柵電壓逐漸增大，使NMOS場效應(yīng)管緩慢導(dǎo)通。10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的雙電源供電及斷電時序控制方法，其特征在于，通過MCU控制電源開關(guān)控制信號電平為邏輯I或者負電源輸出電壓有效時，開通正電源供電電子開關(guān)；通過MCU控制電源開關(guān)控制信號電平為邏輯I且正電源輸出電壓有效時，開通負電源供電電子開關(guān)；通過MCU控制電源開關(guān)控制信號電平為邏輯O時關(guān)斷負電源供電電子開關(guān)；通過MCU控制電源開關(guān)控制信號電平為邏輯O且負電源輸出電壓無效時，關(guān)斷正電源供電電子開關(guān)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及雙電源供電及斷電時序控制裝置和方法，該裝置包括PMOS場效應(yīng)管、NMOS場效應(yīng)管、第一NPN三極管、第二NPN三極管、PNP三極管、第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容、第三電容和第四電容，各硬件元件具有特定連接關(guān)系，通過PMOS場效應(yīng)管和NMOS場效應(yīng)管等硬件元件邏輯控制正負電源接通時序及關(guān)斷時序，該裝置避免正、負電源供電及斷電時序錯誤，保證設(shè)備正常工作。
【IPC分類】G05B19/04
【公開號】CN105182833
【申請?zhí)枴緾N201510660897
【發(fā)明人】鄒勇軍, 韓雷
【申請人】基康儀器股份有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年10月14日