或PLC系統(tǒng)的RTD卡件與模擬熱電阻輸出系統(tǒng)通過2線、或3 線、或4線端子進行連接，即可得到熱電阻值并進一步換算為溫度值。當需要校準RTD卡件 時，將所述上位機的信號指令置為校準所需數(shù)值即可；當需要涵蓋RTD卡件的全激勵仿真 時，需所述上位機將溫度變化曲線進行連續(xù)輸出即可。
[0056] 下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的實施例三進行說明。
[0057] 本發(fā)明實施例提供了一種模擬熱電阻輸出卡件，該卡件的結(jié)構(gòu)如圖3所示，包括 如圖1所示的模擬熱電阻輸出裝置和上位機；
[0058] 所述上位機向所述模擬熱電阻輸出裝置的ARM MCU下發(fā)自校準指令，配合外部6 位半高精度萬用表完成所述模擬熱電阻輸出裝置自校準。
[0059] 所述上位機還可指示所述自校準信息寫入ARM MCU內(nèi)置的FLASH，或從該FLASH中 讀取信息上報至所述上位機。
[0060] 優(yōu)選的，所述ARM MCU內(nèi)置的FLASH接受并存儲所述上位機寫入的校準系數(shù)信息；
[0061] 所述上位機向所述ARM MCU發(fā)送指示該ARM MCU從所述內(nèi)置FLASH中讀取校準系 數(shù)信息的通信指令。
[0062] 本發(fā)明將原有RTD卡件的校準方式從電阻箱的機械式改為R04卡件的通訊式。
[0063] 經(jīng)過校準的模擬熱電阻輸出卡件可以在熱電阻量程內(nèi)均保證0. 05%的精度，有效 提升了對RTD卡件的校準精度。模擬熱電阻輸出卡件本身可以方便的采用6位半高精度萬 用表進行校準，并將校準系數(shù)存入所述ARM MCU內(nèi)置的FLASH。
[0064] RTD卡件接收電阻箱信號時是固定的電阻值，而模擬熱電阻輸出卡件可以提供連 續(xù)的溫度（或電阻值）的變化曲線輸出，可以實現(xiàn)涵蓋RTD卡件的全激勵仿真功能。
[0065] 電阻箱同時只能測RTD卡件的一路通道，而一套模擬熱電阻輸出卡件可同時對 RTD卡件的四路通道進行校準（可以是不同的RTD卡件），而一套模擬熱電阻輸出系統(tǒng)體積 僅為ZX67電阻箱體積的四分之一左右，節(jié)省的體積與重量非?？捎^。
[0066] 本發(fā)明的實施例提供了一種模擬熱電阻輸出裝置和模擬熱電阻輸出卡件，該裝置 包括多路彼此獨立的模擬熱電阻通道；每一路模擬熱電阻通道包括一顆DA芯片、兩顆運放 芯片、參考電阻和端子，所述DA芯片通過所述運放芯片連接至所述端子，所述參考電阻連 接至其中一顆運放芯片；該卡件包括上述裝置和上位機。實現(xiàn)了高精度的校準，解決了現(xiàn)有 校準方法的精度問題。
[0067] 經(jīng)過校準的R04卡件可以在熱電阻量程內(nèi)均保證0. 05%的精度，有效提升了對 RTD卡件的校準精度。
[0068] 將原有RTD卡件的校準方式從電阻箱的機械式改為R04卡件的通訊式。
[0069] R04卡件本身可以方便的以6位半高精度萬用表進行校準，并將校準系數(shù)存入內(nèi) 置的FLASH存儲器。
[0070] RTD卡件接收電阻箱信號時是固定的電阻值，而R04卡件可以提供連續(xù)的溫度（或 電阻值）的變化曲線輸出，可以實現(xiàn)現(xiàn)場溫度測點的變化曲線的全激勵仿真。
[0071] 電阻箱同時只能測RTD卡件的一路通道，而一塊R04卡件可同時對RTD卡件的四 路通道進行校準（可以是不同的RTD卡件），而一塊R04卡件體積僅為ZX67電阻箱體積的 四分之一左右，節(jié)省的體積與重量非?？捎^。
[0072] 本發(fā)明的實施例提供的技術(shù)方案采用高標準設(shè)計，保證EMC抗干擾性能滿足3級 要求。
[0073] 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述實施例的全部或部分步驟可以使用計算機程 序流程來實現(xiàn)，所述計算機程序可以存儲于一計算機可讀存儲介質(zhì)中，所述計算機程序在 相應(yīng)的硬件平臺上（如系統(tǒng)、設(shè)備、裝置、器件等）執(zhí)行，在執(zhí)行時，包括方法實施例的步驟 之一或其組合。
[0074] 可選地，上述實施例的全部或部分步驟也可以使用集成電路來實現(xiàn)，這些步驟可 以被分別制作成一個個集成電路模塊，或者將它們中的多個模塊或步驟制作成單個集成電 路模塊來實現(xiàn)。這樣，本發(fā)明不限制于任何特定的硬件和軟件結(jié)合。
[0075] 上述實施例中的各裝置/功能模塊/功能單元可以采用通用的計算裝置來實現(xiàn)， 它們可以集中在單個的計算裝置上，也可以分布在多個計算裝置所組成的網(wǎng)絡(luò)上。
[0076] 上述實施例中的各裝置/功能模塊/功能單元以軟件功能模塊的形式實現(xiàn)并作為 獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質(zhì)中。上述提到的計算機 可讀取存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。
[0077] 任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或 替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求所述的保 護范圍為準。
【主權(quán)項】
1. 一種模擬熱電阻輸出裝置，其特征在于，包括多路彼此獨立的模擬熱電阻通道； 每一路模擬熱電阻通道包括一顆磁隔離芯片，一顆數(shù)字/模擬（DA)芯片、一顆多通道 集成運放芯片、信號調(diào)理電阻網(wǎng)絡(luò)、參考電阻和端子，所述磁隔離芯片與所述DA芯片相連， 所述DA芯片通過所述多通道集成運放芯片連接至所述端子，所述多通道集成運放芯片與 所述參考電阻、信號調(diào)理電阻網(wǎng)絡(luò)連接。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬熱電阻輸出裝置，其特征在于，該裝置包括4路彼此獨立 的模擬熱電阻通道，所述多通道集成運放芯片具體為四通道集成運放芯片。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬熱電阻輸出裝置，其特征在于，該裝置還包括高級精簡 指令集機器（ARM)微控制單元（MCU)和連接于該ARMMCU的磁隔離器件； 所述多路彼此獨立的模擬熱電阻通道的DA芯片通過SPI總線連接至所述隔離器件，進 而與所述ARMMCU連接； 所述ARMMCU自外部接收校準系數(shù)信息，并將所述校準系數(shù)信息存儲在內(nèi)置于ARMMCU的FLASH中，外部模擬熱電阻指令經(jīng)由所述SPI總線分送至各路模擬熱電阻通道，通過端子 輸出。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻測量卡件校準裝置，其特征在于，所述端子為支持2線或 3線或4線輸出的端子。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的模擬熱電阻輸出裝置，其特征在于，該裝置的工作電壓為 24V。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種模擬熱電阻輸出裝置。涉及電子電路領(lǐng)域；解決了現(xiàn)有校準方法的精度問題。該裝置包括：多路彼此獨立的模擬熱電阻通道；每一路模擬熱電阻通道包括一顆磁隔離芯片，一顆數(shù)字/模擬(DA)芯片、一顆多通道集成運放芯片、信號調(diào)理電阻網(wǎng)絡(luò)、參考電阻和端子，所述磁隔離芯片與所述DA芯片相連，所述DA芯片通過所述多通道集成運放芯片連接至所述端子，所述多通道集成運放芯片與所述參考電阻、信號調(diào)理電阻網(wǎng)絡(luò)連接。本發(fā)明提供的技術(shù)方案適用于工業(yè)控制系統(tǒng)，實現(xiàn)了高精度的校準。
【IPC分類】G01K7/16, G05B19/042
【公開號】CN105320021
【申請?zhí)枴緾N201410371556
【發(fā)明人】麻貴峰, 田雨聰, 王軍, 丁娟, 李文, 張佩, 曾凡斐, 孫廣東, 張立然, 謝漢華
【申請人】北京國電智深控制技術(shù)有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2014年7月30日