一種芯片核電壓調(diào)節(jié)方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及移動(dòng)通訊領(lǐng)域，特別是涉及一種芯片核電壓調(diào)節(jié)方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前通訊領(lǐng)域各類終端的主芯片的處理能力越來越強(qiáng)，隨之功耗也越來越大，目 前基本都是通過把核電壓降低來進(jìn)一步降低整個(gè)芯片的功耗，目前芯片出廠時(shí)基本都是配 置一個(gè)固定的核電壓，不論周圍環(huán)境的溫度如何變化，芯片的核電壓都是固定不變的，一般 的該核電壓都留有一定的余量，以保證芯片在低溫的情況下能夠正常工作，然而，在芯片處 于不同的溫度條件下，芯片對(duì)核電壓的要求是不同的，在低溫時(shí)要求比較高的核電壓，在高 溫時(shí)要求比較低的核電壓，這樣當(dāng)芯片處于高溫或常溫狀態(tài)時(shí)，其核電壓均為冗余狀態(tài)，導(dǎo) 致了在芯片的功耗較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 針對(duì)相關(guān)技術(shù)中終端的主芯片功耗較大的問題，本發(fā)明提供了一種芯片核電壓調(diào) 節(jié)方法及裝置，用以解決上述技術(shù)問題。
[0004] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種芯片核電壓控制方法，包括：獲取芯片的溫度 數(shù)據(jù)；根據(jù)溫度數(shù)據(jù)調(diào)整芯片的核電壓，以減少在當(dāng)前溫度環(huán)境下核電壓的冗余量。
[0005] 其中，獲取芯片的溫度數(shù)據(jù)，包括：以預(yù)設(shè)的時(shí)間間隔獲取芯片的結(jié)溫，或，讀取位 于芯片附近的溫度傳感器中的溫度數(shù)據(jù)。
[0006] 其中，根據(jù)溫度數(shù)據(jù)調(diào)整芯片的核電壓，包括：根據(jù)預(yù)先設(shè)置的溫度的數(shù)值范圍與 芯片的核電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定與溫度數(shù)據(jù)所屬的數(shù)值范圍對(duì)應(yīng)的目標(biāo)電壓；將芯片的核 電壓調(diào)整至目標(biāo)電壓。
[0007] 其中，根據(jù)溫度數(shù)據(jù)調(diào)整芯片的核電壓，包括：根據(jù)預(yù)先設(shè)置的溫度數(shù)值范圍與芯 片的核電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定與溫度數(shù)據(jù)所屬的數(shù)值范圍對(duì)應(yīng)的目標(biāo)電壓；控制電源輸出 目標(biāo)電壓給芯片，以調(diào)整芯片的核電壓。
[0008] 其中，根據(jù)溫度數(shù)據(jù)調(diào)整芯片的核電壓，包括：將溫度數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)溫度值進(jìn)行比 較，在溫度數(shù)據(jù)表明芯片當(dāng)前溫度高于預(yù)設(shè)溫度值的情況下，降低芯片的核電壓，在溫度數(shù) 據(jù)表明芯片當(dāng)前的溫度低于預(yù)設(shè)溫度值的情況下，升高芯片的核電壓。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種芯片核電壓控制裝置，包括：獲取模塊，用 于獲取芯片的溫度數(shù)據(jù)；調(diào)整模塊，用于根據(jù)溫度數(shù)據(jù)調(diào)整芯片的核電壓，以減少在當(dāng)前溫 度環(huán)境下核電壓的冗余量。
[0010] 其中，獲取模塊，用于：以預(yù)設(shè)的時(shí)間間隔獲取芯片的結(jié)溫，或，讀取位于芯片附近 的溫度傳感器中的溫度數(shù)據(jù)。
[0011] 其中，調(diào)整模塊，包括：第一確定模塊，用于根據(jù)預(yù)先設(shè)置的溫度的數(shù)值范圍與芯 片的核電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定與溫度數(shù)據(jù)所屬的數(shù)值范圍對(duì)應(yīng)的目標(biāo)電壓；調(diào)整模塊，用于 將芯片的核電壓調(diào)整至目標(biāo)電壓。
[0012] 其中，調(diào)整模塊，包括：第二確定模塊，用于根據(jù)預(yù)先設(shè)置的溫度數(shù)值范圍與芯片 的核電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定與溫度數(shù)據(jù)所屬的數(shù)值范圍對(duì)應(yīng)的目標(biāo)電壓；控制模塊，用于控 制電源輸出目標(biāo)電壓給芯片，以調(diào)整芯片的核電壓。
[0013] 其中，調(diào)整模塊，用于：將溫度數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)溫度值進(jìn)行比較，在溫度數(shù)據(jù)表明芯片 當(dāng)前溫度高于預(yù)設(shè)溫度值的情況下，降低芯片的核電壓，在溫度數(shù)據(jù)表明芯片當(dāng)前的溫度 低于預(yù)設(shè)溫度值的情況下，升高芯片的核電壓。
[0014] 本發(fā)明實(shí)施例的方案，根據(jù)獲取到的芯片的溫度來調(diào)整芯片的核電壓，使得芯片 的核電壓能夠根據(jù)其自身的溫度進(jìn)行合理調(diào)節(jié)，避免了固定不變的核電壓導(dǎo)致芯片在常溫 以及高溫狀態(tài)使用時(shí)，功耗過大的問題，減小了芯片使用過程中的功耗。
[0015] 上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂，以下特舉本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】。
【附圖說明】
[0016] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例的芯片核電壓控制的流程圖；
[0017] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例的終端芯片核電壓調(diào)節(jié)的工作原理圖；
[0018] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選的終端芯片核電壓調(diào)節(jié)方法的流程圖；
[0019] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例的芯片核電壓控制裝置的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)終端的主芯片功耗較大的問題，本發(fā)明提供了一種芯片核電壓 控制方法及裝置，以下結(jié)合附圖以及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此 處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不限定本發(fā)明。
[0021 ] 本實(shí)施例提供了一種芯片核電壓控制方法，該方法可以在終端的主芯片中實(shí)現(xiàn)， 也可以在終端的CPU(Central Processing Unit，中央處理器）中實(shí)現(xiàn)，圖1是本發(fā)明實(shí)施 例的芯片核電壓控制的流程圖，如圖1所示，該方法包括以下步驟（步驟101-步驟102):
[0022] 步驟101 :獲取芯片的溫度數(shù)據(jù)；
[0023] 在該步驟101中，獲取芯片的溫度數(shù)據(jù)具體可以為：針對(duì)支持結(jié)溫讀取的芯片，直 接獲取芯片的結(jié)溫，或者，對(duì)于不支持結(jié)溫獲取的芯片，可以讀取芯片的溫度傳感器中的溫 度數(shù)據(jù)，此處，芯片的溫度傳感器指，安裝在芯片旁能夠獲取芯片溫度數(shù)據(jù)的溫度傳感器。 芯片在工作狀態(tài)下，其溫度會(huì)發(fā)生變化，所以在該步驟中，還可以以預(yù)設(shè)的時(shí)間間隔來獲取 芯片的溫度數(shù)據(jù)，以確保芯片在整個(gè)工作狀態(tài)中處于其溫度始終能夠被監(jiān)控的狀態(tài)，以便 根據(jù)芯片的溫度來為其調(diào)整最佳的核電壓。
[0024] 步驟102 :根據(jù)溫度數(shù)據(jù)調(diào)整芯片的核電壓，以減少在當(dāng)前溫度下芯片核電壓的 冗余量，即調(diào)整芯片的核電壓至滿足當(dāng)前溫度環(huán)境的核電壓值，優(yōu)選的，也可以為滿足當(dāng)前 溫度環(huán)境芯片所需的核電壓的最小值。
[0025] 其中，根據(jù)溫度數(shù)據(jù)調(diào)整芯片的核電壓具體可以包括：根據(jù)預(yù)先設(shè)置的溫度的數(shù) 值范圍與芯片的核電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定與溫度數(shù)據(jù)所屬的數(shù)值范圍對(duì)應(yīng)的目標(biāo)電壓；將 芯片的核電壓調(diào)整至目標(biāo)電壓?；谠撎幚?，可以是芯片自身的處理器直接根據(jù)預(yù)設(shè)的芯 片溫度所處的數(shù)值范圍與芯片核電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系，控制電源輸出給芯片的核電壓來調(diào)整其 芯片的核電壓。
[0026] 其中，根據(jù)溫度數(shù)據(jù)調(diào)整芯片的核電壓，還可以采用如下處理：
[0027] 根據(jù)預(yù)先設(shè)置的溫度數(shù)值范圍與芯片的核電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定與溫度數(shù)據(jù)所屬 的數(shù)值范圍對(duì)應(yīng)的目標(biāo)電壓；控制電源輸出目標(biāo)電壓給芯片，以調(diào)整芯片的核電壓。與上述 處理方式不同，該處理可以是由終端單板上的CPU或EPLD(Erasable Programmable Logic Device，可擦除可編輯邏輯器件）來根據(jù)預(yù)設(shè)的芯片溫度所處的數(shù)值范圍與芯片核電壓的 對(duì)應(yīng)關(guān)系，控制終端單板上的數(shù)字電源輸出相應(yīng)的核電壓控制信號(hào)來控制芯片調(diào)整電壓至 目標(biāo)電壓，該核電壓控制信號(hào)可以為目標(biāo)核電壓。
[0028] 此外，本發(fā)明實(shí)施例可以采用以下具體的實(shí)施方式來根據(jù)溫度數(shù)據(jù)調(diào)整芯片的核 電壓：
[0029] 將獲取到的芯片的溫度數(shù)據(jù)與預(yù)設(shè)溫度值進(jìn)行比較，在溫度數(shù)據(jù)表明芯片當(dāng)前溫 度高于預(yù)設(shè)溫度值的情況下，降低芯片的核電壓，在溫度數(shù)據(jù)表明芯片當(dāng)前的溫度低于預(yù) 設(shè)溫度值的情況下，升高芯片的核電壓，此處可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值預(yù)設(shè)一個(gè)電壓調(diào)節(jié)閾值，即， 在判斷當(dāng)前芯片溫度需要調(diào)節(jié)時(shí)，將芯片的核電壓升高或