表面電勢(shì)控制裝置及控制方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及表面電勢(shì)控制裝置，包括一電容器以及一第一基板，電容器包括第一電極板和第二電極板，第一電極板包括第一表面和第二表面；第二電極板包括第三表面和第四表面，第二表面與第三表面相對(duì)設(shè)置，第一基板設(shè)置在第一表面，第四表面用于放置待控制表面電勢(shì)的第二基板。本發(fā)明還提供基板表面電勢(shì)的控制方法，包括將所述第二基板設(shè)置在第四表面，并使所述第六表面與一溶液接觸；通電狀態(tài)下，使所述第一電極板、第二電極板以及電解液處帶等量的異種電荷，正負(fù)電荷與第六表面的距離不同，在第六表面上正負(fù)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)不同，導(dǎo)致第六表面上電荷總體上對(duì)外呈現(xiàn)出電性；以及通過改變外加電壓的大小或方向?qū)Φ诙灞砻娴碾姌O電位進(jìn)行控制。
【專利說明】
表面電勢(shì)控制裝置及控制方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于界面控制與表面工程領(lǐng)域，尤其涉及一種表面電勢(shì)控制裝置及控制方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 當(dāng)金屬等材料(基板)浸入到水或鹽溶液中時(shí)，表面晶格上的離子，受到極性水分 子的吸引，有脫離表面進(jìn)入溶液形成水合離子的趨勢(shì)，這時(shí)基板表面由于電子過剩呈現(xiàn)出 負(fù)電性。即基板表面與溶液間產(chǎn)生電位差，這種電位差稱為基板在此溶液中的電位或電極 電位。離子轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)以及難易程度主要由基板表面電極電位決定，因此金屬等材料組成 的基板表面電極電位的正負(fù)及大小對(duì)基板性能有重要影響。例如：當(dāng)基板表面電極電位為 負(fù)時(shí)，在基板表面與溶液間電壓差的驅(qū)動(dòng)下，電子脫離基板表面即基板發(fā)生氧化反應(yīng)，基板 表面被腐蝕。電極電位越低，基板越容易發(fā)生氧化反應(yīng)，基板表面越容易被腐蝕。而當(dāng)基板 表面電極電位為正值時(shí)，表面電子很難從表面脫離，即基板抗氧化性能較高，一般條件下不 容易發(fā)生腐蝕。
[0003] 目前，常用的改變基板表面電極電位的方法通常有表面涂覆技術(shù)，鈍化膜技術(shù)以 及外加電場(chǎng)的方法。表面涂覆技術(shù)為在基板表面涂覆一層其它物質(zhì)進(jìn)而改變基板表面的電 極電位。鈍化膜技術(shù)為使基板表面發(fā)生氧化反應(yīng)在基板表面生成氧化膜或鹽類，氧化膜或 鹽類緊密的覆蓋在基板表面使基板表面發(fā)生鈍化，提高其電極電位。外加電場(chǎng)的方法為將 基板作為電極與另外電極組成對(duì)電極實(shí)現(xiàn)對(duì)基板表面電位的改變。
[0004] 然而，表面涂層技術(shù)及鈍化膜技術(shù)中，基板表面的電位由涂覆材料或金屬氧化物 決定，不能實(shí)現(xiàn)對(duì)基板表面的電極電位的靈活控制，可調(diào)性比較差。外加電場(chǎng)的方法中，過 高的外加電壓會(huì)使基板表面迅速發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)進(jìn)而腐蝕，應(yīng)用受到基板材料本身電化學(xué) 窗口的限制，因此該方法不能大范圍的調(diào)芐基板表面的電極電位。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，確有必要提供一種表面電勢(shì)控制裝置及控制方法，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)基板表 面電勢(shì)進(jìn)行大范圍的可控調(diào)節(jié)。
[0006] -種表面電勢(shì)控制裝置，包括一電容器以及一第一基板，所述電容器包括一第一 電極板和一第二電極板，所述第一電極板包括一第一表面以及與該第一表面相對(duì)設(shè)置的第 二表面;所述第二電極板包括一第三表面以及與該第三表面相對(duì)設(shè)置的第四表面，所述第 二表面與所述第三表面相對(duì)設(shè)置，所述第一基板設(shè)置在所述第一電極板的第一表面，所述 第二電極板的第四表面用于放置待控制表面電勢(shì)的第二基板;所述第一基板和第二基板分 別與一電源的正負(fù)極電連接。
[0007] -種表面電勢(shì)的控制方法，該控制方法包括以下步驟:提供上述表面電勢(shì)控制裝 置;將待控制表面電勢(shì)的第二基板設(shè)置在所述第二電極板的第四表面，將第二基板中與所 述第二電極板接觸的面定義為第五表面，與第五表面相對(duì)的面定義為第六表面，并使所述 第六表面與一溶液接觸;打開電源開關(guān)，使所述第一電極板、第二電極板以及電解液中帶等 量的異種電荷，正負(fù)電荷與第六表面的距離不同，在第六表面上正負(fù)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng) 不同，導(dǎo)致第六表面上電荷總體上對(duì)外呈現(xiàn)出電性；以及通過改變外加電壓的大小或方向 對(duì)第二基板表面的電極電位進(jìn)行控制。
[0008] 與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明提供的表面電勢(shì)控制裝置及控制方法，所述表面電勢(shì) 控制裝置充電后，電容器內(nèi)部會(huì)有大量電荷存在，雖然正負(fù)電荷總量相等，由于正負(fù)電荷與 基板表面的距離不同，在基板表面處正負(fù)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)不能相互平衡，正負(fù)電荷整 體上對(duì)外呈現(xiàn)出電性。僅通過控制充電電壓大小及方向，即可改變電容存儲(chǔ)電荷的總數(shù)量， 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)基板表面電極電位的大幅度控制與調(diào)節(jié)。
【附圖說明】
[0009] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的基板表面電勢(shì)控制裝置示意圖。
[0010] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的基板表面電勢(shì)控制裝置中硼、氮摻雜金剛石薄膜的電 極循環(huán)伏安曲線。
[0011] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的基板表面電勢(shì)控制裝置中的p-Si基片表面在未充電狀 態(tài)下的AFM測(cè)試結(jié)果。
[0012] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的基板表面電勢(shì)控制裝置中的p-Si基片表面在充正電狀 態(tài)下的AFM測(cè)試結(jié)果。
[0013] 圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的基板表面電勢(shì)控制裝置中的p-Si基片在未充電狀態(tài)下 的硅藻吸附情況照片。
[0014] 圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的基板表面電勢(shì)控制裝置中的p-Si基片在充正電狀態(tài)下 的硅藻吸附情況照片。
[0015] 主要元件符號(hào)說明
如下【具體實(shí)施方式】將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。
【具體實(shí)施方式】
[0016] 下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明提供的基板表面電勢(shì)控制裝置100作進(jìn) 一步的詳細(xì)說明。
[0017] 請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供的表面電勢(shì)控制裝置100包括:一雙電層電容器10，一第一 基板20以及一封裝元件30。所述雙電層電容器10包括一第一電極板101、一第二電極板102、 一電解液103以及一隔膜104。所述第一電極板101包括一第一表面以及與該第一表面相對(duì) 設(shè)置的第二表面。所述第二電極板102包括一第三表面以及與該第三表面相對(duì)設(shè)置的第四 表面，所述第二表面與所述第三表面相對(duì)設(shè)置，所述第四表面用于放置待控制表面電勢(shì)的 基板。所述第一基板20設(shè)置在所述第一電極板101的第一表面。所述封裝元件30用于將所述 雙電層電容器10中的電解液103以及第一基板20進(jìn)行封裝。
[0018] 所述電解液103為雙電層電容器的常用電解液。本實(shí)施例中所述電解液103為去離 子水。
[0019] 所述隔膜104為雙電層電容器的常用隔膜。
[0020] 所述封裝元件30用于防止電解液漏出以及防止所述基板表面電勢(shì)控制裝置100應(yīng) 用時(shí)所述第一基板20與溶液接觸。所述封裝元件30的材料為非導(dǎo)電材料。所述封裝元件30 的材料優(yōu)選為一密封膠，本實(shí)施例中，所述封裝元件30的材料為環(huán)氧樹脂膠。
[0021] 所述第一電極板101以及第二電極板102的材料可以為任意的雙電層電容器10的 常用電極材料。優(yōu)選的，所述第一電極板101以及第二電極板102采用涂有多孔活性炭的金 剛石薄膜作為電極材料，一方面金剛石薄膜的電化學(xué)窗口遠(yuǎn)高于其它材料，因此金剛石薄 膜作為電極材料在較高電壓作用下可保持充電狀態(tài)，另一方面多孔活性炭可提高電解液中 離子與電極材料的實(shí)際接觸面積。所述涂有多孔活性炭的金剛石薄膜可以采用電鍍等方式 直接沉積在所述第一基板20的表面。所述涂有多孔活性炭的金剛石薄膜的厚度優(yōu)選為0.5y m~5ym，在該厚度范圍內(nèi)，涂有多孔活性炭的金剛石薄膜的電阻率較小，電化學(xué)窗口較高。
[0022] 本實(shí)施例中，所述涂有多孔活性炭的金剛石薄膜為硼、氮摻雜的涂有多孔活性炭 的金剛石薄膜，該硼、氮摻雜的涂有多孔活性炭的金剛石薄膜采用HF-CVD方法制備。該硼、 氮摻雜的涂有多孔活性炭的金剛石薄膜厚度約為lym，電阻率小于100 Q cm。請(qǐng)參閱圖2,在 100mV/S掃描速率下，硼、氮摻雜的涂有多孔活性炭的金剛石薄膜的電極循環(huán)伏安曲線，從 圖中可以看出，硼、氮摻雜的涂有多孔活性炭的金剛石薄膜的電化學(xué)窗口可以達(dá)到3.2V，背 景電流接近于0。表明在平衡電位下，該硼、氮摻雜的涂有多孔活性炭的金剛石薄膜的"電 極/溶液"界面間只有少量帶電粒子發(fā)生轉(zhuǎn)移，流向界面的電荷主要用于改變界面構(gòu)造，屬 于電極空間電荷區(qū)充電的過程，而硼、氮摻雜的涂有多孔活性炭的金剛石薄膜的"電極/溶 液"界面間基本不發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，接近理想極化電極。
[0023] 所述第一基板20的材料為導(dǎo)電材料，優(yōu)選的，所述第一基板的材料為金屬，導(dǎo)體或 半導(dǎo)體。本實(shí)施例中，所述第一基板20為一p-Si基片。
[0024] 當(dāng)所述表面電勢(shì)控制裝置100應(yīng)用時(shí)，將一第二基板40設(shè)置在所述第二電極板102 的第四表面，并將該第二基板40與一電源的正極電連接，第一基板20與電源的負(fù)極電連接。 本實(shí)施例中，采用一第一導(dǎo)線50使所述第二基板40與電源的正極(與前面矛盾）電連接，采 用一第二導(dǎo)線60使所述第一基板20與電源的負(fù)極(與前面矛盾）電連接。將第二基板40與所 述第二電極板102接觸的面定義為第五表面，與第五表面相對(duì)的面定義為第六表面，所述表 面電勢(shì)控制裝置100控制第六表面的表面電勢(shì)。
[0025] 所述表面電勢(shì)控制裝置100控制第六表面電勢(shì)的原理為：當(dāng)電源開關(guān)打開后，所述 表面電勢(shì)控制裝置1 〇〇充電，電子會(huì)通過第二電極板102流向第一電極板101，第二電極板 102帶正電荷，電解液103中的負(fù)離子在電場(chǎng)的作用下會(huì)迅速向第二電極板102運(yùn)動(dòng)，并在第 二電極板102的表面形成緊密的負(fù)電荷層;第一電極板101帶負(fù)電荷，電解液103中的正離子 在電場(chǎng)的作用下會(huì)迅速向第一電極板101運(yùn)動(dòng)，并在第一電極板101的表面形成緊密的正電 荷層；雖然正負(fù)電荷在數(shù)量上相等處于電荷平衡狀態(tài)，由于正電荷與第六表面的距離小于 負(fù)電荷與第六表面的距離，所以在第六表面上正電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)大于負(fù)電荷產(chǎn)生的電 場(chǎng)效應(yīng)，導(dǎo)致第六表面上電荷總體上對(duì)外呈現(xiàn)出正電性。
[0026] 可以理解，在其他實(shí)施例中，所述第一基板20與電源的正極電連接，第二基板40與 電源的負(fù)極電連接。當(dāng)所述基板表面電勢(shì)控制裝置100充電后，正負(fù)電荷在數(shù)量上相等處于 電荷平衡狀態(tài)，由于負(fù)電荷與第六表面的距離小于正電荷與第六表面的距離，在第六表面 上負(fù)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)大于正電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)，導(dǎo)致第六表面電荷總體上對(duì)外呈現(xiàn) 出負(fù)電性。
[0027] 由此可見，當(dāng)所述第二基板的第六表面浸于一溶液中時(shí)，通過外加電壓即可以使 所述第六表面與該溶液的界面處產(chǎn)生電場(chǎng)效應(yīng)，通過改變外加電壓的方向或大小即可使第 六表面在該溶液中的電極電位得到控制。具有操作方便、成本低廉、易于工程化等特點(diǎn)。優(yōu) 選的，所述第二基板40的第六表面浸于一鹽溶液中。
[0028]所述第二基板40的材料與所述第一基板20的材料相同。
[0029] 本實(shí)施例中，采用電化學(xué)工作站以及三電極系統(tǒng)對(duì)所述第二基板的第六表面電極 電位進(jìn)行研究。該電化學(xué)工作站包括M237A型恒電位儀、M5210型鎖相放大器、交流阻抗測(cè)量 用電解池。該三電極系統(tǒng)中，輔助電極為石墨惰性電極，參比電極為飽和甘汞電極，工作電 極為本實(shí)施例中的第一基底材料。所述交流阻抗測(cè)量用電解池的電解液為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%的 NaCl溶液，其中溶劑為去離子水。實(shí)驗(yàn)測(cè)得通過表面電勢(shì)控制裝置100調(diào)節(jié)之后所述第二基 板的第六表面在去離子水中的表面電極電位在-3V~3.5V之間，而未通過基板表面電勢(shì)控制 裝置100調(diào)節(jié)的所述第二基板的第六表面在去離子水中的表面電極電位基本在-1〇〇11^到-50mV之間。表明該基板表面電勢(shì)控制裝置100可以大范圍的調(diào)節(jié)材料表面的電極電位，而且 可以使材料表面的電極電位為正值。
[0030] 圖3和圖4分別為未充電和充正電狀態(tài)下，P-Si基片表面的AFM測(cè)試結(jié)果，從圖中可 以看出，與未充電時(shí)相比，在充正電條件下，在探針趨近P-Si基片表面的過程中，在探針到 達(dá)分子間作用力范圍內(nèi)之前，即進(jìn)程曲線瞬降之前，進(jìn)程曲線會(huì)發(fā)生上偏，說明趨近過程中 探針受到阻力作用。進(jìn)一步說明P-Si基片的力學(xué)性能發(fā)生了改變。
[0031]圖5和圖6分別為未充電和充正電狀態(tài)下，將p-Si基片放入一娃藻溶液中一段時(shí)間 后，P-Si基片表面硅藻吸附情況，從圖中可以看出，未通電的p-Si基片的表面存在較大的黑 色斑點(diǎn)，這是硅藻在吸附過程中發(fā)生團(tuán)聚而產(chǎn)生的。在充正電狀態(tài)下，P-Si基片的表面基本 上不存在斑點(diǎn)，由于通電后電場(chǎng)力的作用，P-Si基片的表面對(duì)硅藻有排斥力，因此硅藻不容 易到達(dá)壁面完成吸附。由此可見，充正電狀態(tài)下P-Si基片的力學(xué)性能發(fā)生了改變。
[0032] 可以理解，本發(fā)明中的雙電層電容器也可以替換為普通電容器。
[0033 ]本發(fā)明還提供一種表面電勢(shì)的控制方法，該控制方法包括以下步驟： S1:提供一上述表面電勢(shì)控制裝置100; S2:將一待控制表面電勢(shì)的上述第二基板40設(shè)置在所述第二電極板102的第四表面，并 使所述第二基板40中的第六表面與一溶液接觸； S3:打開電源開關(guān)，使所述第一電極板101以及第二電極板102帶等量的異種電荷，由于 正負(fù)電荷與第二基板40的第六表面的距離不同，所以在第六表面上正負(fù)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效 應(yīng)不同，導(dǎo)致第六表面上電荷總體上對(duì)外呈現(xiàn)出電性；以及 S3:通過改變外加電壓的大小或方向?qū)Φ诙宓牡诹砻娴碾姌O電位進(jìn)行控制。
[0034] 本發(fā)明提供的表面電勢(shì)控制裝置及控制方法，僅通過改變外加電壓的方向，即可 以改變基板表面的電性;通過調(diào)整外加電壓的大小即可控制基板表面電極電位的大小，具 有操作方便、成本低廉、易于工程化等特點(diǎn)。由于所述第一電極板和第二電極板的材料為金 剛石，由于金剛石的電化學(xué)窗口較高，因此在較高電壓作用下可保持充電狀態(tài)，因而所述基 板表面電勢(shì)控制裝置及控制方法可實(shí)現(xiàn)基板表面電極電位的大范圍調(diào)節(jié)。另外，由于電容 器具有儲(chǔ)存電荷的能力，當(dāng)電源斷電后，該表面電勢(shì)控制裝置存儲(chǔ)的電荷依舊存在，對(duì)第二 基板的第六表面附近的電場(chǎng)效應(yīng)不會(huì)改變，因而，本發(fā)明提供的基板表面電勢(shì)控制裝置斷 電后可以繼續(xù)使用。本發(fā)明表面電勢(shì)控制裝置及控制方法還可以通過改變基板表面的電極 電位，使基板表面具有電場(chǎng)效應(yīng)，進(jìn)而可改變壁面處的力學(xué)性能，在界面力學(xué)控制方面也具 有很好應(yīng)用前景。
[0035] 另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，這些依據(jù)本發(fā)明精神 所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種表面電勢(shì)控制裝置，包括一電容器以及一第一基板，所述電容器包括一第一電 極板和一第二電極板，所述第一電極板包括一第一表面以及與該第一表面相對(duì)設(shè)置的第二 表面;所述第二電極板包括一第三表面以及與該第三表面相對(duì)設(shè)置的第四表面，所述第二 表面與所述第三表面相對(duì)設(shè)置，所述第一基板設(shè)置在所述第一電極板的第一表面，所述第 二電極板的第四表面用于放置待控制表面電勢(shì)的第二基板;所述第一基板和第二基板分別 與一電源的正負(fù)極電連接。2. 如權(quán)利要求1所述的表面電勢(shì)控制裝置，其特征在于，所述電容器為雙電層電容器。3. 如權(quán)利要求1所述的表面電勢(shì)控制裝置，其特征在于，所述第一電極板以及第二電極 板為涂有多孔活性炭的金剛石薄膜。4. 如權(quán)利要求3所述的表面電勢(shì)控制裝置，其特征在于，所述涂有多孔活性炭的金剛石 薄膜的厚度為〇. 5μηι~5μηι。5. 如權(quán)利要求1所述的表面電勢(shì)控制裝置，其特征在于，所述第一基板以及第二基板的 材料為金屬、導(dǎo)體或半導(dǎo)體。6. 如權(quán)利要求1所述的表面電勢(shì)控制裝置，其特征在于，所述第一基板以及第二基板的 材料相同。7. 如權(quán)利要求2所述的表面電勢(shì)控制裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一封裝元件，用于 封裝所述雙電層電容器中的電解液以及第一基板。8. -種表面電勢(shì)的控制方法，該控制方法包括以下步驟： 提供一如權(quán)利要求1-7中任一所述的表面電勢(shì)控制裝置； 將待控制表面電勢(shì)的第二基板設(shè)置在所述第二電極板的第四表面，將第二基板中與所 述第二電極板接觸的面定義為第五表面，與第五表面相對(duì)的面定義為第六表面，并使所述 第六表面與一溶液接觸； 通電狀態(tài)下，使所述第一電極板、第二電極板以及電解液處帶等量的異種電荷，正負(fù)電 荷與第六表面的距離不同，在第六表面上正負(fù)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)不同，導(dǎo)致第六表面上 電荷總體上對(duì)外呈現(xiàn)出電性；以及 通過改變外加電壓的大小或方向?qū)Φ诙灞砻娴碾姌O電位進(jìn)行控制。9. 如權(quán)利要求8所述表面電勢(shì)的控制方法，其特征在于，所述電容器為雙電層電容器， 所述第二基板與電源的負(fù)極電連接，所述第一基板與電源的正極電連接;電源開關(guān)打開后， 所述基板表面電勢(shì)控制裝置充電，電子通過第二電極板流向第一電極板，第二電極板帶正 電荷，雙電層電容器中電解液中的負(fù)離子在電場(chǎng)的作用下迅速向第二電極板運(yùn)動(dòng)，并在第 二電極板的表面形成緊密的負(fù)電荷層;第一電極板帶負(fù)電荷，雙電層電容器中電解液中的 正離子在電場(chǎng)的作用下迅速向第一電極板運(yùn)動(dòng)，并在第一電極板的表面形成緊密的正電荷 層；正負(fù)電荷在數(shù)量上相等處于電荷平衡狀態(tài)，正電荷與第六表面的距離小于負(fù)電荷與第 六表面的距離，在第六表面上正電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)大于負(fù)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)，第六表 面上電荷總體上對(duì)外呈現(xiàn)出正電性。10. 如權(quán)利要求8所述表面電勢(shì)的控制方法，其特征在于，所述電容器為雙電層電容器， 所述第二基板與電源的正極電連接，所述第一基板與電源的負(fù)極電連接;電源開關(guān)打開后， 所述基板表面電勢(shì)控制裝置充電，電子通過第二電極板流向第一電極板，第二電極板帶負(fù) 電荷，雙電層電容器中電解液中的正離子在電場(chǎng)的作用下迅速向第二電極板運(yùn)動(dòng)，并在第 二電極板的表面形成緊密的正電荷層;第一電極板帶正電荷，雙電層電容器中電解液中的 負(fù)離子在電場(chǎng)的作用下迅速向第一電極板運(yùn)動(dòng)，并在第一電極板的表面形成緊密的負(fù)電荷 層；正負(fù)電荷在數(shù)量上相等處于電荷平衡狀態(tài)，負(fù)電荷與第六表面的距離小于正電荷與第 六表面的距離，在第六表面上負(fù)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)大于正電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)，第六表 面上電荷總體上對(duì)外呈現(xiàn)出負(fù)電性。
【文檔編號(hào)】G05F1/625GK106055016SQ201610582714
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年7月22日 公開號(hào)201610582714.7, CN 106055016 A, CN 106055016A, CN 201610582714, CN-A-106055016, CN106055016 A, CN106055016A, CN201610582714, CN201610582714.7
【發(fā)明人】王寶, 陳大融, 馮東
【申請(qǐng)人】清華大學(xué)