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電壓調(diào)節(jié)器的制造方法

文檔序號:8606793閱讀:1119來源:國知局
電壓調(diào)節(jié)器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型電子電路領(lǐng)域,尤其涉及一種電壓調(diào)節(jié)器。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的電壓調(diào)節(jié)器如圖1所示,一般由帶隙基準電路Bandgap提供溫度系數(shù)較小的參考電壓VR,誤差放大器EA調(diào)整使得反饋電壓FB等于參考電壓VR,此時輸出電壓VO等于VR*(R1+R2)/R1,其中VR為參考電壓的電壓值,Rl和R2分別為電阻Rl和R2的電阻值。在該傳統(tǒng)的電壓調(diào)節(jié)器中,需要外接電容Cl,該外接電容Cl使得傳統(tǒng)的電壓調(diào)節(jié)器浪費了一個電容,而且當該傳統(tǒng)的電壓調(diào)節(jié)器為內(nèi)部電路供電時,該電容Cl需要占用一個芯片管腳,從而增加了芯片面積,增加了生產(chǎn)成本。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的是解決傳統(tǒng)的電壓調(diào)節(jié)器由于需要外接電容Cl,而造成生產(chǎn)的成本高,占用芯片面積大的問題。
[0004]第一方面,本實用新型實施例提供了一種電壓調(diào)節(jié)器,所述電壓調(diào)節(jié)器包括:偏置電路,電流鏡電路,放大器,箝位電路,輸出電路;
[0005]偏置電路,與電源相連接,用于為所述放大器的一端和所述電流鏡電路提供第一偏置電流,為所述放大器的另一端提供第二偏置電流;
[0006]電流鏡電路,與放大器和箝位電路相連接,用于將所述第一偏置電流鏡像為鏡像電流,并將所述鏡像電流提供給所述箝位電路,以作為所述箝位電路的偏置電流;
[0007]放大器,與偏置電路和輸出電路相連接,用于對在所述第一偏置電流下產(chǎn)生的第一節(jié)點電壓Vl和在所述第二偏置電流下產(chǎn)生的第二節(jié)點電壓V2進行調(diào)整,使得所述第二節(jié)點電壓V2等于第一節(jié)點電壓VI,并將所述第二節(jié)點電壓V2作為所述電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓VO的一部分;
[0008]箝位電路,與放大器相連接,用于對所述電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓VO和第二節(jié)點電壓V2的電壓差箝位,以產(chǎn)生箝位電壓,所述箝位電壓作為所述電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓VO的另一部分;
[0009]輸出電路,其第一端與放大器相連接,第二端與箝位電路相連接,第三端與電源相連接,用于為所述電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓VO提供驅(qū)動電流。
[0010]優(yōu)選地,所述偏置電路包括第一電流源Il和第二電流源12,所述電流鏡電路包括第一 NMOS晶體管MNl和第二 NMOS晶體管MN2,所述放大器包括第三NMOS晶體管MN3和第四NMOS晶體管MN4,所述輸出電路包括第一 PMOS晶體管MPl ;
[0011]所述第一 PMOS晶體管MPl的柵極為所述輸出電路的第一端,所述第一 PMOS晶體管MPl的漏極為所述輸出電路的第二端,所述第一 PMOS晶體管MPl的源極為所述輸出電路的第三端;
[0012]所述第一 NMOS晶體管麗I和所述第二 NMOS晶體管麗2共柵共源連接,所述第一NMOS晶體管MNl的柵極和所述第三NMOS晶體管MN3的源極連接,所述第三NMOS晶體管MN3和所述第四NMOS晶體管共柵連接,所述第三NMOS晶體管MN3的漏極和所述第一電流源I1、第一 PMOS晶體管MPl的柵極連接,所述第四NMOS晶體管MN4的漏極和所述第二電流源12連接,所述第四NMOS晶體管MN4的源極和所述第二 NMOS晶體管MN2的漏極連接,所述第一PMOS晶體管MPl的源極和所述第一電流源Il的正端相連接;
[0013]所述第一電流源11為所述第三NMOS晶體管麗3和所述第一 NMOS晶體管麗I提供第一偏置電流;
[0014]所述第二電流源12為所述第四NMOS晶體管MN4提供第二偏置電流。
[0015]優(yōu)選地,所述箝位電路包括第二 PMOS晶體管MP2 ;
[0016]所述第二 PMOS晶體管MP2的漏極和柵極連接,并和所述第二 NMOS晶體管麗2的源極、第四NMOS晶體管MN4的漏極連接,所述第二 PMOS晶體管MP2的源極和所述第一 PMOS晶體管MPl的漏極連接;
[0017]所述第二 PMOS晶體管MP2對所述電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓VO和第二節(jié)點電壓V2的電壓差箝位,以產(chǎn)生箝位電壓。
[0018]優(yōu)選地,所述箝位電路包括第五NMOS晶體管麗5 ;
[0019]所述第五NMOS晶體管麗5的柵極和漏極連接,并和所述第一 PMOS晶體管MPl的漏極連接,所述第五NMOS晶體管麗5的源極和所述第二 NMOS晶體管麗2的漏極連接;
[0020]所述第五NMOS晶體管麗5對所述電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓VO和第二節(jié)點電壓V2的電壓差箝位,以產(chǎn)生箝位電壓。
[0021]優(yōu)選地,所述箝位電路包括第一電阻Rl ;
[0022]所述第一電阻Rl的一端和所述第四NMOS晶體管MN4的源極、所述第二 NMOS晶體管MN2的漏極連接,所述第一電阻Rl的另一端和所述第一 PMOS晶體管MPl的漏極、電壓調(diào)節(jié)器的輸出端連接;
[0023]所述第一電阻Rl對所述電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓VO和第二節(jié)點電壓V2的電壓差箝位,以產(chǎn)生箝位電壓。
[0024]優(yōu)選地,所述電壓調(diào)節(jié)器還包括第一電容Cl和第二電容C2 ;
[0025]所述第一電容Cl的一端和第一 PMOS晶體管MPl的柵極、第二電流源12的負端、第四NMOS晶體管MN4的漏極連接,所述第一電容Cl的另一端和所述第一 PMOS晶體管MPl的漏極、第二 PMOS晶體管MP2的源極、電壓調(diào)節(jié)器的輸出端連接;
[0026]所述第二電容C2的一端接地,所述第二電容C2的另一端和所述電壓調(diào)節(jié)器的輸出端連接。
[0027]優(yōu)選地,所述電壓調(diào)節(jié)器還包括:第二電阻R2 ;
[0028]所述第二電阻R2的一端和第一 NMOS晶體管麗I的柵極、第三NMOS晶體管麗3的漏極連接,所述第二電阻R2的另一端和第三NMOS晶體管MN3的柵極、第四NMOS晶體管MN4的柵極、第一電流源Il的負端連接;
[0029]所述第二電阻R2,用于為所述第三NMOS晶體管MN3提供柵極偏置電壓。
[0030]第二方面,本實用新型實施例提供了一種電壓調(diào)節(jié)器,所述電壓調(diào)節(jié)器包括:
[0031]第一電流源,提供第一偏置電流,其包括第一連接端和連接至第一電源端的第二連接端;
[0032]第二電流源,提供第二偏置電流,其包括第一連接端和連接至第一電源端的第二連接端;
[0033]第一鉗制晶體管,其源級作為第一節(jié)點,其漏極與第一電流源的第一連接端相連;
[0034]第二鉗制晶體管,其源級作為第二節(jié)點,其漏極與第二電流源的第一連接端相連,其柵極與第一鉗制晶體管的柵極相連;
[0035]第一鏡像晶體管,其源級接第二電源端,其漏極與第一節(jié)點相連;
[0036]第二鏡像晶體管,其源級接第二電源端,其漏極與第二節(jié)點相連,其柵極與第一鏡像晶體管的柵極相連;
[0037]輸出晶體管,其源級與第一電源端相連,其漏極作為電壓調(diào)節(jié)器的輸出端,其柵極與第二電流源的第一連接端相連;
[0038]鉗位電路,其連接于第二節(jié)點和電壓調(diào)節(jié)器的輸出端之間。
[0039]優(yōu)選地,所述鉗位電路為電阻、PMOS晶體管和NMOS晶體管中的一個;
[0040]在鉗位電路為PMOS晶體管時,所述PMOS晶體管的柵極和漏極與第二節(jié)點相連接,所述PMOS晶體管的源極與電壓調(diào)節(jié)器的輸出端相連接;
[0041]在鉗位電路為NMOS晶體管時,所述NMOS晶體管的柵極和漏極與電壓調(diào)節(jié)器的輸出端相連接,所述NMOS晶體管的源極與第二節(jié)點相連接;
[0042]在鉗位電路為電阻時,所述電阻的一端與電壓調(diào)節(jié)器的輸出端相連接,所述電阻的另一端與第二節(jié)點相連接。
[0043]優(yōu)選地,所述第一鉗制晶體管的柵極與其漏極相連,所述第一鏡像晶體管的柵極與其漏極相連。
[0044]優(yōu)選地,第一鉗制晶體管、第二鉗制晶體管、第一鏡像晶體管和第二鏡像晶體管為NMOS晶體管,第一電源端為輸入電源端,第二電源端為接地端。
[0045]優(yōu)選地,所述電壓調(diào)節(jié)器還包括:第一電容和第二電容;
[0046]所述第一電容,其一端與第二電流源的第一連接端、輸出晶體管的柵極相連,其另一端與電壓調(diào)節(jié)器的輸出端相連;
[0047]所述第二電容,其一端與第二電源端相連,其另一端與電壓調(diào)節(jié)器的輸出端相連。
[0048]本實用新型實施例提供的電壓調(diào)節(jié)器,無需外接電容即可穩(wěn)定,且結(jié)構(gòu)簡單、占用芯片面積更小,節(jié)省了成本,該電壓調(diào)節(jié)器的輸出電壓隨負載電流的變化較小,而且輸出電壓能跟蹤工藝變化和溫度變化,以更優(yōu)化的電壓值為負載供電,且該電壓調(diào)節(jié)器的靜態(tài)電流(除去負載電流消耗外電壓調(diào)節(jié)器自身消耗的電流)較小。
【附圖說明】
[0049]為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本使用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0050]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中電壓調(diào)節(jié)器電路圖;
[0051]圖2為本實用新型實施例一提供的電壓調(diào)節(jié)器的結(jié)構(gòu)圖;
[0052]圖3為本實用新型實施例二提供的電壓調(diào)節(jié)器電路圖;
[0053]圖4為本實用新型實施例三提供的電壓調(diào)節(jié)器電路圖;
[0054]圖5為本實用新型實施例四提供的電壓調(diào)節(jié)器電路圖;
[0055]圖6為本實用新型實施例五提供的電壓調(diào)節(jié)器電路圖;
[0056]圖7為本實用新型實施例六提供的電壓調(diào)節(jié)器電路圖。
【具體實施方式】
[0057]為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
[0058]為便于對本實用新型實施例的理解,下面將結(jié)合附圖以具體實施例做進一步的解釋說明,實施例并
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