一種超低靜態(tài)功耗的線性穩(wěn)壓器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種超低靜態(tài)功耗的線性穩(wěn)壓器，屬于電源管理芯片技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著便攜式電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展，電源管理芯片系統(tǒng)在移動電子產(chǎn)品中扮演越來越重要的角色。在各種電源管理芯片系統(tǒng)中，低壓差線性穩(wěn)壓器以其電路結(jié)構(gòu)簡單、占用芯片面積小、高電源抑制比以及低噪聲等優(yōu)點，牢牢占據(jù)著電源管理市場很大的份額，大多數(shù)系統(tǒng)都會在其內(nèi)部集成一個乃至多個線性穩(wěn)壓器來為各個模塊供電。隨著電子產(chǎn)品功能的日益復(fù)雜與多樣化，消費市場對其性能的要求也在不斷提高
[0003]但是目前市場上線性穩(wěn)壓器的靜態(tài)功耗比較大，電源效率較低，無法滿足便攜式電子產(chǎn)品的續(xù)航要求。隨著電子產(chǎn)品功能的多樣化，對電源管理芯片系統(tǒng)的要求也越來越高，尤其是降低系統(tǒng)功耗，提高產(chǎn)品的待機時間。這也對線性穩(wěn)壓器的設(shè)計帶來更大的挑戰(zhàn)。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]目的:為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本實用新型提供一種超低靜態(tài)功耗的線性穩(wěn)壓器。
[0005]技術(shù)方案:為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案為:
[0006]一種超低靜態(tài)功耗的線性穩(wěn)壓器，包括誤差放大器、MOS管、反饋電路、帶隙基準模塊、過溫保護電路模塊，所述帶隙基準模塊引腳包括VIN、VTHU VTH2、Vbias, Vref，所述過溫保護電路模塊引腳包括VIN、Vbias, VTHl、VTH2、Temp_ctrl，所述帶隙基準模塊的VTHl、VTH2、Vbias引腳與過溫保護電路模塊的VTHl、VTH2、Vbias引腳相連接，所述帶隙基準模塊的VIN引腳與過溫保護電路模塊的VIN引腳均與電壓輸入端相連接，所述帶隙基準模塊的Vref引腳與誤差放大器的輸入端相連接，所述過溫保護電路模塊的Temp_Ctrl引腳與誤差放大器的使能端相連接，所述誤差放大器輸出端與MOS管柵極相連接，MOS管源極與電壓輸入端相連接，MOS管漏極設(shè)置為電壓輸出端，電壓輸出端與接地之間并聯(lián)有反饋電路，所述反饋電路包括第一反饋電阻、第二反饋電阻，第一反饋電阻、第二反饋電阻相串聯(lián)，第一反饋電阻、第二反饋電阻之間與誤差放大器另一輸入端相連接。
[0007]所述帶隙基準模塊包括MOS管、三極管、電阻，所述MOS管包括第一 MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管，所述三極管包括:第一三極管、第二三極管，所述電阻包括:第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻；所述第一 MOS管、第二 MOS管的源極均接入電壓輸入端，第一 MOS管、第二 MOS管的柵極相連接，第一 MOS管、第二 MOS管的漏極與柵極相短接，所述第一 MOS管、第二 MOS管的短接公共點設(shè)置為Vbias端口，第一 MOS管、第二 MOS管短接點分別與第三MOS管、第四MOS管的源極相連接，第三MOS管、第四MOS管的柵極相連接，第四MOS管的漏極與柵極相短接，第四MOS管短接公共點與第六MOS管的漏極相連接，第五MOS管的漏極與柵極相短接，第三MOS管的漏極與第五MOS管的短接公共點相連接，第五MOS管與第六MOS管的柵極相連接，第七MOS管的漏極與柵極相短接，第五MOS管的源極與第七MOS管的短接公共點相連接，第六MOS管的源極與第八MOS管的漏極相連接，第七MOS管、第八MOS管的柵極相連接，第七MOS管、第八MOS管源極分別與第一三極管、第二三極管的集電極相連接，第一三極管、第二三極管的基極相連接，基極公共點作為Vref端口，第一三極管發(fā)射極分別與第二電阻、第三電阻、第四電阻串聯(lián)后接地，第一電阻與第一三極管的基極、發(fā)射極相并聯(lián)，接入第二三極管發(fā)射極后與第二電阻、第三電阻、第四電阻串聯(lián)；第二電阻下端作為VTH2端口，第三電阻下端作為VTHl端口。
[0008]還包括啟動電路，所述啟動電路包括第九MOS管，第十MOS管，第十一 MOS管，第九MOS管源極接入電壓輸入端，第九MOS管，第十MOS的管柵極相連接，第九MOS管，第十MOS管柵極公共點與第七MOS管，第八MOS管柵極公共點相連接，第九MOS管，第十MOS管的漏極相連接，第九MOS管，第十MOS管的漏極公共點與第i^一 MOS管柵極相連接，第i^一 MOS管漏極與第一 MOS管、第二 MOS管柵極公共點相連接，第十MOS管，第一 MOS管的源極均接地。
[0009]所述過溫保護電路模塊包括:第一傳輸門、第二傳輸門、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器、第八反相器、第一施密特觸發(fā)器、第二施密特觸發(fā)器、第十二 MOS管、第三三極管，第一傳輸門輸入端與VTHl端口相連接，第二傳輸門輸入端與VTH2端口相連接，第一傳輸門、第二傳輸門的輸出端相連接后與第三三極管的基極相連接，第十二 MOS管源極接入電壓輸入端，第十二 MOS管柵極與Vbias端口相連接，第十二 MOS管漏極與第三三極管集電極相連接，第三三極管發(fā)射極接地，第十二 MOS管漏極與第三三極管集電極公共點依次與第一施密特觸發(fā)器、第一反相器、第二反相器、第二施密特觸發(fā)器、第三反相器、第四反相器、第五反相器相串聯(lián)，第六反相器、第七反相器相串聯(lián)，第五反相器輸出端與第六反相器輸入端相連接，第六反相器輸出端與第二傳輸門反向控制端相連接，第七反相器輸出端與第一傳輸門反向控制端相連接，第五反相器輸出端與第八反相器輸入端相連接，第八反相器輸入端與第二傳輸門正向控制端相連接，第八反相器輸出端與第一傳輸門正向控制端相連接，第五反相器輸出端作為Temp_ctrl 端 P ο
[0010]有益效果:本實用新型提供的一種超低靜態(tài)功耗的線性穩(wěn)壓器，集成了帶隙基準模塊，從內(nèi)部產(chǎn)生基準電壓，提高了系統(tǒng)集成度，擴大了系統(tǒng)的應(yīng)用范圍，無需從外部為系統(tǒng)供應(yīng)基準電壓，降低了系統(tǒng)的成本。并將帶隙基準模塊與過溫保護電路模塊相連接，溫度保護的閾值不受負載的變化影響，保證過溫保護模塊在線性穩(wěn)壓器的工作溫度在超出確定的閾值時保護系統(tǒng)不被損壞。整個系統(tǒng)正常工作時具有超低靜態(tài)功耗，顯著提高電子產(chǎn)品電源的續(xù)航時間，最小靜態(tài)功耗為350nA，最大靜態(tài)功耗為600nA，延長便攜式電子產(chǎn)品的待機時間。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為帶隙基準模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3為過溫保護電路模塊的結(jié)構(gòu)示意圖
[0014]圖4為電流鏡、電流源工作示意圖。
【具體實施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對本實用新型作更進一步的說明。
[0016]如圖1所示，一種超低靜態(tài)功耗的線性穩(wěn)壓器，包括誤差放大器1、M0S管2、反饋電路3、帶隙基準模塊4、過溫保護電路模塊5，所述帶隙基準模塊4引腳包括VIN、VTH1、VTH2、Vbias、Vref，所述過溫保護電路模塊5引腳包括VIN、Vbias, VTHl、VTH2、Temp_ctrl，所述帶隙基準模塊4的VTHl、VTH2、Vbias引腳與過溫保護電路模塊5的VTHl、VTH2、Vbias引腳相連接，所述帶隙基準模塊4的VIN引腳與過溫保護電路模塊5的VIN引腳均與電壓輸入端VIN相連接，所述帶隙基準模塊4的Vref引腳與誤差放大器I的輸入端相連接，所述過溫保護電路5模塊的Temp_Ctrl引腳與誤差放大器I的使能端相連接，所述誤差放大器I輸出端與MOS管2柵極相連接，M