Nmos管電流源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電流源，尤其涉及全是NMOS管組成的電流源。
【背景技術(shù)】
[0002]要得到同樣電流的情況下，NMOS管的寬長比相對于PMOS管的寬長比會小些，所占芯片的面積會小，為此設(shè)計了全是NMOS管組成的電流源。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型旨在提供一種NMOS管電流源。
[0004]NMOS管電流源，包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管:
[0005]所述第一 NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接電源電壓VCC，源極接所述第二NMOS管的漏極；
[0006]所述第二 NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接所述第一 NMOS管的源極，源極接所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的柵極；
[0007]所述第三NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第二 NMOS管的源極和所述第四NMOS管的柵極，源極接地；
[0008]所述第四NMOS管的柵極接所述第二 NMOS管的源極和所述第三NMOS管的柵極和漏極，漏極作為輸出電流端10UT，源極接地。
[0009]由于所述第一 NMOS管和所述第二 NMOS管的柵極都接在電源電壓VCC上，所述第一NMOS管和所述第二 NMOS管工作在飽和區(qū)，呈電阻性特性，通過調(diào)節(jié)寬長比來變換電阻值；所述第三NMOS管的源漏間的電流等于電源電壓VCC減去所述第一 NMOS管和所述第二NMOS管的電阻值之和，該電流通過所述第三NMOS管鏡像給所述第四NMOS管的漏極10UT，通過調(diào)節(jié)所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的寬長比的比例來調(diào)節(jié)輸出電流1UT。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型的NMOS管電流源的電路圖。
【具體實施方式】
[0011]以下結(jié)合附圖對本【實用新型內(nèi)容】進(jìn)一步說明。
[0012]NMOS管電流源，如圖1所示，包括第一 NMOS管101、第二 NMOS管102、第三NMOS管103和第四NMOS管104:
[0013]所述第一 NMOS管101的柵極接電源電壓VCC，漏極接電源電壓VCC，源極接所述第二NMOS管102的漏極；
[0014]所述第二 NMOS管102的柵極接電源電壓VCC，漏極接所述第一 NMOS管101的源極，源極接所述第三NMOS管103的柵極和漏極和所述第四NMOS管104的柵極；
[0015]所述第三NMOS管103的柵極和漏極接在一起再接所述第二 NMOS管102的源極和所述第四NMOS管104的柵極，源極接地；
[0016]所述第四NMOS管104的柵極接所述第二 NMOS管102的源極和所述第三NMOS管103的柵極和漏極，漏極作為輸出電流端10UT，源極接地。
[0017]由于所述第一 NMOS管101和所述第二 NMOS管102的柵極都接在電源電壓VCC上，所述第一 NMOS管101和所述第二 NMOS管102工作在飽和區(qū)，呈電阻性特性，通過調(diào)節(jié)寬長比來變換電阻值；所述第三NMOS管103的源漏間的電流等于電源電壓VCC減去所述第一NMOS管101和所述第二 NMOS管102的電阻值之和，該電流通過所述第三NMOS管103鏡像給所述第四NMOS管104的漏極10UT，通過調(diào)節(jié)所述第三NMOS管103和所述第四NMOS管104的寬長比的比例來調(diào)節(jié)輸出電流1UT。
【主權(quán)項】
1.NMOS管電流源，其特征在于:包括第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS 管； 所述第一 NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接電源電壓VCC，源極接所述第二 NMOS管的漏極； 所述第二 NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接所述第一 NMOS管的源極，源極接所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的柵極； 所述第三NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第二 NMOS管的源極和所述第四NMOS管的柵極，源極接地； 所述第四NMOS管的柵極接所述第二 NMOS管的源極和所述第三NMOS管的柵極和漏極，漏極作為輸出電流端10UT，源極接地。
【專利摘要】本實用新型公開了一種NMOS管電流源。NMOS管電流源包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管。
【IPC分類】G05F1/56
【公開號】CN204719582
【申請?zhí)枴緾N201520420338
【發(fā)明人】齊盛
【申請人】杭州寬?？萍加邢薰?br>【公開日】2015年10月21日
【申請日】2015年6月15日