不受溫度影響的電流源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電流源，尤其涉及不受溫度影響的電流源。
【背景技術(shù)】
[0002]要得到不受溫度影響的電流，為此設(shè)計了不受溫度影響的電流源。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本實用新型旨在提供一種不受溫度影響的電流源。
[0004]不受溫度影響的電流源，包括第一 NMOS管、第一 PMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管:
[0005]所述第一 NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接電源電壓VCC，源極接所述第一PMOS管的源極；
[0006]所述第一 PMOS管的柵極接地，漏極接所述第二 NMOS管的柵極和漏極和所述第三NMOS管的柵極，源極接所述第一 NMOS管的源極；
[0007]所述第二 NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第一 PMOS管的漏極和所述第三NMOS管的柵極，源極接地；
[0008]所述第三NMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的漏極和所述第二 NMOS管的柵極和漏極，漏極作為輸出電流端10UT，源極接地。
[0009]由于所述第一 NMOS管的柵極接電源電壓VCC和所述第一 PMOS管的柵極接地，所述第一 NMOS管和所述第一 PMOS管工作在飽和區(qū)，呈電阻性特性，通過調(diào)節(jié)寬長比來變換電阻值；所述第二 NMOS管的源漏間的電流等于電源電壓VCC減去所述第一 NMOS管和所述第一 PMOS管的電阻值之和，該電流通過所述第二 NMOS管鏡像給所述第三NMOS管的漏極I OUT,通過調(diào)節(jié)所述第二 NMOS管和所述第三NMOS管的寬長比的比例來調(diào)節(jié)輸出電流1UT ；由于所述第一 NMOS管的源漏間電阻值呈正溫度系數(shù)，而所述第一 PMOS管的源漏間電阻值呈負溫度系數(shù)，通過調(diào)節(jié)溫度系數(shù)即調(diào)節(jié)管子的寬長比來達到零溫度系數(shù)，即不受溫度影響的電流。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型的不受溫度影響的電流源的電路圖。
【具體實施方式】
[0011]以下結(jié)合附圖對本【實用新型內(nèi)容】進一步說明。
[0012]不受溫度影響的電流源，如圖1所示，包括第一 NMOS管101、第一 PMOS管102、第二 NMOS 管 103 和第三 NMOS 管 104:
[0013]所述第一 NMOS管101的柵極接電源電壓VCC，漏極接電源電壓VCC，源極接所述第一PMOS管102的源極；
[0014]所述第一 PMOS管102的柵極接地，漏極接所述第二 NMOS管103的柵極和漏極和所述第三NMOS管104的柵極，源極接所述第一 NMOS管101的源極；
[0015]所述第二 NMOS管103的柵極和漏極接在一起再接所述第一 PMOS管102的漏極和所述第三NMOS管104的柵極，源極接地；
[0016]所述第三NMOS管104的柵極接所述第一 PMOS管102的漏極和所述第二 NMOS管103的柵極和漏極，漏極作為輸出電流端10UT，源極接地。
[0017]由于所述第一 NMOS管101的柵極接電源電壓VCC和所述第一 PMOS管102的柵極接地，所述第一 NMOS管101和所述第一 PMOS管102工作在飽和區(qū)，呈電阻性特性，通過調(diào)節(jié)寬長比來變換電阻值；所述第二NMOS管103的源漏間的電流等于電源電壓VCC減去所述第一 NMOS管101和所述第一 PMOS管102的電阻值之和，該電流通過所述第二 NMOS管103鏡像給所述第三NMOS管104的漏極10UT，通過調(diào)節(jié)所述第二 NMOS管103和所述第三NMOS管104的寬長比的比例來調(diào)節(jié)輸出電流1UT ;由于所述第一 NMOS管101的源漏間電阻值呈正溫度系數(shù)，而所述第一 PMOS管102的源漏間電阻值呈負溫度系數(shù)，通過調(diào)節(jié)溫度系數(shù)即調(diào)節(jié)管子的寬長比來達到零溫度系數(shù)，即不受溫度影響的電流。
【主權(quán)項】
1.不受溫度影響的電流源，其特征在于:包括第一 NMOS管、第一 PMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管； 所述第一 NMOS管的柵極接電源電壓VCC，漏極接電源電壓VCC，源極接所述第一 PMOS管的源極； 所述第一 PMOS管的柵極接地，漏極接所述第二 NMOS管的柵極和漏極和所述第三NMOS管的柵極，源極接所述第一 NMOS管的源極； 所述第二 NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第一 PMOS管的漏極和所述第三NMOS管的柵極，源極接地； 所述第三NMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的漏極和所述第二 NMOS管的柵極和漏極，漏極作為輸出電流端10UT，源極接地。
【專利摘要】本實用新型公開了一種不受溫度影響的電流源。不受溫度影響的電流源包括第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管。利用本實用新型提供的不受溫度影響的電流源能夠輸出不隨溫度影響的電流。
【IPC分類】G05F1/565
【公開號】CN204719592
【申請?zhí)枴緾N201520420318
【發(fā)明人】齊盛
【申請人】杭州寬?？萍加邢薰?br>【公開日】2015年10月21日
【申請日】2015年6月15日