電流源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電流源。
【背景技術(shù)】
[0002]設(shè)計(jì)了一種電流源。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型旨在提供一種電流源。
[0004]電流源，包括第一運(yùn)算放大器、第一 PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第二 PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管:
[0005]所述第一運(yùn)算放大器的正輸入端接基準(zhǔn)電壓VREF，負(fù)輸入端接所述第一 NMOS管的源極和所述第二 NMOS管的漏極，輸出端接所述第一 NMOS管的柵極；
[0006]所述第一 PMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第一 NMOS管的漏極和所述第二PMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC ;
[0007]所述第一 NMOS管的柵極接所述第一運(yùn)算放大器的輸出端，漏極接所述第一 PMOS管的柵極和漏極和所述第二 PMOS管的柵極，源極接所述第一運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端和所述第二 NMOS管的漏極；
[0008]所述第二 NMOS管的柵極接所述第二 PMOS管的漏極和所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的柵極，漏極接所述第一 NMOS管的源極和所述第一運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端，源極接地；
[0009]所述第二 PMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的柵極和漏極和所述第一 NMOS管的漏極，漏極接所述第二 NMOS管的柵極和所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC ；
[0010]所述第三NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第二 NMOS管的柵極和所述第二PMOS管的漏極和所述第四NMOS管的柵極，源極接地；
[0011]所述第四NMOS管的柵極接所述第二 NMOS管的柵極和所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第二 PMOS管的漏極，漏極作為電流輸出端10UT，源極接地。
[0012]所述第一運(yùn)算放大器和所述第一 NMOS管構(gòu)成跟隨器，基準(zhǔn)電壓VREF就加在所述第二 NMOS管的源漏極之間使得所述第二 NMOS管處于線性區(qū)，并產(chǎn)生電流，然后通過所述第一 PMOS管鏡像給所述第二 PMOS管，再通過所述第三NMOS管鏡像給所述第二 NMOS管和所述第四NMOS管，產(chǎn)生電流1UT。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型的電流源的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖對(duì)本【實(shí)用新型內(nèi)容】進(jìn)一步說明。
[0015]電流源，如圖1所示，包括第一運(yùn)算放大器101、第一 PMOS管102、第一 NMOS管103、第二 NMOS管104、第二 PMOS管105、第三NMOS管106和第四NMOS管107:
[0016]所述第一運(yùn)算放大器101的正輸入端接基準(zhǔn)電壓VREF，負(fù)輸入端接所述第一 NMOS管103的源極和所述第二 NMOS管104的漏極，輸出端接所述第一 NMOS管103的柵極；
[0017]所述第一 PMOS管102的柵極和漏極接在一起再接所述第一 NMOS管103的漏極和所述第二 PMOS管105的柵極，源極接電源電壓VCC ;
[0018]所述第一 NMOS管103的柵極接所述第一運(yùn)算放大器101的輸出端，漏極接所述第一 PMOS管102的柵極和漏極和所述第二 PMOS管105的柵極，源極接所述第一運(yùn)算放大器101的負(fù)輸入端和所述第二 NMOS管104的漏極；
[0019]所述第二 NMOS管104的柵極接所述第二 PMOS管105的漏極和所述第三NMOS管106的柵極和漏極和所述第四NMOS管107的柵極，漏極接所述第一 NMOS管103的源極和所述第一運(yùn)算放大器101的負(fù)輸入端，源極接地；
[0020]所述第二 PMOS管105的柵極接所述第一 PMOS管102的柵極和漏極和所述第一NMOS管103的漏極，漏極接所述第二 NMOS管104的柵極和所述第三NMOS管106的柵極和漏極和所述第四NMOS管107的柵極，源極接電源電壓VCC ;
[0021 ] 所述第三NMOS管106的柵極和漏極接在一起再接所述第二 NMOS管104的柵極和所述第二 PMOS管105的漏極和所述第四NMOS管107的柵極，源極接地；
[0022]所述第四NMOS管107的柵極接所述第二 NMOS管104的柵極和所述第三NMOS管106的柵極和漏極和所述第二 PMOS管105的漏極，漏極作為電流輸出端10UT，源極接地。
[0023]所述第一運(yùn)算放大器101和所述第一 NMOS管103構(gòu)成跟隨器，基準(zhǔn)電壓VREF就加在所述第二 NMOS管104的源漏極之間使得所述第二 NMOS管104處于線性區(qū)，并產(chǎn)生電流，然后通過所述第一 PMOS管102鏡像給所述第二 PMOS管105，再通過所述第三NMOS管106鏡像給所述第二 NMOS管104和所述第四NMOS管107，產(chǎn)生電流1UT。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.電流源，其特征在于:包括第一運(yùn)算放大器、第一 PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第二 PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管； 所述第一運(yùn)算放大器的正輸入端接基準(zhǔn)電壓VREF，負(fù)輸入端接所述第一 NMOS管的源極和所述第二 NMOS管的漏極，輸出端接所述第一 NMOS管的柵極； 所述第一 PMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第一 NMOS管的漏極和所述第二 PMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC ; 所述第一 NMOS管的柵極接所述第一運(yùn)算放大器的輸出端，漏極接所述第一 PMOS管的柵極和漏極和所述第二 PMOS管的柵極，源極接所述第一運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端和所述第二 NMOS管的漏極； 所述第二 NMOS管的柵極接所述第二 PMOS管的漏極和所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的柵極，漏極接所述第一 NMOS管的源極和所述第一運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端，源極接地； 所述第二 PMOS管的柵極接所述第一 PMOS管的柵極和漏極和所述第一 NMOS管的漏極，漏極接所述第二 NMOS管的柵極和所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的柵極，源極接電源電壓VCC ； 所述第三NMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第二 NMOS管的柵極和所述第二 PMOS管的漏極和所述第四NMOS管的柵極，源極接地； 所述第四NMOS管的柵極接所述第二 NMOS管的柵極和所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第二 PMOS管的漏極，漏極作為電流輸出端10UT，源極接地。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種電流源。電流源包括第一運(yùn)算放大器、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管。
【IPC分類】G05F1/56
【公開號(hào)】CN204808091
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520489495
【發(fā)明人】沈?qū)O園
【申請(qǐng)人】杭州寬福科技有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年7月3日