電壓源和浮置柵極電壓源的制作方法
【專利摘要】本申請涉及電壓源和浮置柵極電壓源。提供一種電壓源，其中至少一個(gè)第一開關(guān)將電壓源的第一節(jié)點(diǎn)耦合至施加電源電壓的至少一個(gè)電位的節(jié)點(diǎn)，并且至少一個(gè)第一電容元件將電壓源的第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)耦合至第一開關(guān)的控制節(jié)點(diǎn)。根據(jù)本申請的方案，當(dāng)施加于輸出節(jié)點(diǎn)之一的電位變化時(shí)，輸出電壓基本保持恒定。
【專利說明】
電壓源和浮置柵極電壓源
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型總的來說涉及電子電路，更具體地涉及電壓源。
【背景技術(shù)】
[0002]在特定應(yīng)用中，需要浮置源，即在具有可能變化的電位的兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)之間保持電壓的源。例如，在電機(jī)電源電路的領(lǐng)域中存在這種需求。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003 ]本申請旨在提供這樣的電壓源，使得保持兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)之間的電壓。
[0004]一個(gè)實(shí)施例提供一種浮置電壓源，其能夠保持兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)之間的電壓，不同的電位能夠被交替地施加其中的一個(gè)節(jié)點(diǎn)上。
[0005]—個(gè)實(shí)施例提供了一種浮置電壓源，其能夠保持兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)之間的電位差，其中的一個(gè)節(jié)點(diǎn)經(jīng)由電容元件被耦合至參考電位。
[0006]因此，一個(gè)實(shí)施例提供了一種電壓源，其中，至少一個(gè)第一開關(guān)將電壓源的第一節(jié)點(diǎn)耦合至施加電源電壓的至少一個(gè)電位的節(jié)點(diǎn)，并且至少一個(gè)第一電容元件將電壓源的第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)耦合至第一開關(guān)的控制節(jié)點(diǎn)。
[0007]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在施加于第二節(jié)點(diǎn)的電位的變化期間，第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電壓基本保持恒定。
[0008]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該電壓源包括用于在施加于第二節(jié)點(diǎn)的電位變化期間將第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電壓保持基本恒定的裝置。
[0009]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，至少一個(gè)輔助電壓源將第一開關(guān)的控制節(jié)點(diǎn)耦合至電壓源的第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)。
[0010]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，輔助電壓源包括將至少一個(gè)第一電流源耦合至電壓源的第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)的至少一個(gè)第一電阻元件，該第一電阻元件被耦合至第一開關(guān)的控制節(jié)點(diǎn)。
[0011]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，至少一個(gè)第二電阻元件耦合輔助電壓源和第一開關(guān)的控制節(jié)點(diǎn)。
[0012]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一電阻元件包括至少一個(gè)第一MOS型晶體管，第一MOS型晶體管的柵極耦合至漏極，第一開關(guān)包括與第一晶體管形成電流鏡的至少一個(gè)第二 MOS型晶體管。
[0013]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一電流源包括第一電流鏡，第一電流鏡具有耦合至第三節(jié)點(diǎn)的第一分支并具有耦合至第二電流鏡的第一分支的第二分支，第二電流鏡的第二分支耦合至電壓源的所述第一節(jié)點(diǎn)。
[0014]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，輔助電壓源包括:將第一晶體管的柵極耦合至電壓源的第一節(jié)點(diǎn)的第四電阻元件；以及第五電阻元件，將第一電流鏡的第一分支耦合至第三節(jié)點(diǎn)。
[0015]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，至少一個(gè)第二開關(guān)將第一開關(guān)的控制節(jié)點(diǎn)耦合至電壓源的第二節(jié)點(diǎn)，并且至少一個(gè)第二電容元件將電壓源的第一節(jié)點(diǎn)耦合至第二開關(guān)的控制節(jié)點(diǎn)。
[0016]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，至少一個(gè)第二電流源耦合至第一開關(guān)的控制節(jié)點(diǎn)。
[0017]另一實(shí)施例提供了一種浮置柵極電壓源，其特征在于，包括:第一開關(guān)電路，具有第一控制節(jié)點(diǎn)并被配置為將所述電壓源的第一輸出節(jié)點(diǎn)耦合至電源電壓源；以及第一電容電路，耦合在所述第一控制節(jié)點(diǎn)和所述電壓源的第二輸出節(jié)點(diǎn)之間，所述第二輸出節(jié)點(diǎn)被配置為耦合至負(fù)載線圈的端子，并且所述第一電容電路被配置為響應(yīng)于所述第二輸出節(jié)點(diǎn)上的電壓從第一電平到第二電平的變化來控制所述第一開關(guān)電路的所述第一控制節(jié)點(diǎn)上的電壓，以驅(qū)動所述第一開關(guān)電路，從而保持跨所述第一輸出節(jié)點(diǎn)和所述第二輸出節(jié)點(diǎn)的參考電壓。
[0018]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該浮置柵極電壓源還包括:第二開關(guān)電路，具有第二控制節(jié)點(diǎn)并被配置為將所述電壓源的所述第一輸出節(jié)點(diǎn)耦合至所述第二輸出節(jié)點(diǎn)；以及第二電容電路，耦合在所述第二控制節(jié)點(diǎn)和所述電壓源的所述第一輸出節(jié)點(diǎn)之間，所述第二電容電路被配置為響應(yīng)于所述第二輸出節(jié)點(diǎn)上的電壓從所述第二電平到所述第一電平的變化來控制所述第二開關(guān)電路的所述第二控制節(jié)點(diǎn)上的電壓，以驅(qū)動所述第二開關(guān)電路，從而保持跨所述第一輸出節(jié)點(diǎn)和所述第二輸出節(jié)點(diǎn)的參考電壓。
[0019]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該浮置柵極電壓源還包括:電源電路，所述電源電路包括半橋電路，所述半橋電路包括耦合在所述第二輸出節(jié)點(diǎn)與電源電壓源之間的第一開關(guān)和耦合在所述第二輸出節(jié)點(diǎn)與參考電壓源之間的第二開關(guān)，所述電源電壓源對應(yīng)于所述第一電平，以及所述參考電壓對應(yīng)于所述第二輸出節(jié)點(diǎn)上的所述第二電平。
[0020]根據(jù)本申請的方案，當(dāng)施加于輸出節(jié)點(diǎn)之一的電位變化時(shí)，輸出電壓基本保持恒定。另外，在輸出節(jié)點(diǎn)之一和參考電位之間存在電容耦合時(shí)，輸出電壓基本保持恒定。
[0021]根據(jù)以下結(jié)合附圖的具體實(shí)施例的非限制性描述，將詳細(xì)討論前述和其他的特征以及優(yōu)勢。
【附圖說明】
[0022]圖1示意性示出了應(yīng)用下述實(shí)施例的類型的電子設(shè)備的實(shí)例；
[0023]圖2示意性示出了浮置電壓源的實(shí)施例；
[0024]圖3示意性示出了浮置電壓源的另一實(shí)例；以及
[0025]圖4示意性示出了組合圖2和圖3的實(shí)施例的浮置電壓源的實(shí)施例的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。
【具體實(shí)施方式】
[0026]在不同的附圖中利用相同的參考標(biāo)號來表示相同的元件。為了簡化，只示出和詳述了有助于理解所述實(shí)施例的那些元件。具體地，只示出了有助于理解的控制和電源電路的那些元件，該電路還包括其他有用的元件。
[0027]除非另有指定，否則表述“近似”、“基本”和“大約”表示在10%內(nèi)，優(yōu)選地在5%內(nèi)。
[0028]在本說明書中，術(shù)語“連接”表示兩個(gè)元件之間的直接電連接，而術(shù)語“耦合”表示兩個(gè)元件之間的電連接，可以是直接的或者經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)其他無源或有源部件(諸如電阻器、電容器、電感、二極管、晶體管等)連接。
[0029]在以下描述中，在串聯(lián)連接的元件(例如，處于接通狀態(tài)的開關(guān))中忽略壓降，其中經(jīng)由串聯(lián)連接的元件施加不同的電位。
[0030]圖1示意性示出了控制和電源設(shè)備I的實(shí)例。設(shè)備I在電機(jī)M的線圈的第一端子3上提供電位。電機(jī)M的線圈的第二端子5連接至另一相同的控制和電源設(shè)備(未示出)。設(shè)備I包括具有兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)9和11的浮置電壓源7。輸出節(jié)點(diǎn)9和11通過電源電路13耦合至線圈的端子3。
[0031]浮置電壓源7利用具有施加至節(jié)點(diǎn)15的第一電位的電源電壓VCP來供電。參考電壓VREF具有施加給浮置電壓源的節(jié)點(diǎn)17的第一電位。電源電壓VCP的第二電位和參考電壓VREF的第二電位對應(yīng)于參考電位，例如慣例為具有零電位的地19。
[0032]浮置電流源7包括耦合輸出節(jié)點(diǎn)9和11的電阻元件21以及被參考電壓VREF控制并耦合節(jié)點(diǎn)15和9的電流源23。根據(jù)參考電壓VREF，由電流源23傳送參考電流IREF，使得當(dāng)通過電路13在節(jié)點(diǎn)9上采樣的電壓為零時(shí)，輸出節(jié)點(diǎn)9和11之間的電壓V等于參考電壓VREF。
[0033]電源電路13在具有施加于其的電位VBAT的端子25和連接至地的端子27之間供電。電壓VBAT對應(yīng)于電機(jī)電源電壓。該電壓例如由電池(未示出)來提供。
[0034]電路13包括:
[0035]開關(guān)29，將線圈的端子3耦合至地，由未示出的電路控制；
[0036]開關(guān)31，將施加電位VBAT的端子25耦合至線圈的端子3;
[0037]電路33，用于控制開關(guān)31，耦合至端子25、節(jié)點(diǎn)9和地，控制電路接收控制信號0N;以及
[0038]連接，位于輸出節(jié)點(diǎn)11和線圈的端子3之間。
[0039]節(jié)點(diǎn)9具有不期望的電容特性(不可避免的)，其通過將節(jié)點(diǎn)9耦合至地的寄生電容器35來代表。
[0040]在操作中，開關(guān)29和31交替地在線圈的端子3上施加電位VBAT和零電位，以控制電機(jī)的定位或旋轉(zhuǎn)。開關(guān)29的控制是有用的。
[0041 ]對于開關(guān)31來說，當(dāng)控制信號ON被激活時(shí)，電路33向開關(guān)31的控制節(jié)點(diǎn)施加節(jié)點(diǎn)9的電位，以總體對其進(jìn)行控制或者不進(jìn)行控制。在所示實(shí)例中，通過電路33在節(jié)點(diǎn)9上采樣的電流被認(rèn)為是零。
[0042]對于節(jié)點(diǎn)3的電位的每次變化，電壓源7的輸出節(jié)點(diǎn)11的電位也變化。然后，寄生電容器35應(yīng)該被充電或放電，這要求顯著大的電流。缺點(diǎn)在于，這種顯著大的電流引起浮置電壓源7的輸出電壓V的變化。確實(shí)，在向節(jié)點(diǎn)11施加電位VBAT時(shí)，電壓V降低，這會引起對電機(jī)供電的電位的提升的延遲。相反，當(dāng)節(jié)點(diǎn)11被置于與地接觸時(shí)，電壓V能夠超過用于控制電路33的部件或用于開關(guān)31的最大容許值。因此，當(dāng)施加至輸出端子的電位從電壓VBAT的一個(gè)值切換到另一值時(shí)，期望限制電壓V的變化。
[0043]在以下描述的實(shí)例中，電位VCP是設(shè)備的最高值，并且電壓VBAT和VREF是正的。
[0044]圖2示意性示出了能夠替代圖1的設(shè)備的源7的浮置電壓源50的實(shí)施例。
[0045]與圖1相同，浮置電壓源50包括被參考電壓VREF控制并將施加電壓VCP的節(jié)點(diǎn)15耦合至輸出節(jié)點(diǎn)9的電流源60a以及將節(jié)點(diǎn)9親合至另一輸出節(jié)點(diǎn)11的電阻元件21。
[0046]N溝道MOS型晶體管匪I的源極SI耦合至節(jié)點(diǎn)9且漏極Dl耦合至節(jié)點(diǎn)15。晶體管匪I的柵極Gl或控制節(jié)點(diǎn)通過電容器Cl耦合至節(jié)點(diǎn)11以及通過與電阻器Rl串聯(lián)的輔助電壓源62耦合至節(jié)點(diǎn)9。在所示實(shí)例中，電阻器Rl連接至柵極Gl。
[0047]在穩(wěn)定狀態(tài)下，輔助電壓源62通過電阻器Rl保持電容器Cl的充電狀態(tài)，使得晶體管匪I優(yōu)選地處于飽和狀態(tài)。然后，電流11流過晶體管匪I。電流源60a根據(jù)參考電壓VREF輸出電流I60a，使得電流I60a和Il的總和等于參考電流IREF。因此，節(jié)點(diǎn)9和11之間的電壓V基本等于參考電壓VREF。
[0048]在瞬變狀態(tài)下，在向先前處于零電位的節(jié)點(diǎn)11施加電位VBT時(shí)，電容器Cl保持柵極Gl和節(jié)點(diǎn)11之間的初始電壓。因此，晶體管匪I的柵極Gl和源極SI之間的電壓增加，這引起電流Il的值的強(qiáng)烈增加，快速地從被施加有電壓VCP的節(jié)點(diǎn)15對寄生電容器35進(jìn)行充電。從而，節(jié)點(diǎn)9的電位跟隨節(jié)點(diǎn)11的電位的增加，使得節(jié)點(diǎn)9和11之間的電壓V基本保持恒定。
[0049]圖3示意性示出了能夠替代圖1的設(shè)備的源7的浮置電壓源70的另一實(shí)施例。
[0050]與圖1相同，浮置電壓源70包括被參考電壓VREF控制并將節(jié)點(diǎn)15耦合至節(jié)點(diǎn)9的電流源60b以及耦合輸出節(jié)點(diǎn)9和11的電阻元件74。電阻元件74包括將節(jié)點(diǎn)9耦合至N溝道MOS型晶體管匪2的漏極D2的電阻器R2，其中晶體管匪2的柵極G2耦合至漏極D2且源極S2耦合至節(jié)點(diǎn)11。
[0051 ] N溝道MOS型晶體管匪3的漏極D3耦合至節(jié)點(diǎn)9且源極S3耦合至節(jié)點(diǎn)11。晶體管匪3的柵極G3—方面通過電容器C3耦合至節(jié)點(diǎn)9，另一方面通過電阻器R3耦合至柵極G2。
[0052]在穩(wěn)定狀態(tài)下，參考電流IREFl流過電阻元件74。調(diào)整電流IREFl，使得節(jié)點(diǎn)9和11之間的電壓V等于參考電壓VREF。電流IREFI流過晶體管匪2弓丨發(fā)柵極G2和源極S2之間的電壓。因此，晶體管匪2形成電阻元件，并且電阻元件74形成保持通過電阻器R3對電容器C3充電的輔助電壓源。當(dāng)電容器C3被充電時(shí)，晶體管NM2和NM3形成電流鏡，并且晶體管NM3 (優(yōu)選地處于飽和狀態(tài))傳導(dǎo)電流13。電流源60b傳送等于電流13和電流IREFl的總和的電流I60b。
[0053]在瞬變狀態(tài)下，在向先前處于電位BRAT的節(jié)點(diǎn)11施加地電位時(shí)，電容器C3保持節(jié)點(diǎn)9和柵極G3之間的電壓。因此，晶體管匪3的柵極G3和源極S3之間的電壓增加，這引起電流13的強(qiáng)烈增加，由此朝著施加有地電位的節(jié)點(diǎn)11對寄生電容器35放電。因此，節(jié)點(diǎn)9的電位跟隨節(jié)點(diǎn)11的電位的降低，使得節(jié)點(diǎn)9和11之間的電壓V基本保持恒定。
[0054]圖4以更加詳細(xì)的方式示意性示出了組合圖2和圖3的實(shí)施例的浮置電壓源90的實(shí)施例。圖4示出了輔助電壓源62(圖2)的實(shí)例以及被參考電壓VREF控制且將節(jié)點(diǎn)15耦合至節(jié)點(diǎn)9的電流源60的實(shí)例。電流源60提供電流源60a和60b (圖2和圖3)的實(shí)施例。浮置電壓源90能夠替代圖1的設(shè)備的源7。
[0055]浮置電壓源90包括:
[0056]電阻器R、晶體管匪1、電容器Cl和輔助電壓源62(諸如參照圖2所描述的)，輔助電壓源62具有輸入節(jié)點(diǎn)66和輸出節(jié)點(diǎn)68;以及
[0057]晶體管匪3、電容器C3和電阻器R3，以及包括電阻器R2和晶體管匪2的電阻元件74，諸如參照圖3所描述的。
[0058]操作類似于參照圖2和圖3所描述的，輸出節(jié)點(diǎn)9和11之間的電壓V在施加給節(jié)點(diǎn)11的電位的變化期間基本保持恒定。
[0059]浮置電壓源90還包括N溝道MOS型晶體管匪4，該晶體管匪4的源極S4耦合至節(jié)點(diǎn)11、柵極G4耦合至晶體管NM3的柵極G3以及漏極D4耦合至晶體管NMl的柵極Gl。
[0060]當(dāng)在電位VBAT之前向節(jié)點(diǎn)11施加地電位時(shí)，電容器C3保持節(jié)點(diǎn)9和柵極G4之間的電壓。因此，晶體管匪4的柵極G4和源極S4之間的電壓增加，這引起流過晶體管NM4的電流It的增加。這種增加對電容器Cl放電，這就抵消了流過晶體管匪I的電流II。因此，寄生電容器35的放電電流通過電流Il的穩(wěn)定狀態(tài)值而增加，這有助于在節(jié)點(diǎn)9和11的電位降低時(shí)將節(jié)點(diǎn)9和11之間的電壓保持為基本等于VREF。
[0061 ] 電流源60包括兩個(gè)N溝道MOS型晶體管匪5和匪6，它們的源極S5和S6耦合至地、它們的柵極G5和G6耦合到一起并且耦合至晶體管W5的漏極D5，使得晶體管匪5和W6形成第一電流鏡。漏極D5形成第一電流鏡的第一分支并且通過電阻器R5耦合至節(jié)點(diǎn)17。電流源60還包括第二電流鏡，該第二電流鏡包括兩個(gè)P溝道MOS型晶體管PM7和PM8，它們的源極S7和S8耦合至節(jié)點(diǎn)15，它們的柵極G7和G8耦合到一起并耦合至晶體管PM7的漏極D7。漏極D7耦合至晶體管NM6的漏極D6，這形成第一電流鏡的第二分支。晶體管PM8的漏極D8傳送電流160并耦合至輸出節(jié)點(diǎn)9。
[0062]在所公開的實(shí)例中，另一方面，電流源60的電阻器R5和電阻元件74的電阻器R2是相同的，并且另一方面，晶體管W5和匪2是相同的。從而，當(dāng)流過電阻元件74的電流IREFl與流過電阻器R5和晶體管匪5的電流IREF1’相同時(shí)，輸出節(jié)點(diǎn)9和11之間的電壓V等于參考電壓。晶體管NM6例如使得等于電流IREFl ’的電流流過晶體管NM6和NM7。
[0063]輔助電壓源62包括晶體管PM9，該晶體管PM9與晶體管PM7形成電流鏡，晶體管PM9的柵極G9耦合至柵極G7且源極S9耦合至節(jié)點(diǎn)15。晶體管PM9的漏極D9耦合至晶體管NMl O的漏極DlO，晶體管NMlO的柵極GlO耦合至漏極DlO并耦合至輔助電壓源62的輸出節(jié)點(diǎn)68。晶體管NMlO的源極SlO耦合至輔助電壓源62的輸入節(jié)點(diǎn)66。由晶體管PMlO輸出并由此形成電流源的電流110流過晶體管PM9和匪1，使得能夠保持節(jié)點(diǎn)68和66之間的電壓，晶體管匪1由此形成電阻元件。
[0064]P溝道MOS晶體管PMl I與晶體管PM7形成電流鏡，晶體管PMl I的柵極Gl I耦合至柵極G7，源極S11耦合至節(jié)點(diǎn)15 ο晶體管PMl I由此形成電流源。晶體管PMl I的漏極D11連接至晶體管NM4的漏極D4。
[0065]電壓源90的晶體管使得:
[0066]流過晶體管NM4的電流14通過跨晶體管PMll的相同強(qiáng)度的電流Ill補(bǔ)償；以及
[0067]電流160、110和Il的總和減去流過晶體管NM3的電流13等于電流IREF1。
[0068]在上述實(shí)施例中，在向浮置電壓源的輸出節(jié)點(diǎn)11施加兩個(gè)連續(xù)的電位時(shí)，瞬變狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間例如短于I微秒。通過電阻器Rl對電容器Cl充電或放電的時(shí)間特性以及通過電阻器R3對電容器C3充電或放電的時(shí)間特性優(yōu)選地長于瞬變狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間。
[0069]根據(jù)上述實(shí)施例的浮置電壓源的優(yōu)點(diǎn)在于，當(dāng)施加于輸出節(jié)點(diǎn)之一的電位變化時(shí)，輸出電壓基本保持恒定。
[0070]另一優(yōu)勢在于，在輸出節(jié)點(diǎn)之一和參考電位之間存在電容耦合時(shí)，輸出電壓基本保持恒定。
[0071]描述了具體實(shí)施例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將想到各種修改、改變和改進(jìn)。具體地，盡管浮置電壓源的實(shí)施例的上述實(shí)例已經(jīng)被應(yīng)用于為電機(jī)線圈供電的設(shè)備1，但類似實(shí)施例可以被包括在要求浮置電壓源的其他應(yīng)用中。具體地，參照圖2至圖4描述的操作對于施加于輸出節(jié)點(diǎn)11的電位的其他正值或負(fù)值而言保持相同。
[0072]盡管在上述實(shí)施例中使用了MOS型晶體管，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，可以使用其他類型的開關(guān)，例如雙極晶體管。
[0073]此外，盡管描述了電容器C1、C3，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，可以使用其他類型的電容元件。還應(yīng)該明白，可以使用其他類型的電阻元件(諸如MOS型晶體管)來代替上述電阻器町、1?2、1?3、1?5。
[0074]此外，盡管參考電壓VREF在參照圖2至圖4描述的實(shí)例中為正，但可以使用負(fù)參考電壓，例如通過用P溝道MOS晶體管代替N型MOS晶體管匪2和匪3。
[0075]此外，可以執(zhí)行類似實(shí)施例，其中:
[0076]用P溝道MOS型晶體管代替N溝道MOS型晶體管；
[0077]用N溝道MOS型晶體管代替P溝道MOS型晶體管；以及
[0078]用相同絕對值的負(fù)電位代替正電位。
[0079]盡管通過電路13從浮置電壓源的端子9采樣的電流在穩(wěn)定狀態(tài)下被認(rèn)為是零，但在穩(wěn)定狀態(tài)下從端子9采樣電流的設(shè)備可以進(jìn)行變化，例如通過調(diào)整由電流源60、60a和60b傳送的電流值。
[0080]此外，盡管參照圖2至圖4描述了電流源60a和60，但應(yīng)該明白，可以省略這種電流源，例如通過將電流11增加對應(yīng)的電流160a和160的值。
[0081]上面描述了具有不同變化的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該注意，可以組合這些實(shí)施例和變化的各種元件而不付出任何創(chuàng)造性勞動。
[0082]所描述的各個(gè)實(shí)施例可以進(jìn)行組合以提供進(jìn)一步的實(shí)施例。
[0083]這些改變、修改和改進(jìn)作為本公開的一部分，并且包括在本公開的精神和范圍內(nèi)。因此，僅通過實(shí)例進(jìn)行前述描述但不限于此。
[0084]根據(jù)上述說明可以對實(shí)施例進(jìn)行這些和其他的變化。通常，在以下權(quán)利要求中，所使用的術(shù)語不應(yīng)該認(rèn)為是將權(quán)利要求限制為說明書和權(quán)利要求中公開的具體實(shí)施例，而是應(yīng)該認(rèn)為是包括所有可能的實(shí)施例以及這些權(quán)利要求的等效方案的全部范圍。因此，權(quán)利要求不被本公開所限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電壓源，其特征在于，至少一個(gè)第一開關(guān)將所述電壓源的第一節(jié)點(diǎn)耦合至施加電源電壓的至少一個(gè)電位的節(jié)點(diǎn)，并且至少一個(gè)第一電容元件將所述電壓源的所述第一節(jié)點(diǎn)或第二節(jié)點(diǎn)耦合至所述至少一個(gè)第一開關(guān)的控制節(jié)點(diǎn)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓源，其特征在于，在施加于所述第二節(jié)點(diǎn)的電位的變化期間，所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間的電壓基本保持恒定。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓源，其特征在于，包括用于在施加于所述第二節(jié)點(diǎn)的電位的變化期間將所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間的電壓保持基本恒定的裝置。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓源，其特征在于，至少一個(gè)輔助電壓源將所述第一開關(guān)的所述控制節(jié)點(diǎn)耦合至所述電壓源的所述第一節(jié)點(diǎn)或所述第二節(jié)點(diǎn)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓源，其特征在于，所述輔助電壓源包括將至少一個(gè)第一電流源耦合至所述電壓源的所述第一節(jié)點(diǎn)或所述第二節(jié)點(diǎn)的至少一個(gè)第一電阻元件，所述第一電阻元件耦合至所述第一開關(guān)的所述控制節(jié)點(diǎn)。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓源，其特征在于，至少一個(gè)第二電阻元件耦合所述輔助電壓源和所述第一開關(guān)的所述控制節(jié)點(diǎn)。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電壓源，其特征在于，所述第一電阻元件包括至少一個(gè)第一MOS型晶體管，所述第一 MOS型晶體管的柵極耦合至漏極，所述第一開關(guān)包括與所述第一 MOS型晶體管形成電流鏡的至少一個(gè)第二 MOS型晶體管。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電壓源，其特征在于，所述第一電流源包括第一電流鏡，所述第一電流鏡具有耦合至第三節(jié)點(diǎn)的第一分支并具有耦合至第二電流鏡的第一分支的第二分支，所述第二電流鏡的第二分支耦合至所述電壓源的所述第一節(jié)點(diǎn)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電壓源，其特征在于: 所述輔助電壓源包括將所述第一 MOS型晶體管的柵極耦合至所述電壓源的所述第一節(jié)點(diǎn)的第四電阻元件；以及 第五電阻元件，將所述第一電流鏡的所述第一分支耦合至所述第三節(jié)點(diǎn)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓源，其特征在于，至少一個(gè)第二開關(guān)將所述第一開關(guān)的所述控制節(jié)點(diǎn)耦合至所述電壓源的所述第二節(jié)點(diǎn)，并且至少一個(gè)第二電容元件將所述電壓源的所述第一節(jié)點(diǎn)耦合至所述第二開關(guān)的控制節(jié)點(diǎn)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電壓源，其特征在于，至少一個(gè)第二電流源耦合至所述第一開關(guān)的控制節(jié)點(diǎn)。12.一種浮置柵極電壓源，其特征在于，包括: 第一開關(guān)電路，具有第一控制節(jié)點(diǎn)并被配置為將所述電壓源的第一輸出節(jié)點(diǎn)耦合至電源電壓源；以及 第一電容電路，耦合在所述第一控制節(jié)點(diǎn)和所述電壓源的第二輸出節(jié)點(diǎn)之間，所述第二輸出節(jié)點(diǎn)被配置為耦合至負(fù)載線圈的端子，并且所述第一電容電路被配置為響應(yīng)于所述第二輸出節(jié)點(diǎn)上的電壓從第一電平到第二電平的變化來控制所述第一開關(guān)電路的所述第一控制節(jié)點(diǎn)上的電壓，以驅(qū)動所述第一開關(guān)電路，從而保持跨所述第一輸出節(jié)點(diǎn)和所述第二輸出節(jié)點(diǎn)的參考電壓。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的浮置柵極電壓源，其特征在于，還包括: 第二開關(guān)電路，具有第二控制節(jié)點(diǎn)并被配置為將所述電壓源的所述第一輸出節(jié)點(diǎn)耦合至所述第二輸出節(jié)點(diǎn)；以及 第二電容電路，耦合在所述第二控制節(jié)點(diǎn)和所述電壓源的所述第一輸出節(jié)點(diǎn)之間，所述第二電容電路被配置為響應(yīng)于所述第二輸出節(jié)點(diǎn)上的電壓從所述第二電平到所述第一電平的變化來控制所述第二開關(guān)電路的所述第二控制節(jié)點(diǎn)上的電壓，以驅(qū)動所述第二開關(guān)電路，從而保持跨所述第一輸出節(jié)點(diǎn)和所述第二輸出節(jié)點(diǎn)的參考電壓。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的浮置柵極電壓源，其特征在于，還包括:電源電路，所述電源電路包括半橋電路，所述半橋電路包括耦合在所述第二輸出節(jié)點(diǎn)與電源電壓源之間的第一開關(guān)和耦合在所述第二輸出節(jié)點(diǎn)與參考電壓源之間的第二開關(guān)，所述電源電壓源對應(yīng)于所述第一電平，以及所述參考電壓對應(yīng)于所述第二輸出節(jié)點(diǎn)上的所述第二電平。
【文檔編號】G05F1/56GK205620843SQ201620136985
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年2月23日
【發(fā)明人】K·倫茲
【申請人】意法半導(dǎo)體 (Alps) 有限公司