專利名稱：具有動(dòng)態(tài)老化測試功能的單片機(jī)及其動(dòng)態(tài)老化測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括具有動(dòng)態(tài)老化測試功能的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的單片機(jī)及其動(dòng)態(tài)老化測試方法。
在高溫狀態(tài)下單片機(jī)的靜態(tài)老化測試篩選法中，使所有的輸入/輸出端處于特定的電平，并向電源接線端提供電源電壓。在這種靜態(tài)老化測試篩選法中，因?yàn)閱纹瑱C(jī)并不工作，因此沒有把應(yīng)力均勻地施加于單片機(jī)的各個(gè)元件，所以只能取得很小的老化測試篩選效果。
在高溫狀態(tài)下單片機(jī)的定時(shí)老化測試篩選法中，只提供單片機(jī)工作所需要的時(shí)鐘信號，以便單片機(jī)執(zhí)行特定的操作。同樣，在這種定時(shí)老化測試篩選法中，由于單片機(jī)的工作受到限制，因此并不能把應(yīng)力均勻地施加于單片機(jī)的各部件，所以也只能取得很小的老化測試效果。
在高溫狀態(tài)下單片機(jī)的動(dòng)態(tài)老化測試法中，為輸入端提供了各種各樣的電壓，同時(shí)提供普通電源電壓或更高的電源電壓作為供電電壓。由此，使單片機(jī)運(yùn)行起來，這樣在輸出端產(chǎn)生數(shù)據(jù)并與所預(yù)期的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。因此，在動(dòng)態(tài)老化測試篩選法中，由于單片機(jī)在實(shí)際運(yùn)行，所以應(yīng)力被均勻地施加于單片機(jī)的各個(gè)部件，這樣就可以提高老化測試篩選效果。
在現(xiàn)有技術(shù)的用于單片機(jī)的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)中，其中單片機(jī)包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器如閃爍(flash)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，單片機(jī)也是通過以下電路來構(gòu)建寫入電路，用于把數(shù)據(jù)寫入閃爍EEPROM；讀出電路，用于把數(shù)據(jù)從閃爍EEPROM中讀出；和擦除電路，用于對閃爍EEPROM執(zhí)行快速擦除操作。
在上述現(xiàn)有技術(shù)的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)中，當(dāng)執(zhí)行動(dòng)態(tài)老化測試時(shí)，大規(guī)模集成電路(LSI)測試器直接控制寫入電路、讀出電路和擦除電路以分別對閃爍EEPROM執(zhí)行寫入操作、讀出操作和快速擦除操作。然后，當(dāng)讀出電路從LSI測試器接收到讀出指令時(shí)，一個(gè)數(shù)據(jù)字便從閃爍EEPROM中讀出并發(fā)送到LSI測試器，LSI測試器把讀出的數(shù)據(jù)字與所預(yù)期的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，由此進(jìn)行驗(yàn)證，也就是確定閃爍EEPROM、寫入電路、讀出電路和快速擦除電路是否正常。同樣，為了提高老化測試篩選效果而不增加供給單片機(jī)的信號的數(shù)量，預(yù)先把測試程序存儲(chǔ)于閃爍EEPROM中，這樣單片機(jī)中的所有內(nèi)部電路均工作，也就是應(yīng)力被盡可能均勻地施加于所有的內(nèi)部電路上。后面將會(huì)對此進(jìn)行詳細(xì)說明。
但是在上述現(xiàn)有技術(shù)的老化測試系統(tǒng)中，要求閃爍EEPROM有很大的容量，這會(huì)削弱老化篩選效果。另外，LSI測試器的造價(jià)很高。這在后面也會(huì)進(jìn)行詳細(xì)說明。
根據(jù)本發(fā)明，在包括非易失性半導(dǎo)體設(shè)備以及分別對其執(zhí)行寫入操作、讀出操作和擦除操作的寫入、讀出和擦除電路的單片機(jī)中，在寫入、讀出、擦除電路與接口之間連接有序列發(fā)生器。序列發(fā)生器通過接口從外部接收第一個(gè)數(shù)據(jù)以把它寫入非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，然后從非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置讀出第一個(gè)數(shù)據(jù)，把它與通過接口從外部讀取的第二個(gè)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，由此執(zhí)行對非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的驗(yàn)證，然后從非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置讀出第三個(gè)數(shù)據(jù)并把它通過接口傳送到外部。
同樣，在用于兩個(gè)單片機(jī)的動(dòng)態(tài)老化測試方法中，其中每個(gè)單片機(jī)都包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，把測試程序?qū)懭脒@兩個(gè)單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，以利用測試程序來運(yùn)行單片機(jī)。之后，對其中一個(gè)單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置執(zhí)行快速擦除操作。然后把另一個(gè)單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的第一內(nèi)容移入上述被快速擦除的單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中。然后把上述被快速擦除的單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的第一內(nèi)容與上述另一個(gè)單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的第二內(nèi)容進(jìn)行比較，由此執(zhí)行對上述被快速擦除的單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的驗(yàn)證。
此外，在用于環(huán)形連接的至少第一、第二和第三單片機(jī)的動(dòng)態(tài)老化測試方法中，其中每個(gè)單片機(jī)都包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，把測試程序?qū)懭氲谝?、第二和第三單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，以利用測試程序來運(yùn)行第一、第二和第三單片機(jī)。之后，對第一單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置執(zhí)行快速擦除操作。然后操作第一單片機(jī)以從第三單片機(jī)接收數(shù)據(jù)，把從第三單片機(jī)來的數(shù)據(jù)與第一單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，并向第二單片機(jī)傳送“0”數(shù)據(jù)。同樣，操作第二單片機(jī)以從第一單片機(jī)接收數(shù)據(jù)，對從第一單片機(jī)來的數(shù)據(jù)和第二單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)執(zhí)行“或”邏輯運(yùn)算，并把“或”邏輯運(yùn)算得到的結(jié)果數(shù)據(jù)傳送給第三單片機(jī)。此外，操作第三單片機(jī)以從第二單片機(jī)接收數(shù)據(jù)，對來自第二單片機(jī)的數(shù)據(jù)和第三單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)執(zhí)行“或”邏輯運(yùn)算，當(dāng)從第二單片機(jī)來的數(shù)據(jù)與第三單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)相符時(shí)把“或”邏輯運(yùn)算得到的結(jié)果數(shù)據(jù)向第一單片機(jī)傳送，當(dāng)從第二單片機(jī)來的數(shù)據(jù)與第三單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)不相符時(shí)把從第二單片機(jī)來的數(shù)據(jù)傳送給第一單片機(jī)。


圖1為一電路方框圖，顯示了用于單片機(jī)的現(xiàn)有技術(shù)的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)；圖2為一電路方框圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)的第一個(gè)實(shí)施例；圖3為圖2中的序列發(fā)生器的詳細(xì)電路方框圖；圖4為一流程圖，用于說明圖2的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)的操作；圖5為圖4的驗(yàn)證步驟403的詳細(xì)流程圖；圖6為圖4的驗(yàn)證步驟404的詳細(xì)流程圖；圖7為一電路方框圖，用于說明根據(jù)本發(fā)明的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)的第二個(gè)實(shí)施例；圖8為圖7的序列發(fā)生器的詳細(xì)電路方框圖；圖9為一流程圖，用于說明圖7的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)的操作；和圖10A、10B、10C和10D分別為說明圖9的步驟903、904、905和906的電路方框圖。
在圖1中，單片機(jī)1由LSI測試器2進(jìn)行動(dòng)態(tài)老化測試。也就是說，單片機(jī)1被安裝在高溫態(tài)浴(a high temperature state bath)中的測試面板(未示出)上。應(yīng)注意有多個(gè)單片機(jī)連接在LSI測試器2上，但是為簡潔起見，只對一個(gè)單片機(jī)進(jìn)行說明。
單片機(jī)1由閃爍EEPROM 11、用于把數(shù)據(jù)寫入閃爍EEPROM 11的寫入電路12、用于從閃爍EEPROM 11讀出數(shù)據(jù)的讀出電路13和用于對閃爍EEPROM 11執(zhí)行快速擦除操作的擦除電路14構(gòu)成。應(yīng)當(dāng)注意，單片機(jī)1還包括其他電路如中央處理器(CPU)和邏輯電路(未示出)。
在動(dòng)態(tài)老化測試中，LSI測試器2直接控制寫入電路12、讀出電路13和擦除電路14以分別執(zhí)行對閃爍EEPROM 11的寫入操作、讀出操作和快速擦除操作。然后，當(dāng)讀出電路13從LSI測試器2接收到讀出指令時(shí)，一個(gè)數(shù)據(jù)字便從閃爍EEPROM 11中讀出并發(fā)送到LSI測試器2，LSI測試器2把讀出的數(shù)據(jù)字與所預(yù)期的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，由此進(jìn)行驗(yàn)證，也就是確定閃爍EEPROM、寫入電路12、讀出電路13和快速擦除電路14是否正常。
在圖1中，為了提高老化測試篩選效果而不增加提供給單片機(jī)1的信號的數(shù)量，預(yù)先把測試程序存儲(chǔ)于閃爍EEPROM 11中，這樣就可以運(yùn)行單片機(jī)1中的所有內(nèi)部電路，也就是把應(yīng)力盡可能均勻地施加于所有的內(nèi)部電路上。
但是，在上述圖1的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)中，為了完全操作單片機(jī)1中的內(nèi)部電路，要求閃爍EEPROM 11中存儲(chǔ)一個(gè)很大的測試程序，進(jìn)而也要求增加閃爍EEPROM 11的容量。同樣，在動(dòng)態(tài)老化測試中，對閃爍EEPROM的重寫操作被禁止。因此，由于很難完全操作閃爍EEPROM 11，所以便削弱了老化篩選效果。
同樣，在動(dòng)態(tài)老化測試中，由于LSI測試器2直接控制寫入電路12、讀出電路13和快速擦除電路14執(zhí)行對閃爍EEPROM 11的輸出數(shù)據(jù)的比較操作，因此LSI測試器2很復(fù)雜，這就增加了老化測試的費(fèi)用。
圖2圖解了根據(jù)本發(fā)明的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)的第一個(gè)實(shí)施例，在圖2中，兩個(gè)具有相同構(gòu)造的單片機(jī)1A和1B由測試器2’進(jìn)行動(dòng)態(tài)老化測試。
單片機(jī)1A除了包括分別與圖1的閃爍EEPROM 11、寫入電路12、讀出電路13和擦除電路14相對應(yīng)的閃爍EEPROM 11A、寫入電路12A、讀出電路13A和擦除電路14A之外還包括序列發(fā)生器15A和串行接口16A。類似地，單片機(jī)1B除了包括分別與圖1的閃爍EEPROM11、寫入電路12、讀出電路13和擦除電路14相對應(yīng)的閃爍EEPROM11B、寫入電路12B、讀出電路13B和擦除電路14B之外還包括序列發(fā)生器15B和串行接口16B。也就是說，測試器2’通過序列發(fā)生器15A和15B控制寫入電路12A和12B、讀出電路13A和13B和擦除電路14A和14B。因此，測試器2’的負(fù)荷就比圖1的LSI測試器2的負(fù)荷小，同樣測試器2’也得以簡化。
應(yīng)當(dāng)注意單片機(jī)1A(1B)還包括其他電路如CPU和邏輯電路(未示出)。
串行接口16A與串行接口16B相連，這樣單片機(jī)1A便與單片機(jī)1B連在一起。例如，在單片機(jī)1A中，數(shù)據(jù)DT被傳送給單片機(jī)1B，同時(shí)從單片機(jī)1B接收數(shù)據(jù)DR。當(dāng)串行接口16A或16B接收數(shù)據(jù)時(shí)，接口16A或16B會(huì)產(chǎn)生一個(gè)中斷信號INT并把它傳送給序列發(fā)生器15A或15B。應(yīng)當(dāng)注意，盡管每個(gè)串行接口16A和16B都獨(dú)立地提供有輸入端口和輸出端口，但是它們也可以提供單端口。同樣，也可以提供并行接口而不是各串行接口16A和16B。
圖3為圖2的單片機(jī)1A的序列發(fā)生器15A的詳細(xì)電路方框圖，在圖3中，序列發(fā)生器15A有下面這些元件構(gòu)造成地址生成器151，用于產(chǎn)生地址信號ADD；加法器152，用于在地址信號ADD的內(nèi)容上增加+1；比較器1 53，用于把從閃爍EEPROM 11A來的數(shù)據(jù)與從單片機(jī)1B來的數(shù)據(jù)DR進(jìn)行比較；“與”電路154和155；觸發(fā)器156，用于產(chǎn)生錯(cuò)誤信號ERA；模式解碼器157，用于接收模式信號MDA以產(chǎn)生寫入信號W、讀出信號R和擦除信號E，由此操作寫入電路12A、讀出電路13A和擦除電路14A。
當(dāng)通過“與”電路155把中斷信號INT提供給觸發(fā)器156的時(shí)鐘端時(shí)，觸發(fā)器156在其數(shù)據(jù)輸入端取數(shù)據(jù)即比較器153通過“與”電路154的輸出信號。
同樣，在使觸發(fā)器156的輸出Q為“0”(低電平)之后，也就是在使錯(cuò)誤信號ERA為“0”(錯(cuò)誤狀態(tài))之后，“與”電路154停止傳送比較器153的輸出信號，這樣觸發(fā)器156的輸出Q就保持為“0”(錯(cuò)誤狀態(tài))。應(yīng)當(dāng)注意，在老化測試之前，向觸發(fā)器156提供設(shè)置信號ST而對其進(jìn)行初始化。因此，測試器2’監(jiān)測錯(cuò)誤信號ERA以確定單片機(jī)1B是否正常。
另外，當(dāng)模式解碼器157產(chǎn)生寫入信號W時(shí)，“與”電路155會(huì)停止向觸發(fā)器156傳送中斷信號INT，由此停止驗(yàn)證操作。
應(yīng)當(dāng)注意，單片機(jī)1B的序列發(fā)生器15B具有與圖3相同的構(gòu)造。
下面將參照圖4、5和6對圖2的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)的操作進(jìn)行說明。
首先，在步驟401，對單片機(jī)1A和1B進(jìn)行初始化。也就是，利用擦除電路14A和14B對各個(gè)閃爍EEPROM 11A和11B執(zhí)行快速擦除操作。然后在EEPROM 11A和11B中存儲(chǔ)相同的測試程序。
接下去，在步驟402，把單片機(jī)1A和1B安裝在高溫態(tài)浴中的測試面板上。應(yīng)當(dāng)注意，測試面板與測試器2’保持電連接。同樣，通過向各個(gè)序列發(fā)生器15A和15B的觸發(fā)器156提供設(shè)置信號ST而對其進(jìn)行初始化。
接著，在步驟403，對單片機(jī)1A的閃爍EEPROM 11A進(jìn)行驗(yàn)證。這將在后面進(jìn)行解釋。
接下來，在步驟404，對單片機(jī)1B的閃爍EEPROM 11B進(jìn)行驗(yàn)證。這也將在后面進(jìn)行解釋。
由此，在步驟405結(jié)束圖4的流程圖。
下面將參照圖5對圖4的步驟403進(jìn)行解釋。
首先，在步驟501，根據(jù)存儲(chǔ)在閃爍EEPROM 11A中的測試程序來操作單片機(jī)1A，由此啟動(dòng)單片機(jī)1A的邏輯電路(未示出)。該操作是通過向單片機(jī)1A等提供特殊信號來執(zhí)行的。
接下來，在步驟502，測試器2’使得模式信號MDA為“快速擦除模式”。這樣，序列發(fā)生器15A的模式解碼器157操作擦除電路14A，由此執(zhí)行對閃爍EEPROM 11A的快速擦除操作。也就是，把“0”寫入閃爍EEPROM 11A的所有單元中。
接下來，在步驟503，測試器2’使得模式信號MDB為“讀出模式”，同時(shí)使得模式信號MDA為“寫入模式”。由此，序列發(fā)生器15B的模式解碼器157操作讀出電路13B，序列發(fā)生器15A的模式解碼器157操作寫入電路12A。這樣，閃爍EEPROM 11B的內(nèi)容便通過串行接口16B和16A轉(zhuǎn)移到閃爍EEPROM 11A中。在這種情況下，當(dāng)串行接口16A從串行接口16B接收到的一個(gè)數(shù)據(jù)字時(shí)，它就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)中斷信號INT以遞增序列發(fā)生器15A的地址生成器151的地址ADD。因此，閃爍EEPROM 11B中每個(gè)有地址的數(shù)據(jù)字就會(huì)被寫入閃爍EEPROM 11A的相同地址中。應(yīng)當(dāng)注意，序列發(fā)生器15A的觸發(fā)器156并不是由于寫入信號W的存在而運(yùn)行的。
接著，在步驟504，測試器2’使得模式信號MDB為“讀出模式”，同時(shí)，使得模式信號MDA為“讀出模式”。這樣，序列發(fā)生器15B的模式解碼器157操作讀出電路13B，序列發(fā)生器15A的模式解碼器157操作讀出電路13A。由此，序列發(fā)生器15A的比較器153就會(huì)把從閃爍EEPROM 11B讀出的數(shù)據(jù)字與從閃爍EEPROM 11A讀出的數(shù)據(jù)字進(jìn)行比較。同樣，在這種情況下，當(dāng)串行接口1±6A從串行接口16B接收到一個(gè)數(shù)據(jù)字時(shí)，它就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)中斷信號INT以遞增序列發(fā)生器15A的地址生成器151的地址ADD。由此，閃爍EEPROM 11B中每個(gè)有地址的數(shù)據(jù)字就會(huì)與閃爍EEPROM 11A的相同地址的數(shù)據(jù)字進(jìn)行比較。另外，序列發(fā)生器15A的觸發(fā)器156是由于沒有寫入信號W而運(yùn)行的。
當(dāng)閃爍EEPROM 11B的一個(gè)地址中的數(shù)據(jù)不同于閃爍EEPROM11A的相同地址中的數(shù)據(jù)時(shí)，序列發(fā)生器15A的比較器153的輸出信號就被變?yōu)椤?”(低電平)，這樣序列發(fā)生器15A的觸發(fā)器156的輸出端Q也被變?yōu)椤?”(ERA＝“0”)。一旦序列發(fā)生器15A的觸發(fā)器156的輸出端Q被變?yōu)椤?”(低電平)，序列發(fā)生器15A的觸發(fā)器156的輸出端Q由于“與”電路154被序列發(fā)生器15A的觸發(fā)器156的輸出端Q無效而再不會(huì)變化。
接下來，在步驟505，測試器2’讀出錯(cuò)誤信號ERA的數(shù)據(jù)以確定閃爍EEPROM 11A是否正常。
由此，圖5的流程圖在步驟506結(jié)束。
下面將參照圖6對圖4的步驟404進(jìn)行說明。
首先，在步驟601，單片機(jī)1B根據(jù)存儲(chǔ)在閃爍EEPROM 11B中的測試程序運(yùn)行，由此啟動(dòng)單片機(jī)1B的邏輯電路(未示出)。這種操作是通過向單片機(jī)1B等提供特殊信號而被執(zhí)行。
接下來，在步驟602，測試器2’使得模式信號MDB為“快速擦除模式”。這樣序列發(fā)生器15B的模式解碼器157操作擦除電路14B，由此執(zhí)行對閃爍EEPROM 11B的快速擦除操作。也就是，將“0”寫入閃爍EEPROM 11B的所有單元中。
接下來，在步驟603，測試器2’使得模式信號MDA為“讀出模式”，同時(shí)，使得模式信號MDB為“寫入模式”。由此，序列發(fā)生器15A的模式解碼器157操作讀出電路13A，序列發(fā)生器15B的模式解碼器157操作寫入電路12B。這樣閃爍EEPROM 11A中的內(nèi)容就通過串行接口16A和16B被轉(zhuǎn)移到閃爍EEPROM 11B。在這種情況下，當(dāng)串行接口16B從串行接口16A接收到一個(gè)數(shù)據(jù)字時(shí)，它就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)中斷信號INT以遞增序列發(fā)生器15B的地址生成器151的地址ADD。因此，閃爍EEPROM 11A中每個(gè)有地址的數(shù)據(jù)字就會(huì)被寫入閃爍EEPROM 11B的相同地址中。應(yīng)當(dāng)注意，序列發(fā)生器15B的觸發(fā)器156并不是由于存在寫入信號W而運(yùn)行的。
接著，在步驟604，測試器2’使得模式信號MDA為“讀出模式”，同時(shí)，使得模式信號MDB為“讀出模式”。這樣，序列發(fā)生器15A的模式解碼器157操作讀出電路13A，序列發(fā)生器15B的模式解碼器157操作讀出電路13B。由此，序列發(fā)生器15B的比較器153就會(huì)把從閃爍EEPROM 11A讀出的數(shù)據(jù)字與從閃爍EEPROM 11B讀出的數(shù)據(jù)字進(jìn)行比較。同樣，在這種情況下，當(dāng)串行接口16B從串行接口16A接收到一個(gè)數(shù)據(jù)字時(shí)，它就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)中斷信號INT以遞增序列發(fā)生器15B的地址生成器151的地址ADD。由此，將閃爍EEPROM 11A中每個(gè)有地址的數(shù)據(jù)字與閃爍EEPROM 11B的相同地址的數(shù)據(jù)字進(jìn)行比較。另外，序列發(fā)生器15B的觸發(fā)器156是由于沒有寫入信號W而運(yùn)行的。
當(dāng)閃爍EEPROM 11A的一個(gè)地址中的數(shù)據(jù)不同于閃爍EEPROM11B的相同地址中的數(shù)據(jù)時(shí)，序列發(fā)生器15B的比較器153的輸出信號就被變?yōu)椤?”(低電平)，這樣序列發(fā)生器15B的觸發(fā)器156的輸出端Q也被變?yōu)椤?”(ERB＝“0”)。一旦序列發(fā)生器15B的觸發(fā)器156的輸出端Q被變?yōu)椤?”(低電平)，序列發(fā)生器15B的觸發(fā)器156的輸出端Q由于“與”電路154被序列發(fā)生器15B的觸發(fā)器156的輸出端Q無效而再不會(huì)變化。
接下來，在步驟605，測試器2’讀出錯(cuò)誤信號ERB的數(shù)據(jù)以確定閃爍EEPROM 11B是否正常。
由此，圖6的流程圖在步驟606結(jié)束。
根據(jù)如圖2、3、4、5和6所示的第一個(gè)實(shí)施例，利用測試器2’產(chǎn)生的模式信號MDA和MDB把閃爍EEPROM 11B或11A的內(nèi)容轉(zhuǎn)移到閃爍EEPROM 11A或11B。因此，由于單片機(jī)1A或1B可以把閃爍EEPROM 11A和11B的內(nèi)容再存入到單片機(jī)1B或1A中，所以，單片機(jī)1A或1B即使在其閃爍EEPROM被擦除之后也能恢復(fù)測試程序。由此，除了能啟動(dòng)邏輯電路之外，還能啟動(dòng)閃爍EEPROM 11A(11B)、寫入電路12A(12B)、讀出電路13A(13B)和擦除電路14A(14B)。換句話說，能夠啟動(dòng)單片機(jī)1A(1B)中的所有電路。因此，在動(dòng)態(tài)老化測試中，應(yīng)力被均勻地施加于單片機(jī)1A(1B)的所有部件上，由此便提高了動(dòng)態(tài)老化測試性能。
另外，因?yàn)閱纹瑱C(jī)中本身就提供了把一個(gè)單片機(jī)的閃爍EEPROM的內(nèi)容轉(zhuǎn)移到另一個(gè)單片機(jī)的閃爍EEPROM中去的功能，因此測試器2’就可得以簡化。
注意很難使圖1的LSI測試器2把其老化測試數(shù)據(jù)寫入閃爍EEPROM。如果LSI測試器2強(qiáng)行把老化測試數(shù)據(jù)寫入EEPROM，那么LSI測試器2的容量就要增加。
在圖2中，測試器2’上只連接了兩個(gè)單片機(jī)，但是測試器2’上實(shí)際上可以連接大量的單片機(jī)，如1000個(gè)單片機(jī)，由此就可以同時(shí)執(zhí)行多個(gè)動(dòng)態(tài)老化測試操作。
在圖2和3中，序列發(fā)生器15A和15B可以由CPU和固件形成。同樣，串行接口16A和16B也可以由并行接口來代替。
圖7描述了根據(jù)本發(fā)明的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)的第二個(gè)實(shí)施例，由測試器2’對具有相同配置的四個(gè)單片機(jī)1A、1B、1C和1D進(jìn)行動(dòng)態(tài)老化測試。單片機(jī)1A、1B、1C和1D以環(huán)形連接。也就是說，單片機(jī)1A的輸出端口與單片機(jī)1B的輸入端口相連。同樣，單片機(jī)1B的輸出端口與單片機(jī)1C的輸入端口相連。進(jìn)一步，單片機(jī)1C的輸出端口與單片機(jī)1D的輸入端口相連。另外，單片機(jī)1D的輸出端口與單片機(jī)1A的輸入端口相連。
在圖7中，注意VA、VB、VC和VD表示驗(yàn)證模式信號。
除了如圖8所示把“或”電路158、“與”電路159、“或”電路160、“與”電路161和選擇器162被加入序列發(fā)生器15A之外，單片機(jī)1A、1B、1C和1D具有與圖2的單片機(jī)相同的配置。同樣，在圖8中，“與”電路155由驗(yàn)證信號如VA控制，而不是由寫入信號W控制。
在選擇器162中，在非驗(yàn)證模式(VA＝“0”)下，選擇器162選擇它的上輸入端即“或”電路158。相反，在驗(yàn)證模式(VA＝“1”)下，選擇器162選擇它的下輸入端，即“與”電路159、“或”電路160和“與”電路161。
下面將參照圖9對圖7的動(dòng)態(tài)老化測試系統(tǒng)的操作進(jìn)行解釋。
首先，在步驟901，對單片機(jī)1A、1B、1C和1D進(jìn)行初始化。也就是說，通過相應(yīng)的擦除電路分別對每個(gè)閃爍EEPROM執(zhí)行快速擦除操作。然后，在各EEPROM中存儲(chǔ)相同的測試程序。
接下來，在步驟902，把單片機(jī)1A、1B、1C和1D安裝在高溫態(tài)浴中的測試面板上。應(yīng)當(dāng)注意，測試面板與測試器2’保持電連接。同樣，通過向各個(gè)序列發(fā)生器的觸發(fā)器156提供設(shè)置信號ST而對其進(jìn)行初始化。
接著，在步驟903，對單片機(jī)1A的閃爍EEPROM進(jìn)行驗(yàn)證。這將在后面進(jìn)行解釋。
接下來，在步驟904，對單片機(jī)1B的閃爍EEPROM進(jìn)行驗(yàn)證。這將在后面進(jìn)行解釋。
接下來，在步驟905，對單片機(jī)1C的閃爍EEPROM進(jìn)行驗(yàn)證。這將在后面進(jìn)行解釋。
接下來，在步驟906，對單片機(jī)1D的閃爍EEPROM進(jìn)行驗(yàn)證。這將在后面進(jìn)行解釋。由此，在步驟907結(jié)束圖9的流程圖。下面將參照圖10A對圖9的步驟903進(jìn)行解釋。也就是說，在單片機(jī)1A中，MDA＝“讀出模式”和“寫入模式”VA＝“1”(驗(yàn)證模式)同樣，在單片機(jī)1B和1C中，MDB＝MDC＝“讀出模式”VB＝BC＝“D”(非驗(yàn)證模式)進(jìn)一步，在單片機(jī)1D中，MDD＝“讀出模式”VB＝“1”(驗(yàn)證模式)這樣，在單片機(jī)1A中，比較器153把單片機(jī)1A的數(shù)據(jù)與單片機(jī)1D的輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，由此執(zhí)行驗(yàn)證。同時(shí)，把單片機(jī)1D的輸出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在單片機(jī)1A的EEPROM中。在這種情況下，選擇器162選擇它的低輸入端，并且由于“與”電路161總是被寫入信號W無效而向單片機(jī)1B傳輸“0”(低電平)。
在單片機(jī)1B中，選擇器162選擇它的上輸入端。因此，“或”電路158對單片機(jī)1B的數(shù)據(jù)和單片機(jī)1A的輸出數(shù)據(jù)執(zhí)行“或”邏輯運(yùn)算，這樣，“或”邏輯運(yùn)算的結(jié)果便被傳送到單片機(jī)1C。在這種情況下，由于單片機(jī)1A的輸出數(shù)據(jù)全為“0”，所以單片機(jī)1B的輸出數(shù)據(jù)與單片機(jī)1B的EEPROM的數(shù)據(jù)相同。
在單片機(jī)1C中，選擇器162選擇它的上輸入端。因此，“或”電路158對單片機(jī)1C的數(shù)據(jù)和單片機(jī)1B的輸出數(shù)據(jù)執(zhí)行“或”邏輯運(yùn)算，這樣，“或”邏輯運(yùn)算的結(jié)果便被傳送到單片機(jī)1D。在這種情況下，如果單片機(jī)1B的EEPROM中的一些單元在動(dòng)態(tài)老化測試中損壞，這些單元中的“0”就會(huì)發(fā)生變化。即使在這種情況下，單片機(jī)1C的輸出數(shù)據(jù)也不會(huì)受單片機(jī)1B的EEPROM中的損壞單元的影響，除非是單片機(jī)1C的EEPROM受到損壞。相反，即使是單片機(jī)1C的EEPROM受到損壞，單片機(jī)1C的輸出數(shù)據(jù)也不會(huì)受到單片機(jī)1C的EEPROM的損壞單元的影響，除非是單片機(jī)1B的EEPROM受到損壞。換句話說，除非是單片機(jī)1B和1C的EEPROM都受到損壞，否則單片機(jī)1C的輸出數(shù)據(jù)是不會(huì)受到影響的。
在單片機(jī)1D中，比較器153把單片機(jī)1D的數(shù)據(jù)與單片機(jī)1C的輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，由此執(zhí)行驗(yàn)證。這樣，如果單片機(jī)1D的EEPROM中的數(shù)據(jù)與單片機(jī)1C的輸出數(shù)據(jù)不一致，那么便使得比較器153的輸出信號變?yōu)椤?”，從而“與”電路159的輸出信號為“0”。因此，由于選擇器162選擇了它的低輸入端，所以單片機(jī)1C的輸出數(shù)據(jù)便會(huì)通過“或”電路160和“與”電路161而傳遞到單片機(jī)1A。注意，如上所述，單片機(jī)1C的輸出數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤幾率很低。
然后，測試器2’讀出錯(cuò)誤信號ERD以確定單片機(jī)1D的EEPROM的數(shù)據(jù)是否正常。只有在錯(cuò)誤信號ERD顯示錯(cuò)誤時(shí)，測試器2’才使得模式信號MDD為“擦除模式”并把“0”寫入單片機(jī)1D的EEPROM的所有單元中，由此防止單片機(jī)1D的缺陷向另一個(gè)單片機(jī)1D擴(kuò)展。
最后，測試器2’讀出錯(cuò)誤信號ERA以確定單片機(jī)1A的EEPROM是否正常。
下面將參照圖10B對圖9中的步驟904進(jìn)行解釋。注意通過提前向所有的觸發(fā)器156提供一個(gè)設(shè)置信號ST而對其進(jìn)行設(shè)置。
也就是說，在單片機(jī)1B中，MDB＝“讀出模式”和“寫入模式”VB＝“1”(驗(yàn)證模式)
同樣，在單片機(jī)1C和1D中，MDC＝MDD＝“讀出模式”VC＝VD＝“0”(非驗(yàn)證模式)進(jìn)一步，在單片機(jī)1A中，MDA＝“讀出模式”VA＝“1”(驗(yàn)證模式)這樣，在單片機(jī)1B中，如步驟903中一樣，測試器2’讀出錯(cuò)誤信號ERB以確定單片機(jī)1B的EEPROM是否正常.
下面將參照圖10C對圖9中的步驟905進(jìn)行解釋。注意通過提前向所有的觸發(fā)器156提供一個(gè)設(shè)置信號ST而對其進(jìn)行設(shè)置。
也就是說，在單片機(jī)1C中，MDC＝“讀出模式”和“寫入模式”VC＝“1”(驗(yàn)證模式)同樣，在單片機(jī)1D和1A中，MDD＝MDA＝“讀出模式”VD＝VA＝“0”(非驗(yàn)證模式)進(jìn)一步，在單片機(jī)1B中，MDB＝“讀出模式”VB＝“1”(驗(yàn)證模式)這樣，在單片機(jī)1C中，如步驟903中一樣，測試器2’讀出錯(cuò)誤信號ERC以確定單片機(jī)1C的EEPROM是否正常.
下面將參照圖10D對圖9中的步驟906進(jìn)行解釋。注意通過提前向所有的觸發(fā)器156提供一個(gè)設(shè)置信號ST而對其進(jìn)行設(shè)置。
也就是說，在單片機(jī)1D中，
MDD＝“讀出模式”和“寫入模式”VD＝“1”(驗(yàn)證模式)同樣，在單片機(jī)1A和1B中，MDA＝MDB＝“讀出模式”VA＝VB＝“0”(非驗(yàn)證模式)進(jìn)一步，在單片機(jī)1C中，MDC＝“讀出模式”VC＝“1”(驗(yàn)證模式)這樣，在單片機(jī)1D中，如步驟903中一樣，測試器2’讀出錯(cuò)誤信號ERD以確定單片機(jī)1D的EEPROM是否正常。
在如圖9、10A、10B、10C和10D所示的第二個(gè)實(shí)施例中，即使是單片機(jī)1A、1B、1C和1D中的一個(gè)在動(dòng)態(tài)老化測試時(shí)損壞，還可以對其他單片機(jī)進(jìn)行動(dòng)態(tài)老化測試，由此確定其他單片機(jī)的EEPROM是否正常。
在第二個(gè)實(shí)施例中，盡管環(huán)形連接的單片機(jī)的數(shù)量是4個(gè)，但是該數(shù)量還可以是3個(gè)或多于4個(gè)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)闇y試器既不需要向各個(gè)單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置提供測試程序，也不需要直接控制各個(gè)單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，所以可以降低各個(gè)單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的容量，并且在簡化測試器的同時(shí)提高了動(dòng)態(tài)老化篩選的效果。
權(quán)利要求
1.一種單片機(jī)，包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(11A，11B)；寫入、讀出和擦除電路(12A、12B、13A、13B、14A、14B)，與所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置相連，用于對所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置分別執(zhí)行寫入操作、讀出操作和擦除操作；接口(16A，16B)；序列發(fā)生器，連接在所述寫入、讀出和擦除電路與所述接口之間，用于通過所述接口從外部接收第一數(shù)據(jù)并把所述第一數(shù)據(jù)寫入所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，從所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置讀出所述第一數(shù)據(jù)以把所述第一數(shù)據(jù)與通過所述接口從外部讀取的第二數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，由此執(zhí)行對所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的驗(yàn)證，從所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置讀出第三數(shù)據(jù)，并通過所述接口把第三數(shù)據(jù)傳輸?shù)酵獠俊?br> 2.如權(quán)利要求1所述的單片機(jī)，其特征在于，把測試程序?qū)懭胨龇且资园雽?dǎo)體存儲(chǔ)裝置以利用所述測試程序來操作所述單片機(jī)，在所述單片機(jī)運(yùn)行之后和在所述第一數(shù)據(jù)被寫入所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置之前，所述序列發(fā)生器使得所述擦除電路執(zhí)行對所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的快速擦除操作。
3.如權(quán)利要求1所述的單片機(jī)，其特點(diǎn)在于，所述序列發(fā)生器包括地址生成器(151，152)，連接在所述接口與所述寫入和讀出電路之間，用于從所述接口接收中斷信號(INT)以生成地址(ADD)并把所述地址傳送到所述寫入和讀出電路；和錯(cuò)誤檢測單元(153、154、155、156)，與所述讀出電路和所述接口相連，用于把所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，以在所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)不一致時(shí)產(chǎn)生錯(cuò)誤信號(ERA，ERB)。
4.如權(quán)利要求1所述的單片機(jī)，其特征在于，所述序列發(fā)生器包括模式解碼器(157)，與所述寫入、讀出和擦除電路相連，用于從外部接收模式信號(MDA，MDB)以操作所述寫入、讀出和擦除電路。
5.如權(quán)利要求1所述的單片機(jī)，其特征在于，所述序列發(fā)生器包括“或”邏輯電路(158)，與所述讀出電路和所述接口相連，用于對從所述讀出電路讀出的所述第一數(shù)據(jù)和從所述接口讀出的所述第二數(shù)據(jù)執(zhí)行“或”邏輯運(yùn)算，并通過所述接口把所述“或”邏輯運(yùn)算的結(jié)果傳送到外部。
6.如權(quán)利要求1所述的單片機(jī)，其特征在于，所述序列發(fā)生器包括邏輯電路(161)，與所述寫入電路相連，用于在所述寫入和讀出電路運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生“0”邏輯信號并通過所述接口把所述“0”邏輯信號傳送到外部。
7.如權(quán)利要求3所述的單片機(jī)，其特征在于，所述序列發(fā)生器包括邏輯電路(159，160)，與所述讀出電路、所述錯(cuò)誤檢測電路和所述接口相連，用于在所述錯(cuò)誤信號未產(chǎn)生時(shí)對從所述讀出電路讀出的所述第一數(shù)據(jù)和從所述接口讀出的所述第二數(shù)據(jù)執(zhí)行第一“或”邏輯運(yùn)算以通過所述接口把所述第一“或”邏輯運(yùn)算的結(jié)果傳送到外部，并且還用于對“0”邏輯信號和從所述接口讀出的所述第二數(shù)據(jù)執(zhí)行第二“或”邏輯運(yùn)算以把所述第二“或”邏輯運(yùn)算的結(jié)果傳送到外部，在所述錯(cuò)誤信號產(chǎn)生之后，所述序列發(fā)生器使得所述擦除電路執(zhí)行對所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的快速擦除操作。
8.一種單片機(jī)，包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(11A，11B)；寫入、讀出和擦除電路(12A、12B、13A、13B、14A、14B)，與所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置相連，用于對所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置分別執(zhí)行寫入操作、讀出操作和擦除操作；接口(16A，16B)；序列發(fā)生器裝置，用于通過所述接口從外部接收第一數(shù)據(jù)以把所述第一數(shù)據(jù)寫入所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，從所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置讀出所述第一數(shù)據(jù)以把所述第一數(shù)據(jù)與通過所述接口從外部讀出的第二數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，由此執(zhí)行對所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的驗(yàn)證，從所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置讀出第三數(shù)據(jù)，并通過所述接口把第三數(shù)據(jù)傳輸?shù)酵獠俊?br> 9.如權(quán)利要求8所述的單片機(jī)，其特征在于，測試程序被寫入所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，以利用所述測試程序來操作所述單片機(jī)，在所述單片機(jī)運(yùn)行之后和在所述第一數(shù)據(jù)被寫入所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置之前，所述序列發(fā)生器裝置使得所述擦除電路執(zhí)行對所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的快速擦除操作。
10.如權(quán)利要求8所述的單片機(jī)，其特點(diǎn)在于，所述序列發(fā)生器裝置包括地址生成裝置，用于從所述接口接收中斷信號(INT)以生成地址(ADD)并把所述地址傳送到所述寫入和讀出電路；和錯(cuò)誤檢測裝置，用于把所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)進(jìn)行比較以在所述第一數(shù)據(jù)與所述第二數(shù)據(jù)不一致時(shí)產(chǎn)生錯(cuò)誤信號(ERA，ERB)。
11.如權(quán)利要求8所述的單片機(jī)，其特征在于，所述序列發(fā)生器裝置包括模式解碼器，用于從外部接收模式信號(MDA，MDB)以操作所述寫入、讀出和擦除電路。
12.如權(quán)利要求8所述的單片機(jī)，其特征在于，所述序列發(fā)生器裝置包括“或”邏輯電路，用于對從所述讀出電路讀出的所述第一數(shù)據(jù)和從所述接口讀出的所述第二數(shù)據(jù)執(zhí)行“或”邏輯運(yùn)算，并通過所述接口把所述“或”邏輯運(yùn)算的結(jié)果傳送到外部。
13.如權(quán)利要求8所述的單片機(jī)，其特征在于，所述序列發(fā)生器裝置包括邏輯裝置，用于在所述寫入和讀出電路運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生“0”邏輯信號并通過所述接口把所述“0”邏輯信號傳送到外部。
14.如權(quán)利要求10所述的單片機(jī)，其特征在于，所述序列發(fā)生器裝置包括邏輯裝置，用于在所述錯(cuò)誤信號未產(chǎn)生時(shí)對從所述讀出電路讀出的所述第一數(shù)據(jù)和從所述接口讀出的所述第二數(shù)據(jù)執(zhí)行第一“或”邏輯運(yùn)算，以通過所述接口把所述第一“或”邏輯運(yùn)算的結(jié)果傳送到外部，并且還用于對“0”邏輯信號和從所述接口讀出的所述第二數(shù)據(jù)執(zhí)行第二“或”邏輯運(yùn)算，以把所述第二“或”邏輯運(yùn)算的結(jié)果傳送到外部，在所述錯(cuò)誤信號產(chǎn)生之后，所述序列發(fā)生器裝置使得所述擦除電路執(zhí)行對所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的快速擦除操作。
15.一種用于兩個(gè)單片機(jī)(1A，1B)的動(dòng)態(tài)老化測試方法，所述兩個(gè)單片機(jī)各包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(11A，11B)，該方法包括如下步驟把測試程序?qū)懭胨鰡纹瑱C(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置以利用所述測試程序操作所述單片機(jī)；在所述單片機(jī)運(yùn)行之后，對其中一個(gè)所述單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置執(zhí)行快速擦除操作；在一個(gè)所述單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置被擦除之后，把另一個(gè)所述單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的第一內(nèi)容移入一個(gè)所述單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中；把一個(gè)所述單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的第一內(nèi)容與另一個(gè)所述單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的第二內(nèi)容進(jìn)行比較，由此執(zhí)行對一個(gè)所述單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的驗(yàn)證。
16.一種用于環(huán)形連接的至少第一、第二和第三單片機(jī)(1A、1B、1C)的動(dòng)態(tài)老化測試方法，每個(gè)所述單片機(jī)都包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，該方法包括以下步驟把測試程序?qū)懭胨龅谝?、第二和第三單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，利用所述測試程序來運(yùn)行所述第一、第二和第三單片機(jī)；在所述第一、第二和第三單片機(jī)運(yùn)行之后，對所述第一單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置執(zhí)行快速擦除操作；操作所述第一單片機(jī)從所述第三單片機(jī)接收數(shù)據(jù)，把從所述第三單片機(jī)來的數(shù)據(jù)與非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，并向所述第二單片機(jī)傳送“0”數(shù)據(jù)；操作所述第二單片機(jī)從所述第一單片機(jī)接收數(shù)據(jù)，對從所述第一單片機(jī)來的數(shù)據(jù)和所述第二單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)執(zhí)行“或”邏輯運(yùn)算，并把執(zhí)行所述“或”邏輯運(yùn)算得到的數(shù)據(jù)傳送給所述第三單片機(jī)；以及操作所述第三單片機(jī)從所述第二單片機(jī)接收數(shù)據(jù)，把從所述第二單片機(jī)來的數(shù)據(jù)和所述第三單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)執(zhí)行“或”邏輯運(yùn)算，當(dāng)從所述第二單片機(jī)來的數(shù)據(jù)與所述第三單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)相符時(shí)把執(zhí)行所述“或”邏輯運(yùn)算得到的數(shù)據(jù)向所述第一單片機(jī)傳送，當(dāng)從所述第二單片機(jī)來的數(shù)據(jù)與所述第三單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)不相符時(shí)把從所述第二單片機(jī)來的數(shù)據(jù)傳送給所述第一單片機(jī)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括如下步驟當(dāng)從所述第二單片機(jī)來的數(shù)據(jù)與所述第三單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)不相符時(shí)，對所述第三單片機(jī)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置執(zhí)行擦除操作。
全文摘要
在包括非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置(11A,11B)和用于對非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置分別執(zhí)行寫入操作、讀出操作和擦除操作的寫入、讀出和擦除電路(12A、12B、13A、13B、14A、14B)的單片機(jī)中,序列發(fā)生器(15A,15B)連接在寫入、讀出和擦除電路與接口(16A,16B)之間。序列發(fā)生器通過接口從外部接收第一數(shù)據(jù)并把第一數(shù)據(jù)寫入非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中,從非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置讀出第一數(shù)據(jù),把所述第一數(shù)據(jù)與通過所述接口從外部讀出的第二數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,由此執(zhí)行對非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的驗(yàn)證,從非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置讀出第三數(shù)據(jù),并通過接口把第三數(shù)據(jù)傳輸?shù)酵獠俊?br> 文檔編號G06F11/22GK1383156SQ0211861
公開日2002年12月4日 申請日期2002年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月25日
發(fā)明者上村亮平 申請人:日本電氣株式會(huì)社