專(zhuān)利名稱(chēng)：集成電路布局布線(xiàn)設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)程序以及集成電路制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種容易利用CAD的布線(xiàn)圖形自動(dòng)選擇的半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)，特別是進(jìn)行斜布線(xiàn)圖形的終端布局設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)、布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法和布線(xiàn)設(shè)計(jì)程序，進(jìn)而涉及利用布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)、布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法和布線(xiàn)設(shè)計(jì)程序的半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
由于LSI技術(shù)的進(jìn)步，隨著電路大規(guī)?；?，電路的邏輯設(shè)計(jì)量也將龐大起來(lái)。而且，作為能有效利用計(jì)算機(jī)的邏輯設(shè)計(jì)方法，進(jìn)行用CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))的邏輯設(shè)計(jì)。
在CAD方面，把水平方向和垂直方向延伸的基準(zhǔn)正交線(xiàn)組合起來(lái)設(shè)計(jì)布線(xiàn)構(gòu)造時(shí)，在水平布線(xiàn)與垂直布線(xiàn)相交的交點(diǎn)，有時(shí)各個(gè)布線(xiàn)終端眾多?，F(xiàn)實(shí)的半導(dǎo)體裝置，把水平布線(xiàn)和垂直布線(xiàn)形成到不同的布線(xiàn)層上時(shí)，就需要三維地連接水平布線(xiàn)和垂直布線(xiàn)的通孔(VIA)。當(dāng)然，即使在用CAD的布局方面，也應(yīng)該在水平布線(xiàn)和垂直布線(xiàn)的終端部，設(shè)置與通路孔對(duì)應(yīng)的連接圖形。
一般地說(shuō)，作為具有通常線(xiàn)寬W的2條基準(zhǔn)正交線(xiàn)的終端處理，對(duì)各個(gè)布線(xiàn)末端部進(jìn)行只伸長(zhǎng)W/2的終端處理。
圖1表示最小線(xiàn)寬的基準(zhǔn)正交布線(xiàn)的終端處理。圖1A中，水平布線(xiàn)901與垂直布線(xiàn)903互相交叉形成終端。CAD把各個(gè)布線(xiàn)的中心線(xiàn)902、904相交點(diǎn)作為交點(diǎn)908進(jìn)行識(shí)別，但布線(xiàn)重疊的重疊區(qū)域卻無(wú)法識(shí)別。
現(xiàn)實(shí)的半導(dǎo)體裝置中，假定在下層形成水平布線(xiàn)901，上層形成垂直布線(xiàn)903，就必須用通路孔立體地連接2層布線(xiàn)。當(dāng)然，布局上，也應(yīng)設(shè)定用于連接2層布線(xiàn)的連接圖形905。連接圖形905具有由下層布線(xiàn)901的端部構(gòu)成的下部金屬901a、由上層布線(xiàn)903的端部903a構(gòu)成的上部金屬903a、和連接上部金屬903a和下部金屬901a的窗口圖形(以下稱(chēng)為“開(kāi)口圖形”或簡(jiǎn)單地稱(chēng)為“開(kāi)口”。)907。
圖1的例中，CAD大致識(shí)別2層布線(xiàn)交叉，所以在布局方面，在該交點(diǎn)908設(shè)定連接圖形905本身沒(méi)有問(wèn)題?？墒牵瑘D1A的狀態(tài)下，水平布線(xiàn)901與垂直布線(xiàn)903重疊的重疊區(qū)域非常之小，因而現(xiàn)實(shí)的半導(dǎo)體集成電路裝置中，即使按照連接圖形905形成通路孔，上下布線(xiàn)層與埋入通路孔的金屬的連接也搞不好。
因?yàn)?，現(xiàn)有的半導(dǎo)體集成電路裝置設(shè)計(jì)系統(tǒng)，如圖1B所示，只是使水平布線(xiàn)901和垂直布線(xiàn)903的端部各自延長(zhǎng)W/2，要處理2層布線(xiàn)使其終端部完全重合，如圖1C所示，在該重疊區(qū)域，施加如設(shè)定連接圖形905那樣的布線(xiàn)終端處理。
圖1D是從上方看現(xiàn)有基準(zhǔn)正交布線(xiàn)交叉的終端部的連接圖形905的形狀。對(duì)設(shè)定于基準(zhǔn)正交布線(xiàn)交叉部的連接圖形來(lái)說(shuō)，上表面為正方形的形狀。圖1E是從側(cè)面看連接圖形905的形狀。下部金屬901a和上部金屬903a用開(kāi)口907連接起來(lái)。
圖2表示寬幅度基準(zhǔn)正交布線(xiàn)交叉終端的現(xiàn)有例。主要寬幅度布線(xiàn)是電源布線(xiàn)、時(shí)鐘布線(xiàn)等的特殊布線(xiàn)，與一般的信號(hào)線(xiàn)同樣施行布線(xiàn)終端處理。在寬幅度的水平布線(xiàn)911與寬幅度的垂直布線(xiàn)913交叉的重疊區(qū)域，設(shè)定連接圖形915。這時(shí)，重疊區(qū)域加寬的部分，在一個(gè)連接圖形中設(shè)置多個(gè)開(kāi)口917。這時(shí)也將水平布線(xiàn)911和垂直布線(xiàn)913雙方延長(zhǎng)W/2，在重疊區(qū)域內(nèi)設(shè)定完全包含多個(gè)開(kāi)口917的連接通孔915的金屬圖形。
如圖1和圖2所示的現(xiàn)有例的一樣，對(duì)于只采用水平方向和垂直方向的基準(zhǔn)正交布線(xiàn)的部分，CAD上的終端處理是比較容易的。
然而，隨著半導(dǎo)體電路構(gòu)成的微細(xì)化進(jìn)展，希望在包括半導(dǎo)體電路的制造工序和構(gòu)成要素等所有方面的精度都得到改善。特別是，布線(xiàn)引起的延遲成分，由于半導(dǎo)體電路做得越微細(xì)對(duì)電路性能的影響變得越顯著，所以怎樣減少延遲就成了重要的課題。
由于布線(xiàn)的延遲差不多都是布線(xiàn)電阻引起的。為了降低布線(xiàn)電阻，縮短布線(xiàn)長(zhǎng)度是最有效的辦法。所以，應(yīng)該縮短連結(jié)半導(dǎo)體電路上兩點(diǎn)間的布線(xiàn)距離，除沿水平和垂直方向延伸的基準(zhǔn)正交布線(xiàn)外，提出了采用斜布線(xiàn)的方法。同時(shí)，提出在CAD上進(jìn)行斜布線(xiàn)層的設(shè)計(jì)布局。這時(shí)，隨著使包括斜布線(xiàn)層的布線(xiàn)多層化，也需要對(duì)例如用于連接下層基準(zhǔn)正交布線(xiàn)和上層斜布線(xiàn)的通路孔形狀和處理工藝想辦法。
本發(fā)明的發(fā)明人等在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?9/338593中，采用將斜布線(xiàn)的線(xiàn)寬和膜厚變成基準(zhǔn)正交布線(xiàn)的線(xiàn)寬和膜厚各自的 倍的辦法，大幅度降低斜布線(xiàn)自身的電阻，同時(shí)提出對(duì)連接不同層的布線(xiàn)間的通路孔形狀動(dòng)腦筋，充分保證開(kāi)口面積的技術(shù)。而且，為了實(shí)現(xiàn)電路的高速操作，提出了組合斜布線(xiàn)和基準(zhǔn)正交布線(xiàn)的樹(shù)狀時(shí)鐘供給布線(xiàn)路徑。圖3是表示采用現(xiàn)有斜布線(xiàn)的布線(xiàn)構(gòu)造圖。如圖3所示，可以認(rèn)為是具有水平的第1層金屬布線(xiàn)921、垂直的第2層金屬布線(xiàn)922、水平的第3層金屬布線(xiàn)923、傾斜的第4層金屬布線(xiàn)924、與第4層金屬布線(xiàn)924垂直的第5層金屬布線(xiàn)925的布線(xiàn)。第1層金屬布線(xiàn)921、第2層金屬布線(xiàn)922和第3層金屬布線(xiàn)923分別具有線(xiàn)寬W時(shí)，第4層金屬布線(xiàn)924和第5層金屬布線(xiàn)925具有線(xiàn)寬 本發(fā)明的發(fā)明人等在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?9/771050中采用斜布線(xiàn)時(shí)，提出了布局上布線(xiàn)的終端處理方法。圖4表示現(xiàn)有斜布線(xiàn)的布線(xiàn)終端處理圖。如圖4A所示，生成水平方向延伸的最小線(xiàn)寬的水平布線(xiàn)941，以具有水平布線(xiàn)941的 倍線(xiàn)寬，生成對(duì)水平布線(xiàn)941以非正交的角度在傾斜方向延伸的斜布線(xiàn)943時(shí)，具有開(kāi)口947。圖4B是從上方看開(kāi)口947的圖，圖4C是從側(cè)面來(lái)看的圖。又，圖5是在現(xiàn)有的斜布線(xiàn)中表示以最小線(xiàn)寬布線(xiàn)的交叉構(gòu)造圖。如圖5A所示，在下層上生成水平布線(xiàn)941而在上層生成斜布線(xiàn)943時(shí)，具有連接圖形(通孔)945。這時(shí)，施行削除斜線(xiàn)部分金屬的這種布線(xiàn)終端處理。圖5B是從上方來(lái)看連接圖形(通孔)945的圖，圖5C是從側(cè)面來(lái)看的圖。這時(shí)，連接圖形(通孔)945具有平行四邊形的上部金屬943a和矩形的下部金屬941a。
另一方面，現(xiàn)有的配置布線(xiàn)系統(tǒng)中，用于布線(xiàn)的基本VIA形狀每一種工藝為一個(gè)樣子?；蛘撸x或自動(dòng)生成多個(gè)采用成為其基礎(chǔ)的VIA一種形狀(例如，矩形形狀是代表性的)的大的VIA。
然而，在采用現(xiàn)有斜布線(xiàn)的布線(xiàn)方法中，由于在相同布線(xiàn)層的布線(xiàn)曲折時(shí)浪費(fèi)許多布線(xiàn)空間，不僅招致布線(xiàn)集成度下降，還會(huì)增加掩模生成作業(yè)時(shí)數(shù)據(jù)量等問(wèn)題。
另外，在考慮各種各樣的布線(xiàn)方法中，對(duì)應(yīng)布線(xiàn)圖形選擇任意的VIA，仍然需要進(jìn)行適合各種VIA形狀的布線(xiàn)終端處理。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)，其特征是具有登記基本通孔形狀表的程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置；對(duì)登記于上述程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置的上述基本通孔形狀表的各通孔形狀，登記表示最佳布線(xiàn)終端處理的表的工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置；以及參照登記于上述程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置和上述工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的表，選擇最佳布線(xiàn)處理，并執(zhí)行布線(xiàn)設(shè)計(jì)的中央處理控制裝置。
根據(jù)本發(fā)明的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是具備生成基本通孔形狀表，并登記到程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置的步驟；參照登記于上述程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置的上述基本通孔形狀表，生成對(duì)上述基本通孔形狀表的各通孔形狀表示最佳布線(xiàn)終端處理的表，并登記到工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的步驟；參照登記于上述工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的表，選擇最佳布線(xiàn)處理并進(jìn)行布線(xiàn)處理的步驟；以及選擇最佳通孔的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的布線(xiàn)設(shè)計(jì)程序，用于在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行生成基本通孔形狀表，并向程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置登記的順序；參照登記于上述程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置的上述基本通孔形狀表，生成對(duì)上述基本通孔形狀表的各通孔形狀表示最佳布線(xiàn)終端處理的表，并登記到工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的順序；參照登記于上述工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的表，選擇最佳布線(xiàn)處理，進(jìn)行布線(xiàn)處理的順序；以及選擇最佳通孔的順序。
根據(jù)本發(fā)明的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是具備生成具有第1線(xiàn)寬，在規(guī)定方向延伸的第1布線(xiàn)的步驟；生成具有第2線(xiàn)寬，在與上述第1布線(xiàn)不同方向延伸，其終端部與上述第1布線(xiàn)的終端部重疊的第2布線(xiàn)的步驟；關(guān)于上述第1布線(xiàn)，在長(zhǎng)度方向延長(zhǎng)的步驟；關(guān)于上述第2布線(xiàn)，在長(zhǎng)度方向延長(zhǎng)第2線(xiàn)寬的一半長(zhǎng)度的步驟；從上述第1布線(xiàn)的終端和上述第2布線(xiàn)的終端，削除從上述第1布線(xiàn)的終端和第2布線(xiàn)的終端重合的重疊區(qū)域露出的突起部分的步驟；以及在上述第1布線(xiàn)長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)與第2布線(xiàn)長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)的交點(diǎn)上，設(shè)定連接上述第1布線(xiàn)和第2布線(xiàn)的多角形連接圖形的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路的制造方法，其特征是具備在半導(dǎo)體襯底上形成在規(guī)定方向延伸的第1布線(xiàn)的步驟；上述第1布線(xiàn)層上形成層間絕緣膜的步驟；形成貫通上述層間絕緣膜的多角形通路孔的步驟；形成埋入上述多角形通路孔內(nèi)部且連接上述第1布線(xiàn)的連接用導(dǎo)電部分的步驟；以及形成對(duì)上述第1布線(xiàn)成非正交角度延伸且其終端部連到上述連接用導(dǎo)電部分的第2布線(xiàn)的步驟為特征。
圖1表示用現(xiàn)有布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法生成最小線(xiàn)寬基準(zhǔn)正交線(xiàn)的終端布局平面圖。
圖2表示用現(xiàn)有布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法生成寬幅度線(xiàn)寬基準(zhǔn)正交線(xiàn)的終端布局平面圖。
圖3表示采用現(xiàn)有斜布線(xiàn)的布線(xiàn)構(gòu)造圖。
圖4表示現(xiàn)有斜布線(xiàn)的布線(xiàn)終端處理圖。
圖5是現(xiàn)有斜布線(xiàn)中，表示以最小線(xiàn)寬布線(xiàn)的交叉構(gòu)造圖。
圖6是本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)的功能框圖。
圖7是本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)的功能框圖，具備多個(gè)中央處理控制裝置時(shí)的功能框圖。
圖8是本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)中，程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置的數(shù)據(jù)例。
圖9是本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)中，工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的數(shù)據(jù)例。
圖10是本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)中，表示來(lái)自外部的控制狀態(tài)的流程圖。
圖11是本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)中，布局設(shè)計(jì)模塊的流程圖。
圖12是本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)中，布線(xiàn)處理模塊的流程圖。
圖13是本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)中，最佳VIA選擇模塊的流程圖。
圖14是本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)中，表示布線(xiàn)處理圖形和VIA形態(tài)的例圖。
圖15是用于說(shuō)明本發(fā)明第1實(shí)施例的布局設(shè)計(jì)方法圖，圖15A和B表示斜布線(xiàn)和水平布線(xiàn)的平面圖，圖15C表示終端處理后的形狀圖，圖15D和E分別表示連接圖形的頂視圖和側(cè)視圖。
圖16表示用本發(fā)明第2實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在CAD上作成的布線(xiàn)布局圖。
圖17是用于說(shuō)明本發(fā)明第3實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法圖，圖17A表示斜布線(xiàn)和水平布線(xiàn)的平面圖，圖17B表示終端處理后的形狀圖。
圖18是用于說(shuō)明本發(fā)明第3實(shí)施例的變形例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法圖，圖18A表示斜布線(xiàn)和水平布線(xiàn)的平面圖，圖18B表示終端處理后的形狀圖。
圖19是用于說(shuō)明本發(fā)明第4實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的圖，圖19A表示斜布線(xiàn)和水平布線(xiàn)的平面圖，圖19B表示終端處理后的形狀圖。
圖20是用于說(shuō)明本發(fā)明第4實(shí)施例的變形例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法圖，圖20A表示斜布線(xiàn)和水平布線(xiàn)的平面圖，圖20B表示終端處理后的形狀圖。
圖21是用于說(shuō)明本發(fā)明第5實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法圖，圖21A和B表示斜布線(xiàn)和水平布線(xiàn)的平面圖，圖21C表示終端處理后的形狀圖。
圖22是用于說(shuō)明本發(fā)明第6實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法圖，圖22A表示斜布線(xiàn)和水平布線(xiàn)的平面圖，圖22B和C分別表示連接圖形形狀的頂視圖和側(cè)視圖，圖22D表示終端處理后的形狀圖。
圖23是用于說(shuō)明本發(fā)明第6實(shí)施例的變形例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法圖，圖23A表示斜布線(xiàn)和水平布線(xiàn)的平面圖，圖23B和C分別表示連接圖形形狀的頂視圖和側(cè)視圖，圖23D表示終端處理后的形狀圖。
圖24是用于說(shuō)明本發(fā)明第7實(shí)施例的變形例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法圖，圖24A表示斜布線(xiàn)和水平布線(xiàn)的平面圖，圖24B表示終端處理后的形狀圖。
圖25是用于說(shuō)明本發(fā)明第8實(shí)施例的變形例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法圖，圖25A表示斜布線(xiàn)和水平布線(xiàn)的平面圖，圖25B表示終端處理后的形狀圖。
圖26是用于說(shuō)明本發(fā)明第9實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法圖。
圖27表示按照本發(fā)明布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的斜布線(xiàn)終端布局作成的半導(dǎo)體集成電路裝置的一部分示意平面圖。
圖28是按照用本發(fā)明布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法生成的布線(xiàn)圖形制造的有關(guān)本發(fā)明實(shí)施例的曝光用掩模組的圖。
圖29典型地表示具有斜布線(xiàn)構(gòu)造的半導(dǎo)體集成電路裝置的一部分剖面圖。
圖30表示圖29中所示斜布線(xiàn)構(gòu)造的形成工序圖。
圖31是具有由本發(fā)明實(shí)施例的斜布線(xiàn)構(gòu)成的時(shí)鐘樹(shù)的半導(dǎo)體集成電路平面圖。
圖32是本發(fā)明實(shí)施例的更大規(guī)模的第2半導(dǎo)體集成電路平面圖，并表示將圖31中所示的斜布線(xiàn)時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)用于各部件的例圖。
圖33是表示圖32中所示第3半導(dǎo)體集成電路的另一例平面圖。
圖34是具有利用本發(fā)明實(shí)施例的斜布線(xiàn)的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的第3半導(dǎo)體集成電路平面圖。
圖35是本發(fā)明實(shí)施例的更大規(guī)模的第4半導(dǎo)體集成電路平面圖，并表示將圖34中所示的斜布線(xiàn)的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)用于各部件的例圖。
圖36是具有利用本發(fā)明實(shí)施例的斜布線(xiàn)構(gòu)造的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的第5半導(dǎo)體集成電路平面圖。
圖37是具有利用本發(fā)明實(shí)施例的斜布線(xiàn)構(gòu)造的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的第6半導(dǎo)體集成電路平面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參照
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。值得注意的是對(duì)所有附圖的相同或相似的部分或元件都給以相同或相似的標(biāo)號(hào)，而且相同或相似的部分或元件的說(shuō)明也將省略或簡(jiǎn)化。
一般地，按照常規(guī)，在半導(dǎo)體器件的描述中，在圖與圖之間以及在某一圖的內(nèi)部都沒(méi)有按比例繪出，而且特別是為了便于閱覽附圖隨意描繪各層厚度。
在以下的說(shuō)明中，提出許多特別具體的細(xì)節(jié)，例如特定的信號(hào)值等，以達(dá)到完全理解本發(fā)明。但是，顯然本發(fā)明領(lǐng)域的技術(shù)人員可以實(shí)施而無(wú)需這樣的具體細(xì)節(jié)。在另一情況下，為了不致使本發(fā)明模糊不清，在不需要細(xì)節(jié)的地方以框圖表示公知的電路。
(系統(tǒng)構(gòu)成及其處理內(nèi)容的實(shí)施例)本發(fā)明的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)，如圖6所示，具備輸入裝置1、顯示裝置2、輸出裝置3、暫存裝置4、程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置5、工藝流程數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置6、P和R(布局布線(xiàn))數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置7、以及中央處理控制裝置8。
程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置5是由VIA的頂視圖、剖面圖等得出的，登記有定義VIA的尺寸和形狀的基本VIA形狀表。具體點(diǎn)說(shuō)，登記如圖8所示的這種數(shù)據(jù)。工藝流程數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置6表示對(duì)各個(gè)VIA形狀最佳布線(xiàn)終端處理，對(duì)以其布線(xiàn)寬度或VIA尺寸為參數(shù)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法進(jìn)行列表登記。具體點(diǎn)說(shuō)，登記如圖9所示那樣的數(shù)據(jù)。P和R數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置7登記有關(guān)布局處理的坐標(biāo)數(shù)據(jù)等。
中央處理控制裝置8是對(duì)半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)實(shí)行處理的處理控制裝置，具備布局設(shè)計(jì)模塊8a、布線(xiàn)處理模塊8b和最佳VIA選擇模塊8c。布局設(shè)計(jì)模塊8a根據(jù)通過(guò)輸入裝置1輸入的信息，進(jìn)行具有布線(xiàn)處理、布局處理等CAD的一般性處理。布線(xiàn)處理模塊8b是在布局設(shè)計(jì)模塊8a中特別涉及布線(xiàn)的處理模塊，作成詳細(xì)的布線(xiàn)通路，對(duì)選定的VIA和布線(xiàn)終端處理進(jìn)行是否違反設(shè)計(jì)規(guī)則的判定。最佳VIA選擇模塊8c是在布線(xiàn)處理模塊8b中特別涉及VIA和對(duì)布線(xiàn)終端處理進(jìn)行選擇的處理模塊，根據(jù)布線(xiàn)交叉條件選擇VIA。
輸入裝置1由鍵盤(pán)、鼠標(biāo)器、語(yǔ)音器件等構(gòu)成，顯示裝置2由液晶顯示器、CRT顯示器等構(gòu)成，輸出裝置3由噴墨打印機(jī)、激光打印機(jī)等構(gòu)成。暫存裝置4內(nèi)裝ROM和RAM。ROM在中央處理控制裝置8中起到作為儲(chǔ)存執(zhí)行程序的程序存儲(chǔ)器等作用，RAM時(shí)而存儲(chǔ)在中央處理控制裝置8的程序執(zhí)行處理中利用的數(shù)據(jù)等，時(shí)而在作業(yè)區(qū)域作為利用的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器等起作用。
雖然圖6中沒(méi)有表示出來(lái)，但中央處理控制裝置8也具備控制輸入裝置1、顯示裝置2、輸出裝置3、暫存裝置4、程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置5、工藝流程數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置6、以及控制P和R數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置7的輸入輸出的模塊。
還有，如圖7所示，中央處理控制裝置8也可以是具備第1中央處理控制裝置8k、第2中央處理控制裝置81、第3中央處理控制裝置8m、…等多個(gè)中央處理控制裝置的多處理器系統(tǒng)。這時(shí)，第1到第3中央處理控制裝置8k到8m也可以分別具備布局設(shè)計(jì)模塊8a、布線(xiàn)處理模塊8b、最佳VIA選擇模塊8c等?；蛘?，各個(gè)中央處理控制裝置也可以執(zhí)行特定的處理模塊。圖7與圖6比較，可以減少對(duì)中央處理控制裝置的負(fù)載，能夠進(jìn)行更快的處理。
以下參照?qǐng)D10，說(shuō)明表示來(lái)自外部的控制狀態(tài)的流程圖。
(a)首先，在步驟S101，通過(guò)輸入裝置1，指示程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置5的讀出和工藝流程數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置6的生成。在這里，布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)參照程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置5，取得基本VIA形狀表。
(b)進(jìn)而，在步驟S102，通過(guò)輸入裝置1，指示作成在步驟S101生成的布線(xiàn)終端處理方法的圖形。
(c)接著，在步驟S103，按照步驟S102中生成的布線(xiàn)終端處理圖形，指定成為基本的VIA庫(kù)，在步驟S104，通過(guò)輸入裝置1，指定布線(xiàn)終端處理方法。
(d)最后，在步驟S105，參照工藝流程數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置6，按照步驟S103和S104中決定的VIA程序庫(kù)和布線(xiàn)終端處理方法，執(zhí)行布局處理。這時(shí)，把有關(guān)布局處理的數(shù)據(jù)存入P和R數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置7。進(jìn)而，對(duì)所決定的布局，把布局圖形數(shù)據(jù)送給顯示裝置2或輸出裝置3。
參照?qǐng)D11，說(shuō)明布局設(shè)計(jì)模塊8a的流程。各處理的執(zhí)行順序不限于此。
(a)首先，對(duì)應(yīng)于圖10的步驟S101，在步驟S201進(jìn)行程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置5的讀出，并進(jìn)行工藝流程數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置6的生成。在這里，在執(zhí)行實(shí)際布線(xiàn)前，讀出各種VIA形狀的庫(kù)數(shù)據(jù)，生成適合的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，并形成程序庫(kù)。這時(shí)，為了壓縮庫(kù)數(shù)據(jù)量，將布線(xiàn)交叉條件、布線(xiàn)寬和VIA形狀及大小等作為參數(shù)的布線(xiàn)終端處理方法構(gòu)成圖形并儲(chǔ)存起來(lái)。
(b)其次，對(duì)應(yīng)于步驟S102，在步驟S202，進(jìn)行布線(xiàn)終端處理圖形的生成。
(c)接著，在步驟S203，執(zhí)行器件、部件、模塊的配置處理，在步驟S204，進(jìn)行大概布線(xiàn)通路的生成。
(d)進(jìn)而，根據(jù)步驟S204進(jìn)行的大概布線(xiàn)通路，在步驟S205，進(jìn)行詳細(xì)布線(xiàn)通路的生成，和最佳VIA以及布線(xiàn)終端處理的決定。
(e)最后，在步驟S205，把布局圖形數(shù)據(jù)作為布局結(jié)果進(jìn)行輸出。
圖11的步驟S202到步驟S206，隨時(shí)更新工藝流程數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置6和P和R數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置7。
參照?qǐng)D12，說(shuō)明布線(xiàn)處理模塊8b的流程。在布線(xiàn)處理模塊8b中的處理，相當(dāng)于圖11中步驟S205的詳細(xì)處理。各處理的執(zhí)行順序不限于此。
(a)首先，在步驟S221，參照P和R數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置7，決定布線(xiàn)區(qū)域，讀出大概布線(xiàn)通路。據(jù)此，在步驟S222，生成詳細(xì)布線(xiàn)通路。
(b)根據(jù)步驟S222中獲得的詳細(xì)布線(xiàn)通路，在步驟S223，選擇最佳VIA和布線(xiàn)終端處理。
(c)其次，在步驟S224，對(duì)有關(guān)步驟S223中決定的最佳VIA和布線(xiàn)終端處理，進(jìn)行設(shè)計(jì)成本的算出。
(d)進(jìn)而，在步驟S225，進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則的校驗(yàn)。有關(guān)全部連接線(xiàn)不違反設(shè)計(jì)規(guī)則的情況下，結(jié)束其布線(xiàn)區(qū)域的處理，在步驟S226，把設(shè)計(jì)結(jié)果存入P和R數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置7內(nèi)。但是，即使不能排除全部違反設(shè)計(jì)規(guī)則，區(qū)域中布線(xiàn)成本的改善程度處于收斂狀態(tài)的情況下，也可以結(jié)束該區(qū)域的處理，在步驟S226，把設(shè)計(jì)結(jié)果存入P和R數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置7內(nèi)。在步驟S225，存在違反設(shè)計(jì)規(guī)則，而且設(shè)計(jì)成本的改善程度無(wú)法收斂時(shí)，在步驟S222，再次進(jìn)行詳細(xì)布線(xiàn)通路的生成。
參照?qǐng)D13，說(shuō)明最佳VIA選擇模塊8c的流程。最佳VIA選擇模塊8c的處理，相當(dāng)于圖12中步驟S223的詳細(xì)處理。各處理的執(zhí)行順序不限于此。
(a)首先，在步驟S241，通過(guò)輸入裝置1，對(duì)全部八角形VIA、圓形VIA等使用的布線(xiàn)方向，判斷是否使用能應(yīng)用的VIA。例如采用0°/90°/45°/13°系列布線(xiàn)時(shí)可以使用八角形VIA的情況下，在步驟S242，選擇圖14A到C所示的VIA圖形，并結(jié)束。在步驟S241，不用八角VIA時(shí)，進(jìn)入步驟S243。
(b)在步驟S243，下層是正交布線(xiàn)，在步驟S245當(dāng)判定上層為正交布線(xiàn)時(shí)，在步驟S246，選擇圖14D的VIA圖形D。
(c)在步驟S243，下層為正交布線(xiàn)，在步驟S245，判定上層為非正交布線(xiàn)時(shí)，在步驟S247，選擇圖14E的VIA圖形E。
(d)在步驟S243，下層不是正交布線(xiàn)，在步驟S244，判定上層為非正交布線(xiàn)時(shí)，在步驟S249，選擇圖14F的VIA圖形F。
(e)在步驟S243，下層不是正交布線(xiàn)，在步驟S244，判定上層為正交布線(xiàn)時(shí)，在步驟S248，選擇圖14G的VIA圖形G。
在本發(fā)明，由于布線(xiàn)處理前進(jìn)行工藝流程數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置6的生成，所以能夠順利地進(jìn)行布線(xiàn)處理。
又，本發(fā)明中，在最佳VIA選擇模塊8c，判斷是否采用八角形VIA，但也可以在生成布線(xiàn)通路以前，判斷是否采用八角形VIA。例如，在圖11的步驟S201，也可以在生成工藝流程數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置6時(shí)，判斷是否采用八角形VIA。這時(shí)，就能夠削減登記到工藝流程數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置6上的布線(xiàn)終端處理圖形的數(shù)目，因而能夠進(jìn)行更順利的布線(xiàn)處理。
如以上說(shuō)明的那樣，對(duì)于各種各樣的布線(xiàn)寬度、布線(xiàn)交叉條件發(fā)生的實(shí)際布線(xiàn)處理，能夠提供一種可以選擇高速有效地采用任意形狀VIA的布線(xiàn)方法的半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)和布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法。
就圖14的VIA圖形A到G，對(duì)第1到第8實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
(布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第1實(shí)施例)布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第1實(shí)施例中，說(shuō)明有關(guān)不同層的布線(xiàn)采用矩形VIA時(shí)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的實(shí)施例。
圖15A是表示利用第1實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在CAD上作成的布線(xiàn)布局的平面圖。首先，在下層生成水平方向延伸的最小線(xiàn)寬水平布線(xiàn)11。其次，在上層生成具有水平布線(xiàn)11的 倍線(xiàn)寬，對(duì)水平布線(xiàn)11以非正交的角度(第1實(shí)施例中為45°角度)沿斜方向延伸的斜布線(xiàn)13。另外，不用說(shuō)也可以是與圖15對(duì)稱(chēng)的角度即對(duì)水平布線(xiàn)11沿以135°角度斜方向延伸的斜布線(xiàn)13。在水平布線(xiàn)11長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)12與斜布線(xiàn)13長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)14的交點(diǎn)具有交點(diǎn)18。水平布線(xiàn)11的端部，從交點(diǎn)18起延長(zhǎng)水平布線(xiàn)11線(xiàn)寬的 倍的長(zhǎng)度為其終端。斜布線(xiàn)13的端部，從交點(diǎn)18起延長(zhǎng)水平布線(xiàn)11線(xiàn)寬的1/2倍的長(zhǎng)度為其終端。
斜布線(xiàn)13的終端部與水平布線(xiàn)11的終端部重合，形成重疊區(qū)域。關(guān)于該重疊區(qū)域。在交點(diǎn)18設(shè)置連接水平布線(xiàn)11與斜布線(xiàn)13的連接圖形(通孔)15。該連接圖形通常叫做通孔(VIA)，與實(shí)際半導(dǎo)體集成電路裝置的通路孔對(duì)應(yīng)。
至于第1實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，對(duì)圖15A所示冗長(zhǎng)部分進(jìn)行削減。即如圖15B所示，在斜布線(xiàn)13的端部，削除斜線(xiàn)部分。由此，得到圖15C所示那樣的終端處理后的形狀。
上層金屬和下層金屬的形狀不限于圖15A所示的正方形形狀，也可以是長(zhǎng)方形。另外，在水平布線(xiàn)11和斜布線(xiàn)13的各自長(zhǎng)度方向和寬度方向的邊除沿矩形金屬區(qū)域各邊(一致)的形狀以外，也可以具有邊緣等使其比布線(xiàn)寬要寬。如圖15A所示，連接圖形(通孔)15的上層金屬，利用斜布線(xiàn)13端部的正方形區(qū)域。下層金屬利用水平布線(xiàn)11端部的正方形區(qū)域。開(kāi)口117設(shè)在上層金屬與下層金屬的重疊區(qū)域內(nèi)。
圖15D和E是定義EDA(配置布線(xiàn)工具)上的連接圖形15A形狀的頂視圖和剖面圖。圖15D中，連接圖形15最內(nèi)側(cè)的有交叉線(xiàn)的正方形是開(kāi)口圖形17。連接圖形15的一邊具有水平布線(xiàn)11的線(xiàn)寬，對(duì)角線(xiàn)具有水平布線(xiàn)11的 倍長(zhǎng)度。開(kāi)口圖形在實(shí)際的半導(dǎo)體集成電路裝置中用于連接水平布線(xiàn)11和斜布線(xiàn)13，表示埋入摻雜多晶硅、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)等高熔點(diǎn)金屬，或其硅化物(WSi2、MoSi2、TiSi2)等連接用導(dǎo)電構(gòu)件的通路孔開(kāi)口。以下，把布局上的開(kāi)口圖形簡(jiǎn)單地稱(chēng)為「開(kāi)口」。又，如圖15E所示，在上層和下層，連接圖形15具有與水平布線(xiàn)11的線(xiàn)寬相同金屬層，上層金屬與下層金屬通過(guò)開(kāi)口17連接起來(lái)。開(kāi)口17用上層金屬完全塞起來(lái)。依靠該構(gòu)成，在現(xiàn)實(shí)工藝的高溫處理工序中，可以防止下層金屬熔出。
圖15所示圖形的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第1特征就是在布線(xiàn)的終端部，使水平布線(xiàn)11和斜布線(xiàn)13充分重合，而且，沒(méi)有從布線(xiàn)輪廓露出的突起。由于沒(méi)有從布線(xiàn)輪廓露出的部分，所以幾乎沒(méi)有增加鄰接布線(xiàn)間的耦合電容和對(duì)于相對(duì)襯底電容量的惡劣影響。進(jìn)而，斜布線(xiàn)上布線(xiàn)資源也沒(méi)有浪費(fèi)。特別，如圖15C所示，由于沒(méi)有突起部，就能在水平布線(xiàn)11側(cè)附近進(jìn)行布線(xiàn)。
圖15所示圖形的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第2特征就是主要可用矩形形成連接圖形15的形狀。這樣，在同一掩模上使用正交線(xiàn)等的作圖，與組合使用平行四邊形、菱形等除直角以外的斜線(xiàn)的情況比較，數(shù)據(jù)量非常少就可以解決。
又，根據(jù)本布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在制成的半導(dǎo)體集成電路裝置中，能防止下層金屬的熔化。而且，確實(shí)連接上層的斜布線(xiàn)13和下層的水平布線(xiàn)11。由于采用斜布線(xiàn)，所以能夠縮短向目的地(例如觸發(fā)器)的信號(hào)到達(dá)速度。
又，根據(jù)本布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，與包括斜布線(xiàn)時(shí)的布線(xiàn)終端處理方法相比，進(jìn)一步提高了布線(xiàn)集成度，可提供一種能夠削減芯片尺寸的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法。
(布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第2實(shí)施例)布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第2實(shí)施例中，說(shuō)明在不同層的布線(xiàn)采用矩形VIA，特別是斜布線(xiàn)為寬幅度布線(xiàn)時(shí)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的實(shí)施例。
參照?qǐng)D16A到D，說(shuō)明布線(xiàn)布局圖。
如圖16A所示，在下層生成水平方向延伸的水平布線(xiàn)21和與水平布線(xiàn)21正交的垂直布線(xiàn)26。其次，在上層生成以與水平布線(xiàn)21和垂直布線(xiàn)26成非正交的角度，向斜方向延伸，具有寬幅度線(xiàn)寬的斜布線(xiàn)23。使水平布線(xiàn)21、垂直布線(xiàn)26和斜布線(xiàn)23的終端部一致，并在該部分設(shè)定連接圖形(通孔)25。這時(shí)，削除斜布線(xiàn)23終端部的斜線(xiàn)部分，設(shè)定連接圖形(通孔)25。
如圖16B所示，在下層生成水平方向延伸的水平布線(xiàn)31a和水平布線(xiàn)31b。其次，在上層生成以與水平布線(xiàn)31a和水平布線(xiàn)31b非正交的角度沿寬幅度的斜方向延伸的斜布線(xiàn)33。這時(shí)，削除斜布線(xiàn)33終端部的斜線(xiàn)部分，設(shè)定連接圖形(通孔)35。在圖16B中，也可以在水平布線(xiàn)31a與斜布線(xiàn)33的終端部重疊的部分上設(shè)定連接圖形(通孔)35a和35b，在水平布線(xiàn)31b與斜布線(xiàn)33的終端部重疊的部分設(shè)定連接圖形(通孔)35c。
如圖16C所示，在下層生成沿水平方向延伸的水平布線(xiàn)41。接著，在上層生成以與水平布線(xiàn)41非正交的角度沿寬幅度的斜方向延伸的斜布線(xiàn)43。使水平布線(xiàn)41與斜布線(xiàn)43的終端部一致，在該部分設(shè)定連接圖形(通孔)45。這時(shí)，削除斜布線(xiàn)43終端部的斜線(xiàn)部分，設(shè)定連接圖形(通孔)45。
如圖16D所示，在下層生成沿水平方向延伸的水平布線(xiàn)51a和水平布線(xiàn)51b。接著，在上層生成以與水平布線(xiàn)51a和51b非正交的角度沿寬幅度斜方向延伸的斜布線(xiàn)53。這時(shí)，削除斜布線(xiàn)53終端部的斜線(xiàn)部分，設(shè)定連接圖形(通孔)55。在水平布線(xiàn)51a與斜布線(xiàn)53重疊的部分上設(shè)定連接圖形(通孔)55a和55c，在水平布線(xiàn)51b與斜布線(xiàn)53重疊的部分上設(shè)定連接圖形(通孔)55d和55f。又，根據(jù)斜布線(xiàn)53的線(xiàn)寬，進(jìn)而也可以在連接圖形(通孔)55a和55c的中間部分、連接圖形(通孔)55d和55f的中間部分，設(shè)定連接圖形(通孔)55b和55e。圖16D的例子中，中間部分雖然設(shè)定一個(gè)通孔，但是根據(jù)斜布線(xiàn)53的線(xiàn)寬，也可以不設(shè)定通孔，也可以設(shè)定2個(gè)以上的通孔。
(布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第3實(shí)施例)布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第3實(shí)施例中，說(shuō)明在相同層的布線(xiàn)采用矩形VIA，特別是斜布線(xiàn)為寬幅度時(shí)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的實(shí)施例。
圖17A是表示利用第3實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在CAD上作成布線(xiàn)布局的平面圖。首先，生成水平方向延伸的水平布線(xiàn)61。其次，生成與水平布線(xiàn)61比較具有寬幅度線(xiàn)寬，對(duì)水平布線(xiàn)61以非正交的角度沿斜方向延伸的斜布線(xiàn)63。在水平布線(xiàn)61長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)62與斜布線(xiàn)63長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)64的交點(diǎn)具有交點(diǎn)68。水平布線(xiàn)61的端部，從交點(diǎn)68延長(zhǎng)斜布線(xiàn)線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。斜布線(xiàn)63的終端部，延長(zhǎng)水平布線(xiàn)線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。斜布線(xiàn)63的終端部與水平布線(xiàn)61的終端部重合形成重疊區(qū)域。對(duì)于該重疊區(qū)域。在交點(diǎn)68設(shè)定連接水平布線(xiàn)61和斜布線(xiàn)63的轉(zhuǎn)彎通孔65。
第3實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法中，對(duì)冗長(zhǎng)部分進(jìn)行削除。即，如圖17A所示，就斜布線(xiàn)63的終端部而言，削除斜線(xiàn)部分。因而，獲得如圖17B所示的終端處理后的形狀。
圖17所示圖形的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第1特征就是對(duì)于布線(xiàn)的終端部，使水平布線(xiàn)61與斜布線(xiàn)63充分重合，而且，沒(méi)有從布線(xiàn)輪廓露出的突起。由于沒(méi)有從布線(xiàn)輪廓露出的部分，所以幾乎沒(méi)有增加鄰接的布線(xiàn)間耦合電容和對(duì)于相對(duì)襯底電容的惡劣影響。進(jìn)而，斜布線(xiàn)上布線(xiàn)資源也沒(méi)有浪費(fèi)。特別，如圖17C所示，由于沒(méi)有突起部，應(yīng)該可在水平布線(xiàn)61側(cè)附近進(jìn)行布線(xiàn)。
圖17所示圖形的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第2特征就是主要可用矩形形成連接圖形65的形狀。這樣，在同一掩模上，使用正交線(xiàn)等的作圖，與組合使用平行四邊形、菱形等除直角以外的斜線(xiàn)的情況比較，數(shù)據(jù)量非常少就可以解決。
作為第3實(shí)施例的變形例，說(shuō)明對(duì)于相同層的布線(xiàn)采用矩形VIA，特別是斜布線(xiàn)為寬幅度時(shí)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的實(shí)施例。
圖18A是表示利用第3實(shí)施例的變形例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在CAD上作成布線(xiàn)布局的平面圖。首先，生成具有水平方向延伸的寬幅度線(xiàn)寬的水平布線(xiàn)71。其次，生成與水平布線(xiàn)71比較具有狹線(xiàn)寬，對(duì)水平布線(xiàn)71以非正交的角度沿斜方向延伸的斜布線(xiàn)73。在水平布線(xiàn)71長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)72與斜布線(xiàn)73長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)74的交點(diǎn)具有交點(diǎn)78。水平布線(xiàn)71的端部，從交點(diǎn)78延長(zhǎng)斜布線(xiàn)73線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。斜布線(xiàn)73的終端部，從交點(diǎn)78延長(zhǎng)水平布線(xiàn)71線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。斜布線(xiàn)73的終端部與水平布線(xiàn)71的終端部重合，形成重疊區(qū)域。對(duì)于該重疊區(qū)域，在交點(diǎn)78設(shè)定連接水平布線(xiàn)71和斜布線(xiàn)73的轉(zhuǎn)彎通孔75。
第3實(shí)施例的變形例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法中，對(duì)冗長(zhǎng)部分進(jìn)行削除。即，如圖18A所示，就水平布線(xiàn)71的終端部和斜布線(xiàn)73的終端部而言，削除斜線(xiàn)部分。因而，獲得如圖18B所示的終端處理后的形狀。
(布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第4實(shí)施例)布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第4實(shí)施例中，說(shuō)明在相同層布線(xiàn)時(shí)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的實(shí)施例。
圖19A是表示利用第4實(shí)施例的變形例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在CAD上作成布線(xiàn)布局的平面圖。首先，生成水平方向延伸的最小線(xiàn)寬的第1水平布線(xiàn)81a。其次，生成具有與第1水平布線(xiàn)81a相同線(xiàn)寬，對(duì)第1水平布線(xiàn)81a以非正交的角度沿斜方向延伸的第1斜布線(xiàn)83a。在第1水平布線(xiàn)81a長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)82a與第1斜布線(xiàn)83a長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)84a的交點(diǎn)具有交點(diǎn)88a。第1水平布線(xiàn)81a的端部，延長(zhǎng)第1水平布線(xiàn)81a的線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。第1斜布線(xiàn)83a的終端部，從交點(diǎn)88a延長(zhǎng)第1水平布線(xiàn)81a線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。第1斜布線(xiàn)83a的終端部與第1水平布線(xiàn)81a的終端部重合，形成重疊區(qū)域。對(duì)于該重疊區(qū)域，在交點(diǎn)88a設(shè)定連接第1水平布線(xiàn)81a和第1斜布線(xiàn)83a的第1轉(zhuǎn)彎通孔85a。進(jìn)而，對(duì)于第1水平布線(xiàn)81a的終端部和第1斜布線(xiàn)83a的終端部，削除斜線(xiàn)部分。
又，生成水平方向延伸的最小線(xiàn)寬的第2水平布線(xiàn)81b。接著，生成具有第2水平布線(xiàn)81b的√2倍線(xiàn)寬，對(duì)第2水平布線(xiàn)81b以非正交的角度沿斜方向延伸的第2斜布線(xiàn)83b。在第2水平布線(xiàn)81b長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)82b與第2斜布線(xiàn)83b長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)84a的交點(diǎn)具有交點(diǎn)88。第2水平布線(xiàn)81b的端部，從交點(diǎn)88b延長(zhǎng)第2斜布線(xiàn)83b的線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。第2斜布線(xiàn)83b的終端部，從交點(diǎn)88b延長(zhǎng)第2水平布線(xiàn)81b線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。第2斜布線(xiàn)83b的終端部與第2水平布線(xiàn)81b的終端部重合，形成重疊區(qū)域。對(duì)于該重疊區(qū)域，在交點(diǎn)88b設(shè)定連接第2水平布線(xiàn)81b和第2斜布線(xiàn)83b的第2轉(zhuǎn)彎通孔85b。進(jìn)而，對(duì)于第2水平布線(xiàn)81b的終端部，削除斜線(xiàn)部分。
因此，獲得如圖19B所示那樣的終端處理后的形狀。
圖19所示圖形的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的特征就是對(duì)于布線(xiàn)的終端部，使水平布線(xiàn)81a和81b與斜布線(xiàn)83a和83b充分重合，而且，沒(méi)有從布線(xiàn)輪廓露出的突起。由于沒(méi)有露出布線(xiàn)輪廓的部分，所以幾乎沒(méi)有增加鄰接的布線(xiàn)間耦合電容和對(duì)于相襯底電容的惡劣影響。進(jìn)而，斜布線(xiàn)上的布線(xiàn)資源也沒(méi)有浪費(fèi)。
作為第4實(shí)施例的變形例，說(shuō)明在相同層的布線(xiàn)，采用矩形VIA，特別是水平布線(xiàn)為寬幅度布線(xiàn)時(shí)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的實(shí)施例。
圖20A是表示利用第4實(shí)施例的變形例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在CAD上作成布線(xiàn)布局的平面圖。首先，生成具有水平方向延伸的寬幅度線(xiàn)寬的水平布線(xiàn)91。其次，生成與水平布線(xiàn)91比較具有狹線(xiàn)寬，對(duì)水平布線(xiàn)91以非正交的角度沿斜方向延伸的斜布線(xiàn)93。在水平布線(xiàn)91長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)92的終端部與斜布線(xiàn)93長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)94的交點(diǎn)具有交點(diǎn)78。水平布線(xiàn)91的端部，從交點(diǎn)98延長(zhǎng)斜布線(xiàn)93線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。斜布線(xiàn)93的終端部，從交點(diǎn)78延長(zhǎng)水平布線(xiàn)91線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端部。斜布線(xiàn)93的終端部與水平布線(xiàn)91的終端部重合，形成重疊區(qū)域。對(duì)于該重疊區(qū)域，在交點(diǎn)98設(shè)定連接水平布線(xiàn)91和斜布線(xiàn)93的轉(zhuǎn)彎通孔95。
第4實(shí)施例的變形例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法中，對(duì)冗長(zhǎng)部分進(jìn)行削除。即，如圖20A所示，就水平布線(xiàn)91的終端部和斜布線(xiàn)93的終端部而言，削除斜線(xiàn)部分。因而，獲得如圖20B所示的終端處理后的形狀。
(布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第5實(shí)施例)在布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第5實(shí)施例中，說(shuō)明不同層的布線(xiàn)中采用矩形VIA，特別是水平布線(xiàn)為寬幅度布線(xiàn)時(shí)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的實(shí)施例。
圖21A是表示利用第5實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在CAD上作成布線(xiàn)布局的圖。如圖16A所示，在下層，生成水平方向延伸并具有寬幅度線(xiàn)寬的水平布線(xiàn)101。其次，在上層，生成以與水平布線(xiàn)101非正交的角度沿斜方向延伸并具有寬幅度線(xiàn)寬的斜布線(xiàn)103。水平布線(xiàn)101和斜布線(xiàn)103既可以是相同線(xiàn)寬，也可以不同。在水平布線(xiàn)101長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)102與斜布線(xiàn)103長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)104的交點(diǎn)具有交點(diǎn)108。水平布線(xiàn)101的端部，從交點(diǎn)108延長(zhǎng)斜布線(xiàn)103線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。斜布線(xiàn)103的終端部，從交點(diǎn)108延長(zhǎng)水平布線(xiàn)101線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。如圖21B所示，使水平布線(xiàn)101與斜布線(xiàn)103的終端部一致，并在該部分設(shè)定重疊部分。這時(shí)，削除斜布線(xiàn)103終端部的斜線(xiàn)部分，在該重疊部分，設(shè)定多個(gè)連接圖形(通孔)105。所設(shè)定的連接圖形(通孔)105的個(gè)數(shù)取決于重疊部分的大小。因而，獲得如圖21C所示的終端處理后的形狀。
(布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第6實(shí)施例)在布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第6到第8實(shí)施例中，說(shuō)明采用0°/90°/45°/135°方向布線(xiàn)時(shí)，利用最佳八角形VIA場(chǎng)合的水平布線(xiàn)和斜布線(xiàn)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法實(shí)施例。
圖22A是表示利用第6實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在CAD上作成布線(xiàn)布局的圖。首先，在下層，生成具有最小線(xiàn)寬，并在水平方向延伸的水平布線(xiàn)111。其次，在上層，生成與水平布線(xiàn)111具有相同線(xiàn)寬，并對(duì)水平布線(xiàn)111以非正交的角度沿斜方向延伸的斜布線(xiàn)113。在水平布線(xiàn)111長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)112與斜布線(xiàn)113投影方向的中心線(xiàn)114的交點(diǎn)具有交點(diǎn)118。水平布線(xiàn)111的端部，延長(zhǎng)斜布線(xiàn)113線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。斜布線(xiàn)113的終端部，延長(zhǎng)水平布線(xiàn)111線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。斜布線(xiàn)113的終端與水平布線(xiàn)111的終端部重疊，并形成重疊區(qū)域。在該重疊區(qū)域中，在交點(diǎn)118設(shè)定連接水平布線(xiàn)111和斜布線(xiàn)113的連接圖形(通孔)115。進(jìn)而，對(duì)水平布線(xiàn)111的終端部和斜布線(xiàn)113的終端部削除斜線(xiàn)部分。因此，可將連接圖形(通孔)115形成八角形。因而，獲得如圖22D所示的終端處理后的形狀。
圖22B和C是定義EDA(配置布線(xiàn)工具)上的連接圖形(通孔)115形狀的頂視圖和剖面圖。圖22B中，連接圖形(通孔)115最內(nèi)側(cè)的八角形是開(kāi)口圖形117。又，如圖22C所示，連接圖形(通孔)115在上層和下層，具有與水平布線(xiàn)111與斜布線(xiàn)113的線(xiàn)寬相同金屬，上層金屬與下層金屬通過(guò)開(kāi)口117連接起來(lái)。開(kāi)口117用上層金屬完全塞起來(lái)。依靠該構(gòu)成，在現(xiàn)實(shí)工藝的高溫處理工序中，可以防止下層金屬熔化。
圖23A是表示利用第6實(shí)施例的變形例，在CAD上作成布線(xiàn)布局的圖。首先，在下層生成具有最小線(xiàn)寬，水平方向延伸的水平布線(xiàn)121。其次，在上層生成具有水平布線(xiàn)121的√2線(xiàn)寬，對(duì)水平布線(xiàn)121以非正交的角度沿斜方向延伸的斜布線(xiàn)123。在水平布線(xiàn)121長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)122與斜布線(xiàn)123長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)124的交點(diǎn)具有交點(diǎn)128。水平布線(xiàn)121的端部，延長(zhǎng)斜布線(xiàn)123線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。斜布線(xiàn)123的終端部，延長(zhǎng)水平布線(xiàn)121線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。使斜布線(xiàn)123的終端部與水平布線(xiàn)121的終端部重合，并形成重疊區(qū)域。在該重疊區(qū)域中，在交點(diǎn)128設(shè)定連接水平布線(xiàn)121和斜布線(xiàn)123的連接圖形(通孔)125。進(jìn)而，在水平布線(xiàn)121的終端部和斜布線(xiàn)123的終端部削除斜線(xiàn)部分。因此，可將連接圖形(通孔)125形成八角形。因而，獲得如圖23B所示那種的終端處理后的形狀。
圖22B和C是定義EDA(配置布線(xiàn)工具)上的連接圖形(通孔)125形狀的頂視圖和剖面圖。圖23B中，連接圖形(通孔)125最內(nèi)側(cè)的八角形是開(kāi)口127。又，如圖23C所示，連接圖形(通孔)125，在上層和下層具有與水平布線(xiàn)111相同線(xiàn)寬的金屬層，上層金屬與下層金屬通過(guò)開(kāi)口127進(jìn)行連接。
圖22和圖23所示圖形的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第1特征，就是在布線(xiàn)的終端部，使水平布線(xiàn)111和121與斜布線(xiàn)113和123充分重合，而且，應(yīng)該沒(méi)有從布線(xiàn)輪廓露出的突起，由于沒(méi)有從布線(xiàn)輪廓露出的部分，所以幾乎沒(méi)有增加鄰接布線(xiàn)間的耦合電容和對(duì)于相襯底電容的惡劣影響。進(jìn)而，斜布線(xiàn)的布線(xiàn)資源也沒(méi)有浪費(fèi)。特別，如圖22D和圖23D所示，由于沒(méi)有突起部，就能在水平布線(xiàn)111和121側(cè)附近進(jìn)行布線(xiàn)。
(布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第7實(shí)施例)布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第7實(shí)施例中，說(shuō)明在相同層的布線(xiàn)利用最佳八角形VIA場(chǎng)合的水平布線(xiàn)和斜布線(xiàn)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法實(shí)施例。
圖24A是表示利用第7實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在CAD上作成的布線(xiàn)布局圖。首先，生成具有最小線(xiàn)寬，水平方向延伸的水平布線(xiàn)131。其次，生成具有與水平布線(xiàn)131不同線(xiàn)寬，對(duì)水平布線(xiàn)131以非正交的角度沿斜方向延伸的斜布線(xiàn)133。在水平布線(xiàn)131長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)132與斜布線(xiàn)133長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)134的交點(diǎn)具有交點(diǎn)138。水平布線(xiàn)131的端部，延長(zhǎng)斜布線(xiàn)133線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。斜布線(xiàn)133的終端部，延長(zhǎng)終端到水平布線(xiàn)131線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。使斜布線(xiàn)133的終端部與水平布線(xiàn)131的終端部重合，并形成重疊區(qū)域。該重疊區(qū)域中，在交點(diǎn)138設(shè)定連接水平布線(xiàn)131和斜布線(xiàn)133的連接圖形(通孔)135。進(jìn)而，在水平布線(xiàn)131的終端部和斜布線(xiàn)133的終端部削除斜線(xiàn)部分。因此，可將連接圖形135形成八角形。因而，獲得如圖24B所示的那種終端處理后的形狀。
(布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第8實(shí)施例)布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第8實(shí)施例中，說(shuō)明在3層以上的分支布線(xiàn)上利用最佳八角形VIA場(chǎng)合的水平布線(xiàn)、垂直布線(xiàn)和斜布線(xiàn)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法實(shí)施例。
圖25A是表示利用第8實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在CAD上作成的布線(xiàn)布局圖。首先，在第2層生成具有最小線(xiàn)寬并沿垂直方向延伸垂直布線(xiàn)145。其次，在第3層生成具有最小線(xiàn)寬并沿水平方向延伸水平布線(xiàn)141。接著，在第4層生成具有與最小線(xiàn)寬不同線(xiàn)寬并對(duì)水平布線(xiàn)141和垂直布線(xiàn)145以非正交的角度沿斜方向延伸的斜布線(xiàn)143。在水平布線(xiàn)141長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)142垂直布線(xiàn)145的長(zhǎng)度方向中心線(xiàn)146與斜布線(xiàn)143長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)144的交點(diǎn)具有交點(diǎn)148。水平布線(xiàn)141和垂直布線(xiàn)145的端部，從交點(diǎn)148延長(zhǎng)斜布線(xiàn)143線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。斜布線(xiàn)143的終端部，延長(zhǎng)水平布線(xiàn)141和垂直布線(xiàn)145的線(xiàn)寬的1/2倍長(zhǎng)度并形成終端。使斜布線(xiàn)133的終端部與水平布線(xiàn)141和垂直布線(xiàn)145的終端部重合，并形成重疊區(qū)域。該重疊區(qū)域中，在交點(diǎn)148設(shè)定連接水平布線(xiàn)141、垂直布線(xiàn)145和斜布線(xiàn)143的連接圖形(通孔)145。進(jìn)而，在水平布線(xiàn)141、垂直布線(xiàn)145和斜布線(xiàn)143的終端部削除斜線(xiàn)部分。因此，可將連接圖形145形成八角形。因而，獲得如圖25B所示的那種終端處理后的形狀。
如第7到第8實(shí)施例所說(shuō)，八角形通孔可用于所有的圖形布線(xiàn)。八角形通孔與菱形通孔和平行四邊形通孔比較，沒(méi)有布線(xiàn)資源的浪費(fèi)，利用最小面積的通孔，就能連接布線(xiàn)。
(布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第9實(shí)施例)布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的第9實(shí)施例中，說(shuō)明在2層以上的分支布線(xiàn)方面利用八角形金屬和具備矩形開(kāi)口VIA場(chǎng)合的水平布線(xiàn)、垂直布線(xiàn)和斜布線(xiàn)的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法實(shí)施例。
圖26A是按照第8實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，從上部俯視所用VIA的圖。如圖26A所示，具備矩形的開(kāi)口162，和將開(kāi)口162的4角切除，形成具有邊163a到163h的8角形的金屬161。
圖26B到圖26D是按照第8實(shí)施例的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，在CAD上作成的布線(xiàn)布局圖。
如圖26B所示，首先，在上層生成具有線(xiàn)寬W并沿垂直方向延伸的垂直布線(xiàn)152和在下層生成具有線(xiàn)寬W并沿水平方向延伸的水平布線(xiàn)153。在這里，在垂直布線(xiàn)152長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)154與水平布線(xiàn)153長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)155相交的交點(diǎn)151上，配置如圖25A所示的VIA。圖26A中，使金屬161的邊163a與垂直布線(xiàn)152的終端相重疊，邊163g與水平布線(xiàn)153的終端相重疊。
如圖26C所示，首先，在上層生成具有線(xiàn)寬W′而且沿斜方向延伸的斜布線(xiàn)156和在下層生成具有線(xiàn)寬W而且沿水平方向延伸的水平布線(xiàn)153。在這里，在斜布線(xiàn)156長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)157與水平布線(xiàn)153長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)155相交的交點(diǎn)151上，配置如圖26A所示的VIA。圖26C中，金屬161的邊163b與斜布線(xiàn)156的終端相重疊、邊163g與水平布線(xiàn)153的終端重疊。
如圖26D所示，首先，在上層生成具有線(xiàn)寬W′而且斜方向延伸的斜布線(xiàn)156和在下層生成具有線(xiàn)寬W′而且與斜布線(xiàn)156不同斜方向延伸的斜布線(xiàn)158。在這里，在斜布線(xiàn)156長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)157與斜布線(xiàn)158長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)159相交的交點(diǎn)151上，配置如圖26A所示的VIA。圖26D中，金屬161的邊163b與斜布線(xiàn)156的終端相重疊，邊153h與斜布線(xiàn)158的終端重疊。
第9實(shí)施例中，即使連接所有的水平布線(xiàn)、垂直布線(xiàn)、斜布線(xiàn)時(shí)，采用八角形通孔也能對(duì)應(yīng)。因此，全部布線(xiàn)都可以使用相同通孔，因而可以降低成本。
(半導(dǎo)體集成電路制造方法的實(shí)施例)以下，表示是利用按照上述的自動(dòng)設(shè)計(jì)方法的布局制成的掩模，在半導(dǎo)體襯底上形成斜布線(xiàn)構(gòu)造，制造半導(dǎo)體集成電路的例子。
如圖27所示，典型地表示在單元(半導(dǎo)體集成電路)170的晶體管區(qū)域172上，混合斜布線(xiàn)173和基準(zhǔn)正交布線(xiàn)(包括水平布線(xiàn)171)的斜布線(xiàn)構(gòu)造，并省略詳細(xì)的布線(xiàn)構(gòu)造等。
為了作成該斜布線(xiàn)構(gòu)造，把利用上述布線(xiàn)圖形自動(dòng)設(shè)計(jì)方法生成的掩模圖形的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)輸入到光學(xué)曝光裝置、電子束曝光裝置、X射線(xiàn)曝光裝置等圖形發(fā)生器的計(jì)算機(jī)，可用該設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)描繪規(guī)定的曝光用掩模(掩模原版)。根據(jù)工序或半導(dǎo)體集成電路的內(nèi)容，作成10片到數(shù)十片或更多的掩模原版。圖28表示從這樣的多片掩模原版組的一部分取出3片掩模原版，作為曝光用掩模組175。為了方便僅示出各掩模的掩蔽圖形的一部分。
圖28所示的掩模組175包括第1掩模175A、第2掩模175B和第3掩模175C。第1掩模175A是在石英玻璃等的掩?；迳?，由鉻(Cr)形成將成為水平方向延伸的水平布線(xiàn)圖形(第1層布線(xiàn))176A的不透明圖形(遮光區(qū)域)176A。第2掩模175B具有在不透明區(qū)域中成為通路孔的開(kāi)口圖形的開(kāi)口176B。第3掩模175C具有由與水平布線(xiàn)圖形成45°或135°角度，并沿斜方向延伸的斜布線(xiàn)圖形176C組成的不透明圖形。把第1、第2、第3掩模重疊起來(lái)時(shí)，就構(gòu)成設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，使斜布線(xiàn)圖形176C的終端部、開(kāi)口176B的位置和水平布線(xiàn)圖形176A重合。
使用包括圖28所示的掩模組175的一系列掩模組(原版掩模組)，就能實(shí)現(xiàn)圖27中示出的那種斜布線(xiàn)構(gòu)造。為了形成晶體管部分和其他布線(xiàn)構(gòu)造，當(dāng)然還需要其他掩模組，對(duì)這些掩模組都省略說(shuō)明。
如圖29所示，斜布線(xiàn)構(gòu)造180包括在硅襯底190上的第1層間絕緣膜191上沿水平方向或垂直方向延伸的基準(zhǔn)正交布線(xiàn)181、位于基準(zhǔn)正交布線(xiàn)181上部的第2層間絕緣膜194、位于第2層間絕緣膜194上部并與基準(zhǔn)正交布線(xiàn)181構(gòu)成45°或135°角度地沿斜方向延伸的斜布線(xiàn)構(gòu)成的斜布線(xiàn)183、應(yīng)連接基準(zhǔn)正交布線(xiàn)181和斜布線(xiàn)183并貫通絕緣層182形成的通路孔185、以及埋入通路孔的連接用導(dǎo)電構(gòu)件。在斜布線(xiàn)183的上邊，形成鈍化膜或第3層間絕緣膜199。
用通路孔185和連接用導(dǎo)電構(gòu)件，形成連接用導(dǎo)電部分。連接用導(dǎo)電部分，至少應(yīng)形成在包括基準(zhǔn)正交布線(xiàn)181長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)與斜布線(xiàn)183長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)的交點(diǎn)的1個(gè)以上的位置。
另外，在這里，之所以稱(chēng)為第1第2層間絕緣膜是為了說(shuō)明方便，實(shí)際上其下還不妨包括其他層間絕緣膜或下層的金屬布線(xiàn)膜。
參照?qǐng)D30，表示形成圖29的斜布線(xiàn)構(gòu)造180的工序。
(一)首先，如圖30A所示，在被氧化膜(SiO2)等層間絕緣膜191覆蓋著的硅襯底190上邊，用濺射或真空蒸發(fā)法，淀積Al合金等第1層金屬膜192。進(jìn)而，旋涂正型光刻膠193，把第1層金屬膜192覆蓋起來(lái)。
(二)其次，在步進(jìn)式光刻機(jī)等曝光裝置的曝光臺(tái)上，配置該硅襯底190，利用具有水平布線(xiàn)圖形的原版(第1掩模)175A，對(duì)正型光刻膠193進(jìn)行曝光，并顯影。結(jié)果，如圖30B所示，殘留水平布線(xiàn)圖形部分的光刻膠。
(三)利用該狀態(tài)的光刻膠圖形作為掩模，通過(guò)反應(yīng)性離子蝕刻(RIE)法等，對(duì)第1層金屬膜192進(jìn)行蝕刻，而后，除去光刻膠。由此，形成如圖30C所示水平布線(xiàn)181。
(四)接著，在水平布線(xiàn)181上邊，用CVD法，淀積氧化膜、PSG、BPSG等的第2層間絕緣膜194。而且如圖30D所示，以正型光刻膠195覆蓋第2層間絕緣膜194。代替正型光刻膠，使用負(fù)型光刻膠195時(shí)，不用說(shuō)圖28B所示的第2掩模175B應(yīng)該變成黑白倒過(guò)來(lái)的掩模。
(五)再者，把硅襯底190裝到曝光裝置的曝光臺(tái)上，利用第2掩模175B對(duì)開(kāi)口圖形進(jìn)行曝光，并顯影。如圖30E所示，獲得僅除去與開(kāi)口的開(kāi)口圖形對(duì)應(yīng)光刻膠的光刻膠圖形。以該光刻膠為掩模，用RIE等蝕刻法，在第2層間絕緣膜194內(nèi)形成通路孔196。
(六)而后，除去正型光刻膠195，如圖30F所示，使用CVD法、濺射法、真空蒸發(fā)法等，在通路孔196的內(nèi)部埋入鎢(W)等連接用導(dǎo)電構(gòu)件。而后，用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)法等，使表面平坦化。
(七)如圖30G所示，在第2層間絕緣膜194和連接用導(dǎo)電構(gòu)件上邊，用濺射或真空蒸發(fā)法，形成Al合金等的第2層金屬膜197。進(jìn)而在其上旋涂正型光刻膠198。
(八)在步進(jìn)曝光機(jī)，利用第3掩模175C對(duì)斜布線(xiàn)圖形進(jìn)行曝光、顯影。其結(jié)果，殘留對(duì)應(yīng)于斜布線(xiàn)圖形部分的光刻膠。在該狀態(tài)下，用RIE法蝕刻第2層金屬膜197，如圖30H所示，形成斜布線(xiàn)183。然后，還用CVD法等，在斜布線(xiàn)183上邊淀積氧化膜、PSG、BPSG、氮化膜(Si3N4)或聚酰亞胺膜等的鈍化膜(或第3層間絕緣膜)。
另外，上述中，表示用連接用導(dǎo)電構(gòu)件連接第1金屬膜181和第2層金屬膜197的例子，但當(dāng)然也可以對(duì)第2金屬膜和其上的第3金屬膜，進(jìn)而對(duì)第3金屬膜和其上的第4金屬膜等的其他層的金屬膜間進(jìn)行連接。而且，為已經(jīng)說(shuō)過(guò)那樣，即使第1金屬膜181的下層金屬膜也可以，當(dāng)然也能與這些下層的金屬膜連接。
又，雖然說(shuō)過(guò)利用曝光用掩模組175的半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，但是不用曝光用掩模組175，也不妨用上述的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，驅(qū)動(dòng)直接描繪(DSW)裝置，在半導(dǎo)體晶片上使用直接描繪的方法。
又，第1金屬膜181和第2層金屬膜197的至少一方是銅(Cu)的鑲嵌金屬布線(xiàn)，也可以是除Al合金以外的布線(xiàn)，從本發(fā)明的宗旨也都是容易理解的。
以下，表示利用本發(fā)明布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的半導(dǎo)體集成電路具體例。
(第1半導(dǎo)體集成電路例)如圖31所示，第1半導(dǎo)體集成電路200具備位于半導(dǎo)體芯片角部的PLL(Phase Locked Loop鎖相環(huán))210；從PLL210向芯片中央，對(duì)基準(zhǔn)正交坐標(biāo)軸成45°角度沿斜方向延伸，終端在芯片中央的主時(shí)鐘布線(xiàn)201；從主時(shí)鐘布線(xiàn)的終端C，與基準(zhǔn)正交坐標(biāo)軸成45°角度和135°角度，向斜方向左右對(duì)稱(chēng)分支的時(shí)鐘樹(shù)布線(xiàn)。圖31中，用黑體字表示數(shù)字1～5表示時(shí)鐘樹(shù)的分支層次。
具體點(diǎn)說(shuō)，從主時(shí)鐘布線(xiàn)201的終端C，在與主時(shí)鐘布線(xiàn)201正交的方向，左右對(duì)稱(chēng)延長(zhǎng)第2分支層次的斜布線(xiàn)202。從斜布線(xiàn)202的兩端，在正交于斜布線(xiàn)202的方向，第3分支階層的斜布線(xiàn)203a和203b對(duì)于主時(shí)鐘布線(xiàn)201的終端C左右對(duì)稱(chēng)延長(zhǎng)。從斜布線(xiàn)203a、203b的兩端，進(jìn)而第4分支層次204a～204d對(duì)于主時(shí)鐘布線(xiàn)201左右對(duì)稱(chēng)延長(zhǎng)。以下，分支層次每次下去，都對(duì)于主時(shí)鐘布線(xiàn)201左右對(duì)稱(chēng)分支繼續(xù)延長(zhǎng)。
采用這樣的分支構(gòu)造的結(jié)果是，周?chē)O(shè)置由斜布線(xiàn)構(gòu)成并對(duì)半導(dǎo)體芯片中央C構(gòu)成左右對(duì)稱(chēng)的樹(shù)。附圖沒(méi)有示出，但在只用該斜布線(xiàn)的時(shí)鐘樹(shù)下層，直接形成與單元連接的基準(zhǔn)正交布線(xiàn)，構(gòu)成時(shí)鐘樹(shù)的斜布線(xiàn)端部，按照上述的終端布局的自動(dòng)設(shè)計(jì)方法，通過(guò)通路孔與下層的基準(zhǔn)正交布線(xiàn)連接。
在采用斜布線(xiàn)等的時(shí)鐘樹(shù)中，從原則來(lái)說(shuō)，相同分支層次的布線(xiàn)屬于同一層。所以，在第4分支層次的4條斜布線(xiàn)204a～204b全部屬于同一層。分支層次不同，但在同一方向延長(zhǎng)的布線(xiàn)彼此也可以屬于同一層，也可以是另外的層。圖31的例子中，第3分支層次的斜布線(xiàn)103和同方向延長(zhǎng)的第5分支層次的斜布線(xiàn)205也可以在同一層形成，有時(shí)在不同層形成。
采用這種斜布線(xiàn)的最大效果在于負(fù)載容量等設(shè)計(jì)上的平衡計(jì)算變得容易了。又，隨工藝變動(dòng)的時(shí)鐘延遲偏差也能降到很小。進(jìn)而，在相同層配置相同分支層次，由于是左右對(duì)稱(chēng)，排除布線(xiàn)層引起的偏差，一邊達(dá)到每條分支上負(fù)載容量的平衡，一邊就能夠縮短2點(diǎn)間的時(shí)鐘延遲。
另外，附圖沒(méi)有示出來(lái)，但隨分支層次繼續(xù)下去，根據(jù)埃爾莫(Elmor)的布線(xiàn)延遲計(jì)算公式，使布線(xiàn)寬度變窄。
利用這種構(gòu)成，能控制負(fù)載量，實(shí)現(xiàn)更高速，而且偏差少的高性能半導(dǎo)體集成電路。
(第2半導(dǎo)體集成電路例)如圖32所示，第2半導(dǎo)體集成電路300具備位于電路端部，供給較低頻率(數(shù)百M(fèi)Hz)的全局時(shí)鐘的主PLL310；從主PLL310延長(zhǎng)的全局時(shí)鐘布線(xiàn)312；及多個(gè)隨機(jī)部件330A、330B。各隨機(jī)部件330具備連接全局時(shí)鐘布線(xiàn)312的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)單元(第8實(shí)施例中DLL(delay-locked loop延遲鎖定環(huán)))320和由斜布線(xiàn)構(gòu)成的時(shí)鐘樹(shù)。
主PLL310調(diào)整與搭載該P(yáng)LL310的半導(dǎo)體集成電路裝置以外的集成電路裝置的時(shí)鐘相位。從該P(yáng)LL310，作為橫跨芯片的基本時(shí)鐘的全局時(shí)鐘向芯片內(nèi)部的電路時(shí)鐘或隨機(jī)部件(由多個(gè)邏輯電路塊組成，由設(shè)計(jì)人等分開(kāi)作成的局部電路集合)供給。設(shè)置于各隨機(jī)部件的DLL320，把較低頻率的全局時(shí)鐘變換成高頻(數(shù)GHz)的本地時(shí)鐘，通過(guò)關(guān)聯(lián)的時(shí)鐘樹(shù)，向隨機(jī)部件內(nèi)部供給高頻時(shí)鐘。
在第2半導(dǎo)體集成電路，附圖也沒(méi)有示出來(lái)，但是各部件330的時(shí)鐘樹(shù)通過(guò)通路孔與下層的基準(zhǔn)正交布線(xiàn)連在一起。即，構(gòu)成時(shí)鐘樹(shù)的斜布線(xiàn)終端部，根據(jù)利用上述的自動(dòng)設(shè)計(jì)方法生成的布線(xiàn)布局，確實(shí)與基準(zhǔn)正交布線(xiàn)的終端部連接在一起。
隨著LSI的微細(xì)化進(jìn)展，正如所說(shuō)布線(xiàn)的電阻和電容對(duì)延遲帶來(lái)大的影響，但是現(xiàn)有芯片一并同步設(shè)計(jì)(即單一的時(shí)鐘設(shè)計(jì))中，例如為了使10mm見(jiàn)方的芯片一并同步，數(shù)百M(fèi)Hz的速度就成了限度。如果打算得到該速度以上的設(shè)計(jì)，就需要把時(shí)鐘布線(xiàn)的厚度提高到標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)線(xiàn)的數(shù)十倍～數(shù)百倍。工藝上制造困難，而且CAD上處理本身是困難的。
因此，如第2半導(dǎo)體集成電路裝置那樣，通過(guò)用較低頻率發(fā)送全局時(shí)鐘而在本地的各部件330采用高頻同步工作的辦法，可用現(xiàn)有的芯片尺寸，實(shí)現(xiàn)更高速的工作。又，只用左右對(duì)稱(chēng)的斜布線(xiàn)構(gòu)成時(shí)鐘樹(shù)，因而延遲小。
再，圖32的構(gòu)成中，在全局時(shí)鐘布線(xiàn)312的兩側(cè)配置各隨機(jī)部件330，因而可將隨機(jī)部件330的DLL配置在電路的端部，供給電壓就容易了。
如圖33所示，半導(dǎo)體集成電路400中，將PLL410配置在電路的角部，并傾斜通往供給全局時(shí)鐘的全局時(shí)鐘布線(xiàn)412。通常，就供給全局的時(shí)鐘的全局時(shí)鐘布線(xiàn)412而言容易帶來(lái)延遲。為了消除該部分的延遲。大致同時(shí)而且迅速地向各隨機(jī)部件430供給全局時(shí)鐘，使全局時(shí)鐘布線(xiàn)412一直傾斜通到芯片中央，在中央部分交替配置各隨機(jī)部件的DLL420。由專(zhuān)用的焊接區(qū)(設(shè)于芯片上面，附圖未表示)向DLL420供給電源。
采用斜布線(xiàn)作成全局時(shí)鐘布線(xiàn)412的辦法，可以提高全局時(shí)鐘本身頻率，就可能更加高速地工作。
(第3半導(dǎo)體集成電路例)如圖34所示，第3半導(dǎo)體集成電路500具備配置于芯片角部的PLL510和用斜布線(xiàn)構(gòu)成的在大致芯片的整個(gè)范圍設(shè)置的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)520。
一般地說(shuō)，網(wǎng)絡(luò)構(gòu)造的時(shí)鐘供給線(xiàn)工藝偏差大，總體上可以降低延遲引起的偏差。在圖27所示的構(gòu)造中，由于采用斜布線(xiàn)的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)，與使用現(xiàn)有的水平和垂直方向的網(wǎng)絡(luò)比較，又有縮短時(shí)鐘延遲的效果。
附圖雖然沒(méi)有示出來(lái)，但斜布線(xiàn)的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的下層，設(shè)有直接與單元連接的基準(zhǔn)正交布線(xiàn)層。構(gòu)成時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的斜布線(xiàn)和下層的基準(zhǔn)正交布線(xiàn)，按照利用上述自動(dòng)設(shè)計(jì)方法生成的終端布局，通過(guò)通路孔進(jìn)行連接。
(第4半導(dǎo)體集成電路例)如圖35所示，第4半導(dǎo)體集成電路600具備位于電路端部并以比較頻率供給全局時(shí)鐘的主PLL610、從主PLL610伸出的全局時(shí)鐘布線(xiàn)612、及多個(gè)隨機(jī)部件630A和630B。各隨機(jī)部件630具備連到全局時(shí)鐘布線(xiàn)612的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)單元(第4半導(dǎo)體集成電路中為DLL)620、由斜布線(xiàn)構(gòu)成的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)540。各DLL620把較低頻率的全局時(shí)鐘變換成高頻(數(shù)GHz)的本地時(shí)鐘，通過(guò)相關(guān)的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)640，把高頻時(shí)鐘送到隨機(jī)部件內(nèi)部。
附圖雖然沒(méi)有表示出來(lái)，但是各隨機(jī)部件630內(nèi)部，在時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)640的下層設(shè)置與單元連接的基準(zhǔn)正交布線(xiàn)，而且按照利用上述自動(dòng)設(shè)計(jì)方法生成的終端布局，通過(guò)規(guī)定位置的通路孔進(jìn)行連接。
各部件630中，高頻同步從DLL620送來(lái)的全局時(shí)鐘，通過(guò)幾乎沒(méi)有延遲離散的斜布線(xiàn)時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)，向各側(cè)提供信號(hào)。從而，能夠?qū)崿F(xiàn)裝置的高速工作。
圖35中，也可以如圖33所示橫跨芯片，傾斜通到垂直通向的全局時(shí)鐘供給線(xiàn)612。這時(shí)，可以提高全局時(shí)鐘本身的頻率，就會(huì)更加高速工作。
(第5半導(dǎo)體集成電路例)如圖36所示，第5半導(dǎo)體集成電路700具有配置于角部的驅(qū)動(dòng)力較大的路由驅(qū)動(dòng)器710、從路由驅(qū)動(dòng)器710起橫跨芯片并傾斜延伸的主時(shí)鐘供給布線(xiàn)712、芯片全體范圍設(shè)置的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)730、以及連到主時(shí)鐘供給布線(xiàn)712并驅(qū)動(dòng)構(gòu)成時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的多個(gè)子驅(qū)動(dòng)器720。
根據(jù)該構(gòu)成，利用多個(gè)子驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)各個(gè)斜布線(xiàn)，因而延遲小，可以減少邏輯電路中成了頭等問(wèn)題的時(shí)鐘信號(hào)離散。而且，制造上的離散也小。
(第6半導(dǎo)體集成電路例)如圖37所示，第6半導(dǎo)體集成電路800具有配置于芯片端部的驅(qū)動(dòng)力較大的路由驅(qū)動(dòng)器810、從路由驅(qū)動(dòng)器810起沿著芯片四周延伸的主時(shí)鐘供給布線(xiàn)812并在芯片全體范圍設(shè)置的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)830、連到主時(shí)鐘供給布線(xiàn)812并驅(qū)動(dòng)構(gòu)成時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的斜布線(xiàn)的多個(gè)子驅(qū)動(dòng)器820。
第6半導(dǎo)體集成電路800的特征在于把子驅(qū)動(dòng)器820配置在芯片四周部分。圖36的例中把可能成為噪聲源的DLL620配置在芯片中央部分，但第6半導(dǎo)體集成電路800中，把噪聲源配置在周?chē)蚨须y以發(fā)生電壓降落的效果。如果發(fā)生電壓降落，在芯片中央部分和周?chē)糠衷谛阅苌蠒?huì)出現(xiàn)差別，因而圖37的構(gòu)成，在達(dá)成均勻性能方面也有好處。
(其他實(shí)施例)在第1到第8實(shí)施例中已舉例說(shuō)明本發(fā)明的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)中使用的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法的布線(xiàn)終端處理圖形，但是也可以是在這里舉出的布線(xiàn)終端處理圖形以外的布線(xiàn)終端處理圖形。本發(fā)明的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)可以從所有布線(xiàn)終端處理圖形中選擇最佳的布線(xiàn)終端處理圖形。
第1到第8實(shí)施例中，對(duì)將水平布線(xiàn)作為下層布線(xiàn)、斜布線(xiàn)作為上層布線(xiàn)作出說(shuō)明，但布線(xiàn)位置倒過(guò)來(lái)，本發(fā)明的效果也同樣。而且，水平布線(xiàn)即使是垂直布線(xiàn)，原理也相同。還有，不限于水平布線(xiàn)層和斜布線(xiàn)層的兩層，三層以上的自動(dòng)設(shè)計(jì)方面也是適合的。
而且，可以將利用第1到第8實(shí)施例中所述種種設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的布線(xiàn)構(gòu)造，應(yīng)用于各種半導(dǎo)體集成電路裝置的布線(xiàn)構(gòu)造上。
進(jìn)而，半導(dǎo)體集成電路內(nèi)的隨機(jī)部件配置和DLL的位置只要是可變換頻率的位置，設(shè)在任何地方都行。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員接受了本發(fā)明公開(kāi)的技術(shù)以后，就能夠做出各種修改而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)，其特征是具有登記基本通孔形狀表的程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置；對(duì)登記于上述程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置的上述基本通孔形狀表的各通孔形狀，登記表示最佳布線(xiàn)終端處理的表的工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置；以及參照登記于上述程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置和上述工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的表，選擇最佳布線(xiàn)處理，并執(zhí)行布線(xiàn)設(shè)計(jì)的中央處理控制裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)，其特征是上述中央處理控制裝置由多個(gè)處理控制裝置構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)，其特征是上述中央處理控制裝置具備；參照登記于上述程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置的表。生成表示上述最佳布線(xiàn)處理的表，登記到上述工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置，并執(zhí)行布局處理的布局設(shè)計(jì)模塊；參照登記于上述工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的表。進(jìn)行布線(xiàn)處理的布線(xiàn)處理模塊；以及在上述布線(xiàn)處理模塊的處理中，選擇最佳通孔的最佳通孔選擇模塊。
4.一種布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是具備；生成基本通孔形狀表，并登記到程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置的步驟；參照登記于上述程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置的上述基本通孔形狀表，生成對(duì)上述基本通孔形狀表的各通孔形狀表示最佳布線(xiàn)終端處理的表，并登記到工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的步驟；參照登記于上述工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的表，選擇最佳布線(xiàn)處理并進(jìn)行布線(xiàn)處理的步驟；以及選擇最佳通孔的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是選擇上述通孔的步驟具備在全部的上述布線(xiàn)終端處理中選擇可能適用的通孔的步驟；以及選擇上述通孔的步驟中，在全部的上述布線(xiàn)終端處理中不能選擇可能適用的通孔時(shí)，在各個(gè)上述布線(xiàn)終端處理中選擇最佳通孔的步驟。
6.一種布線(xiàn)設(shè)計(jì)程序，用于在計(jì)算機(jī)中執(zhí)行生成基本通孔形狀表，并向程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置登記的順序；參照登記于上述程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置的上述基本通孔形狀表，生成對(duì)上述基本通孔形狀表的各通孔形狀表示最佳布線(xiàn)終端處理的表，并登記到工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的順序；參照登記于上述工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的表，選擇最佳布線(xiàn)處理，進(jìn)行布線(xiàn)處理的順序；以及選擇最佳通孔的順序。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的布線(xiàn)設(shè)計(jì)程序，其特征是選擇上述通孔的順序還用于執(zhí)行在全部的上述布線(xiàn)終端處理中選擇可能適用通孔的順序；在選擇上述通孔的步驟中，在全部的上述布線(xiàn)終端處理中不能選擇可能適用的通孔時(shí)，在各個(gè)上述布線(xiàn)終端處理中選擇最佳通孔的順序。
8.一種布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是具備生成具有第1線(xiàn)寬，在規(guī)定方向延伸的第1布線(xiàn)的步驟；生成具有第2線(xiàn)寬，在與上述第1布線(xiàn)不同方向延伸，其終端部與上述第1布線(xiàn)的終端部重疊的第2布線(xiàn)的步驟；關(guān)于上述第1布線(xiàn)，在長(zhǎng)度方向延長(zhǎng)的步驟；關(guān)于上述第2布線(xiàn)，在長(zhǎng)度方向延長(zhǎng)第2線(xiàn)寬的一半長(zhǎng)度的步驟；從上述第1布線(xiàn)的終端和上述第2布線(xiàn)的終端，削除從上述第1布線(xiàn)的終端和第2布線(xiàn)的終端重合的重疊區(qū)域露出的突起部分的步驟；以及在上述第1布線(xiàn)長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)與第2布線(xiàn)長(zhǎng)度方向的中心線(xiàn)的交點(diǎn)上，設(shè)定連接上述第1布線(xiàn)和第2布線(xiàn)的多角形連接圖形的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是上述第1布線(xiàn)和第2布線(xiàn)是不同層的布線(xiàn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是上述第1布線(xiàn)和第2布線(xiàn)是相同層的布線(xiàn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是上述多角形是八角形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是上述第1布線(xiàn)和第2布線(xiàn)是不同層的布線(xiàn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是上述第1布線(xiàn)和第2布線(xiàn)是相同層的布線(xiàn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是關(guān)于上述第1布線(xiàn)在長(zhǎng)度方向延長(zhǎng)的步驟中，延長(zhǎng)上述第2布線(xiàn)的一半線(xiàn)寬的長(zhǎng)度。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的布線(xiàn)設(shè)計(jì)方法，其特征是關(guān)于上述第2布線(xiàn)，在長(zhǎng)度方向延長(zhǎng)的步驟中，延長(zhǎng)上述第1布線(xiàn)的一半線(xiàn)寬的長(zhǎng)度。
16.一種半導(dǎo)體集成電路的制造方法，其特征是具備在半導(dǎo)體襯底上形成在規(guī)定方向延伸的第1布線(xiàn)的步驟；上述第1布線(xiàn)層上形成層間絕緣膜的步驟；形成貫通上述層間絕緣膜的多角形通路孔的步驟；形成埋入上述多角形通路孔內(nèi)部并連接上述第1布線(xiàn)的連接用導(dǎo)電部分的步驟；以及形成對(duì)上述第1布線(xiàn)成非正交角度延伸且其終端部連到上述連接用導(dǎo)電部分的第2布線(xiàn)的步驟。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路裝置的布局設(shè)計(jì)系統(tǒng)具有:登記基本通孔形狀表的程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置;對(duì)登記于上述程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置的上述基孔形狀表的各通孔形狀,登記表示最佳布線(xiàn)終端處理的表的工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置;以及參照登記于上述程序庫(kù)信息儲(chǔ)存裝置和上述工藝數(shù)據(jù)庫(kù)儲(chǔ)存裝置的表,選擇最佳布線(xiàn)處理,并執(zhí)行布線(xiàn)設(shè)計(jì)的中央處理控制裝置。
文檔編號(hào)G06F17/50GK1383082SQ0212180
公開(kāi)日2002年12月4日 申請(qǐng)日期2002年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月13日
發(fā)明者五十嵐睦典, 三橋隆 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝