專(zhuān)利名稱(chēng)：Rfid標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及無(wú)線(xiàn)射頻標(biāo)識(shí)(RFID)標(biāo)記和標(biāo)簽領(lǐng)域，及其特定的制作方法，包括卷軸到卷軸的制作方法和替代的薄片到卷軸的制作方法。
先有技術(shù)RFID標(biāo)記和標(biāo)簽結(jié)合了天線(xiàn)與模擬和/或數(shù)字電子學(xué)，例如可包括通信電子學(xué)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與控制邏輯。RFID標(biāo)記和標(biāo)簽廣泛應(yīng)用于物體與標(biāo)識(shí)碼的關(guān)聯(lián)。例如，RFID標(biāo)記應(yīng)用于與汽車(chē)安全鎖的連合，建筑物的訪(fǎng)問(wèn)控制以及跟蹤編目和包裹。RFID標(biāo)記和標(biāo)簽的一些例子出現(xiàn)在美國(guó)第6,107,920、6,206,292和6,262,292號(hào)專(zhuān)利中，所有這些在此全部引為參考。
RFID標(biāo)記和標(biāo)簽包括具有電源的有源標(biāo)記，和沒(méi)有電源的無(wú)源標(biāo)記與標(biāo)簽。在無(wú)源標(biāo)記的情況下，為從芯片取回信息，一個(gè)“基站”或“閱讀器”向RFID標(biāo)記或標(biāo)簽發(fā)送一個(gè)激活信號(hào)。激活信號(hào)激勵(lì)標(biāo)記或標(biāo)簽，RFID電路向閱讀器發(fā)送回存儲(chǔ)信息?！伴喿x器”接收RFID標(biāo)記的信息，并解碼。一般，RFID標(biāo)記可保留和發(fā)送足夠的信息，以唯一地標(biāo)識(shí)各個(gè)個(gè)體，包裝，編目等等。RFID標(biāo)記和標(biāo)簽也可特征化為那些只可一次寫(xiě)入的信息(盡管信息可以重復(fù)讀取)，以及那些在使用時(shí)寫(xiě)入的信息。例如，RFID標(biāo)記可存儲(chǔ)環(huán)境信息(這可由關(guān)聯(lián)傳感器檢測(cè))、歷史記錄、狀態(tài)數(shù)據(jù)等等。
Moore North America Inc.的第WO 01/61646號(hào)PCT出版物公布了RFID標(biāo)簽的制作方法，這里引用作為參考。第WO 01/61646號(hào)PCT出版物公開(kāi)的方法采用了一些不同源的RFID引入線(xiàn)，每個(gè)引入線(xiàn)包括天線(xiàn)和芯片。多個(gè)薄板匹配在一起，RFID標(biāo)簽從薄板被沖切，以產(chǎn)生帶襯墊的RFID標(biāo)簽?？商娲氖牵瑹o(wú)襯墊的RFID標(biāo)簽產(chǎn)生于一面具有釋放材料、另一面具有壓力敏感粘合物的合成薄板，標(biāo)簽形成于薄板的穿孔?？赡苡懈鞣N替代。
Pletter的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)出版物第US2001/0053675號(hào)還公開(kāi)了其它RFID設(shè)備和RFID標(biāo)簽的制作方法，在此合并引為參考。設(shè)備包括發(fā)射機(jī)應(yīng)答器，它包含具有接觸墊片和與接觸墊片導(dǎo)電連接的至少兩個(gè)耦合元件的芯片。耦合元件彼此相對(duì)不接觸，以獨(dú)立的方式自我支持而形成，并基本平行地延伸到芯片表面。發(fā)射機(jī)應(yīng)答器的總的安裝高度基本上對(duì)應(yīng)于芯片的安裝高度。耦合元件的大小和幾何形狀適合于作為偶極天線(xiàn)或作為平板電容器與評(píng)估單元相連。典型的是，發(fā)射機(jī)應(yīng)答器在晶片級(jí)生產(chǎn)。耦合元件在晶片級(jí)與芯片的接觸墊片直接相連，就是說(shuō)，早于從晶片給定的組群中析取芯片。
在許多申請(qǐng)中，期望盡可能小地降低電子器件的大小。申請(qǐng)人的受讓人Avery Dennison公司(Avery Dennison Corporation)與Alien技術(shù)公司(Alien Technology Corporation)及其它方面共同工作，標(biāo)識(shí)坯料、設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和研發(fā)制作技術(shù)，以有效地制造多卷軸的柔性襯底，其充滿(mǎn)“小的電子部件”。
考慮到柔性襯底充滿(mǎn)“小的電子部件”，加州Morgan Hill的Alien技術(shù)公司(“Alien”)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了制造像小的電子部件的微電子元件的成熟技術(shù)，Alien公司稱(chēng)它為“納米級(jí)部件”，然后把小的電子部件沉積到基礎(chǔ)的襯底上的凹處。為接收這些小的電子部件，平面襯底200(

圖1)壓紋而有大量接收器穴210，接收器穴210典型地形成在襯底上的模式中。例如在圖1，接收器穴210形成一個(gè)簡(jiǎn)單矩陣模式，該模式僅擴(kuò)展到襯底的一個(gè)預(yù)定部分，或可基本擴(kuò)展到期望的襯底的全部長(zhǎng)度、寬度范圍內(nèi)。
為把這些小的電子部件放到凹處，Alien公司應(yīng)用稱(chēng)為射流自組裝技術(shù)(“FSA”)。FSA方法包括在漿狀物中分散小電子部件，然后在襯底的上表面上流過(guò)漿狀物。小電子部件與凹處具有互補(bǔ)的形狀，重力使這些小電子部件下降到凹處里。最終結(jié)果是嵌入了微小電子元件的襯底(如薄層、薄板或板塊)。圖2表示一個(gè)小電子部件100沉積在凹處210中。在部件100與襯底220之間是金屬化層222。部件100的上表面有在其上沉積的電路224。
Alien公司在其技術(shù)上有大量專(zhuān)利，包括美國(guó)第5,783,856；5,824,186；5,904,545；5,545,291；6,274,508；和6,281,036號(hào)專(zhuān)利，本申請(qǐng)全部合并引為參考。進(jìn)一步的信息可見(jiàn)于Alien公司的2005年6月15日 申請(qǐng)日期2003年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月18日
發(fā)明者A·格林, D·R·貝努瓦 申請(qǐng)人:艾利丹尼森公司