專利名稱：：用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種內(nèi)存管理裝置及方法，且特別涉及一種可跟蹤內(nèi)存存取情形以提升命中率及減少內(nèi)存存取延遲的存儲頁管理裝置及方法。
背景技術(shù)：
：在今日多任務(wù)的計算機操作系統(tǒng)中，每一內(nèi)存主控電路(memorymaster)的連續(xù)數(shù)個存取動作大都在內(nèi)存中的某一個地址區(qū)域，因此如何使內(nèi)存主控電路的存取內(nèi)存的耗費時間(overhead)降至最少以及減少存取的延遲時間(latency)，變成目前最重要的課題。常見的同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存(SynchronousDynamicRandomAccessMemory，簡稱SDRAM)最多有4個副區(qū)塊(sub-bank)，因為每個副區(qū)塊僅可開啟一個存儲頁，也就是最多可以開啟4個存儲頁，因此常見的內(nèi)存控制器針對每個存儲區(qū)塊(bank)設(shè)計固定的控制電路來分別管理DRAM的存儲頁，例如最多可以同時開啟2個存儲頁或4個存儲頁，則要有4組控制電路。換句話說，用以跟蹤內(nèi)存存取的常見的存儲頁管理裝置中，包括一具有多個存儲頁的內(nèi)存，以及一具有及多個儲存單元的頁暫存電路，用以供儲存多個存儲頁的地址數(shù)據(jù)，其中每一該儲存單元存放一個存儲頁的地址數(shù)據(jù)，而且頁緩存器的儲存單元數(shù)目會等于系統(tǒng)存儲頁的數(shù)目。例如常見的系統(tǒng)內(nèi)存有4條DIMM，其中每條DIMM有2個Bank，每個Bank有4個Sub-bank，每一Sub-bank可對應(yīng)1個MemoryPage，因此系統(tǒng)內(nèi)存總共會有32個MemoryPage。因此現(xiàn)有技術(shù)會有32個儲存單元，亦即32個緩存器。因此系統(tǒng)內(nèi)存越大，存儲頁越多，則所需的緩存器就愈多，因此芯片組的面積有就會越來越大！使得芯片的成本難以下降。因此現(xiàn)有做法的缺點為1.若是某個存儲區(qū)塊上并沒有插上SDRAM，或是有插上SDRAM，但此SDRAM只有兩個副區(qū)塊，此時因為未被用到的控制電路不能被其它存儲區(qū)塊使用，因此未被用到的控制電路就浪費了。2.假如在系統(tǒng)中使用的是虛擬信道SDRAM(VirtualChannelSDRAM，簡稱VC-SDRAM)，因為VC-SDRAM最多可以同時開啟16個信道，因此若是只做4組控制電路，則有12個信道無法使用。相對的，假如做16組控制電路，則控制電路會占用太大的面積，不符合經(jīng)濟效益，且因為電路太大造成延遲太大，故不適用于高速的系統(tǒng)中，另外，若是使用SDRAM，則至少有12組控制電路會被浪費。
發(fā)明內(nèi)容因此針對上述問題以及其它目的，本發(fā)明提出一種用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，利用最久未使用(LeastRecentlyUsed，簡稱LRU)的算法，不論系統(tǒng)使用何種內(nèi)存，例如EDODRAM、SDRAM、或是VC-SDRAM，皆可共享，具有彈性的最大優(yōu)點。本發(fā)明提出的用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置包括一頁暫存電路、一比較電路、一利用率暫存電路、及一確認(rèn)電路。在頁暫存電路中具有多個儲存單元，用以供儲存多個存儲頁的地址數(shù)據(jù)，其中每一該儲存單元存放一個存儲頁的地址數(shù)據(jù)。該比較電路耦接至該頁暫存電路，用以接受一存取地址，并根據(jù)該存取地址與該頁暫存電路的數(shù)據(jù)的比較結(jié)果，輸出一命中信號，當(dāng)該存取地址命中該頁暫存電路中儲存的該存儲頁的地址數(shù)據(jù)之一時，激活(activated)該命中信號。該利用率暫存電路耦接至該頁暫存電路，用以控制該儲存單元的使用情形。該確認(rèn)電路耦接至該頁暫存電路，用以判斷該儲存單元的數(shù)據(jù)是否有效。依照本發(fā)明的一較佳實施例，該頁暫存電路包括一數(shù)據(jù)儲存表、一鎖存電路、及一選擇電路，該儲存單元位于該數(shù)據(jù)儲存表中，該鎖存電路耦接至該比較電路，用以將該比較電路輸出的該命中信號鎖存住，該選擇電路耦接至該鎖存電路、該利用率暫存電路、該確認(rèn)電路、及該數(shù)據(jù)儲存表，用以根據(jù)鎖存住的該命中信號及該利用率暫存電路與該確認(rèn)電路的輸出信號選擇該數(shù)據(jù)儲存表的該儲存單元之中的一個。另外，在存儲頁管理裝置的中更具有多個確認(rèn)位，每一確認(rèn)位分別對應(yīng)至該儲存單元之一，當(dāng)該確認(rèn)位為設(shè)定時，儲存于對應(yīng)的該儲存單元的數(shù)據(jù)才是有效的。并且該比較電路根據(jù)該確認(rèn)位判斷該儲存單元的數(shù)據(jù)是否為有效，該比較電路亦負(fù)責(zé)更新該確認(rèn)位的值。該存儲頁管理裝置中亦具有多個利用率數(shù)據(jù)，每一利用率數(shù)據(jù)對應(yīng)至該儲存單元之一，用以代表該儲存單元的利用率。該利用率暫存電路根據(jù)該利用率數(shù)據(jù)控制該儲存單元的使用情形，并負(fù)責(zé)更新該利用率數(shù)據(jù)。依照本發(fā)明的一較佳實施例，其中該利用率數(shù)據(jù)可以用數(shù)字代表對應(yīng)的該儲存單元的利用率，當(dāng)該利用率數(shù)據(jù)之值越大，代表對應(yīng)的該儲存單元越久未被使用。該存儲頁管理裝置于工作時，當(dāng)該存取地址未命中該儲存單元中儲存的該存儲頁的地址數(shù)據(jù)時，將該存取地址儲存至對應(yīng)至一最大利用率值的該儲存單元。并且，當(dāng)對應(yīng)至該最大利用率數(shù)據(jù)值的該儲存單元的確認(rèn)位為有效時，在將該存取地址儲存至對應(yīng)至該最大利用率值的該儲存單元之前，根據(jù)該儲存單元的地址數(shù)據(jù)產(chǎn)生一復(fù)原地址，用以復(fù)原對應(yīng)的一存儲頁的狀態(tài)。依照本發(fā)明的另一作法，該存儲頁管理裝置接受一存取地址，并輸出一頁命中信號及一區(qū)塊命中信號，而該存儲頁管理裝置包括一頁暫存電路、一比較電路、一利用率暫存電路、及一確認(rèn)電路。其中該頁暫存電路具有多個儲存單元，用以供儲存多個存儲頁的地址數(shù)據(jù)，其中每一該儲存單元存放一個存儲頁的地址數(shù)據(jù)，每一該地址數(shù)據(jù)包括一區(qū)塊地址數(shù)據(jù)及一頁地址數(shù)據(jù)。該比較電路耦接至該頁暫存電路，用以接受一存取地址，并根據(jù)該存取地址與該頁暫存電路的數(shù)據(jù)的比較結(jié)果，輸出該頁命中信號及該區(qū)塊命中信號，當(dāng)該存取地址命中該頁暫存電路中儲存的該存儲頁的地址數(shù)據(jù)之一的區(qū)塊地址數(shù)據(jù)時，激活該區(qū)塊命中信號，當(dāng)該存取地址命中該頁暫存電路中儲存的該存儲頁的地址數(shù)據(jù)之一的該區(qū)塊地址數(shù)據(jù)及該頁地址數(shù)據(jù)時，同時激活該區(qū)塊命中信號及該頁命中信號。該利用率暫存電路耦接至該頁暫存電路，用以控制該儲存單元的使用情形，當(dāng)該存取地址未命中該存儲頁的地址數(shù)據(jù)時，依據(jù)該利用率暫存電路由該儲存單元中找出一最久未使用的儲存單元，并將該存地址存入該最久未使用的儲存單元。該確認(rèn)電路耦接至該頁暫存電路，用以判斷該儲存單元的數(shù)據(jù)是否有效。依照本發(fā)明的一較佳實施例，當(dāng)該存取地址命中該頁暫存電路中儲存的該存儲頁的地址數(shù)據(jù)之一的區(qū)塊地址數(shù)據(jù)但未命中該頁地址數(shù)據(jù)時，則根據(jù)該存取地址更新該頁地址數(shù)據(jù)。依照上述的本發(fā)明的存儲頁管理裝置，本發(fā)明提出一種用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理方法，包括下列步驟提供多個儲存單元，用以儲存多個存儲頁的地址數(shù)據(jù)；接受一存取地址；將該存取地址與該儲存單元的地址數(shù)據(jù)比較；當(dāng)該存取地址命中該儲存單元之一的地址數(shù)據(jù)時，送出一命中信號；當(dāng)該存取地址未命中該儲存單元之一的地址數(shù)據(jù)時，由該儲存單元找出一最久未使用的儲存單元，將該存取地址存入該最久未使用的儲存單元；以及當(dāng)該存取地址未命中該儲存單元之一的地址數(shù)據(jù)且該最久未使用的儲存單元已儲存有效的地址數(shù)據(jù)時，在將該存取地址存入該最久未使用的儲存單元之前，根據(jù)該最久未使用的儲存單元原先儲存的地址數(shù)據(jù)產(chǎn)生一復(fù)原地址信號，用以復(fù)原對應(yīng)的一存儲頁的狀態(tài)。依照上述本發(fā)明所提出的用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，可經(jīng)由跟蹤內(nèi)存主控電路的存取動作，除了可以增加頁命中率及數(shù)據(jù)可供內(nèi)存主控電路分享之外，并且可以預(yù)先判斷下一個管線式存取(pipelinedaccess)是否需要預(yù)充電，用以在進(jìn)行現(xiàn)行的存取時，即先送預(yù)充電(precharge)命令給另一個存儲區(qū)塊，預(yù)先對另一個存儲區(qū)塊進(jìn)行預(yù)充電，可以減少存取的延遲時間。本發(fā)明的優(yōu)點之一為降低生產(chǎn)成本。利用本發(fā)明的方法及電路來控制相同的內(nèi)存，本發(fā)明的系統(tǒng)電路中僅需比現(xiàn)有技術(shù)少的緩存器數(shù)目，例如一半，即16個緩存器，則在芯片的電路布局(Layout)上可以節(jié)省16個緩存器的布局(layout)面積，因此同一片晶片(Wafer)可以切出比現(xiàn)有技術(shù)更多的芯片，成本也就隨之降低。圖1是本發(fā)明的用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置的方塊圖；圖2是本發(fā)明的存儲頁管理裝置中使用的數(shù)據(jù)儲存表的示意圖；圖3是本發(fā)明的存儲頁管理裝置的比較電路的較詳細(xì)的方塊圖；圖4是本發(fā)明的存儲頁管理裝置的頁暫存電路的較詳細(xì)的方塊圖；圖5A是本發(fā)明的存儲頁管理裝置的利用率暫存電路的較詳細(xì)的電路圖；圖5B是本發(fā)明的存儲頁管理裝置的確認(rèn)電路的較詳細(xì)的電路圖；圖6是本發(fā)明的存儲頁管理裝置的工作流程圖；圖7A至圖7G是本發(fā)明的存儲頁管理裝置的數(shù)據(jù)表的工作過程的示意圖；圖8A至圖8D及圖9A至圖9B是本發(fā)明的存儲頁管理裝置于不同工作情形下的時序圖。其中，附圖標(biāo)記說明100存儲頁管理裝置110比較電路120頁暫存電路125數(shù)據(jù)儲存表130利用率暫存電路140確認(rèn)電路310頁比較電路320區(qū)塊比較電路330、340、及350NAND門410鎖存電路412聯(lián)線420選擇電路具體實施方式為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖詳細(xì)說明如下。為了實現(xiàn)跟蹤每一內(nèi)存主控電路的功能，于系統(tǒng)內(nèi)存控制器內(nèi)建數(shù)據(jù)儲存表(pagetable)，如此可讓系統(tǒng)內(nèi)存控制器根據(jù)內(nèi)存主控電路存取內(nèi)存的過程，記錄開啟的存儲頁及存儲區(qū)塊的信息，然后在隨后的存取時，可與數(shù)據(jù)儲存表的內(nèi)容比較，如此可以提升頁命中率(pagehitrate)以及促進(jìn)數(shù)據(jù)分享，亦可減少耗費時間。請參照圖1，其為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置的示意圖。如圖所示，存儲頁管理裝置100可接受地址數(shù)據(jù)的信號DA[27:11]、SEGIN[1:0]、及BANK[9:0]，再與內(nèi)部儲存的數(shù)據(jù)比較，然后送出命中信號，其中信號DA[27:11]、SEGIN[1:0]、及BANK[9:0]可以是由內(nèi)存主控電路(master)(未標(biāo)記)所送出的地址信號并經(jīng)譯碼電路(未標(biāo)記)所得到，另外，命中信號可以包括頁命中(pagehit)信號ONPAG、區(qū)塊命中(bankhit)信號BKHIT、及節(jié)命中(segmenthit)信號SEGHIT等。存儲頁管理裝置100送出的命中信號可供內(nèi)存控制電路控制內(nèi)存時的參考，例如根據(jù)地址信號所得到的命中信號不激活，則表示其存取的地址是在內(nèi)存的關(guān)閉的存儲頁，因此在進(jìn)行存取內(nèi)存的數(shù)據(jù)前，必須送出相關(guān)的命令給內(nèi)存，例如預(yù)充電(precharge)及激活(activate)命令，用來關(guān)閉已開啟的存儲頁及開啟所需的存儲頁。存儲頁管理裝置100中主要包括比較電路110、頁暫存電路120、利用率暫存電路130、及確認(rèn)電路140。于頁暫存電路120中具有數(shù)據(jù)儲存表125，于數(shù)據(jù)儲存表125中，具有多個儲存單元，可供儲存關(guān)于跟蹤內(nèi)存存取的相關(guān)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)儲存表125可使用圖2的表格來表示。以表格中的每一個橫列(row)為一個儲存單元，在此以8個儲存單元(A-H)為例。在每一個列，即每個儲存單元中儲存關(guān)于內(nèi)存存取的數(shù)據(jù)。其中儲存欄BKVC為用來儲存VC-SDRAM的地址數(shù)據(jù)。儲存欄BNK為用來儲存SDRAM的區(qū)塊或副區(qū)塊(sub-bank)的地址數(shù)據(jù)。儲存欄SEG為用來儲存VC-SDRAM的節(jié)段(segment)的地址數(shù)據(jù)。儲存欄PAG為SDRAM的存儲頁的地址數(shù)據(jù)。儲存欄LRU為該儲存單元被參考到的利用率(utilization)的等級數(shù)據(jù)。儲存欄VLD代表該儲存單元的數(shù)據(jù)是否為有效的(valid)。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可知道，在數(shù)據(jù)儲存表125中，并不限定于儲存上述數(shù)據(jù)，還可按實際需要，儲存關(guān)于內(nèi)存存取控制所需的其它數(shù)據(jù)。另外，數(shù)據(jù)儲存表125中的各個字段，亦可視實際電路設(shè)計而定，設(shè)計在不同的電路方塊中，例如，儲存欄LRU可設(shè)計于利用率暫存電路130中，而儲存欄VLD可設(shè)計在確認(rèn)電路140之中。請參照圖3，其為比較電路110的較詳細(xì)的方塊圖。如圖所示，比較電路110包括頁比較電路310、區(qū)塊比較電路320、以及與非(NAND)門330、340、與350。其中頁比較電路310將輸入的信號DA[27:11]及信號SEGIN[1:0]與地址數(shù)據(jù)311-318比較，然后輸出信號PAGHIT[7:0]及SEGHIT[7:0]，如前所述，地址數(shù)據(jù)311-318可以是儲存在數(shù)據(jù)儲存表125中的數(shù)據(jù)PAG、SEG、及BKVC，并且以“PAG_A”代表儲存單元A的PAG值，其它數(shù)據(jù)的標(biāo)記亦參照此方式。區(qū)塊比較電路320將信號BANKIN[9:0]與地址數(shù)據(jù)321-328比較，然后輸出的信號BKHIT_[H:A]_、PGHIT_[H:A]_、及SGHIT_[H:A]_，如前所述，地址數(shù)據(jù)321-328可以是儲存在數(shù)據(jù)儲存表125中的數(shù)據(jù)BNK及VLD。在此實施例中，信號BKHIT_[H:A]_、PGHIT_[H:A]_、及SGHIT_[H:A]_是以低電位表示激活該信號。因此，信號BKHIT_[H:A]_、PGHIT_[H:A]_、及SGHIT_[H:A]_再經(jīng)NAND門330、340、及350以產(chǎn)生命中信號BKHIT、ONPAG、及SEGHIT，這三個命中信號亦是以低電位代表其為激活。請參照圖4，其為頁暫存電路120的較詳細(xì)的方塊圖。如圖所示，于頁暫存電路120中除了具有儲存內(nèi)存工作所需的地址數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲存表125之外，還包括鎖存電路410及選擇電路420。鎖存(latch)電路410可將比較電路110送出的信號及其它電路(未標(biāo)記)送來的信號鎖存住，由鎖存電路410鎖存住的信號經(jīng)聯(lián)線412送至選擇電路420，聯(lián)線412具有對應(yīng)于鎖存電路410的輸入信號的多條信號線，用以將鎖存住的信號送至選擇電路420。選擇電路420則根據(jù)鎖存電路410、利用率暫存電路130、及確認(rèn)電路140送來的信號產(chǎn)生信號SEL，用來選擇數(shù)據(jù)儲存表125中的儲存單元。然后，依據(jù)其它的輸入信號，例如信號BANK、LDA[27:11]、SEGMENT、及VCSDRAM，針對被選擇到的儲存單元進(jìn)行數(shù)據(jù)更新。如前所述，數(shù)據(jù)儲存表125中儲存地址數(shù)據(jù)431-438，并且，這些地址數(shù)據(jù)可供比較電路110工作時使用。請參照圖5A，其為利用率暫存電路130的較詳細(xì)的電路圖。如圖所示，利用率暫存電路130是用來更新LRU的值。其構(gòu)想為，將對應(yīng)至所選擇到的儲存單元的LRU值設(shè)為0，亦即代表其數(shù)據(jù)為最近使用過。并且將比所選擇到的儲存單元的原來的LRU值小的LRU值都加一，用以使其它的LRU值都比被選擇到的LRU值大。其關(guān)鍵為每一個儲存單元的LRU值必須是唯一的，以具有八個儲存單元的LRU值為例，每一個儲存單元的LRU值必須是0至7之中的一個，并且是唯一的，即所有的LRU值的總和必須等于28，亦即指定至每一項目的LRU值的0至7的值的總和。否則此裝置的工作即會出現(xiàn)問題。更新LRU的值是在接收到比較信號PGCMP或更新信號PGUPD的一個周期之后進(jìn)行，一個周期的延遲時間可供計算新的LRU值。當(dāng)其命中存儲區(qū)塊時，則在比較之后，確定其為命中某個儲存單元的地址數(shù)據(jù)，故在信號PGCMP的一個周期之后進(jìn)行LRU值的更新，相對的，在其它未命中任何儲存單元的情況時，則在更新儲存單元的數(shù)據(jù)時，更新其LRU值，故在信號PGUPD的一個周期之后進(jìn)行LRU值的更新。在此裝置最初開始工作時，亦需將每個儲存單元的LRU值啟始化，以供其后的選擇動作。請參照圖5B，其為確認(rèn)電路140的較詳細(xì)的電路圖。如圖所示，確認(rèn)電路140可以依據(jù)輸入的信號輸出對應(yīng)于每一儲存單元的確認(rèn)位，用以確認(rèn)對應(yīng)的儲存單元的儲存值是否為有效的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)其確認(rèn)位為設(shè)定(set)(如設(shè)為1)時，表示其對應(yīng)的儲存單元的儲存值為有效的存儲頁地址，可供比較電路110用來與輸入的地址信號做比較。而當(dāng)確認(rèn)位為未設(shè)定(reset)(如設(shè)為0)時，則其對應(yīng)的儲存單元為尚未儲存有效數(shù)據(jù)或是所儲存的數(shù)據(jù)為無效的。依照以上所敘述的本發(fā)明的存儲頁管理裝置100，在工作時主要包括下述幾個主要的步驟第一，在開始時，將數(shù)據(jù)儲存表的每一儲存單元的內(nèi)容設(shè)定為默認(rèn)值(例如，將地址數(shù)據(jù)設(shè)成0)，以避免任何的不確定數(shù)據(jù)影響正確的比較。第二，將現(xiàn)行的內(nèi)存存取的地址與數(shù)據(jù)儲存表的內(nèi)容比較，以決定要更新或是取代數(shù)據(jù)儲存表的內(nèi)容。第三，結(jié)合最久未使用(LeastRecentlyUsed，簡稱LRU)與確認(rèn)位，以決定那一個儲存單元要更新或是被取代。請參照第圖6，其為依照本發(fā)明的實施例的存儲頁管理裝置的工作流程圖。如圖所示，開始之后，在步驟610，接受內(nèi)存主控電路送出的存取地址。在步驟612，將得到的存取地址與數(shù)據(jù)表的地址值比較，判斷是否命中某個儲存單元的地址值。假如得到的存取地址命中某個儲存單元的地址值，則至步驟614，送出命中信號，再到步驟628，更新相關(guān)的LRU值，亦即將命中的儲存單元的LRU值設(shè)為0，并將比其原LRU值小的各個儲存單元的LRU值分別加一，然后至結(jié)束的步驟，完成現(xiàn)行存取地址的處理。假如得到的存取地址未命中任何一個儲存單元的地址值，則至步驟620，在數(shù)據(jù)表中找出具有最大的LRU值的儲存單元。在步驟622，判斷所找出的具有最大的LRU值的儲存單元的VLD值是否為有效。假如所找出的具有最大的LRU值的儲存單元的VLD值為有效，表示該儲存單元已經(jīng)儲存有效的地址數(shù)據(jù)，則至步驟624，根據(jù)該儲存單元儲存的地址值產(chǎn)生復(fù)原地址，用以關(guān)閉已開啟的對應(yīng)的存儲頁，然后至步驟626。假如所找到的具有最大的LRU值的儲存單元的VLD值為無效，表示該儲存單元尚未儲存有效的地址數(shù)據(jù)，則直接至步驟626。在步驟626，將剛接收到的現(xiàn)行存取地址放入所找到的具有最大的LRU值的儲存單元中。在步驟628，更新相關(guān)的LRU值，亦即將所找到的具有最大的LRU值的儲存單元的LRU值設(shè)為0，而其它的儲存單元的LRU值則分別加一。然后至結(jié)束的步驟，完成現(xiàn)行存取地址的處理。為了更清楚描述以上所述的工作原則，以下將配合其工作過程。請參照圖7A至圖7G，其為數(shù)據(jù)表的工作的示意圖。為了使解釋更簡潔易懂，圖標(biāo)中的數(shù)據(jù)表并未包括所有的項目，如僅以地址值代表存儲頁及存儲區(qū)塊的地址。雖然如此，本領(lǐng)域技術(shù)人員仍應(yīng)能夠了解，其工作原理仍是一致的。請參照圖7A，其為數(shù)據(jù)表的啟始狀態(tài)。所有儲存單元的地址值皆設(shè)定為默認(rèn)值，如圖所示所有的地址值皆設(shè)定為0，使其在工作時，能夠避免因數(shù)據(jù)表中存在不確定的地址值而影響正確的比較。因為所有的地址值都是沒用的，因此所有的儲存單元的VLD值皆設(shè)定為無效的，如圖所示皆設(shè)為0。每一儲存單元的LRU則設(shè)定為唯一的LRU值，如圖所示，儲存單元A-H分別設(shè)定為7-0。請參照第7B圖，當(dāng)內(nèi)存主控電路對內(nèi)存進(jìn)行第一次存取時，假設(shè)其送出的存儲頁的地址值為“10”，因為此時所有的儲存單元皆未使用，所以選擇表中LRU值為最大的儲存單元A，將地址存入其中的地址值欄，并設(shè)定其VLD值，即由0改變?yōu)?，然后將所屬的LRU值設(shè)為0，并將數(shù)據(jù)表中的其它儲存單元的小于7的LRU值皆加一，即將儲存單元B-H的LRU值皆加一。請參照第7C圖，當(dāng)內(nèi)存主控電路對內(nèi)存進(jìn)行第二次存取時，假設(shè)其送出的存儲頁的地址值為“20”。與數(shù)據(jù)表中的現(xiàn)有數(shù)據(jù)比較，并未命中數(shù)據(jù)表的任何一筆數(shù)據(jù)。因此找出數(shù)據(jù)表中LRU值最大的儲存單元，即LRU值為7的儲存單元B，然后將地址值存入其中，并設(shè)定其所屬的VLD值，例如，從原來的0改變1，再將其所屬的LRU值設(shè)為0，并將所有小于7的LRU值加一。請參照第7D圖，當(dāng)對內(nèi)存進(jìn)行過數(shù)次存取的后，數(shù)據(jù)表中的所有儲存單元的數(shù)據(jù)皆為有效的，數(shù)據(jù)表最后的地址值、LRU值、及VLD值如圖所示。請參照第7E圖，當(dāng)再次對內(nèi)存進(jìn)行存取時，假設(shè)其送出的存儲頁的地址值為“90”。與數(shù)據(jù)表中的現(xiàn)有數(shù)據(jù)比較，并未命中數(shù)據(jù)表中的任何一筆數(shù)據(jù)，因此找出數(shù)據(jù)表中LRU值最大的儲存單元，即LRU值為7的儲存單元H，然后將地址值存入其中，其VLD值原來已經(jīng)是設(shè)定的，無需再設(shè)定，最后，將其所屬的LRU值設(shè)為0，并將所有小于7的LRU值加一。因為儲存單元H的VLD值原來已經(jīng)是設(shè)定的，因此在更新為新的地址值之前，需按照原來的地址值，將已開啟的存儲頁關(guān)閉，例如，送出預(yù)充電命令來進(jìn)行預(yù)充電的動作。請參照第7F圖，當(dāng)再次對內(nèi)存進(jìn)行存取時，假設(shè)其送出的存儲頁的地址值為“40”。與數(shù)據(jù)表中的現(xiàn)有數(shù)據(jù)比較后，確定命中數(shù)據(jù)表中的儲存單元D的地址數(shù)據(jù)，因此不需改變其地址值及VLD值，只需更新相關(guān)的LRU值，即將其LRU值由原來的4改設(shè)為0，并將所有LRU值小于4的其它儲存單元，例如儲存單元A、B、C、及H，所屬的LRU值加一。請參照第7F圖，當(dāng)CPU再次對內(nèi)存進(jìn)行存取時，假設(shè)其送出的存儲頁的地址值為“22”，假設(shè)其與地址值為“20”的存儲頁在同一個存儲區(qū)塊。因此將地址值“22”與數(shù)據(jù)表中的儲存單元B的地址數(shù)據(jù)比較后，發(fā)現(xiàn)為區(qū)塊命中(bankhit)。因為在同一個存儲區(qū)塊中，在同一時間內(nèi)，只能開啟一個存儲頁。因此保留其VLD值不變，但將其地址更新為新的地址值“22”，并且更新相關(guān)的LRU值，即其原來的LRU值為4，故將其所屬的LRU值設(shè)為0，并將所有小于4的LRU值加一。其中，在開啟新的存儲頁的前，必須依照原有的地址值將同一存儲區(qū)塊中的已開啟的存儲頁關(guān)閉。請參照圖8A至圖8D及圖9A至圖9B，其為本發(fā)明的存儲頁管理裝置100于不同工作情形下的時序圖。其中，所有電路的工作皆參考共同的時鐘信號DCLK，因此于時序圖中將以時鐘信號DCLK為基準(zhǔn)來解釋。請參照圖8A，其為頁命中的存取(或是VC-SDRAM的節(jié)命中(segment-hit))，因為其存儲區(qū)塊及已激活的列地址的信息已儲存在數(shù)據(jù)表的儲存單元內(nèi)，因此無需更動其地址內(nèi)容，只需更新其LRU值，例如設(shè)為0。如圖所示，假設(shè)所命中的為儲存單元A的數(shù)據(jù)，當(dāng)存取地址送出之后，經(jīng)過比較電路110的比較之后，在周期T0之后，將其輸出信號ONPAG及BKHIT變?yōu)楦唠娢?，表示頁命中及區(qū)塊命中，然后，在周期T7之后，PGCMP變?yōu)楦唠娢?，用以將比較電路110送出的信號鎖存住，做為數(shù)據(jù)更新之用。在周期T9之后的信號LRU_A的變化，是將儲存單元A所屬的LRU值設(shè)為0。請參照第8B圖，其為區(qū)塊命中但存儲頁未命中(page-miss)的存取情形。因為在SDRAM的一個存儲區(qū)塊中，在同一時間內(nèi)，只允許激活一個列(即開啟一個存儲頁)，因此根據(jù)配合存取動作所送出的地址所選擇到的儲存單元，其中所存放對應(yīng)至同一的存儲塊的存儲頁的地址需要更新為此次存取的地址。如圖所示，在周期T0之后，由比較電路110送出的信號，只有信號BKHIT變?yōu)楦唠娢?。此時，依照數(shù)據(jù)表的地址數(shù)據(jù)關(guān)閉已開啟的存儲頁。然后，信號PGCMP在周期T5之后變?yōu)楦唠娢?，用以將比較電路110送出的信號鎖存住，以選擇所命中的儲存單元，以及用來更新所選擇到的儲存單元的存儲頁信息。在周期T7之后，更新相關(guān)的LRU值，并且在周期T10之后，配合信號PGUPD及PAG_A來更新存儲頁的信息，并且開啟所需的新的存儲頁。當(dāng)進(jìn)行內(nèi)存的存取時，其地址與數(shù)據(jù)表的數(shù)據(jù)比較后，其結(jié)果為區(qū)塊未命中(bank-miss)的情況時，則必須由數(shù)據(jù)表中找一個儲存單元來存放最近使用過的數(shù)據(jù)，在此情形下，可分成兩種情況來討論，分別配合附圖敘述如下。請參照第8C圖，其為區(qū)塊未命中的存取情形，并且在數(shù)據(jù)表中仍有未使用的儲存單元。由比較電路110比較內(nèi)存存取的地址，確定未命中任何一個儲存單元的數(shù)據(jù)，故信號ONPAG及BKHIT皆未變化，在周期T1之后，由信號PGCMP將信號鎖存住，再選擇VLD值為未設(shè)定的儲存單元，依照前面所述的工作方式，必須選擇LRU值最大的儲存單元，例如LRU值為7的儲存單元，在此假設(shè)所選擇到的是儲存單元A。然后，在周期T4之后，配合信號PGUPD，將信號PAGA及BNK_A的地址數(shù)據(jù)寫入儲存單元A，同時由信號VLD_A設(shè)定其VLD值，再經(jīng)過一個周期后，經(jīng)由信號LRU_A將其LRU值設(shè)為0，同時亦將其它有關(guān)的儲存單元的LRU值更新，即將小于7的LRU值皆加一。請參照圖8D，其為區(qū)塊未命中的存取情形，并且數(shù)據(jù)表中的儲存單元皆已存放數(shù)據(jù)。在此情形時，必須由數(shù)據(jù)表中找出最久未使用(LeastRecentlyUsed，簡稱LRU)的儲存單元來存放新的數(shù)據(jù)，例如LRU值為7的儲存單元。如圖所示，由比較電路110比較內(nèi)存存取的地址，確定未命中任何一個儲存單元的數(shù)據(jù)，故信號ONPAG及BKHIT皆未變化，在周期T1之后，由信號PGCMP將信號鎖存住，并且找出LRU值最大的儲存單元，例如LRU值為7的儲存單元，假設(shè)所選擇到的儲存單元A。在以新的值取代所選擇到的儲存單元的原有的數(shù)據(jù)前，必須先根據(jù)原來的存儲區(qū)塊數(shù)據(jù)對SDRAM做預(yù)充電(precharge)的動作，用以關(guān)閉原先的存儲區(qū)塊及副區(qū)塊(sub-bank)。這可以使用掃描正反器(flipflop)來達(dá)成，在信號PGCMP出現(xiàn)時的時鐘信號的上升緣時，即周期T7的上升緣，將所選擇到的儲存單元的原來的數(shù)據(jù)鎖存住，以產(chǎn)生信號LPGBK及LPGSB的存儲區(qū)塊及次區(qū)塊的預(yù)充電命令。然后，在周期T6之后，配合信號PGUPD，將信號PAG_A及BNK_A送出的數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)表中所選擇到的儲存單元。并且在周期T8之后，更新相關(guān)的LRU值，即將所選擇到的儲存單元的LRU值設(shè)為0，并且將其它所有儲存單元的LRU值加一。對于以上所提到的信號LPGBK及LPGSB，假設(shè)系統(tǒng)中具有八個存儲區(qū)塊，則以八位寬的信號LPGBK來表示，其中每一位對應(yīng)至一個存儲區(qū)塊，且信號LPGBK代表系統(tǒng)的第一個存儲區(qū)塊。并且，假設(shè)每一個存儲區(qū)塊中具有兩個次區(qū)塊，則以兩個位的信號LPGSB[1:0]來表示。當(dāng)使用VC-SDRAM時，假如所選到的儲存單元已有數(shù)據(jù)，亦需產(chǎn)生復(fù)原(restore)信息(RXPAG[27:11]，RXSEG[1:0])以供復(fù)原周期(restorecycle)。因為在計算機系統(tǒng)中可能同時使用不同型式的內(nèi)存，因此必須考慮配合不同的內(nèi)存的控制方式，在控制方式上予以配合。例如在計算機系統(tǒng)中同時使用EDO/FPDRAM及SDRAM時，EDO/FPDRAM的8位寬的信號CAS#[7:0]是與SDRMAM一起使用的。另外在執(zhí)行DRAM更新(refresh)之前，所有的存儲區(qū)塊必須在閑怠(idle)狀態(tài)，即經(jīng)過預(yù)充電。頁更新信號PGFLH即是用來將確認(rèn)位設(shè)為無效(即將對應(yīng)的VLD值設(shè)為0)，用以做為內(nèi)存更新周期及由EDO/FPDRAM切換至SDRAM時之用。接下來將配合時序圖討論由EDO/FPDRAM切換至SDRAM的情形。請參照圖9A，其為區(qū)塊未命中而且要由EDO/FPDRAM切換至SDRAM時的存取情形。如圖所示，假設(shè)前一次存取是存取EDO/FPDRAM的數(shù)據(jù)，在周期T1時，根據(jù)前一次的存取，配合信號PGUPD，將信號PAG_A及BNK_A的地址數(shù)據(jù)存入儲存單元A，并且在周期T4，經(jīng)信號LRU_A將其LRU值設(shè)為0，信號VLD_A則保持為設(shè)定。接著，在周期T4出現(xiàn)的信號PGCMP，為對SDRAM的存取，經(jīng)比較電路110比較之后，確定未命中任何一個儲存單元的數(shù)據(jù)，因為EDO/FPDRAM的不使用時，不能保持開啟的存儲頁，因此仍用儲存單元A來存放此次存取的數(shù)據(jù)。在周期T5之后，信號PGFLH變?yōu)楦唠娢?，使信號VLD_A變?yōu)榈碗娢?，用來關(guān)閉EDO/FPDRAM，然后，在周期T8，配合信號PGUPD，將信號PAG_A及BNK_A的SDRAM的地址信息存入儲存單元A，并且開啟所需的存儲頁，同時將信號VLD_A恢復(fù)為高電位，用以將其VLD值設(shè)定為有效，其LRU值則維持為0。請照圖9B，其為命中SDRAM的存儲區(qū)塊而且要由EDO/FPDRAM切換至SDRAM的存取情形。如圖所示，假設(shè)前一次存取是存取EDO/FPDRAM的數(shù)據(jù)，在周期T1時，根據(jù)前一次的存取，配合信號PGUPD，將信號PAG_A及BNK_A的地址數(shù)據(jù)存入儲存單元A，并且在周期T4，經(jīng)信號LRU_A將其LRU值設(shè)為0，同時信號LRU_B亦隨之變化，例如將儲存單元B的LRU值加一，信號VLD_A則保持為設(shè)定。接著，在周期T4出現(xiàn)的信號PGCMP，為對SDRAM的存取，經(jīng)比較電路110比較之后，確定其命中儲存單元B的數(shù)據(jù)，因此在周期T5之后，直接更新相關(guān)的LRU值，即由信號LRU_B將儲存單元B的LRU值設(shè)為0，而比儲存單元B的原來的LRU值小的LRU值則加一，例如，經(jīng)由信號LRU_A將儲存單元A的LRU值由0改變?yōu)?。并且，在周期T5之后，信號PGFLH變?yōu)楦唠娢唬剐盘朧LD_A變?yōu)榈碗娢?，用以關(guān)閉EDO/FPDRAM。至于在內(nèi)存的更新周期，則與前面敘述的情況有所不同，必須將所有的儲存單元的VLD值設(shè)為無效，因為所有的存儲區(qū)塊都必須進(jìn)行預(yù)充電。在內(nèi)存更新之后，則按前面所敘述的原則工作。另外，當(dāng)使用VC-SDRAM時，因為其使用自動預(yù)充電命令，故不需要更新其相關(guān)的儲存信息。由以上的敘述可知，本發(fā)明為一種用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，用以跟蹤一具有N個存儲頁的內(nèi)存單元的存取歷史數(shù)據(jù)，包括一管理裝置用以管理該N個存儲頁。該管理裝置更進(jìn)一步包括頁暫存電路、一利用率暫存電路。其中該頁暫存電路，用以儲存K個儲存單元，其中每一該儲存單元存放著對應(yīng)N個存儲頁其中之一頁的地址數(shù)據(jù)；該利用率暫存電路，耦接至該頁暫存電路，用以監(jiān)視該儲存單元的使用情形；其中該頁緩存器的儲存單元的數(shù)目K少于系統(tǒng)存儲頁的數(shù)目N。進(jìn)一步地，該管理裝置更進(jìn)一步包括一比較電路，耦接至該頁暫存電路，用以接受一存取地址，并根據(jù)該存取地址與該頁暫存電路的數(shù)據(jù)的比較結(jié)果，輸出一命中信號(hitsignal)，當(dāng)該存取地址命中(hit)該頁暫存電路中儲存的該存儲頁的地址數(shù)據(jù)之一時，激活(activated)該命中信號。更進(jìn)一步地該管理裝置還包括一確認(rèn)電路(validity-checkingunit)，耦接至該頁暫存電路，用以判斷該儲存單元的儲存數(shù)據(jù)是否有效。在方法上，本發(fā)明為一種用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理方法，用以跟蹤一具有N個存儲頁的內(nèi)存單元的存取歷史數(shù)據(jù)，包括下列步驟(1)提供一頁緩存器(pageregiater)，該存儲頁具有K個儲存單元，用以儲存多個存儲頁的地址數(shù)據(jù)，并提供一內(nèi)存，該內(nèi)存具有N個存儲頁，其中該頁緩存器的儲存單元數(shù)目K少于系統(tǒng)存儲頁的數(shù)目N；(2)接受一存取地址；將該存取地址與該儲存單元的地址數(shù)據(jù)比較；當(dāng)該存取地址命中該儲存單元之一的地址數(shù)據(jù)時，送出一命中信號；當(dāng)該存取地址未命中該儲存單元之一的地址數(shù)據(jù)時，由該儲存單元找出一最久未使用的儲存單元，將該存取地址存入該最久未使用的儲存單元；以及(3)當(dāng)該存取地址未命中該儲存單元之一的地址數(shù)據(jù)且該最久未使明的儲存單元已儲存有效的地址數(shù)據(jù)時，在將該存取地址存入該最久未使用的儲存單元之前，根據(jù)該最久未使用的儲存單元原先儲存的地址數(shù)據(jù)產(chǎn)生一復(fù)原地址信號，用以復(fù)原對應(yīng)的一存儲頁的狀態(tài)。依照以上所敘述用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，具有下列的優(yōu)點，經(jīng)由跟蹤內(nèi)存主控電路的每一個存取動作，不只可以增加頁命中率及數(shù)據(jù)可供內(nèi)存主控電路分享，并且可以預(yù)先判斷下一個管線式存取(pipelinedaccess)是否需要預(yù)充電，如此可在進(jìn)行現(xiàn)行的存取時，即先送預(yù)充電命令給另一個存儲區(qū)塊，用以預(yù)先對另一個存儲區(qū)塊進(jìn)行預(yù)充電，可以減少存取的延遲時間。本發(fā)明的另一優(yōu)點為降低生產(chǎn)成本。以現(xiàn)有技術(shù)為例，系統(tǒng)內(nèi)存有4條DIMM，其中每條DIMM有2個Bank，每個Bank有4個Sub-bank，每一Sub-bank可對應(yīng)1個MemoryPage，因此系統(tǒng)內(nèi)存總共會有32個MemoryPage。因此現(xiàn)有技術(shù)會有32個儲存單元，例如32個緩存器。而利用本發(fā)明的方法及電路，系統(tǒng)電路中僅需比現(xiàn)有技術(shù)更少的緩存器數(shù)目，例如一半，亦即16個緩存器，則在芯片的電路布局(Layout)上可以節(jié)省16個緩存器的layout面積，因此同一片晶片(Wafer)可以切出比現(xiàn)有技術(shù)更為多的芯片(chip)來，所以芯片成本就可以有效地降低。雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作一些變動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，用以跟蹤一具有N個存儲頁的內(nèi)存單元的存取歷史數(shù)據(jù)，包括一管理裝置用以管理該N個存儲頁，更進(jìn)一步包括一頁暫存電路用以儲存K個儲存單元，其中每一該儲存單元存放著對映N個存儲頁其中之一頁的地址數(shù)據(jù)；以及一利用率暫存電路，耦接至該頁暫存電路，用以監(jiān)視是該儲存單元的使用情形；其中該頁緩存器的儲存單元的數(shù)目K少于系統(tǒng)存儲頁的數(shù)目N。2.如權(quán)利要求1所述的用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，其中該管理裝置更進(jìn)一步包括一比較電路，耦接至該頁暫存電路，用以接受一存取地址，并根據(jù)該存取地址與該頁暫存電路的數(shù)據(jù)的比較結(jié)果，輸出一命中信號(hitsignal)，當(dāng)該存取地址命中(hit)該頁暫存電路中儲存知該存儲頁的地址數(shù)據(jù)之一時，激活(activated)該命中信號。3.如權(quán)利要求2所述的用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，其中該管理裝置還包括一確認(rèn)電路(validity-checkingunit)，耦接至該頁暫存電路，用以判斷該儲存單元的儲存數(shù)據(jù)是否有效。4.一種用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理系統(tǒng)，用以跟蹤一內(nèi)存單元的存取歷史數(shù)據(jù)，包括一內(nèi)存，該內(nèi)存具有N個存儲頁；一用以管理該N個存儲頁的管理裝置，該管理裝置具有一包括K個儲存單元的頁暫存電路以及，其中每一該儲存單元存放一個存儲頁的地址數(shù)據(jù)；一利用率暫存電路，該利用率暫存電路耦接至該頁暫存電路，用以控制該儲存單元的使用情形；其中頁緩存器的儲存單元的數(shù)目K少于系統(tǒng)存儲頁的數(shù)目N。5.如權(quán)利要求4所述的用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，其中該管理裝置還包括一比較電路，耦接至該頁暫存電路，用以接受一存取地址，并根據(jù)該存取地址與該頁暫存電路的數(shù)據(jù)的比較結(jié)果，輸出一命中信號(hitsignal)，當(dāng)該存取地址命中(hit)該頁暫存電路中儲存的該存儲頁的地址數(shù)據(jù)之一時，激活(activated)該命中信號。6.如權(quán)利要求5所述的用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，其中該管理裝置還包括一確認(rèn)電路(validity-checkingunit)，耦接至該頁暫存電路，用以判斷該儲存單元的儲存數(shù)據(jù)是否有效。7.一種用以跟蹤一具有N個存儲頁的內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，該存儲頁管理裝置包括一用以管理該N個存儲頁的管理裝置，該管理裝置具有一包括K個儲存單元的頁暫存電路，其中每一該儲存單元存放一個存儲頁的地址數(shù)據(jù)；其中頁緩存器的儲存單元的數(shù)目K少于系統(tǒng)存儲頁的數(shù)目N。8.如權(quán)利要求7所述的用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，其中該管理裝置還包括一比較電路，耦接至該頁暫存電路，用以接受一存取地址，并根據(jù)該存取地址與該頁暫存電路的數(shù)據(jù)的比較結(jié)果，輸出一命中信號(hitsignal)，當(dāng)該存取地址命中(hit)該頁暫存電路中儲存的該存儲頁的地址數(shù)據(jù)之一時，激活(activated)該命中信號。9.如權(quán)利要求8所述的用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，其中該管理裝置還包括一確認(rèn)電路(validity-checkingunit)，耦接至該頁暫存電路，用以判斷該儲存單元的儲存數(shù)據(jù)是否有效。10.一種用以跟蹤內(nèi)存存取的內(nèi)存存取管理方法，用以跟蹤一具有N個存儲頁的內(nèi)存單元的存取歷史數(shù)據(jù)，包括下列步驟(1)提供一數(shù)據(jù)儲存表(pagetable)，該存儲頁具有K個儲存單元，用以儲存多個存儲頁的地址數(shù)據(jù)，并提供一內(nèi)存，該內(nèi)存具有N個存儲頁，其中該頁緩存器的儲存單元數(shù)目K少于系統(tǒng)存儲頁的數(shù)目N；(2)接受一存取地址；將該存取地址與該一請求儲存單元的地址數(shù)據(jù)比較；當(dāng)該存取地址命中該儲存單元之一的地址數(shù)據(jù)時，送出一命中信號；當(dāng)該存取地址未命中該儲存單元之一的地址數(shù)據(jù)時，由該儲存單元找出一最久未使用的儲存單元，將該存取地址存入該最久未使用的儲存單元；以及(3)當(dāng)該存取地址未命中該儲存單元之一的地址數(shù)據(jù)且該最久未使明的儲存單元已儲存有效的地址數(shù)據(jù)時，在將該存取地址存入該最久未使用的儲存單元之前，根據(jù)該最久未使用的儲存單元原先儲存的地址數(shù)據(jù)產(chǎn)生一復(fù)原地址信號，用以復(fù)原對應(yīng)的一存儲頁的狀態(tài)。全文摘要一種用以跟蹤內(nèi)存存取的存儲頁管理裝置，用以跟蹤一具有N個存儲頁的內(nèi)存單元的存取歷史數(shù)據(jù)，包括一管理裝置用以管理該N個存儲頁，而該管理裝置更進(jìn)一步包括一頁暫存電路、一利用率暫存電路。其中該頁暫存電路用以儲存K個儲存單元，其中每一該儲存單元存放著對應(yīng)N個存儲頁其中之一頁的地址數(shù)據(jù)；該利用率暫存電路，耦接至該頁暫存電路，用以監(jiān)視該儲存單元的使用情形；其中該頁緩存器的儲存單元的數(shù)目K少于系統(tǒng)存儲頁的數(shù)目N。文檔編號G06F12/08GK1647048SQ03807870公開日2005年7月27日申請日期2003年3月27日優(yōu)先權(quán)日2002年4月3日發(fā)明者賴瑾,高智國申請人:威盛電子股份有限公司