專利名稱：用于寫(xiě)入最近最少使用位的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及集成電路，特別涉及用于在集成電路中寫(xiě)入位的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
圖1是采用最近最少使用(LRU)位的傳統(tǒng)集成電路(IC)100的方框圖。參考圖1，IC100可耦接到和/或包括第一存儲(chǔ)器陣列102及第二存儲(chǔ)器陣列104。第一存儲(chǔ)器陣列102用于存儲(chǔ)第一組數(shù)據(jù)，而第二存儲(chǔ)器陣列104用于存儲(chǔ)第二組數(shù)據(jù)。IC100適配為使用(例如，激活)第一字線106(例如，WLA)來(lái)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列102，并使用(例如，激活)第二字線108(例如，WLB)來(lái)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列104。
在包括IC100的計(jì)算機(jī)(未示出)中運(yùn)行的應(yīng)用程序可能需要知道上一次將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到哪個(gè)存儲(chǔ)器陣列102、104(以便，例如，確定哪個(gè)存儲(chǔ)器陣列是“最近最少使用的”)。IC100使用LRU位110來(lái)指示這樣的存儲(chǔ)器陣列。即，在IC100將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列102或第二存儲(chǔ)器陣列104之后，IC100采用LRU位110來(lái)指示被寫(xiě)入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器陣列102、104。在示出的實(shí)施例中，LRU位110由第一存儲(chǔ)器陣列102和第二存儲(chǔ)器陣列104共享。
LRU位110的值存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)器陣列102中包括的單元112中。IC100可以在將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列102或第二存儲(chǔ)器陣列104之后，使用第一字線106來(lái)寫(xiě)入LRU位110。因此，僅使用單個(gè)端口(例如，第一字線106)來(lái)訪問(wèn)用于存儲(chǔ)LRU位110的單元112。更具體地說(shuō)，IC100可以激活第一字線106，以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列102并將LRU位110寫(xiě)入到單元112。或者，IC100可以激活第二字線108，以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列104，然后激活第一字線106，以將LRU位110寫(xiě)入到單元112，使得LRU位110指示第二存儲(chǔ)器陣列104是上一次寫(xiě)入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器陣列。因此，當(dāng)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列104并實(shí)現(xiàn)LRU位110時(shí)，激活兩條字線。這種用于寫(xiě)入LRU位110的方法低效地消耗功率。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的第一方面，提供了用于寫(xiě)入最近最少使用(LRU)指示符的第一方法。該第一方法包括以下步驟(1)激活對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)器陣列的第一字線和對(duì)應(yīng)于第二存儲(chǔ)器陣列的第二字線之一；(2)當(dāng)?shù)谝蛔志€被激活時(shí)，采用第一字線，來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符；以及(3)當(dāng)?shù)诙志€被激活時(shí)，采用第二字線，來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符。
在本發(fā)明的第二方面，提供了第一設(shè)備，其包括耦接到第一字線和第一位線的第一存儲(chǔ)器陣列，以及耦接到第二字線和第二位線的第二存儲(chǔ)器陣列。該第一設(shè)備還包括耦接到第一和第二存儲(chǔ)器陣列并用于存儲(chǔ)LRU指示符的單元、以及耦接到第一和第二存儲(chǔ)器陣列的集成電路(IC)。該IC適配為(1)激活第一字線和第二字線之一；(2)當(dāng)?shù)谝蛔志€被激活時(shí)，采用第一字線，來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符；以及(3)當(dāng)?shù)诙志€被激活時(shí)，采用第二字線，來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符。還提供了其它一些方面。
根據(jù)下面的詳細(xì)描述、所附權(quán)利要求和附圖，本發(fā)明的其它特征和方面將變得更加清楚。


圖1是寫(xiě)入最近最少使用(LRU)位的傳統(tǒng)集成電路(IC)的方框圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于寫(xiě)入位或類似指示符的示例IC的方框圖。
圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于存儲(chǔ)位或類似指示符的示例電路。
圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于寫(xiě)入位或類似指示符的示例方法。
具體實(shí)施例方式
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于寫(xiě)入位或類似指示符(即，LRU指示符)的示例集成電路(IC)200的方框圖。該示例IC200可耦接到和/或包括第一存儲(chǔ)器陣列202及第二存儲(chǔ)器陣列204?？梢詫⒌谝淮鎯?chǔ)器陣列202和第二存儲(chǔ)器陣列204集中，形成存儲(chǔ)器陣列對(duì)。第一存儲(chǔ)器陣列202可以是包括在更大的第一存儲(chǔ)器(未示出)中的子陣列。第一存儲(chǔ)器陣列202可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)(例如，第一組數(shù)據(jù))。第一存儲(chǔ)器陣列202可以耦接到對(duì)應(yīng)的第一字線206(例如，WLA)，該第一字線206可以用于將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列202。更具體地說(shuō)，IC200可以(例如，通過(guò)在第一字線206上斷言(assert)信號(hào))激活第一字線206，以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列202。
第一字線206可以耦接到包括在IC200內(nèi)的單元208。單元208可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的位210或類似指示符(即，LRU指示符)，該位210或類似指示符指示上一次寫(xiě)入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器陣列202、204。位210可以指示除了上一次寫(xiě)入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器陣列202、204之外的信息。下面參考圖3來(lái)描述包括單元208的示例電路300的細(xì)節(jié)。第一字線206可用于將數(shù)據(jù)(例如，位)存儲(chǔ)在單元208內(nèi)。更具體地說(shuō)，IC200可以激活第一字線206，以將諸如LRU位的數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元208。例如，IC200可以在將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列202之后，寫(xiě)入位210或類似指示符。
與第一存儲(chǔ)器陣列202類似，包括在IC200中的第二存儲(chǔ)器陣列204可以是包括在更大的第一存儲(chǔ)器(未示出)的子陣列。第二存儲(chǔ)器陣列204可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)(例如，第二組數(shù)據(jù))。第二存儲(chǔ)器陣列204可以耦接到對(duì)應(yīng)的第二字線212(例如，WLB)，該第二字線212可用于將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列204。更具體地說(shuō)，IC200可以(例如，通過(guò)在第二字線212上斷言信號(hào))激活第二字線212，以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列204。
與第一字線206類似，第二字線212可以耦接到單元208，并且可用于將諸如位210(例如，LRU位)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在單元208內(nèi)。例如，在IC200將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列204之后，IC200可以使用第二字線212來(lái)寫(xiě)入位210(例如，LRU位)。因此，用于寫(xiě)入位210的IC200可以包括單元208，其中可以使用第一和第二端口之一將諸如LRU位的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到該單元208。第一字線206可以充當(dāng)?shù)谝欢丝冢诙志€212可以充當(dāng)?shù)诙丝?。這樣，第一存儲(chǔ)器陣列202和第二存儲(chǔ)器陣列204可以共享單元208，其中單元208可例如用于存儲(chǔ)諸如LRU位的位210。可以將第一存儲(chǔ)器陣列202和第二存儲(chǔ)器陣列204集中，形成存儲(chǔ)器陣列對(duì)。因此，存儲(chǔ)器陣列對(duì)可以共享用于存儲(chǔ)位210(例如，LRU位)的單元208。
圖3圖示了用于存儲(chǔ)位210或類似指示符的示例電路300。用于寫(xiě)入位210(例如，LRU位)的IC200可以耦接到和/或包括用于存儲(chǔ)位210的示例電路300。示例電路300可包括通門(pass-gate)電路，其包括第一晶體管302(例如，NFET)，第一晶體管302(例如，通過(guò)柵極端)耦接到第一字線206，使得第一字線206可以用于激活第一晶體管302。第一晶體管302可以(例如，通過(guò)漏極或源極端)耦接到第一位線304(例如，真值位線(BLT，Bit Line True))，并且(例如，通過(guò)第一晶體管302的源極或漏極端)耦接到諸如第一反相器的第一邏輯器件306的輸入端、以及諸如第二反相器的第二邏輯器件308的輸出端?？梢允褂闷渌愋偷木w管和/或邏輯器件。
示例電路300可包括例如NFET的第二晶體管310，第二晶體管310(例如，通過(guò)柵極端)耦接到第二字線212，使得第二字線212可以用于激活第二晶體管310。第二晶體管310可以(例如，通過(guò)源極或漏極端)耦接到第二位線312(例如，補(bǔ)碼位線(BLC，Bit Line Complement))，并且(例如，通過(guò)第二晶體管310的漏極或源極端)耦接到諸如第一反相器的第一邏輯器件306的輸出端、以及諸如第二反相器308的第二邏輯器件308的輸入端。第一邏輯器件306的輸入端和第二邏輯器件308的輸出端處的節(jié)點(diǎn)可以充當(dāng)用于存儲(chǔ)諸如位210(例如，LRU位)的數(shù)據(jù)的單元208?？商鎿Q地，單元208可位于IC300內(nèi)包括的另一節(jié)點(diǎn)處。例如，第一邏輯器件306的輸出端和第二邏輯器件308的輸入端處的節(jié)點(diǎn)可以充當(dāng)用于存儲(chǔ)諸如LRU位的數(shù)據(jù)的單元208。在其它實(shí)施例中，單元208可包括在通門以外的電路中。
下面，參考圖2-3，并參考圖示了用于寫(xiě)入位210或類似指示符的示例方法的圖4，來(lái)描述用于寫(xiě)入位210或類似指示符的示例IC200的操作。參考圖4，在步驟402中，方法400開(kāi)始。在步驟404中，可激活第一字線206和第二字線212之一。例如，第一字線206和第二字線212之一上的信號(hào)可以從第一邏輯狀態(tài)(例如，低邏輯狀態(tài))改變并被設(shè)置到第二邏輯狀態(tài)(例如，高邏輯狀態(tài))，以激活第一字線206或第二字線212。可替換地，第一字線206和第二字線212之一上的信號(hào)可以從第二邏輯狀態(tài)改變并被設(shè)置到第一邏輯狀態(tài)，以激活第一字線206或第二字線212。
隨后，可進(jìn)行步驟406。在步驟406中，確定第一字線206是否被激活。例如，如果第一字線206上的信號(hào)從第一邏輯狀態(tài)改變并被設(shè)置到第二邏輯狀態(tài)，則確定第一字線206被激活。
隨后，可進(jìn)行步驟408。在步驟408中，可以采用第一字線206，來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列202并寫(xiě)入位210或類似指示符。更具體地說(shuō)，在寫(xiě)入操作期間，耦接到第一存儲(chǔ)器陣列202的第一字線206可以被激活，并用于將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列202的指定地址。這樣，可以將多位數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)器陣列202內(nèi)包括的一個(gè)或多個(gè)單元(未示出)中。因此，可以采用第一字線206，來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列202。
第一字線206可以耦接到用于存儲(chǔ)位210(例如，LRU位)的示例電路300。更具體地說(shuō)，第一字線206可以通過(guò)第一晶體管302耦接到由第一存儲(chǔ)器陣列202和第二存儲(chǔ)器陣列204共享的單元208。第一字線206可以用作到單元208的第一端口。因?yàn)榈谝欢丝?例如，第一字線206)可以耦接到用于存儲(chǔ)位210的示例電路300中包括的第一晶體管302(例如，NFET)的柵極端，所以激活第一字線206(例如，第一端口)起到激活第一晶體管302的作用。因?yàn)樵趯?xiě)入操作期間僅激活(例如，激發(fā)(fire))第一字線206和第二字線212之一，所以，在上面的示例中，耦接到示例電路300中包括的第二晶體管310(例如，NFET)的柵極端的第二字線212未被激活(例如，保持在低邏輯狀態(tài))，并且不激活第二晶體管310(例如，NFET)。
此外，在寫(xiě)入操作期間，IC200可以將耦接到用于存儲(chǔ)位210(例如，LRU位)的示例電路300的兩條位線304、312(例如，真值位線(BLT)和補(bǔ)碼位線(BLC))上的信號(hào)都設(shè)置為第一邏輯狀態(tài)(例如，低邏輯狀態(tài))。因此，當(dāng)?shù)谝蛔志€206被激活(以便例如將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列202)時(shí)，第一邏輯器件306的輸入端和第二邏輯器件308的輸出端處的信號(hào)值處于低邏輯狀態(tài)。因此，可以將低邏輯狀態(tài)(例如，0)的信號(hào)或位存儲(chǔ)在用于存儲(chǔ)位210(例如，LRU位)的單元208中。隨后，可進(jìn)行步驟412。在步驟412中，方法400結(jié)束。
可替換地，例如，如果在第二字線212上斷言信號(hào)(例如，高邏輯狀態(tài)的信號(hào))，則在步驟406中，確定第一字線206未被激活。因此，在步驟404期間，第二字線212被激活。
隨后，可進(jìn)行步驟410。在步驟410中，可以采用第二字線212，來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列204并寫(xiě)入位210或類似指示符。更具體地說(shuō)，與第一字線206類似，在寫(xiě)入操作期間，IC200可以激活耦接到第二存儲(chǔ)器陣列204的第二字線212，并使用第二字線212來(lái)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入第二存儲(chǔ)器陣列204的指定地址。因此，可以將多位數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器陣列204內(nèi)包括的一個(gè)或多個(gè)單元(未示出)中。
與第一字線206類似，第二字線212可以耦接到用于存儲(chǔ)位210(例如，LRU位)的示例電路300。更具體地說(shuō)，第二字線212可以通過(guò)例如第二晶體管310和第二邏輯器件308，耦接到單元208。第二字線212可以用作到單元208的第二端口。因?yàn)榈诙丝?例如，第二字線212)可以耦接到用于存儲(chǔ)位或類似指示符的IC300中包括的第二晶體管310(例如，NFET)的柵極端，所以，例如通過(guò)在第二字線212上斷言高邏輯狀態(tài)的信號(hào)而激活第二字線212可起到激活第二晶體管310的作用。如上所述，在寫(xiě)入操作期間僅激活或激發(fā)第一字線206和第二字線212之一。因此，在上面的示例中，第一字線206未被激活，從而，不激活第一晶體管302。
如上所述，在寫(xiě)入操作期間，IC200可以將耦接到示例電路300的兩條位線304、312(例如，BLT和BLC)上的信號(hào)都設(shè)置為第一邏輯狀態(tài)(例如，低邏輯狀態(tài))。這樣，當(dāng)?shù)诙志€212被激活以便例如將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列204時(shí)，第一邏輯器件306的輸出端和第二邏輯器件308的輸入端處的信號(hào)值處于低邏輯狀態(tài)(例如，0)。因此，可以將高邏輯狀態(tài)(例如，1)的信號(hào)或位存儲(chǔ)在用于存儲(chǔ)位210(例如，LRU位)的單元208中。隨后，可進(jìn)行步驟412，其中方法400結(jié)束。
通過(guò)使用圖4的方法400，在包括IC200的計(jì)算機(jī)(未示出)上運(yùn)行的應(yīng)用程序可以訪問(wèn)存儲(chǔ)在用于存儲(chǔ)位210或類似指示符的單元208中的值，以確定上一次將數(shù)據(jù)寫(xiě)入了哪個(gè)存儲(chǔ)器陣列202、204。例如，如果存儲(chǔ)在單元208中的位210(例如，LRU位)的值處于低邏輯狀態(tài)(例如，0)，則上一次將數(shù)據(jù)寫(xiě)入了第一存儲(chǔ)器陣列202。因此，存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器陣列204中的數(shù)據(jù)比存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)器陣列202中的數(shù)據(jù)舊?？商鎿Q地，如果存儲(chǔ)在單元208中的位210(例如，LRU位)的值處于高邏輯狀態(tài)(例如，1)，則上一次將數(shù)據(jù)寫(xiě)入了第二存儲(chǔ)器陣列204。因此，存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)器陣列202中的數(shù)據(jù)比存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器陣列204中的數(shù)據(jù)舊。在其它實(shí)施例中，可以使用相同的信號(hào)值來(lái)指示上一次寫(xiě)入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器陣列202、204，反之亦然。
通過(guò)允許用于寫(xiě)入位210或類似指示符的IC 200中包括的存儲(chǔ)器陣列對(duì)(例如，第一存儲(chǔ)器陣列202和第二存儲(chǔ)器陣列204)共享單元208，可以采用或激活單條字線206、212，以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列202和位210，或者將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列204和位210。因?yàn)閮H激活單條字線206、212，來(lái)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到存儲(chǔ)器陣列對(duì)中包括的存儲(chǔ)器陣列202、204并寫(xiě)入位210，所以用于寫(xiě)入位210(例如，LRU位)的IC200高效地消耗功率。
前面的描述僅公開(kāi)了本發(fā)明的示例實(shí)施例。對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，落在本發(fā)明范圍內(nèi)的對(duì)上面公開(kāi)的本發(fā)明的實(shí)施例的修改將很容易明白。例如，盡管在上面的實(shí)施例中，IC200包括第一存儲(chǔ)器陣列202和第二存儲(chǔ)器陣列204，但是在其它實(shí)施例中，IC200可以包括這樣的存儲(chǔ)器(未示出)，其包括多個(gè)存儲(chǔ)器子陣列(例如，第一存儲(chǔ)器陣列202和第二存儲(chǔ)器陣列204)。例如，該存儲(chǔ)器(未示出)可以包括可分組為多個(gè)存儲(chǔ)器子陣列對(duì)的8個(gè)存儲(chǔ)器子陣列。在這樣的實(shí)施例中，每對(duì)存儲(chǔ)器子陣列共享一個(gè)或多個(gè)用于存儲(chǔ)位210(例如，LRU位)的單元208。
此外，盡管在上面一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，IC200包括第一字線206、第二字線212和單元208，但在其它實(shí)施例中，IC200可以包括耦接到第一存儲(chǔ)器陣列202的第一組多條字線、耦接到第二存儲(chǔ)器陣列204的第二組多條字線和多個(gè)單元。所述多個(gè)單元中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)于并耦接到來(lái)自第一和第二組多條字線中每一組的一條字線(例如，由其共享)。這樣，可以在第一存儲(chǔ)器陣列202和第二存儲(chǔ)器陣列204之間共享一列單元208，其每一個(gè)存儲(chǔ)諸如LRU位的位210。在一個(gè)實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)器陣列202和第二存儲(chǔ)器陣列204可以各包括三十二條字線。可以使用其它數(shù)目的字線。在另一實(shí)施例中，第一和/或第二組多個(gè)存儲(chǔ)器子陣列中包括的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器子陣列可以包括三十二條字線?？梢允褂闷渌鼣?shù)目的字線。
因此，盡管已經(jīng)結(jié)合本發(fā)明的示例實(shí)施例公開(kāi)了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，還有其它實(shí)施例可以落在所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于寫(xiě)入最近最少使用(LRU)指示符的方法，包括激活對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)器陣列的第一字線和對(duì)應(yīng)于第二存儲(chǔ)器陣列的第二字線之一；當(dāng)?shù)谝蛔志€被激活時(shí)，采用第一字線，來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符；以及當(dāng)?shù)诙志€被激活時(shí)，采用第二字線，來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括將第一和第二位線上的信號(hào)設(shè)置為第一邏輯狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，將第一和第二位線上的信號(hào)設(shè)置為第一邏輯狀態(tài)包括將第一和第二位線上的信號(hào)設(shè)置為低邏輯狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，激活對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)器陣列的第一字線和對(duì)應(yīng)于第二存儲(chǔ)器陣列的第二字線之一包括將第一字線和第二字線之一上的信號(hào)設(shè)置為第二邏輯狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，將第一字線和第二字線之一上的信號(hào)設(shè)置為第二邏輯狀態(tài)包括將第一字線和第二字線之一上的信號(hào)設(shè)置為高邏輯狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)?shù)谝蛔志€被激活時(shí)采用第一字線來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符包括當(dāng)?shù)谝蛔志€被激活時(shí)，采用第一字線，來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列并激活存儲(chǔ)LRU指示符的單元的第一端口；以及其中，當(dāng)?shù)诙志€被激活時(shí)采用第二字線來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符包括當(dāng)?shù)诙志€被激活時(shí)，采用第二字線，來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列并激活存儲(chǔ)LRU指示符的單元的第二端口。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)?shù)谝蛔志€被激活時(shí)采用第一字線來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符包括當(dāng)?shù)谝蛔志€被激活時(shí)，采用第一字線，來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列并將第一邏輯狀態(tài)的位存儲(chǔ)在存儲(chǔ)LRU指示符的單元中；并且其中，當(dāng)?shù)诙志€被激活時(shí)采用第二字線來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符包括當(dāng)?shù)诙志€被激活時(shí)，采用第二字線，來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列并將第二邏輯狀態(tài)的位存儲(chǔ)在存儲(chǔ)LRU指示符的單元中。
8.一種用于寫(xiě)入LRU指示符的設(shè)備，包括第一存儲(chǔ)器陣列，其耦接到第一字線和第一位線；第二存儲(chǔ)器陣列，其耦接到第二字線和第二位線；用于存儲(chǔ)LRU指示符的單元，其耦接到第一和第二存儲(chǔ)器陣列；集成電路(IC)，其耦接到第一和第二存儲(chǔ)器陣列，并且適配為激活第一字線和第二字線之一；當(dāng)?shù)谝蛔志€被激活時(shí)，采用第一字線，來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符；以及當(dāng)?shù)诙志€被激活時(shí)，采用第二字線，來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，該IC還適配為將第一和第二位線上的信號(hào)設(shè)置為第一邏輯狀態(tài)。
10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，該IC還適配為將第一和第二位線上的信號(hào)設(shè)置為低邏輯狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，該IC還適配為將第一字線和第二字線之一上的信號(hào)設(shè)置為第二邏輯狀態(tài)。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其特征在于，該IC還適配為將第一字線和第二字線之一上的信號(hào)設(shè)置為高邏輯狀態(tài)。
13.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，該IC還適配為當(dāng)?shù)谝蛔志€被激活時(shí)，采用第一字線，來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列并激活存儲(chǔ)LRU指示符的單元的第一端口；以及當(dāng)?shù)诙志€被激活時(shí)，采用第二字線，來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列并激活存儲(chǔ)LRU指示符的單元的第二端口。
14.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，該IC還適配為當(dāng)?shù)谝蛔志€被激活時(shí)，采用第一字線，來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列并將第一邏輯狀態(tài)的位存儲(chǔ)在存儲(chǔ)LRU指示符的單元中；以及當(dāng)?shù)诙志€被激活時(shí)，采用第二字線，來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列并將第二邏輯狀態(tài)的位存儲(chǔ)在存儲(chǔ)LRU指示符的單元中。
15.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，所述單元包括在通門電路中。
16.如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其特征在于，所述單元是通門電路的第一邏輯器件的輸入端和第二邏輯器件的輸出端處的節(jié)點(diǎn)。
17.如權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其特征在于，所述單元是通門電路的第一邏輯器件的輸出端和第二邏輯器件的輸入端處的節(jié)點(diǎn)。
全文摘要
在第一方面，提供了用于寫(xiě)入LRU指示符的第一方法。該第一方法包括以下步驟(1)激活對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)器陣列的第一字線和對(duì)應(yīng)于第二存儲(chǔ)器陣列的第二字線之一；(2)當(dāng)?shù)谝蛔志€被激活時(shí)，采用第一字線，來(lái)寫(xiě)入到第一存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符；以及(3)當(dāng)?shù)诙志€被激活時(shí)，采用第二字線，來(lái)寫(xiě)入到第二存儲(chǔ)器陣列并寫(xiě)入LRU指示符。還提供了很多其它方面。
文檔編號(hào)G06F13/00GK1624798SQ20041008976
公開(kāi)日2005年6月8日 申請(qǐng)日期2004年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月4日
發(fā)明者彼得·T·弗賴伯格, 瑞安·C·基維馬吉 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司