專利名稱：降級動態(tài)隨機存取存儲器應用于電子裝置的方法及其電子裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種降級(downgraded)動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)應用于電子裝置的方法及其電子裝置，尤其關于一種不需要前處理步驟即可將降級DRAM應用于電子裝置的方法及其電子裝置。
現(xiàn)有技術DRAM是電子裝置中不可或缺的零部件之一，其主要用途是用來作為電子裝置運算時的數(shù)據(jù)存儲或儲存程序，以進行數(shù)據(jù)處理。一般而言，DRAM的大小會影響運算的速度，DRAM越大，所能暫存的數(shù)據(jù)越多，運算處理單元讀取的速度也越快。DRAM的主要應用范圍是在電腦通訊及消費性電子等產(chǎn)業(yè)，例如電腦、打印機、個人數(shù)字助理、移動電話等。
在DRAM的制造過程中，由于制造上的瑕疵，不可避免地會產(chǎn)生一些降級(downgraded)的DRAM成品，例如4M×16的DRAM降級成為2M×16的DRAM。由于電腦類的電子產(chǎn)品對于存取速度的要求較高，需要無瑕疵且連續(xù)的DRAM，因此這類降級的DRAM無法符合大部份電腦的需求，無法應用于電腦產(chǎn)品上，因而必須將其報廢處理或是以極低的價格出售。但是，對于存取速度要求較低的電子產(chǎn)品而言，由于其可接受較低的存取速度，因此降級的DRAM仍可應用于其中，以降低材料成本，例如消費性的電子產(chǎn)品。
然而，由于降級的DRAM具有多種組態(tài)及特性，以4M×16DRAM為例，若有瑕疵的區(qū)塊以1M×16為單位，則降級的DRAM可能有4種3M×16、6種2M×16，及4種1M×16的組態(tài)，因此在將降級DRAM應用于電子裝置之前，系統(tǒng)制造商必須先經(jīng)過測試及篩選等前處理步驟后才可以將其應用在產(chǎn)品上，如此將提高整體生產(chǎn)的成本。綜上所述，如何簡化前處理步驟即可將降級的DRAM應用于電子裝置以有效降低成本便是目前急待努力的目標。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種降級DRAM應用于電子裝置的方法及其電子裝置，其可將降級DRAM直接組裝在電子裝置上進行測試，以簡化前處理步驟及組裝程序并降低生產(chǎn)成本。
為達到上述目的，本發(fā)明的應用降級DRAM的電子裝置，包含一個處理單元、一個降級DRAM以及一個存儲器。其中，該處理單元用來執(zhí)行所述電子裝置的運算工作；該降級DRAM與該處理單元信號連接，供該處理單元暫存數(shù)據(jù)，并且其具有可供使用及無法使用的存儲器區(qū)塊；該存儲器也與該處理單元信號連接，用來儲存一個可使用的DRAM映射(usable DRAM map)，該可使用的DRAM映射記錄了該降級DRAM中可供使用的存儲器區(qū)塊，而該處理單元則根據(jù)該可使用的DRAM映射存取該降級DRAM中可供使用的存儲器區(qū)塊。
本發(fā)明還公開了應用于前述電子裝置的方法，其步驟包含一個檢查步驟、一個測試步驟以及一個存取步驟。該檢查步驟用來檢查該存儲器是否儲存有一個可使用的DRAM映射；該測試步驟，用來測試該降級DRAM中可供使用的存儲器區(qū)塊，并將該可供使用的存儲器區(qū)塊以該可使用的DRAM映射儲存在該存儲器；該存取步驟則是由該處理單元根據(jù)該可使用的DRAM映射存取該降級DRAM。
根據(jù)本發(fā)明的降級DRAM應用于電子裝置的方法及其電子裝置，由于降級DRAM是直接設置在電子裝置上進行測試，因此可以節(jié)省前處理步驟所產(chǎn)生的成本，并且簡化電子裝置的組裝程序而進一步降低整體的制造成本。
附圖簡述

圖1是一幅方框圖，示出了本發(fā)明優(yōu)選實施例的應用降級DRAM的電子裝置；圖2是一幅流程圖，示出了本發(fā)明優(yōu)選實施例的降級DRAM應用于電子裝置的方法。
實施方式以下將參照相關附圖，說明根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的降級DRAM應用于電子裝置的方法及其電子裝置，其中相同的元件將以相同的參考編號加以說明。
請參照圖1，本發(fā)明優(yōu)選實施例的降級DRAM應用于電子裝置的方法及其電子裝置，主要是應用于處理單元(process unit)11與降級DRAM 12間的存取操作，也即是處理單元11對降級DRAM 12進行讀出及寫入數(shù)據(jù)的操作。應用降級DRAM的電子裝置的主要架構如圖1所示，包含一個處理單元11、一個降級DRAM 12以及一個存儲器13。其中，所述處理單元11是用來執(zhí)行電子裝置的運算工作，例如執(zhí)行指令、數(shù)據(jù)運算等；所述降級DRAM 12則與所述處理單元11信號連接，可供處理單元11暫存數(shù)據(jù)，且降級DRAM 12由于制造過程的瑕疵，因此具有可供使用及無法使用的存儲器區(qū)塊，降級DRAM 12可以是常規(guī)規(guī)格的DRAM，例如SDRAM(Synchronous DRAM，同步動態(tài)隨機存取存儲器)、DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍數(shù)據(jù)傳輸率SDRAM)及DDR II SDRAM(二代雙倍數(shù)據(jù)傳輸率SDRAM)等規(guī)格。存儲器13也與處理單元11信號連接，用來儲存一個可使用的DRAM映射(usable DRAM map)131，所述可使用的DRAM映射131記錄了降級DRAM 12中可供使用的存儲器區(qū)塊，而所述處理單元11則根據(jù)所述可使用DRAM映射131來存取降級DRAM 12中可供使用的存儲器區(qū)塊，并避免存取到無法使用的存儲器區(qū)塊。優(yōu)選，所述存儲器13可以是一個非易失性存儲器，其可在沒有供電的情況下仍能保存所述可使用的DRAM映射131的相關數(shù)據(jù)，例如快閃存儲器(flash memory)、電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM，Electrically ErasableProgrammable Read Only Memory)、鐵電隨機存取存儲器(FeRAM，F(xiàn)erro electric RAM)及磁阻式隨機存取存儲器(MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory)等。
此外，應用降級DRAM的電子裝置進一步包含一個存儲器控制單元14，其信號連接于處理單元11與降級DRAM 12之間，并且可整合在處理單元11中。處理單元11則是以存儲器控制單元14來存取降級DRAM 12。應用降級DRAM的電子裝置進一步包含一個存儲器管理單元15，其信號連接于處理單元11與存儲器控制單元14之間。存儲器管理單元15用來將一個邏輯存儲器地址轉換為一個實體存儲器地址，供存儲器控制單元14根據(jù)該實體存儲器地址來存取降級DRAM12。如此一來，處理單元11直接以邏輯存儲器地址即可存取降級DRAM12，而不會存取到降級DRAM 12中無法使用的存儲器區(qū)塊。需要注意到，存儲器管理單元15能以硬件實施并整合在處理單元11中，此外，也可以用軟件的方式實施。
接著說明本發(fā)明優(yōu)選實施例的降級DRAM應用于電子裝置的方法，該電子裝置的架構如圖1所示，在此不再贅述。另外需要注意的是，其中降級DRAM 12是在未經(jīng)前處理步驟即設置在該電子裝置上。請參照圖2，首先，在電子裝置組裝完成之后，首次啟動時即執(zhí)行檢查步驟S21，由處理單元11檢查存儲器13中是否已儲存可使用的DRAM映射131。由于是電子裝置組裝后的首次啟動，存儲器13中并未儲存可使用的DRAM映射131，因此接著執(zhí)行測試步驟S22。測試步驟S22是針對降級DRAM 12進行測試，區(qū)分出可供使用的存儲器區(qū)塊及無法使用的存儲器區(qū)塊，并且將該可供使用的存儲器區(qū)塊以可使用的DRAM映射131的形式儲存在存儲器13中。如此一來，處理單元即可根據(jù)可使用的DRAM映射131中記錄的可供使用的存儲器區(qū)塊地址，對降級DRAM 12進行正確的讀取及寫入的動作，即存取步驟S23。
如前所述，存儲器13可以是一個非易失性存儲器，其可在沒有供電的情況下仍能保存可使用的DRAM映射131的相關數(shù)據(jù)。因此，當電子裝置關開電源后再次啟動時，在檢查步驟S21中可得知存儲器13中已存有可使用的DRAM映射131，處理單元11則可以直接進行存取步驟S23，也即是說，根據(jù)可使用的DRAM映射131中記錄的可供使用的存儲器區(qū)塊地址，對降級DRAM 12進行存取，而不需要再執(zhí)行測試步驟S22。
根據(jù)本發(fā)明的降級DRAM應用于電子裝置的方法及其電子裝置，由于降級DRAM不需要前處理步驟即直接組裝到電子裝置上，而將測試降級DRAM的工作交由各個電子裝置在啟動時執(zhí)行，因此可節(jié)省前處理步驟所產(chǎn)生的成本，并且簡化電子裝置的組裝程序而進一步降低整體的制造成本。
以上所述僅僅是示意性的，而非限制性的。任何熟悉該項技術的人員都可以根據(jù)上述本發(fā)明的實施例進行等效的修改，而不脫離其精神與范圍。因此任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇而對其進行的等效修改或變化，都應該包含在后面附上的權利要求書中。
權利要求
1.一種應用降級DRAM的電子裝置，包含一個處理單元，用來執(zhí)行運算工作；一個降級DRAM，其與所述處理單元信號連接，供所述處理單元暫存數(shù)據(jù)，并且所述降級DRAM具有可供使用及無法使用的存儲器區(qū)塊；以及一個存儲器，其與所述處理單元信號連接，用來儲存一個可使用的DRAM映射，所述可使用的DRAM映射記錄所述降級DRAM中可供使用的存儲器區(qū)塊，而所述處理單元則根據(jù)所述可使用的DRAM映射存取所述降級DRAM。
2.如權利要求1所述的應用降級DRAM的電子裝置，其中所述存儲器是一個非易失性存儲器。
3.如權利要求2所述的應用降級DRAM的電子裝置，其中所述非易失性存儲器是快閃存儲器、電可擦寫可編程只讀存儲器、鐵電隨機存取存儲器及磁阻式隨機存取存儲器所組成的組中的其中之一。
4.如權利要求1所述的應用降級DRAM的電子裝置，進一步包含一個存儲器控制單元，其信號連接在所述處理單元與所述降級DRAM之間，所述處理單元是以所述存儲器控制單元來存取所述降級DRAM；以及一個存儲器管理單元，其信號連接在所述處理單元與所述存儲器控制單元之間，所述存儲器管理單元將一個邏輯存儲器地址轉換為一個實體存儲器地址，供所述存儲器控制單元來存取所述降級DRAM。
5.如權利要求4所述的應用降級DRAM的電子裝置，其中所述存儲器控制單元整合在所述處理單元中。
6.如權利要求4所述的應用降級DRAM的電子裝置，其中所述存儲器管理單元整合在所述處理單元中，或以軟件的方式實施。
7.如權利要求1所述的應用降級DRAM的電子裝置，其中所述降級DRAM是SDRAM、DDR SDRAM及DDR II SDRAM所組成的組中的其中之一。
8.一種降級DRAM應用于電子裝置的方法，該電子裝置包含一個處理單元以及一個存儲器，該方法包含以下步驟一個檢查步驟，用來檢查所述存儲器是否儲存有一個可使用的DRAM映射；一個測試步驟，用來測試所述降級DRAM中可供使用的存儲器區(qū)塊，并將所述可供使用的存儲器區(qū)塊以所述可使用的DRAM映射儲存在所述存儲器；以及一個存取步驟，所述處理單元根據(jù)所述可使用的DRAM映射存取所述降級DRAM。
9.如權利要求8所述的降級DRAM應用于電子裝置的方法，其中所述檢查步驟是在該電子裝置啟動時進行檢查，并在所述存儲器中未存有所述可使用的DRAM映射時執(zhí)行測試步驟。
10.如權利要求8所述的降級DRAM應用于電子裝置的方法，其中所述存儲器是一個非易失性存儲器。
11.如權利要求10所述的降級DRAM應用于電子裝置的方法，其中所述非易失性存儲器是快閃存儲器、電可擦寫可編程只讀存儲器、鐵電隨機存取存儲器及磁阻式隨機存取存儲器所組成的組中的其中之一。
12.如權利要求8所述的降級DRAM應用于電子裝置的方法，其中所述處理單元是以一個存儲器控制單元來存取所述降級DRAM，所述存儲器控制單元整合在所述處理單元中。
13.如權利要求12所述的降級DRAM應用于電子裝置的方法，其中所述處理單元是在一個存儲器管理單元將一個邏輯存儲器地址轉換為一個實體存儲器地址后，再以所述存儲器控制單元來存取所述降級DRAM。
14.如權利要求13所述的降級DRAM應用于電子裝置的方法，其中所述存儲器管理單元整合在所述處理單元中，或以軟件的方式實施。
15.如權利要求8所述的降級DRAM應用于電子裝置的方法，其中所述降級DRAM是SDRAM、DDR SDRAM及DDR II SDRAM所組成的組中的其中之一。
全文摘要
一種應用降級DRAM的電子裝置，包含一個處理單元、一個降級DRAM以及一個存儲器。該處理單元用來執(zhí)行所述電子裝置的運算工作；該降級DRAM用來供該處理單元暫存數(shù)據(jù)，其具有可供使用及無法使用的存儲器區(qū)塊；該存儲器用來儲存一個可使用的DRAM映射，該可使用的DRAM映射記錄了該降級DRAM中可供使用的存儲器區(qū)塊，而該處理單元則根據(jù)該可使用的DRAM映射存取該降級DRAM中可供使用的存儲器區(qū)塊。此外也公開了一種將降級DRAM應用于電子裝置的方法，所述方法可以簡化降級DRAM的前處理步驟及電子裝置的組裝程序以降低生產(chǎn)成本。
文檔編號G06F12/00GK1783023SQ20041009830
公開日2006年6月7日 申請日期2004年12月3日 優(yōu)先權日2004年12月3日
發(fā)明者葉垂奇 申請人:其樂達科技股份有限公司