專利名稱：具有多個(gè)導(dǎo)電層的基板以及制造和使用該基板的方法
相關(guān)申請的交叉參考本申請要求在2003年4月22日申請的題目為“ITO電路上的銅總線”的美國臨時(shí)專利申請系列號(hào)60/464438和在2004年2月12日申請的題目為“制造ITO電路上的銅總線的工藝”的美國臨時(shí)專利申請系列號(hào)60/543883的優(yōu)先權(quán)，這里并入所述申請的公開內(nèi)容作為參考。
背景技術(shù)：
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路基板，特別是包括透明電極和其它電極以及電路元件的電路基板。本發(fā)明還涉及這種基板的制造以及使用這種基板的電路的制造。
2、相關(guān)技術(shù)透明觸摸屏基板和透明電路，例如玻璃面板或柔性基板上的氧化銦錫(ITO)電極或跡線(trace)在觸摸屏設(shè)計(jì)領(lǐng)域中是公知的。這些特征通過允許用戶通過觸摸屏觀看例如裝飾或其它標(biāo)識(shí)和允許面板背光到達(dá)用戶，可以改進(jìn)用戶界面。
盡管這種觸摸屏經(jīng)常是人們所希望的，但是它們的設(shè)計(jì)者面對某些障礙。例如，透明導(dǎo)體一般呈現(xiàn)較差的焊接特性，因此不適用于接收和連接到其它電路元件，如電阻器、電容器、晶體管和集成電路。而且，透明導(dǎo)體不是理想的導(dǎo)電體。實(shí)際上，通常使用的透明導(dǎo)體ITO的導(dǎo)電性一般比銅或其它常用導(dǎo)電體的導(dǎo)電性差。為此，設(shè)計(jì)者經(jīng)常限制透明導(dǎo)體用在觸摸屏需要透明的那些區(qū)域，并且在不要求透明的區(qū)域，他們一般優(yōu)選使用常規(guī)導(dǎo)體，如銅。
然而，在實(shí)現(xiàn)可以存在于透明和常規(guī)電路部分之間的各個(gè)接口時(shí)遇到了困難。例如，透明和常規(guī)電路部分經(jīng)常構(gòu)建在分離基板上，所述分離基板隨后物理地和電氣地連接在一起。將這些分離基板連接在一起需要精確的對準(zhǔn)，這受到將要連接的各個(gè)元件之間的公差的疊加的不良影響。將分離基板連接在一起還需要精確的連接結(jié)束，如使用壓縮連接器、各向異性粘合劑、以及銀或其它金屬填充墨，將透明和其它電路部分橋接起來。一旦連接，在最初組裝之后和在使用期間由于操縱、振動(dòng)、以及兩個(gè)板之間的不同收縮和膨脹，通過這種方式連接起來的分離板易于電氣和/或物理分離。此外，前述技術(shù)的應(yīng)用趨于限制單獨(dú)觸摸鍵(pad)之間的最小間距或間隔，由此限制了總體觸摸屏的緊湊性。
人們試圖將透明和常規(guī)導(dǎo)電電路部分結(jié)合在一個(gè)基板上。然而，這些嘗試涉及使用絲網(wǎng)印刷工藝和/或薄膜的系列構(gòu)圖和蝕刻而將透明導(dǎo)電層施加在常規(guī)導(dǎo)電層上。例如，一個(gè)這樣的嘗試包括將銅薄膜施加到基板，將附加銅鍍到銅膜上，對銅層進(jìn)行構(gòu)圖和蝕刻，將透明導(dǎo)電材料的薄膜施加到基板和常規(guī)電路部分，然后對透明導(dǎo)電材料層進(jìn)行構(gòu)圖和蝕刻。這些步驟涉及傳統(tǒng)上在不同生產(chǎn)線上進(jìn)行的各種不同的工藝。因此，這種技術(shù)是相對耗時(shí)的，并且成本高。此外，最終的結(jié)構(gòu)固有地在透明和常規(guī)電路部分之間的連接處產(chǎn)生急劇的過渡，這是由于透明層與常規(guī)電路部分疊加的性質(zhì)造成的。這些急劇的過渡導(dǎo)致透明和常規(guī)電路部分之間的不可靠的電連接。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及具有多個(gè)薄膜導(dǎo)電層的電路平臺(tái)以及制造和使用它們的方法。在優(yōu)選實(shí)施例中，導(dǎo)電材料層，優(yōu)選是透明的，設(shè)置在剛性或柔性介質(zhì)基板的表面上。一個(gè)或多個(gè)附加導(dǎo)電材料層設(shè)置在第一層上和/或基板的相對表面上。對幾個(gè)層進(jìn)行選擇性地掩模和蝕刻，從而產(chǎn)生用于安裝電元件的鍵合焊盤和形成電路的導(dǎo)電跡線的所希望的圖案。
通過從供應(yīng)卷軸將柔性基板展開、饋送基板通過在連續(xù)或分級(jí)的基礎(chǔ)上將導(dǎo)電層施加給其的設(shè)備、以及卷起具有導(dǎo)電層的基板使其施加到接收卷軸上，可以大批量地制造柔性電路平臺(tái)。
附圖簡述

圖1是根據(jù)本發(fā)明的包括其上具有多個(gè)導(dǎo)電層的基板的電路平臺(tái)的剖面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的用于制備其上具有多個(gè)導(dǎo)電層的電路平臺(tái)的工藝和系統(tǒng)的示意圖；圖3是在根據(jù)本發(fā)明的包括其上具有多個(gè)導(dǎo)電層的基板的電路平臺(tái)上構(gòu)建的電路的平面圖；圖4是用于制造構(gòu)建在根據(jù)本發(fā)明的包括其上具有多個(gè)導(dǎo)電層的基板的電路平臺(tái)上的電路的工藝的流程圖；以及圖5是用于制造構(gòu)建在根據(jù)本發(fā)明的包括其上具有多個(gè)導(dǎo)電層的基板的電路平臺(tái)上的電路的替換工藝的流程圖。所示實(shí)施例的詳細(xì)說明圖1示出根據(jù)本發(fā)明的包括具有多個(gè)導(dǎo)電層的基板的電路平臺(tái)10的實(shí)施例的剖面圖?；?2可以由適合于用作電路基板的任何剛性或柔性材料例如玻璃、聚酯膜、樹脂等制成。盡管可以是不透明的，基板12優(yōu)選是透明的或半透明的，當(dāng)用在涉及穿過基板12的背光的應(yīng)用中時(shí)更是這樣。基板12可以但不必須包括圖形或其它裝飾。
在圖1的實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層14設(shè)置在基板12上。透明導(dǎo)電層14可以是施加適當(dāng)厚度的任何合適的透明導(dǎo)電材料，如本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的那樣。(這里使用的術(shù)語“導(dǎo)電材料”包括本領(lǐng)域技術(shù)人員公知用于所述目的的半導(dǎo)電材料)。在優(yōu)選實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層14是具有產(chǎn)生50-200歐姆/平方的電阻率的厚度的ITO層，但是產(chǎn)生5-1000歐姆/平方的電阻率的厚度也被認(rèn)為產(chǎn)生可接受的結(jié)果。其它材料厚度也可以接受。在可選實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層14可以是合適的金、鉻或以薄膜形式基本上是透明的其它導(dǎo)電材料層。
可以采用任何合適的技術(shù)用于將透明導(dǎo)電層14淀積到基板12上。用于將透明導(dǎo)電層14淀積到基板12上的優(yōu)選技術(shù)包括濺射、汽相淀積、使用熱和冷壓縮的和其它ITO靶的蒸發(fā)和真空工藝，如本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的那樣。濺射技術(shù)，如DC磁控管濺射，是特別有利的，因?yàn)槌藙e的以外(among others)它們還可以與平坦的、成形的、圓柱形和可旋轉(zhuǎn)的靶一起使用。可以在淀積透明導(dǎo)電層14之前處理基板12，以便提高透明層與基板的粘接性。例如，要淀積透明導(dǎo)電層14的基板12的表面可以使用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)使其粗糙化。輝光放電、RF等離子體和其它賦能技術(shù)(energetic technique)被認(rèn)為在這點(diǎn)上產(chǎn)生良好的結(jié)果。
任選的界面層16設(shè)置在透明導(dǎo)電層14上。盡管界面層16對于本發(fā)明來說不是主要的，但是在某些實(shí)施例中還是值得要的，以便提高如下所述的其它導(dǎo)電層與透明導(dǎo)電層14的粘接性。此外，界面層16可能因?yàn)槠涔鈱W(xué)特性而值得要。界面層16在使用時(shí)優(yōu)選是透明的，以便允許用戶觀看基板12上的或與相對的背光或裝飾。界面層16可以具有與基板12和/或透明導(dǎo)電層14類似的光學(xué)特性，以便確保元件的這種組合的透明度?；蛘?，可以選擇基板12、透明導(dǎo)電層14和界面層16的光學(xué)特性，使得元件的這種組合用作光學(xué)濾波器。例如，這些元件的光學(xué)特性可以選擇成過濾某些波長的光并只允許其它波長穿過它們。界面層16可采用各種材料，例如鉻或鈮的氧化物。可以通過濺射或其它適當(dāng)?shù)募夹g(shù)將這些材料施加為合適的厚度，例如400-10000埃。
常規(guī)導(dǎo)電層18設(shè)置在界面層16上。在省略界面層16的實(shí)施例中，常規(guī)導(dǎo)電層18可以設(shè)置在透明導(dǎo)電層14上。常規(guī)導(dǎo)電層18可以是施加合適厚度的任何適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料，例如銅、鋁或金?；诔杀?、導(dǎo)電性和焊接的容易程度的考慮，銅是優(yōu)選的。在優(yōu)選實(shí)施例中，常規(guī)導(dǎo)電層18是銅，其淀積的厚度產(chǎn)生小于0.025歐姆/平方的電阻率。實(shí)際上，400-10000埃的銅厚度被認(rèn)為是可以接受的。其它材料厚度也可以接受。任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)都可用于將常規(guī)導(dǎo)電層18淀積到界面層16上(或，在不使用界面層16時(shí)，淀積到透明導(dǎo)電層14上)。用于淀積常規(guī)導(dǎo)電層18的優(yōu)選技術(shù)除了別的以外還包括濺射、汽相淀積、蒸發(fā)和真空處理，如本領(lǐng)域公知的那樣。
認(rèn)為具有產(chǎn)生小于0.025歐姆/平方的電阻率的厚度的常規(guī)導(dǎo)電層18為構(gòu)建在電路平臺(tái)10上的電路提供可接受的電特性，并允許將電路元件例如電阻器、電容器和集成電路焊接到常規(guī)導(dǎo)電層18上。然而，電路設(shè)計(jì)者可能希望或應(yīng)用可能需要較厚的導(dǎo)電層?？梢酝ㄟ^將常規(guī)導(dǎo)電層18淀積為足夠的厚度來滿足這個(gè)需要?；蛘撸鐖D1所示，可以使用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)例如電鍍將導(dǎo)電材料20的附加層淀積到常規(guī)導(dǎo)電層18上。
在可選實(shí)施例(未示出)中，也以上述方式制備基板12的背面，從而產(chǎn)生兩面電路平臺(tái)10。在另一可選實(shí)施例(未示出)中，將透明導(dǎo)電層14施加到基板12的第一面，并且常規(guī)導(dǎo)電層18施加到基板12的第二面。導(dǎo)電材料的附加層20可以設(shè)置在這個(gè)常規(guī)導(dǎo)電層18上。另外的層(未示出)可以設(shè)置在基板12的任一面上、在各個(gè)導(dǎo)電層的上面或下面，從而提高粘接性或用于光學(xué)目的，如上所述。透可以使用穿過基板12的通孔將明導(dǎo)電層14和常規(guī)導(dǎo)電層18電連接。在本實(shí)施例中，基板12可以被預(yù)鉆孔或預(yù)沖孔，以便于這種電連接。
圖2示意性地示出用于批量生產(chǎn)一般具有上述結(jié)構(gòu)并如圖1所示的柔性電路平臺(tái)10的優(yōu)選工藝和系統(tǒng)。該工藝?yán)昧艘韵率聦?shí)柔性電基板材料例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯萘(polyethylenenapthalate)和適合與具有透明導(dǎo)體的電路一起使用的其它介質(zhì)膜可在卷軸上大批量地獲得，如卷軸150。(這種膜通常具有12到125微米的厚度)。在圖2的實(shí)施例中，在處理期間，柔性基板12從供應(yīng)卷軸150上展開并由滾筒154支撐。這種處理包括在位置162上淀積透明導(dǎo)電材料14和在位置164上淀積常規(guī)導(dǎo)電材料18。這種處理還可以包括在位置160上淀積界面層(未示出)和對基板12進(jìn)行預(yù)處理，其中清洗基板12，并且在其他方面(otherwise)制備基板12用于接收導(dǎo)電層14和18和任選的界面層。最終的柔性電路平臺(tái)10被纏繞到接收卷軸158上。前述工藝優(yōu)選在真空室166中進(jìn)行，以便減少潛在的對基板12和淀積在其上的薄膜層的污染，并幫助在各個(gè)薄膜層之間形成緊密的歐姆連接(ohmic bond)。
類似的工藝步驟可以用于從其他形式提供的未加工的基板材料制備電路平臺(tái)10。例如，可以通過使用用于預(yù)處理未加工的基板材料、施加透明導(dǎo)電層、施加界面層和/或施加一個(gè)或多個(gè)常規(guī)導(dǎo)電層的常規(guī)工藝，用剛性或柔性的未加工的基板材料制造電路平臺(tái)10。
通過選擇性地蝕刻常規(guī)導(dǎo)電層18和透明導(dǎo)電層14以制成導(dǎo)電焊盤，電路平臺(tái)10可以用作用于制造電路的印刷布線板，其中所述導(dǎo)電焊盤用于安裝分立的電路元件，例如電阻器、電容器、晶體管和集成電路，以及用于互連電路元件的導(dǎo)電電路跡線。圖3示出體現(xiàn)本發(fā)明的電路平臺(tái)，其中選擇性地蝕刻常規(guī)導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層，從而產(chǎn)生用于近程傳感器的平臺(tái)200。近程傳感器平臺(tái)200包括透明導(dǎo)電內(nèi)接觸焊盤(touch pad)電極202、透明導(dǎo)電外觸摸焊盤電極204、常規(guī)導(dǎo)電跡線206和常規(guī)導(dǎo)電鍵合焊盤208，它們可以接收分立的電元件，如上所述。為清楚起見，這種分立電路元件未在圖3中示出。
圖4以流程圖的形式示出用于制造和使用根據(jù)本發(fā)明的電路平臺(tái)10的方法1000。在步驟1002提供未加工的基板材料，并在步驟1004進(jìn)行預(yù)處理，如果需要的話，從而除去可能存在的表面污染物。在步驟1006中將透明導(dǎo)電材料淀積到基板上。任選地，在步驟1008中將界面層淀積到透明導(dǎo)電材料層上。在步驟1010中將常規(guī)導(dǎo)電材料淀積到透明層(或界面層上，在使用時(shí))。任選地，在步驟1012中將其它導(dǎo)電材料淀積到常規(guī)導(dǎo)電層上。
在步驟1014中，使用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)，例如化學(xué)或等離子體蝕刻，清洗如此制備的平臺(tái)10。在步驟1016中，使用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)，例如高分辨率光刻和光刻膠技術(shù)，將第一掩模構(gòu)圖在常規(guī)導(dǎo)電層18上。優(yōu)選地，該第一掩模模仿所希望的常規(guī)導(dǎo)電材料電跡線和焊盤設(shè)計(jì)。這種設(shè)計(jì)的一個(gè)例子顯示在圖3中，并且在前面連同圖3進(jìn)行了說明。在步驟1018中，將平臺(tái)10浸在第一蝕刻劑中或以另外的方式進(jìn)行第一蝕刻劑處理，所述第一蝕刻劑蝕刻常規(guī)導(dǎo)電層18(以及附加導(dǎo)電層20，如果使用的話)的未構(gòu)圖部分，但是不蝕刻下面的透明層14(或以比蝕刻常規(guī)層18和/或附加層20更慢的速度蝕刻透明層14)。在將界面層16施加在透明導(dǎo)電層14和常規(guī)導(dǎo)電層18之間的實(shí)施例中，可以選擇第一蝕刻劑以便它可以蝕刻界面層16或也可以不蝕刻界面層16。在完成步驟1018時(shí)，電路平臺(tái)10包括在基本完好的透明導(dǎo)電材料層下面的基板以及處在上層的包括常規(guī)導(dǎo)電材料的電路跡線和焊盤的設(shè)置(在使用界面層的實(shí)施例中，在常規(guī)和透明導(dǎo)電材料層之間具有界面材料的類似設(shè)置)。在將界面層16施加在透明導(dǎo)電層14和常規(guī)導(dǎo)電層18之間的實(shí)施例中，界面層16在透明導(dǎo)電層14的頂上可以是或可以不是基本完好的，這取決于所使用的蝕刻劑。
在步驟1020中，將第二掩模構(gòu)圖到透明導(dǎo)電層14或界面層16上，如果使用并且如果沒有被第一蝕刻劑蝕刻的話。優(yōu)選地，該第二掩模模仿所希望的透明導(dǎo)電材料電跡線設(shè)計(jì)，如圖3所示，并如前連同圖3所述。在步驟1022中，將平臺(tái)10浸在第二蝕刻劑中或以另外的方式進(jìn)行第二蝕刻劑處理，所述第二蝕刻劑蝕刻透明導(dǎo)電層14的未構(gòu)圖部分和界面層16的未構(gòu)圖部分，如果使用并且如果沒有被第一蝕刻劑蝕刻的話，但是不蝕刻常規(guī)導(dǎo)電層18(或附加層20，如果存在的話)(或以比蝕刻透明層更慢的速度蝕刻層18、20)。(在使用界面層16的實(shí)施例中，可以采用附加步驟，未示出，掩模和蝕刻與常規(guī)導(dǎo)電層18、20和透明導(dǎo)電層14分開的界面層16)。實(shí)際上，常規(guī)導(dǎo)電層18和/或附加層20在蝕刻步驟1022中用作掩模。在完成步驟1022時(shí)，電路平臺(tái)10承載透明和常規(guī)電極以及鍵合焊盤的所希望的圖案。這種圖案的一個(gè)例子在圖3中示出，并且連同圖3進(jìn)行了說明。
任選地在步驟1024中，施加焊料掩模或?qū)盈B覆蓋膜以覆蓋由前面的構(gòu)圖和蝕刻步驟得到的導(dǎo)電焊盤和跡線。在步驟1026中，添加分立的電路元件并將其電連接到導(dǎo)電焊盤和跡線上。附加的清洗、干燥、元件固定和其他步驟可用在前面的工藝中，如果希望或需要的話，如本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的那樣。
圖5以流程圖的形式示出用于制造和使用根據(jù)本發(fā)明的電路平臺(tái)10的替換方法2000。步驟2002到2014與上述步驟1002到1016相應(yīng)。在步驟2016中，使用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)，例如高分辨率光刻將第一掩模構(gòu)圖在步驟1016中的常規(guī)導(dǎo)電層18上。優(yōu)選地，該第一掩模模仿整個(gè)電跡線和鍵合焊盤設(shè)計(jì)(包括透明導(dǎo)電部分和常規(guī)導(dǎo)電部分)。這種圖形的一個(gè)例子顯示在圖3中，并且連同圖3進(jìn)行了說明。在步驟2018中，將平臺(tái)10浸在蝕刻劑中或以另外的方式進(jìn)行蝕刻劑處理，所述蝕刻劑蝕刻附加導(dǎo)電層20(如果存在的話)、常規(guī)導(dǎo)電層18、界面層16(如果存在的話)和透明層14的未構(gòu)圖部分。在完成步驟2018時(shí)，電路平臺(tái)10承載透明和常規(guī)電極和鍵合焊盤的所希望的圖案，除了透明導(dǎo)電部分具有處在上面的常規(guī)導(dǎo)電材料層(以及處在上面的界面材料和附加常規(guī)導(dǎo)電材料層，如果使用的話)之外。如果使用的話，可以蝕刻界面層16，如上連同圖4所述的那樣。
在步驟2020中，使用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)，例如高分辨率光刻，將第二掩模構(gòu)圖到常規(guī)導(dǎo)電層18上。該第二掩模模仿所希望的常規(guī)導(dǎo)電材料電跡線和焊盤設(shè)計(jì)。在步驟2022中，將平臺(tái)10浸在蝕刻劑中或以另外的方式進(jìn)行蝕刻劑處理，所述蝕刻劑蝕刻常規(guī)導(dǎo)電層18(以及附加層20，如果存在的話)的未構(gòu)圖部分，但是不蝕刻下面的透明導(dǎo)電層14(或以比蝕刻層18、20更慢的速度蝕刻透明導(dǎo)電層14)。通過這種方式，常規(guī)導(dǎo)電層18和/或附加層20用作刻蝕步驟2022中的掩模。在完成步驟2022時(shí)，電路平臺(tái)10承載透明和常規(guī)電極和鍵合焊盤的所希望的圖案，例如顯示在圖3中并連同圖3所述的結(jié)構(gòu)。
盡管前面已經(jīng)示出和說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的精神的情況下可以進(jìn)行各種修改，本發(fā)明的范圍由下面的權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
1.一種制造電路的方法，包括以下步驟將第一導(dǎo)電材料層淀積到基板的表面上；將第二導(dǎo)電材料層淀積到所述第一導(dǎo)電材料層上；選擇性地蝕刻所述第二導(dǎo)電材料層的一部分；以及選擇性地蝕刻所述第一導(dǎo)電材料層的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電材料層基本上是透明的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電材料是氧化銦錫。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電材料是銅。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括將電元件電連接到所述第二導(dǎo)電材料的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述將所述電元件電連接到所述第二導(dǎo)電材料的步驟包括將所述電元件焊接到所述第二導(dǎo)電材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括將第三導(dǎo)電材料層淀積到所述第二導(dǎo)電材料層的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電材料層基本上是透明的。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電材料是鈮的氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第三材料是銅。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括將電元件電連接到所述第二導(dǎo)電材料的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述將所述電元件電連接到所述第二導(dǎo)電材料的步驟包括將所述電元件焊接到所述第二導(dǎo)電材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述淀積步驟中的至少一個(gè)在基本上的真空中進(jìn)行。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括對所述基板的所述表面進(jìn)行預(yù)處理的步驟，以便增強(qiáng)所述第一導(dǎo)電材料層與所述基板的粘接性。
15.一種用于制造電路的方法，包括以下步驟將第一導(dǎo)電材料層淀積到基板的表面上；將第二導(dǎo)電材料層淀積到所述第一導(dǎo)電材料層上；選擇性地蝕刻所述第二導(dǎo)電材料層的第一部分和所述第一導(dǎo)電材料層的一部分；以及選擇性地蝕刻所述第二導(dǎo)電材料層的第二部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電材料層的所述部分基本上對應(yīng)于所述第二導(dǎo)電材料層的所述第一部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括以下步驟將第三導(dǎo)電材料層淀積到所述第二導(dǎo)電材料層上；以及選擇性地蝕刻所述第三導(dǎo)電材料層的第一部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第三導(dǎo)電材料層的所述部分基本上對應(yīng)于所述第一導(dǎo)電材料層的所述部分和所述第二導(dǎo)電材料層的所述第一部分。
19.一種制造電路的方法，包括以下步驟將第一導(dǎo)電材料層淀積到基板的第一表面上；將第二導(dǎo)電材料層淀積到所述基板的第二表面上；選擇性地蝕刻所述第一導(dǎo)電材料層的一部分；選擇性地蝕刻所述第二導(dǎo)電材料層的一部分；在預(yù)定位置上對所述基板打孔；以及將所述第一導(dǎo)電材料層與所述第二導(dǎo)電材料層電耦合起來。
20.一種具有透明和常規(guī)電路部分的電路平臺(tái)，包括基板，其至少一部分是透明的；以第一預(yù)定圖案設(shè)置在所述基板上的第一導(dǎo)電材料層；以及以第二預(yù)定圖案設(shè)置在所述第一導(dǎo)電材料上的第二導(dǎo)電材料層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電路平臺(tái)，其中所述第一導(dǎo)電材料層基本上是透明的。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電路平臺(tái)，其中所述第二導(dǎo)電材料是常規(guī)的導(dǎo)電材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電路平臺(tái)，還包括以第三預(yù)定圖案設(shè)置在所述第二導(dǎo)電材料上的第三導(dǎo)電材料層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電路平臺(tái)，其中所述第二導(dǎo)電材料層基本上是透明的。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電路平臺(tái)，其中所述第三導(dǎo)電材料是常規(guī)的導(dǎo)電材料。
全文摘要
透明導(dǎo)電材料層設(shè)置在基板的表面上。其它導(dǎo)電材料層淀積在透明導(dǎo)電材料層上或基板的相反側(cè)上。選擇性地蝕刻這些層，從而制成用于安裝電元件的焊盤和形成電路的導(dǎo)電跡線的布圖。
文檔編號(hào)G06F3/023GK1809799SQ200480017372
公開日2006年7月26日 申請日期2004年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月22日
發(fā)明者戴維·W·考德威爾, 邁克爾·喬恩·泰勒, 邁克爾·L·馬歇爾 申請人:觸摸傳感器技術(shù)有限責(zé)任公司