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一種驅動閃存的方法及其裝置的制作方法

文檔序號:6515018閱讀:370來源:國知局
專利名稱:一種驅動閃存的方法及其裝置的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種驅動存儲器的方法及其裝置,特別是涉及一種驅動閃存的方法及其裝置。
背景技術
在許多電子產品中,其內部均裝設閃存裝置,使其于電源關閉后,儲存在內的數(shù)據不會流失。如數(shù)字相機、個人數(shù)字助理(Personal DigitalAssistant,PDA)等等,均需藉閃存裝置,如存儲卡以儲存圖片或數(shù)據。
圖1繪示為傳統(tǒng)的閃存裝置的示意圖。閃存裝置100包括閃存120及閃存控制器110。閃存120用以儲存數(shù)據信號Da。閃存控制器110控制數(shù)據data及數(shù)據信號Da的傳輸,如根據數(shù)據data輸出數(shù)據信號Da以儲存于閃存120,或自閃存120讀取數(shù)據信號Da,再轉為數(shù)據data輸出。閃存控制器110并藉控制訊號Sc0控制閃存120以完成數(shù)據信號Da的存取操作。閃存控制器110為了驅動閃存120,需事先將閃存120的全部讀寫參數(shù)寫入閃存控制器110中,例如數(shù)據傳輸寬度(Data bus)、存儲器頁面大小(PageSize)、存儲器實際容量及數(shù)據傳輸速度等等。然而,閃存120的讀寫參數(shù)定義于閃存控制器110的內部固件,當閃存裝置100需置換不同的閃存時,需更新固件程序代碼及硬件設定等等。不但使閃存控制器110所支持的閃存的種類有限,更改及重新驗證的操作既耗時且相對增加研發(fā)成本。
圖2示出了另一傳統(tǒng)閃存裝置的示意圖。閃存裝置200包括閃存控制器210、閃存220及儲存裝置230。閃存220用以儲存數(shù)據信號Da1。閃存控制器210控制數(shù)據data1及數(shù)據信號Da1的傳輸,如根據數(shù)據data1輸出數(shù)據信號Da1以儲存于閃存220,或自閃存220讀取數(shù)據信號Da1,再轉為數(shù)據data1輸出。閃存控制器210并藉控制訊號Sc1控制閃存220以完成數(shù)據信號Da1的存取操作。為解決前述的閃存裝置100的問題,閃存裝置200中增加儲存裝置230以儲存閃存220的讀寫參數(shù)Pa。雖然解決了置換閃存220時,需更改閃存控制器210的固件及內部設定的問題,但再增加一個儲存裝置,相對增加制造成本。

發(fā)明內容
有鑒于此,本發(fā)明的目的是提供一種閃存裝置及其檢測與設定閃存的讀寫參數(shù)的方法。其將閃存的基本讀寫參數(shù)以腳位的電壓電平定義出后,再由所控制的閃存中得到詳細讀寫參數(shù),以完全驅動閃存。
根據本發(fā)明的目的,提供一種驅動閃存的方法,此方法用于閃存裝置。閃存裝置中包括閃存控制器及閃存,這個方法是在重置的狀態(tài)下,以閃存控制器檢測閃存控制器的參數(shù)定義腳位的電壓電平。之后,閃存控制器根據參數(shù)定義腳位的電壓電平來定義閃存的基本讀寫參數(shù)。再者,閃存控制器再根據基本讀寫參數(shù)對閃存進行基本讀取操作。于是,閃存控制器便接收來自閃存的詳細讀寫參數(shù),閃存控制器則根據基本讀寫參數(shù)及詳細讀寫參數(shù)來驅動閃存。
根據本發(fā)明的另一目的,提供一種閃存裝置。閃存裝置包括閃存與閃存控制器。閃存控制器用以控制閃存的存取操作。閃存控制器于重置狀態(tài)時,根據本身的參數(shù)定義腳位的電壓電平定義閃存的基本讀寫參數(shù),閃存控制器便根據這些基本讀寫參數(shù)來對閃存進行基本讀取操作,且自閃存中接收閃存的詳細讀寫參數(shù)。然后,閃存控制器便根據基本讀寫參數(shù)及詳細讀寫參數(shù)來驅動閃存。
為使本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉一較佳實施例,并結合附圖詳細說明如下。


圖1示出了第一種傳統(tǒng)閃存裝置的示意圖。
圖2示出了第二種傳統(tǒng)閃存裝置的示意圖。
圖3示出了依照本發(fā)明一較佳實施例的閃存裝置的示意圖。
圖4示出了依照本發(fā)明一較佳實施例的檢測閃存的讀寫參數(shù)的方法的流程圖附圖符號說明100、200閃存裝置
110、210、310閃存控制器120、220、320閃存230儲存裝置300依本發(fā)明提出的閃存裝置321特定數(shù)據區(qū)塊具體實施方式
請參照圖3,其示出了依照本發(fā)明一較佳實施例的閃存裝置的示意圖。閃存裝置300包括閃存控制器310及閃存320。閃存320用以儲存數(shù)據信號Da2。閃存320包括特定數(shù)據區(qū)塊321以儲存閃存320的詳細讀寫參數(shù)Pd。閃存控制器310控制數(shù)據data2及數(shù)據信號Da2的傳輸,如根據數(shù)據data2輸出數(shù)據信號Da2以儲存于閃存320,或自閃存320讀取數(shù)據信號Da2,再轉為數(shù)據data2輸出。閃存控制器310并藉控制訊號Sc2以控制閃存320的存取操作。
閃存控制器310包括多個參數(shù)定義腳位,閃存控制器310在重置(RESET)的狀態(tài)下,閃存控制器310檢測參數(shù)定義腳位的電壓電平,來定義閃存320的基本讀寫參數(shù)?;咀x寫參數(shù)例如包括數(shù)據傳輸寬度(Data bus)參數(shù)、存儲器頁面大小(Page Size)參數(shù)、邏輯門模式參數(shù)及存儲器工作電壓參數(shù)。數(shù)據傳輸寬度參數(shù)用來決定閃存320的數(shù)據傳輸寬度為8字節(jié)或16字節(jié)。存儲器頁門大小參數(shù)用以決定閃存320存取數(shù)據時的數(shù)據單位大小為512K字節(jié)或1024K字節(jié)。邏輯門模式參數(shù)用來決定閃存320的邏輯門模式,如與邏輯門(AND GATE)或與非邏輯門(NAND GATE)。存儲器工作電壓參數(shù)則用以決定閃存320的工作電壓,如1.8伏特或3.3伏特。
閃存控制器310再根據基本讀寫參數(shù)對閃存320進行基本讀取操作,以從閃存320中的特定數(shù)據區(qū)塊321接收詳細讀寫參數(shù)Pd。此時閃存控制器310僅以基本讀寫參數(shù)控制閃存320,因此并未使閃存320達到最快的工作速度。詳細讀寫參數(shù)例如包括存儲器實際容量參數(shù)、讀取周期參數(shù)(Readcycle timing)及寫入周期參數(shù)(Write cycle timing)。讀取周期參數(shù)用以決定閃存320的讀取工作周期。寫入周期參數(shù)用以決定閃存320的寫入工作周期。存儲器實際容量參數(shù)則用以決定閃存320實際的容量大小。而后,閃存控制器310便根據基本讀寫參數(shù)及詳細讀寫參數(shù)Pd以完全驅動閃存320,例如使閃存320以本身最高的存取速率工作。
請參照圖4,其示出了依照本發(fā)明一較佳實施例的閃存的檢測方法流程圖。閃存檢測方法流程圖中包括五個步驟首先如步驟41所示,閃存控制器310在重置的狀態(tài)下檢測參數(shù)定義腳位的電壓電平。然后如步驟42所示,根據參數(shù)定義腳位的電壓電平來定義基本讀寫參數(shù),例如包括數(shù)據傳輸寬度參數(shù)、存儲器頁面大小參數(shù)、邏輯門模式參數(shù)及存儲器工作電壓參數(shù)。之后如步驟43所示,根據基本讀寫參數(shù)對閃存320進行基本讀取操作。接著如步驟44所示,自閃存320中接受詳細讀寫參數(shù)Pd,例如包括存儲器實際容量參數(shù)、讀取周期參數(shù)及寫入周期參數(shù)。最后如步驟45所示,根據基本讀寫參數(shù)與詳細讀寫參數(shù)來完全驅動閃存300,使閃存300以最高的工作速率進行存取。
在本實施例中,當閃存控制器310于Reset階段,參數(shù)定義腳位的電平對閃存320而言,并無實際功效,相對于閃存控制器310而言,則可設定閃存320的基本讀寫參數(shù),以基本存取閃存320。當閃存控制器310與閃存320有信號傳輸時,即非重置狀態(tài)時,參數(shù)定義腳位用以傳輸數(shù)據,例如閃存控制器310以參數(shù)定義腳位輸出控制訊號Sc2至閃存320。參數(shù)定義腳位利用于閃存裝置300的電路板上,分別以上拉(pull-up)電阻或下拉(pull-down)電阻設定于重置時參數(shù)定義腳位的電壓電平。參數(shù)定義腳位例如包括參數(shù)定義腳位A至腳位D,以分別定義數(shù)據傳輸寬度參數(shù),存儲器頁面大小參數(shù),邏輯門模式參數(shù)及存儲器工作電壓參數(shù)。
本發(fā)明上述實施例所披露的一種驅動閃存的方法及其裝置,若要置換不同閃存時,不再需要更新閃存控制器的固件或是額外增加儲存裝置,可避免上述更改及重新驗證的操作所耗費的時間與成本。
綜上所述,雖然本發(fā)明已以一較佳實施例披露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下,可作各種的更動與潤飾,因此本發(fā)明的保護范圍以本發(fā)明的權利要求為準。
權利要求
1.一種驅動存儲器的方法,該方法用于一存儲器裝置,該存儲器裝置包括一存儲器控制器及一存儲器,該方法包括當該存儲器裝置為重置的狀態(tài)下,該存儲器控制器檢測該存儲器控制器的一參數(shù)定義腳位的電壓電平;該存儲器控制器根據該參數(shù)定義腳位的電壓電平以定義該存儲器的一基本讀寫參數(shù);該存儲器控制器根據該基本讀寫參數(shù)對該存儲器進行基本讀取操作;以及該存儲器控制器自該存儲器中接收一詳細讀寫參數(shù),該存儲器控制器根據該基本讀寫參數(shù)及該詳細讀寫參數(shù)以驅動該存儲器。
2.如權利要求1所述的方法,其中該存儲器為一閃存。
3.如權利要求1所述的方法,其中該存儲器包括一特定數(shù)據區(qū)塊,用以儲存該存儲器的該詳細讀寫參數(shù)。
4.如權利要求1所述的方法,其中該基本讀寫訊號參數(shù)包括一數(shù)據傳輸寬度參數(shù),用以定義該存儲器的數(shù)據傳輸寬度;一存儲器頁面大小參數(shù),用以定義該存儲器存取數(shù)據時的數(shù)據單位大?。患耙贿壿嬮T模式參數(shù),用以定義該存儲器的邏輯門型式為NAND形式或是AND形式。
5.如權利要求4所述的方法,其中該基本讀寫參數(shù)還包括一存儲器工作電壓參數(shù),該存儲器工作電壓參數(shù)用以定義該存儲器的工作電壓。
6.如權利要求1所述的方法,其中該詳細讀寫訊號參數(shù)包括一讀取周期參數(shù)、一寫入周期參數(shù)以及一存儲器實際容量參數(shù)。
7.如權利要求1所述的方法,其中該參數(shù)定義腳位為一初始化狀態(tài)選擇腳位。
8.如權利要求1所述的方法,其中該參數(shù)定義腳位符合一般用途輸出輸入通道的規(guī)格。
9.一種存儲器裝置包括一存儲器,用以存取一數(shù)據;以及一存儲器控制器,用以控制該存儲器,該存儲器控制器包括一參數(shù)定義腳位,該存儲器裝置于重置狀態(tài)時,根據該參數(shù)定義腳位的電壓電平以定義該存儲器的一基本讀寫參數(shù),該存儲器控制器根據該基本讀寫參數(shù)以對該存儲器進行基本讀取操作;其中該存儲器控制器對該存儲器進行基本讀取操作時,自該存儲器中接收該存儲器的一詳細讀寫參數(shù),該存儲器控制器根據該基本讀寫參數(shù)及該詳細讀寫參數(shù)以驅動該存儲器。
10.如權利要求9所述的裝置,其中該存儲器為一閃存。
11.如權利要求9所述的裝置,其中該存儲器包括一特殊數(shù)據區(qū)塊,該特殊數(shù)據區(qū)塊用以儲存該存儲器的該詳細讀寫參數(shù)。
12.如權利要求9所述的裝置,其中該存儲器的該基本讀寫參數(shù)包括一數(shù)據傳輸寬度參數(shù),用以定義該存儲器的數(shù)據傳輸寬度;一存儲器頁面大小參數(shù),用以定義該存儲器存取數(shù)據時的數(shù)據單位大??;及一邏輯門模式參數(shù),用以定義該存儲器的邏輯門型式為NAND形式或是AND形式。
13.如權利要求12所述的裝置,其中該基本讀寫參數(shù)還包括一存儲器工作電壓參數(shù),該存儲器工作電壓參數(shù)用以定義該存儲器的工作電壓。
14.如權利要求9所述的裝置,其中該詳細讀寫參數(shù)包括一讀取周期參數(shù)、一寫入周期參數(shù)以及一存儲器實際容量參數(shù)。
15.如權利要求9所述的裝置,其中該參數(shù)定義腳位為一初始化狀態(tài)選擇腳位。
16.如權利要求9所述的裝置,其中該參數(shù)定義腳位符合一般用途輸出輸入信道的規(guī)格。
全文摘要
一種驅動閃存的方法及其閃存裝置。閃存裝置包括閃存控制器以及閃存。首先,利用閃存控制器在重置狀況下,檢測閃存控制器的參數(shù)定義腳位的電壓電平,以獲得閃存的基本讀寫參數(shù)。然后,以閃存控制器根據基本讀寫參數(shù)對閃存做基本讀取操作。之后,至閃存的特定數(shù)據區(qū)塊讀取詳細讀寫參數(shù)。最后,依據閃存的基本讀寫參數(shù)與詳細讀寫參數(shù)來驅動閃存。
文檔編號G06F13/00GK1648883SQ20051000795
公開日2005年8月3日 申請日期2005年2月4日 優(yōu)先權日2005年2月4日
發(fā)明者江晉毅, 曾俊華 申請人:威盛電子股份有限公司
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