專利名稱：用于從存儲器訪問關(guān)鍵數(shù)據(jù)的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種用于安全地從存儲器訪問關(guān)鍵數(shù)據(jù)的系統(tǒng)和方法；特別涉及一種用于確保在系統(tǒng)通電時(shí)無錯(cuò)誤地訪問在存儲器中存儲的關(guān)鍵數(shù)據(jù)的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
在幾乎每一個(gè)具有處理器和存儲器的處理設(shè)備中，處理器通過訪問用于適當(dāng)?shù)貙?dǎo)通和操作連接到該處理器的組件的控制數(shù)據(jù)，而控制該設(shè)備。一般地，使用存儲器的預(yù)分配區(qū)域來存儲對于操作處理設(shè)備至關(guān)重要的數(shù)據(jù)，例如，存儲在存儲器的引導(dǎo)塊區(qū)域中以便在導(dǎo)通該設(shè)備時(shí)由處理器訪問的BIOS代碼、引導(dǎo)代碼、以及其它系統(tǒng)導(dǎo)通數(shù)據(jù)。在引導(dǎo)代碼的情況下，在該設(shè)備被通電時(shí)，處理器首先訪問存儲器的引導(dǎo)塊中的引導(dǎo)代碼。在通電時(shí)，通過執(zhí)行從存儲器檢索的引導(dǎo)代碼，而“引導(dǎo)”諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)的處理設(shè)備。在從電源獲得電力的設(shè)備或系統(tǒng)中，存在典型為數(shù)百微秒的電力“斜線上升”以使電源達(dá)到全工作電壓。如果在電源達(dá)到全工作電壓之前從存儲器讀取數(shù)據(jù)，則可能不正確地讀取數(shù)據(jù)。在這樣的情況下，在引導(dǎo)操作期間將有可能發(fā)生錯(cuò)誤，并且該設(shè)備或系統(tǒng)不能被正確地啟動(dòng)。
避免由于在全電壓之前從存儲器訪問引導(dǎo)代碼而造成的引導(dǎo)操作錯(cuò)誤的一種提議是利用延遲電路或振蕩器的有意(intentional)延遲，以將引導(dǎo)代碼的存儲器訪問延遲預(yù)定的時(shí)間量從而允許電源在存儲器訪問之前達(dá)到全工作電壓。然而，如果延遲時(shí)間的設(shè)置太長，則“引導(dǎo)”處理設(shè)備所需的時(shí)間量增大，而如果預(yù)定延遲太短，則電源電壓可能尚未達(dá)到全工作電壓，并且從存儲器的數(shù)據(jù)訪問可能由于電壓不足而出錯(cuò)。此外，由于電壓導(dǎo)通速率針對每個(gè)電源是不同的，因此可能難以預(yù)置某個(gè)預(yù)定延遲時(shí)間。
因此，需要一種用于不管電源導(dǎo)通的差異而安全地從存儲器訪問數(shù)據(jù)的設(shè)備或方法。
發(fā)明內(nèi)容
提供了一種存儲器系統(tǒng)，其包括主存儲器，存儲主數(shù)據(jù)和參考數(shù)據(jù)；第一存儲裝置，存儲參考數(shù)據(jù)；以及控制器，當(dāng)接收到加電信號時(shí)從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)，并且當(dāng)測試出從主存儲器檢索的參考數(shù)據(jù)與第一存儲裝置中的參考數(shù)據(jù)相同時(shí)，將主數(shù)據(jù)裝載到第二存儲裝置中。第一存儲裝置是寄存器，并且第二存儲裝置是RAM。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，主數(shù)據(jù)包括引導(dǎo)代碼。參考數(shù)據(jù)是預(yù)先裝載在主存儲器和第一存儲裝置中的預(yù)定代碼。主存儲器是非易失性存儲器。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，主存儲器是閃存，并且還優(yōu)選地是NAND類型。參考數(shù)據(jù)被預(yù)先存儲在一次性可編程(OTP)塊中。
根據(jù)另一方面，第一存儲裝置被嵌入在控制器中，控制器和主存儲器被嵌入在單個(gè)芯片內(nèi)，或者存儲器系統(tǒng)被安設(shè)在存儲卡上。
還提供了一種電路，其包括存儲器，具有預(yù)先存儲的引導(dǎo)代碼和參考數(shù)據(jù)；以及控制器，具有包含預(yù)先存儲的參考數(shù)據(jù)的寄存器，其中在通電時(shí)，控制器從存儲器訪問參考數(shù)據(jù)，并且比較所訪問的參考數(shù)據(jù)與存儲在寄存器中的參考數(shù)據(jù)，并且如果從存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)與寄存器中的相同，則將引導(dǎo)代碼裝載到引導(dǎo)RAM中。
該電路還包括延遲電路，在通電時(shí)將訪問參考數(shù)據(jù)延遲給定的時(shí)間周期。延遲電路是振蕩器，其中預(yù)定延遲時(shí)間周期是大約100到200微秒。存儲器優(yōu)選地是非易失性存儲器，其可以是閃存，并且為NAND類型。該電路優(yōu)選地被集成在單個(gè)芯片中。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種裝載數(shù)據(jù)的方法，包括在主存儲器中存儲主數(shù)據(jù)和參考數(shù)據(jù)；在第一存儲裝置中存儲參考數(shù)據(jù)；當(dāng)接收到加電信號時(shí)，從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)；比較第一存儲裝置中的參考數(shù)據(jù)與從主存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)；以及如果第一存儲裝置中的參考數(shù)據(jù)與從主存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)相同，則將主數(shù)據(jù)裝載到第二存儲裝置中，其中主存儲器是非易失性存儲器或NAND閃存，第一存儲裝置是寄存器，并且第二存儲裝置是RAM，其中參考數(shù)據(jù)被存儲在一次性可編程(OTP)塊中。
優(yōu)選地，主數(shù)據(jù)包括引導(dǎo)代碼，其中主數(shù)據(jù)和參考數(shù)據(jù)被預(yù)先裝載在主存儲器中，參考數(shù)據(jù)被預(yù)先裝載在第一存儲裝置中，并且在通電時(shí)生成加電信號。
該方法還包括如果從主存儲器檢索的參考數(shù)據(jù)不同于第一存儲裝置中的參考數(shù)據(jù)，則從主存儲器重新訪問參考數(shù)據(jù)。
根據(jù)另一種引導(dǎo)非易失性存儲器的方法，其包括在主存儲器中預(yù)先存儲引導(dǎo)代碼和參考數(shù)據(jù)；在寄存器中預(yù)先存儲參考數(shù)據(jù)；在通電時(shí)從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)；比較寄存器中的參考數(shù)據(jù)與從主存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)；以及如果寄存器中的參考數(shù)據(jù)與從主存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)相同，則將引導(dǎo)代碼裝載到引導(dǎo)RAM中，而如果不同，則重復(fù)從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)并將其與寄存器中的參考數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。
通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會理解本發(fā)明的特性，其中相同的單元以相同的標(biāo)號表示圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的方框圖。
圖2是圖1的系統(tǒng)的操作的圖示。
圖3是圖示了圖2的存儲器系統(tǒng)的操作的示例性過程的流程圖。
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的方框圖。
圖5是圖4的存儲器系統(tǒng)的操作的圖示。
圖6是示出了圖4的存儲器系統(tǒng)的操作的示例性過程的流程圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的方框圖。
圖8是圖示了圖7的存儲器系統(tǒng)的操作的示例性過程的流程圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的方框圖。
圖10是圖示了圖9的存儲器系統(tǒng)的操作的示例性過程的流程圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的方框圖。參照圖1，存儲器系統(tǒng)10包括存儲器100、控制器300和參考數(shù)據(jù)存儲裝置200。存儲器100具有用于存儲主數(shù)據(jù)的主區(qū)域101，其中主數(shù)據(jù)是對于存儲器系統(tǒng)的操作至關(guān)重要的數(shù)據(jù)。主數(shù)據(jù)的例子是引導(dǎo)代碼、BIOS代碼、或操作系統(tǒng)代碼等。存儲器101還包括用于存儲測試數(shù)據(jù)(以下稱作“偽數(shù)據(jù)”)的偽區(qū)域102，其中測試數(shù)據(jù)是用于如下面進(jìn)一步描述的那樣測試所施加電壓的準(zhǔn)備就緒(readiness)的數(shù)據(jù)。偽數(shù)據(jù)也被存儲在參考數(shù)據(jù)存儲裝置200中?？刂破?00包括處理器(未示出)，其用于控制存儲器系統(tǒng)的操作，包括從存儲器100并從參考數(shù)據(jù)存儲裝置200檢索數(shù)據(jù)。當(dāng)首次導(dǎo)通存儲器系統(tǒng)10時(shí)，或者當(dāng)存在通電復(fù)位操作時(shí)，將電壓Vcc從電源提供給存儲器系統(tǒng)10。如同在大多數(shù)處理設(shè)備中一樣，在通電時(shí)，控制器300從存儲器100檢索諸如引導(dǎo)代碼的操作系統(tǒng)代碼，以引導(dǎo)存儲器系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例，參考數(shù)據(jù)存儲裝置200被預(yù)先存儲了存儲在存儲器100的偽區(qū)域102中的相同偽數(shù)據(jù)。在導(dǎo)通或通電復(fù)位(POR)時(shí)，控制器300從存儲器100的偽區(qū)域102檢索偽數(shù)據(jù)，并且對所檢索的偽數(shù)據(jù)與還預(yù)先存儲在參考數(shù)據(jù)存儲裝置200中的偽數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。如果從存儲器100的偽區(qū)域102檢索的偽數(shù)據(jù)與從參考數(shù)據(jù)存儲裝置200檢索的偽數(shù)據(jù)相同，則該比較將輸出真比較。如果提供給存儲器系統(tǒng)的電壓Vcc還沒有達(dá)到足夠的電壓電平，則從存儲器100的偽區(qū)域102檢索的偽數(shù)據(jù)將不正確，并且該比較將不產(chǎn)生真輸出。在該比較產(chǎn)生假輸出時(shí)，控制器300重復(fù)偽數(shù)據(jù)的檢索和比較過程，直到該比較操作表示從存儲器100檢索的偽數(shù)據(jù)與存儲在參考數(shù)據(jù)存儲裝置200中的偽數(shù)據(jù)相同為止。真比較表示在存儲器系統(tǒng)處施加的電壓Vcc達(dá)到了全電壓，或者無論如何達(dá)到了對于從存儲器100正確地檢索數(shù)據(jù)是足夠的電壓電平。然后，由控制器300檢索存儲器100的主區(qū)域101中的主數(shù)據(jù)。
圖2是由圖1的存儲器系統(tǒng)10執(zhí)行的主數(shù)據(jù)檢索過程的圖示。如圖2所示，在發(fā)生例如來自POR操作的加電信號時(shí)，從存儲器100反復(fù)地裝載偽數(shù)據(jù)，直到比較出偽數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)相同為止，然后從存儲器100檢索主數(shù)據(jù)。主數(shù)據(jù)檢索可在所施加的電壓Vcc達(dá)到全工作電壓的同時(shí)的時(shí)刻1a、或者在Vcc達(dá)到了全工作電壓之后的時(shí)刻2a、或者在Vcc達(dá)到全工作電壓之前的3a開始，只要比較出從存儲器100檢索的偽數(shù)據(jù)與預(yù)先存儲在參考數(shù)據(jù)存儲裝置200中的偽數(shù)據(jù)相同即可。該過程確保存儲器系統(tǒng)10在Vcc以足夠的所施加電壓正確地工作，使得在裝載關(guān)鍵數(shù)據(jù)之前從存儲器100檢索的數(shù)據(jù)沒有錯(cuò)誤。
再次參照圖1，參考數(shù)據(jù)存儲裝置200可以是任何數(shù)據(jù)存儲裝置，例如寄存器、RAM、ROM等。參考數(shù)據(jù)存儲裝置200可以在控制器300內(nèi)，或者連接到控制器300。存儲器100可以是易失性或非易失性存儲器，例如RAM、ROM或閃存。
圖3是示出了使用圖1的存儲器系統(tǒng)裝載主數(shù)據(jù)的示例性過程的流程圖。在通電復(fù)位時(shí)，將輸入電源電壓Vcc施加到存儲器系統(tǒng)10(S100)。在導(dǎo)通或發(fā)生POR信號時(shí)，電源斜線上升以提供電壓Vcc(S110)?？刂破?00從偽區(qū)域102檢索偽數(shù)據(jù)(S200)?？刂破?00檢索存儲在參考數(shù)據(jù)存儲裝置200中的偽數(shù)據(jù)，并且比較這兩個(gè)偽數(shù)據(jù)，以確定它們是否相同(S300)；如果這兩個(gè)偽數(shù)據(jù)不相同，則輸出假比較，并且從存儲器100的偽區(qū)域102再次檢索偽數(shù)據(jù)，并且將新檢索的偽數(shù)據(jù)與從參考數(shù)據(jù)存儲裝置200檢索的偽數(shù)據(jù)再次進(jìn)行比較。重復(fù)該裝載和比較過程，直到該比較通過真比較輸出而表示這兩個(gè)偽數(shù)據(jù)相同為止。然后，從存儲器100的主區(qū)域101裝載或檢索主數(shù)據(jù)(S400)。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)。對于本實(shí)施例，引入了延遲電路400，存儲器系統(tǒng)20的其它組件包括存儲器100、控制器300和參考數(shù)據(jù)存儲裝置200。除了延遲電路用來將電壓Vcc的施加延遲由延遲電路400設(shè)置的預(yù)定時(shí)間之外，這些組件具有與圖1相同的標(biāo)號，并且其操作和功能與上面關(guān)于圖1所述相同。因此，直到該時(shí)間延遲過去之后才開始從存儲器100檢索偽數(shù)據(jù)。存儲器系統(tǒng)20優(yōu)選地被安設(shè)在存儲卡上。
圖5是由圖4的存儲器系統(tǒng)20執(zhí)行的主數(shù)據(jù)檢索過程的圖示。如圖5所示，在發(fā)生例如來自POR操作的加電信號時(shí)，施加輸入的電源電壓，并且Vcc斜線上升。在由延遲電路400設(shè)置的持續(xù)期的時(shí)間延遲之后，從存儲器100反復(fù)地裝載偽數(shù)據(jù)，直到比較出該偽數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)相同為止，然后從存儲器100檢索主數(shù)據(jù)。根據(jù)該實(shí)施例，直到該延遲時(shí)間周期之后才開始偽數(shù)據(jù)檢索，但是主數(shù)據(jù)檢索可在所施加的電壓Vcc達(dá)到全工作電壓的同時(shí)的時(shí)間1b、或者在該Vcc達(dá)到了全工作電壓之后的時(shí)間2b、或者在該Vcc達(dá)到了全工作電壓之前的3b開始，只要比較出從存儲器100檢索的偽數(shù)據(jù)與預(yù)先存儲在參考數(shù)據(jù)存儲裝置200中的偽數(shù)據(jù)相同即可。根據(jù)本實(shí)施例使用延遲電路減少了檢索和比較過程的重復(fù)次數(shù)，同時(shí)確保存儲器系統(tǒng)10在Vcc以足夠的所施加電壓適當(dāng)?shù)夭僮?，使得在裝載關(guān)鍵數(shù)據(jù)之前從存儲器100檢索的數(shù)據(jù)沒有錯(cuò)誤。延遲電路優(yōu)選地由振蕩器、阻-容(RC)時(shí)間常數(shù)網(wǎng)絡(luò)或線延遲實(shí)現(xiàn)。時(shí)間延遲優(yōu)選地為大約100到200微秒。
圖6是示出了使用圖4的存儲器系統(tǒng)裝載主數(shù)據(jù)的示例性過程的流程圖。在通電復(fù)位時(shí)，將輸入的電源電壓Vcc施加到存儲器系統(tǒng)20(S100)。在導(dǎo)通或發(fā)生POR信號時(shí)，電源斜線上升以提供電壓Vcc(S110)。由延遲電路400將電壓Vcc的施加延遲預(yù)定的持續(xù)時(shí)間(S120)。然后，控制器300從偽區(qū)域102檢索偽數(shù)據(jù)(S200)?？刂破?00檢索存儲在參考數(shù)據(jù)存儲裝置200中的偽數(shù)據(jù)，并且比較這兩個(gè)偽數(shù)據(jù)以確定它們是否相同(S300)；如果這兩個(gè)偽數(shù)據(jù)不相同，則輸出假比較，并且從存儲器100的偽區(qū)域102再次檢索偽數(shù)據(jù)，并且將新檢索的偽數(shù)據(jù)與從參考數(shù)據(jù)存儲裝置200檢索的偽數(shù)據(jù)再次進(jìn)行比較。重復(fù)該裝載和比較過程，直到該比較通過真比較輸出而表示這兩個(gè)偽數(shù)據(jù)相同為止。然后，從存儲器100的主區(qū)域101裝載或檢索主數(shù)據(jù)(S400)。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)30的方框圖。參照圖7，存儲器系統(tǒng)30包括閃存110、通電復(fù)位電路330、存儲器控制器310、寄存器210、以及引導(dǎo)RAM 320。
閃存110優(yōu)選地為NAND類型，其具有包含多個(gè)塊即引導(dǎo)塊、塊1-塊n、以及一次性可編程(OTP)塊的存儲單元陣列120。引導(dǎo)塊121典型地用于存儲處理器為執(zhí)行引導(dǎo)操作而訪問的引導(dǎo)代碼。OTP塊122典型地用于存儲閃存的用戶期望ID(例如，制造商的序列號、制造日期、或安全性數(shù)據(jù))。OTP數(shù)據(jù)在OTP塊中僅被編程一次。根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例，偽數(shù)據(jù)可被存儲在閃存110的OTP塊122以及寄存器210中。存儲器控制器310在引導(dǎo)操作期間控制存儲器系統(tǒng)30的所有操作。為了在施加電源電壓(Vcc)并由POR電路330對存儲器系統(tǒng)30加電之后安全地裝載引導(dǎo)代碼，存儲器控制器310在裝載引導(dǎo)代碼之前反復(fù)地裝載OTP(偽)數(shù)據(jù)。將OTP數(shù)據(jù)與存儲在寄存器210中的參考數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。如果OTP數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)相同，則存儲器控制器310裝載引導(dǎo)塊121中的引導(dǎo)代碼，并且將所裝載的引導(dǎo)代碼傳輸?shù)揭龑?dǎo)RAM320。引導(dǎo)RAM 320存儲從NAND閃存110傳輸?shù)囊龑?dǎo)代碼。主機(jī)訪問在引導(dǎo)RAM 320中存儲的引導(dǎo)代碼，以執(zhí)行引導(dǎo)操作。
圖8是示出了引導(dǎo)圖7所示的存儲器系統(tǒng)30的步驟的流程圖。將電源電壓(Vcc)施加到存儲器系統(tǒng)30(S100)。如果由POR電路330對存儲器系統(tǒng)30加電(S110)，則存儲器控制器310裝載OTP塊122中的OTP數(shù)據(jù)(S210)。存儲器控制器310檢查OTP數(shù)據(jù)是否與存儲在寄存器210中的參考數(shù)據(jù)相同(S310)。如果OTP數(shù)據(jù)與參考數(shù)據(jù)不同，則存儲器控制器310重新裝載OTP塊122中的OTP數(shù)據(jù)。當(dāng)反復(fù)地裝載OTP數(shù)據(jù)的時(shí)候，電源電壓由POR電路330而斜線上升至全電壓。任何公知的加電電路可用作將電壓Vcc施加到存儲器控制器310的POR電路。一旦所施加的電壓Vcc達(dá)到對于正確地操作存儲器系統(tǒng)30的組件是足夠的電壓電平，將比較出從閃存110檢索的OTP數(shù)據(jù)與存儲在寄存器210中的參考(偽)數(shù)據(jù)相同。然后，存儲器控制器310裝載引導(dǎo)塊121中的引導(dǎo)代碼(S410)。將由存儲器控制器310裝載的引導(dǎo)代碼傳輸?shù)揭龑?dǎo)RAM 320(S510)。主機(jī)訪問存儲在引導(dǎo)RAM 320中的引導(dǎo)代碼，以執(zhí)行引導(dǎo)操作(S610)。
圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的方框圖。該存儲器系統(tǒng)40包括具有與圖7所示相同的標(biāo)號的組件。這些組件執(zhí)行與圖7所述相同的操作和功能。根據(jù)本實(shí)施例，存儲器系統(tǒng)40還包括振蕩器340，其用于延遲電壓Vcc的施加，因此也將OTP偽數(shù)據(jù)的檢索延遲預(yù)定的時(shí)間。振蕩器340提供與如圖4所述的延遲電路400相同的功能。根據(jù)本實(shí)施例的另一方面，包括NAND閃存110、引導(dǎo)RAM 320、寄存器210、振蕩器340以及存儲器控制器310的存儲器系統(tǒng)40優(yōu)選地被集成在單個(gè)芯片中。
圖10是示出了引導(dǎo)圖9所示的存儲器系統(tǒng)40的步驟的流程圖。在存儲器系統(tǒng)40中，由主機(jī)執(zhí)行的引導(dǎo)代碼裝載操作和引導(dǎo)操作與上面關(guān)于圖8所述相同。在加電步驟(S110)與OTP數(shù)據(jù)裝載步驟(S200)之間包括了延遲OTP數(shù)據(jù)裝載的步驟(S120)。振蕩器340的預(yù)定延遲時(shí)間優(yōu)選地在100到200微秒之間。
這樣描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例之后，應(yīng)當(dāng)理解，由于在不脫離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神或范圍的情況下，其很多明顯的變更是可能的，因此由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明不局限于在上面對示例性實(shí)施例的描述中闡述的特定細(xì)節(jié)。
權(quán)利要求
1.一種存儲器系統(tǒng)，包括主存儲器，存儲主數(shù)據(jù)和參考數(shù)據(jù)；第一存儲裝置，存儲參考數(shù)據(jù)；以及控制器，當(dāng)接收到加電信號時(shí)從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)，并且當(dāng)測試出從主存儲器檢索的參考數(shù)據(jù)與第一存儲裝置中的參考數(shù)據(jù)相同時(shí)，將主數(shù)據(jù)裝載到第二存儲裝置中。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中該主數(shù)據(jù)包括引導(dǎo)代碼。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中該參考數(shù)據(jù)是預(yù)先裝載在主存儲器和第一存儲裝置中的預(yù)定代碼。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中該主存儲器是非易失性存儲器。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲器系統(tǒng)，其中該參考數(shù)據(jù)被預(yù)先存儲在一次性可編程(OTP)塊中。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中該主存儲器是閃存。
7.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中第一存儲裝置是寄存器，并且第二存儲裝置是RAM。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中第一存儲裝置被嵌入在控制器中。
9.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中控制器和主存儲器被嵌入在單個(gè)芯片內(nèi)。
10.如權(quán)利要求1所述的存儲器系統(tǒng)，其中存儲器系統(tǒng)被安設(shè)在存儲卡上。
11.一種電路，包括存儲器，具有預(yù)先存儲的引導(dǎo)代碼和參考數(shù)據(jù)；以及控制器，具有包含預(yù)先存儲的參考數(shù)據(jù)的寄存器，其中在通電時(shí)，控制器從存儲器訪問參考數(shù)據(jù)，并且比較所訪問的參考數(shù)據(jù)與存儲在寄存器中的參考數(shù)據(jù)，并且如果從存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)與寄存器中的參考數(shù)據(jù)相同，則將引導(dǎo)代碼裝載到引導(dǎo)RAM中。
12.如權(quán)利要求11所述的電路，還包括延遲電路，在通電時(shí)，將訪問參考數(shù)據(jù)延遲給定的時(shí)間周期。
13.如權(quán)利要求11所述的電路，其中該延遲電路是振蕩器。
14.如權(quán)利要求12所述的電路，其中該給定的時(shí)間周期是大約100到200微秒。
15.如權(quán)利要求11所述的電路，其中該存儲器是非易失性存儲器。
16.如權(quán)利要求15所述的電路，其中該參考數(shù)據(jù)被預(yù)先存儲在一次性可編程(OTP)塊中。
17.如權(quán)利要求11所述的電路，其中該存儲器是閃存
18.如權(quán)利要求17所述的電路，其中閃存為NAND類型。
19.如權(quán)利要求11所述的電路，其中該電路被集成在單個(gè)芯片中。
20.一種裝載數(shù)據(jù)的方法，包括在主存儲器中存儲主數(shù)據(jù)和參考數(shù)據(jù)；在第一存儲裝置中存儲參考數(shù)據(jù)；當(dāng)接收到加電信號時(shí)，從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)；比較第一存儲裝置中的參考數(shù)據(jù)與從主存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)；以及如果第一存儲裝置中的參考數(shù)據(jù)與從主存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)相同，則將主數(shù)據(jù)裝載到第二存儲裝置中。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中該第一存儲裝置是寄存器，并且該第二存儲裝置是RAM
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其中主存儲器是非易失性存儲器。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中參考數(shù)據(jù)被存儲在一次性可編程(OTP)塊中。
24.如權(quán)利要求20所述的方法，其中主存儲器是NAND閃存。
25.如權(quán)利要求20所述的方法，其中主數(shù)據(jù)包括引導(dǎo)代碼。
26.如權(quán)利要求20所述的方法，其中主數(shù)據(jù)和參考數(shù)據(jù)被預(yù)先裝載在主存儲器中，參考數(shù)據(jù)被預(yù)先裝載在第一存儲裝置中，并且在通電時(shí)生成加電信號。
27.如權(quán)利要求20所述的方法，還包括如果從主存儲器檢索的參考數(shù)據(jù)與第一存儲裝置中的參考數(shù)據(jù)不同，則從主存儲器重新訪問參考數(shù)據(jù)。
28.一種引導(dǎo)非易失性存儲器的方法，包括在主存儲器中預(yù)先存儲引導(dǎo)代碼和參考數(shù)據(jù)；在寄存器中預(yù)先存儲參考數(shù)據(jù)；在通電時(shí)從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)；比較寄存器中的參考數(shù)據(jù)與從主存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)；以及如果寄存器中的參考數(shù)據(jù)與從主存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)相同，則將引導(dǎo)代碼裝載到引導(dǎo)RAM中，而如果不同，則重復(fù)從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)并將其與寄存器中的參考數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，還包括使用引導(dǎo)RAM中的引導(dǎo)代碼執(zhí)行引導(dǎo)操作。
30.如權(quán)利要求28所述的方法，還包括在通電時(shí)將從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)延遲大約100到200微秒。
31.如權(quán)利要求28所述的方法，其中主存儲器是非易失性存儲器。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中參考數(shù)據(jù)被存儲在一次性可編程(OTP)塊中。
全文摘要
提供了一種存儲器系統(tǒng)，其包括主存儲器，存儲主數(shù)據(jù)和參考數(shù)據(jù)；第一存儲裝置，存儲參考數(shù)據(jù)；以及控制器，當(dāng)接收到加電信號時(shí)從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)，并且當(dāng)測試出從主存儲器檢索的參考數(shù)據(jù)與第一存儲裝置中的參考數(shù)據(jù)相同時(shí)，將主數(shù)據(jù)裝載到第二存儲裝置中。還提供了一種用于引導(dǎo)非易失性存儲器的方法，其包括在主存儲器中預(yù)先存儲引導(dǎo)代碼和參考數(shù)據(jù)；在寄存器中預(yù)先存儲參考數(shù)據(jù)；在通電時(shí)從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)；比較寄存器中的參考數(shù)據(jù)與從主存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)；以及如果寄存器中的參考數(shù)據(jù)與從主存儲器訪問的參考數(shù)據(jù)相同，則將引導(dǎo)代碼裝載到引導(dǎo)RAM中，而如果不同，則重復(fù)從主存儲器訪問參考數(shù)據(jù)并將其與寄存器中的參考數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。
文檔編號G06F9/00GK1696899SQ20051006884
公開日2005年11月16日 申請日期2005年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月12日
發(fā)明者金昌來 申請人:三星電子株式會社