專利名稱：：改變非揮發(fā)性內(nèi)存的操作條件的方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明系關(guān)于非揮發(fā)性內(nèi)存與包含這種內(nèi)存的集成電路，尤有關(guān)在非揮發(fā)性內(nèi)存的使用上能支持?jǐn)?shù)據(jù)儲存的這種裝置的架構(gòu)。先前技術(shù)例如閃存與電荷陷阱內(nèi)存的電性可程序化與可抹除非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)具有許多應(yīng)用?；诟娱l(像是EEPROM)的技術(shù)以及局部化電荷陷阱結(jié)構(gòu)(像是以諸如SONOS單元與NROM的各種不同的架構(gòu)存在的氧化物-氮化物-氧化物內(nèi)存單元的技術(shù)通?？杀怀绦蚧c抹除許多次。非揮發(fā)性內(nèi)存單元的操作特征會隨著非揮發(fā)性內(nèi)存單元的壽命期間改變。當(dāng)非揮發(fā)性內(nèi)存單元經(jīng)歷逐漸增加的程序化與抹除循環(huán)次數(shù)時(shí)，非揮發(fā)性內(nèi)存單元的操作特征會改變。此種實(shí)施樣態(tài)的非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)是有問題的，其乃因?yàn)槲崛似谕还芊菗]發(fā)性內(nèi)存單元經(jīng)歷過任何特定的程序化與抹除循環(huán)次數(shù)，非揮發(fā)性內(nèi)存單元能在它們的期望壽命期間如所預(yù)料地操作。由于程序化與抹除循環(huán)次數(shù)的增加而改變非揮發(fā)性內(nèi)存單元的作用情形的一種方法，系完全地倚賴于從開頭所決定的適當(dāng)裕度，俾能在即使非揮發(fā)性內(nèi)存單元的操作特征隨著程序化與抹除循環(huán)次數(shù)的增加而改變時(shí)，操作裕度在非揮發(fā)性內(nèi)存單元的特定壽命的內(nèi)仍考慮非揮發(fā)性內(nèi)存單元的任何期望的變化行為。然而，完全倚賴于適當(dāng)決定的裕度可能使非揮發(fā)性內(nèi)存單元在它們的部分壽命期間蒙受不必要的極端操作條件。這種操作裕度不言而喻地是比在一非揮發(fā)性內(nèi)存單元的至少某些部分的壽命期間所需要的來得更嚴(yán)苛。在某些非揮發(fā)性內(nèi)存單元的此種部分的壽命期間，不必要的極端操作條件有縮短非揮發(fā)性內(nèi)存單元的壽命的趨勢。由于程序化與抹除循環(huán)次數(shù)的增加而改變非揮發(fā)性內(nèi)存單元的行為的另一種方法，系完全地倚靠于為非揮發(fā)性內(nèi)存單元指定較短的壽命。雖然指定較短的壽命是簡單的解決方法，但是非揮發(fā)性內(nèi)存單元的使用者在后來必須更頻繁地置換非揮發(fā)性內(nèi)存單元，此乃因?yàn)榉菗]發(fā)性內(nèi)存單元所遭遇到的程序化與抹除循環(huán)次數(shù)的增加會接近較短的壽命。如果僅僅置換非揮發(fā)性內(nèi)存單元是不切實(shí)際或沒有成本效益的，則包含非揮發(fā)性內(nèi)存單元的整個(gè)產(chǎn)品會被舍棄或置換掉。因此，理想上是可提供在非揮發(fā)性內(nèi)存單元的壽命周期中用以評估隨著程序化與抹除循環(huán)次數(shù)的增加而改變的非揮發(fā)性內(nèi)存單元的操作特征的設(shè)備與方法。
發(fā)明內(nèi)容一種實(shí)施樣態(tài)系為用以調(diào)整一集成電路上的非揮發(fā)性內(nèi)存的操作條件的方法。于集成電路上的內(nèi)存單元中已建立一抹除閾值狀態(tài)大約數(shù)次的數(shù)據(jù)系被維持于譬如與內(nèi)存單元相關(guān)的一計(jì)數(shù)內(nèi)存中。供內(nèi)存單元用的偏壓程序系基于此數(shù)據(jù)(譬如通過查閱表示供內(nèi)存單元所經(jīng)歷的特定次數(shù)的抹除操作用的適當(dāng)偏壓程序的對照表(lookuptable))而決定。然后，將偏壓程序施加至內(nèi)存單元。其它實(shí)施樣態(tài)系為具有計(jì)數(shù)內(nèi)存的非揮發(fā)性內(nèi)存設(shè)備與制造方法。于某些實(shí)施例中，當(dāng)在一群組的內(nèi)存單元中已建立抹除閾值狀態(tài)達(dá)到另一預(yù)定次數(shù)時(shí)，一內(nèi)存會被更新。舉例而言，每當(dāng)抹除閾值狀態(tài)已被建立于此群組的內(nèi)存單元，一第一組計(jì)數(shù)內(nèi)存將被更新，而在抹除閾值狀態(tài)已被建立達(dá)到另一預(yù)定次數(shù)之后，第一組計(jì)數(shù)內(nèi)存會被重置，而一第二組計(jì)數(shù)內(nèi)存會被更新以表示在內(nèi)存單元中已建立抹除閾值狀態(tài)達(dá)到另一預(yù)定次數(shù)。此種第二計(jì)數(shù)內(nèi)存可以是單次寫入的內(nèi)存，俾能使功率停止供應(yīng)或其它錯(cuò)誤將不會導(dǎo)致計(jì)數(shù)內(nèi)存中的大錯(cuò)誤。在許多實(shí)施例中，偏壓程序系為程序化程序、抹除程序、包含確認(rèn)的程序化程序、包含確認(rèn)的抹除程序。決定偏壓程序的其它例子包含調(diào)整施加于內(nèi)存單元的偏壓程序的偏壓配置的順序，調(diào)整施加于內(nèi)存單元的偏壓程序的偏壓配置的時(shí)序，調(diào)整施加于內(nèi)存單元的偏壓程序的至少一偏壓配置的期間，調(diào)整施加于內(nèi)存單元的偏壓程序的至少一偏壓配置的波形形狀，調(diào)整施加于內(nèi)存單元的偏壓程序的至少一偏壓配置的偏壓大小，添加施加于內(nèi)存單元的偏壓程序的至少一偏壓配置，以及移除施加于內(nèi)存單元的偏壓程序的至少一偏壓配置。圖1顯示具有多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段以及與每個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段相關(guān)的計(jì)數(shù)內(nèi)存的一非揮發(fā)性內(nèi)存數(shù)組。圖2顯示包含具有計(jì)數(shù)內(nèi)存的一非揮發(fā)性內(nèi)存數(shù)組的一集成電路。圖3顯示包含具有計(jì)數(shù)內(nèi)存的一非揮發(fā)性內(nèi)存數(shù)組的另一種集成電路。圖4顯示在非揮發(fā)性內(nèi)存上執(zhí)行確認(rèn)的抹除操作的啟發(fā)。圖5顯示在非揮發(fā)性內(nèi)存上執(zhí)行確認(rèn)的程序化操作的啟發(fā)。圖6顯示具有單次編程內(nèi)存的一計(jì)數(shù)內(nèi)存，且計(jì)數(shù)內(nèi)存每次儲存一特定值就會被更新。具體實(shí)施方式圖1顯示非揮發(fā)性內(nèi)存數(shù)組100的一實(shí)施例。非揮發(fā)性內(nèi)存數(shù)組100系被分成多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段，例如非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段1101、非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段N102、非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段M103以及非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段MN104。每個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段系與一計(jì)數(shù)內(nèi)存相關(guān)。舉例而言，非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段1101系與計(jì)數(shù)內(nèi)存1111相關(guān)，非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段N102系與計(jì)數(shù)內(nèi)存N112相關(guān)，非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段M103系與計(jì)數(shù)內(nèi)存M113相關(guān)，而非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段MN104系與計(jì)數(shù)內(nèi)存MN114相關(guān)。每次抹除一特定非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段，就更新與非揮發(fā)性內(nèi)存區(qū)段相關(guān)的計(jì)數(shù)內(nèi)存。儲存于計(jì)數(shù)內(nèi)存中的這種數(shù)據(jù)系用以調(diào)整非揮發(fā)性內(nèi)存的操作條件。于圖2中，一集成電路內(nèi)存系設(shè)有一快閃數(shù)組200。此數(shù)組包含多個(gè)區(qū)段，如圖所示的區(qū)段0-N。如圖所示，多個(gè)區(qū)段系與多個(gè)計(jì)數(shù)內(nèi)存CM0-CMN相關(guān)。多個(gè)地址系于線201上被提供至一地址緩沖器與閂鎖器202。地址緩沖器與閂鎖器202于線203上提供地址信號至包含邏輯尋址的一X譯碼器204，以及一Y譯碼器205。Y譯碼器系連接至供多條位線用的多個(gè)傳輸閘(passgate)206。傳輸閘使數(shù)組200中的位線連接至感測放大器207，并連接至程序數(shù)據(jù)高電壓電路208。這些程序數(shù)據(jù)高電壓電路208系連接至一程序數(shù)據(jù)閂鎖器209，其依序連接至輸入/輸出I/O緩沖器210。又，感測放大器207系連接至I/O緩沖器210。輸入與輸出數(shù)據(jù)系設(shè)置于線211上。I/O緩沖器210亦連接至一命令控制方塊212，其解譯于I/O緩沖器210所接收的命令。命令控制方塊212系連接至寫入狀態(tài)機(jī)213。寫入狀態(tài)機(jī)213依序與控制邏輯214連接，而控制邏輯214分別于線215、216與217上接收輸出致能、芯片致能與寫入致能信號。又，寫入狀態(tài)機(jī)213控制程序化與抹除高電壓電路218，其系連接至數(shù)組以及X譯碼器204中的字符線驅(qū)動器。圖3系為集成電路的簡化方塊圖。集成電路350包含在一種半導(dǎo)體基板上通過使用區(qū)域化電荷陷阱內(nèi)存單元而實(shí)施的一種內(nèi)存數(shù)組300。此內(nèi)存數(shù)組300包含計(jì)數(shù)內(nèi)存370。一個(gè)列譯碼器301系連接至沿著內(nèi)存數(shù)組300中的多個(gè)列排列的多條字符線302。一個(gè)行譯碼器303系連接至沿著內(nèi)存數(shù)組300中的多個(gè)行排列的多條位線304。多個(gè)地址系在總線305上被提供至行譯碼器303與列譯碼器301。方塊306中的感測放大器與數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)系經(jīng)由數(shù)據(jù)總線307而連接至行譯碼器303。數(shù)據(jù)系經(jīng)由數(shù)據(jù)輸入線311而從集成電路350上的輸入/輸出端，或從集成電路350內(nèi)部或外部的其它數(shù)據(jù)源提供至方塊306中的數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)。數(shù)據(jù)系經(jīng)由數(shù)據(jù)輸出線312而從方塊306中的感測放大器提供至集成電路350上的輸入/輸出端，或提供至集成電路350內(nèi)部或外部的其它數(shù)據(jù)目標(biāo)。一偏壓配置狀態(tài)機(jī)309譬如為了程序、抹除、抹除確認(rèn)與程序確認(rèn)電壓以及計(jì)數(shù)內(nèi)存370中的更新數(shù)據(jù)，而控制偏壓配置電源電壓308的施加。圖2的寫入狀態(tài)機(jī)213與命令控制方塊212以及圖3的偏壓配置狀態(tài)機(jī)309，系基于在一內(nèi)存區(qū)段中已建立的一抹除閾值狀態(tài)的次數(shù)來決定偏壓程序或?qū)懭?、讀取及/或抹除。在某些實(shí)施例中，此確認(rèn)程序可基于這個(gè)次數(shù)而調(diào)整。其它調(diào)整系為調(diào)整偏壓配置的順序、偏壓配置的時(shí)序、至少一偏壓配置的期間、至少一偏壓配置的波形形狀、至少一偏壓配置的偏壓大小，添加在一偏壓程序期間所施加的偏壓配置，及/或移除在一偏壓程序期間所施加的偏壓配置。圖2的寫入狀態(tài)機(jī)213與命令控制方塊212亦更新關(guān)于數(shù)組200的特定區(qū)段0-N已被抹除多少次的內(nèi)存數(shù)據(jù)。圖3的偏壓配置狀態(tài)機(jī)309更新關(guān)于內(nèi)存數(shù)組300的特定區(qū)段0-N已被抹除多少次的內(nèi)存數(shù)據(jù)。于圖4中，一抹除程序系由一抹除命令(方塊400)開始。于此啟發(fā)點(diǎn)，一索引n系被設(shè)成零以供抹除程序使用。某些實(shí)施實(shí)例中的抹除命令對應(yīng)到于本項(xiàng)技術(shù)中的一般供閃存裝置用的一種″快閃″區(qū)段抹除操作。為因應(yīng)抹除命令，開始一偏壓程序。于一實(shí)施例中，偏壓程序中的第一操作系用以施加一偏壓配置，其在內(nèi)存單元的區(qū)段中生成熱電洞注入(方塊401)。舉例而言，此區(qū)段中的字符線系被偏壓大約-3至-7伏特，連接至內(nèi)存單元的汲極的位線系被偏壓大約+3至+7伏特，以及連接至此區(qū)段中的內(nèi)存單元的源極的電源線系被偏壓至接地端，而其中形成有內(nèi)存單元信道的基板區(qū)域系接地。這會使區(qū)段中的內(nèi)存單元中，鄰近汲極端的電荷陷阱結(jié)構(gòu)旁的熱電洞注入被抹除。抹除程序期間所施加的特定偏壓程序系基于一對照表。對照表系以內(nèi)存單元所經(jīng)歷的抹除操作的次數(shù)為索引。這個(gè)次數(shù)系儲存于與內(nèi)存單元相關(guān)的內(nèi)存中，且系在內(nèi)存單元的壽命期間被更新以反映內(nèi)存單元所經(jīng)歷的抹除操作的增加次數(shù)。在施加熱電洞注入偏壓配置之后，一狀態(tài)機(jī)或其它邏輯決定抹除操作是否通過執(zhí)行一抹除確認(rèn)操作而對區(qū)段中的每個(gè)單元而言已經(jīng)是成功的。所施加的特定電壓系基于以內(nèi)存單元所經(jīng)歷的抹除操作的次數(shù)為索引的一對照表。因此，在下一個(gè)步驟中，算法決定內(nèi)存單元是否通過確認(rèn)操作(方塊402)。如果此單元并未通過確認(rèn)，則增加索引n(方塊403)，且算法決定索引是否已達(dá)到一預(yù)先指定的最大重試次數(shù)N(方塊404)。如果已執(zhí)行最大重試次數(shù)而沒有通過確認(rèn)，則程序失敗(方塊405)。如果于方塊404并未執(zhí)行最大重試次數(shù)，則程序回復(fù)至方塊402以再次嘗試熱電洞注入偏壓配置。如果內(nèi)存單元于方塊402通過確認(rèn)，則算法通過，且以增加的循環(huán)次數(shù)來更新計(jì)數(shù)內(nèi)存(方塊407)，并完成抹除程序(方塊408)。增加的循環(huán)次數(shù)系于內(nèi)存單元的區(qū)段上執(zhí)行下一次區(qū)段抹除操作時(shí)被取用。每次執(zhí)行抹除操作之后，儲存于計(jì)數(shù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)系用以調(diào)整抹除偏壓條件。這是處理抹除速度隨著內(nèi)存區(qū)段的使用次數(shù)的增加而減少的關(guān)鍵所在。又，每次執(zhí)行確認(rèn)操作之后，儲存于計(jì)數(shù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)系用以調(diào)整確認(rèn)偏壓條件。這是處理隨著內(nèi)存區(qū)段的使用次數(shù)的增加而導(dǎo)致的裕度損失的關(guān)鍵所在。一個(gè)程序化程序，或其它程序系適合于建立內(nèi)存單元中的一程序閾值狀態(tài)，如圖5所示。此程序包含再填補(bǔ)操作，于其中此單元首先被偏壓以生成一程序閾值狀態(tài)，然后施加一充電平衡脈沖，其易于通過導(dǎo)致電子從電荷陷阱結(jié)構(gòu)中的淺陷阱排出來降低閾值，然后，通過一第二脈沖而以負(fù)電荷″再填補(bǔ)″電荷陷阱結(jié)構(gòu)，以使電子注入至電荷陷阱結(jié)構(gòu)。于圖5中，一程序化程序系由一程序命令(方塊500)開始。于此啟發(fā)點(diǎn)，一索引n系被設(shè)成零以供程序再嘗試程序使用，且一索引m系被設(shè)成零以供計(jì)算再填補(bǔ)程序使用。在某些實(shí)施實(shí)例中的程序命令對應(yīng)至于本項(xiàng)技術(shù)中的一般供閃存裝置用的一種字節(jié)操作。為因應(yīng)程序命令，開始一偏壓程序。于一實(shí)施例中，偏壓程序中的第一操作系用以施加一偏壓配置，其基于抹除計(jì)算來感應(yīng)遭受程序化操作的電子注入內(nèi)存單元(方塊501)。舉例而言，信道開始的二次電子注入系被生成于一第一偏壓配置中。這會使電子注入于被程序化的單元中的電荷陷阱結(jié)構(gòu)的一側(cè)上。在施加電子注入偏壓配置之后，一狀態(tài)機(jī)或其它邏輯決定程序化操作是否通過使用一程序確認(rèn)操作而對每個(gè)單元而言已經(jīng)是成功的。因此，在下一個(gè)步驟中，算法決定內(nèi)存單元是否基于抹除計(jì)算而通過確認(rèn)操作(方塊502)。如果此單元并未通過確認(rèn)，則增加索引n(方塊503)，且算法決定索引是否已達(dá)到預(yù)先指定的最大重試次數(shù)N(方塊504)。如果已執(zhí)行最大重試次數(shù)而沒有通過確認(rèn)，則程序失敗(方塊505)。如果于方塊504并未執(zhí)行最大重試次數(shù)，則程序回復(fù)至方塊501以再次嘗試電子注入偏壓配置。如果于方塊502，內(nèi)存單元通過確認(rèn)，則算法通過，如方塊509所示。每次執(zhí)行程序化操作之后，儲存于計(jì)數(shù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)系用以調(diào)整程序偏壓條件。這是處理程序化速度隨著內(nèi)存區(qū)段的使用次數(shù)的增加而減少的關(guān)鍵所在。又，每次執(zhí)行確認(rèn)操作之后，儲存于計(jì)數(shù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)系用以調(diào)整確認(rèn)偏壓條件。這是處理隨著內(nèi)存區(qū)段的使用次數(shù)增加的而導(dǎo)致的裕度損失的關(guān)鍵所在。此種技術(shù)的實(shí)施例包含在實(shí)際抹除程序之前、之后或期間的一種更新抹除計(jì)算。又，此種技術(shù)的實(shí)施例包含每隔一個(gè)抹除操作，或以比每個(gè)抹除操作較不頻繁的某種有規(guī)則或不規(guī)則的間隔，就以每個(gè)抹除操作更新抹除計(jì)算。計(jì)數(shù)內(nèi)存的另一個(gè)實(shí)施例系顯示于圖6中。于圖6中，計(jì)數(shù)內(nèi)存600包含多個(gè)可重新寫入的計(jì)數(shù)內(nèi)存602，其在圖中以重新程序化的計(jì)數(shù)內(nèi)存0-N顯示。計(jì)數(shù)內(nèi)存600亦包含多個(gè)單次編程計(jì)數(shù)內(nèi)存0-N604。單次編程計(jì)數(shù)內(nèi)存考量與計(jì)數(shù)內(nèi)存相關(guān)的非揮發(fā)性內(nèi)存是隨著增加的使用次數(shù)而不可逆地改變作用情形的事實(shí)。儲存于計(jì)數(shù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)可被無意地抹除或遺失，譬如由于電力損失。尤其如果此種事件產(chǎn)生數(shù)次，則一特定狀態(tài)已被建立的次數(shù)的數(shù)據(jù)將不再正確地反映特定狀態(tài)已被建立的實(shí)際次數(shù)。通過使用單次編程計(jì)數(shù)內(nèi)存604可處理這種錯(cuò)誤。舉例而言，在儲存于可重新寫入的計(jì)數(shù)內(nèi)存602的數(shù)據(jù)增加至特定值M之后，單次編程計(jì)數(shù)內(nèi)存604系被增加以記錄與可重新寫入的計(jì)數(shù)內(nèi)存602相關(guān)的內(nèi)存已經(jīng)達(dá)到另一M次的特定狀態(tài)，而可重新寫入的計(jì)數(shù)內(nèi)存602重置。綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種用以調(diào)整集成電路上的非揮發(fā)性內(nèi)存的操作條件的方法，包含以下步驟維持關(guān)于一抹除閾值狀態(tài)已被建立在多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元中的次數(shù)的數(shù)據(jù)；基于關(guān)于該抹除閾值狀態(tài)已被建立在該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元中的該次數(shù)的該數(shù)據(jù)，決定該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元的一偏壓程序；以及將該偏壓程序施加至該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，更包含以下步驟決定該抹除閾值狀態(tài)已被建立在該多個(gè)內(nèi)存單元中達(dá)到另一預(yù)定次數(shù)；以及更新該集成電路上的一個(gè)單次寫入內(nèi)存以表示該抹除閾值狀態(tài)已被建立于該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元中達(dá)到另一預(yù)定次數(shù)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該偏壓程序建立在該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元中的該程序閾值狀態(tài)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該偏壓程序系為一程序化程序，其包含用以測量在該多個(gè)內(nèi)存單元中的多個(gè)閾值電壓的一確認(rèn)偏壓程序。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該偏壓程序系為一抹除程序，其包含用以測量在該多個(gè)內(nèi)存單元中的多個(gè)閾值電壓的一確認(rèn)偏壓程序。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該決定步驟包含調(diào)整施加至該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元的該偏壓程序以建立該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元中的該抹除閾值狀態(tài)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該決定步驟包含調(diào)整施加于該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元的該偏壓程序中的多個(gè)偏壓配置的一順序。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該決定步驟包含調(diào)整施加于該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元的該偏壓程序中的多個(gè)偏壓配置的一時(shí)序。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該決定步驟包含調(diào)整施加于該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元的該偏壓程序中的至少一偏壓配置的一期間。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該決定步驟包含調(diào)整施加于該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元的該偏壓程序中的至少一偏壓配置的一波形形狀。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該決定步驟包含調(diào)整施加于該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元的該偏壓程序中的至少一偏壓配置的一偏壓大小。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該決定步驟包含添加施加于該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元的該偏壓程序中的至少一偏壓配置。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該決定步驟包含移除施加于該多個(gè)非揮發(fā)性內(nèi)存單元的該偏壓程序中的至少一偏壓配置。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，更包含以下步驟每次當(dāng)該數(shù)據(jù)已被更新至一特定值時(shí)就更新一單次編程內(nèi)存。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，更包含以下步驟每次當(dāng)該數(shù)據(jù)已被更新至一特定值時(shí)就更新一單次編程內(nèi)存，并將該數(shù)據(jù)重置成零。16.一種用以調(diào)整集成電路上的非揮發(fā)性內(nèi)存的操作條件的設(shè)備，包含一非揮發(fā)性內(nèi)存數(shù)組，其包含多個(gè)第一內(nèi)存單元，其儲存一抹除閾值狀態(tài)與一程序閾值狀態(tài)的至少一者；及多個(gè)第二內(nèi)存單元，其儲存該抹除閾值狀態(tài)與該程序閾值狀態(tài)的至少一者，其中該多個(gè)第二內(nèi)存單元儲存關(guān)于該抹除閾值狀態(tài)已被建立在該多個(gè)第一內(nèi)存單元中的次數(shù)的數(shù)據(jù)；及一控制電路，其連接至非揮發(fā)性內(nèi)存數(shù)組，該控制電路導(dǎo)致在該多個(gè)第二內(nèi)存單元中維持關(guān)于該抹除閾值狀態(tài)已被建立在該多個(gè)第一內(nèi)存單元中的次數(shù)的數(shù)據(jù)；及基于關(guān)于該抹除閾值狀態(tài)已被建立在該多個(gè)第一內(nèi)存單元中的次數(shù)的數(shù)據(jù)，施加一偏壓程序至該多個(gè)第一內(nèi)存單元。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，更包含多個(gè)第三內(nèi)存單元，位于連接至該控制電路的該集成電路上，其中該控制電路從該數(shù)據(jù)決定該抹除閾值狀態(tài)已被建立在該多個(gè)第一內(nèi)存單元中達(dá)到另一預(yù)定次數(shù)，并更新該多個(gè)第三內(nèi)存單元以表示該抹除閾值狀態(tài)已被建立在該多個(gè)第一內(nèi)存單元中達(dá)到另一預(yù)定次數(shù)。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，該偏壓程序建立在該多個(gè)內(nèi)存單元中的該程序閾值狀態(tài)。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，該偏壓程序系為一程序化程序，其包含用以測量在該多個(gè)第一內(nèi)存單元中的多個(gè)閾值電壓的一確認(rèn)偏壓程序。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，該偏壓程序系為一抹除程序，其包含用以測量在該多個(gè)第一內(nèi)存單元中的多個(gè)閾值電壓的一確認(rèn)偏壓程序。21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，該控制電路基于該數(shù)據(jù)調(diào)整施加至該多個(gè)第一內(nèi)存單元的該偏壓程序以建立該多個(gè)第一內(nèi)存單元中的該抹除閾值狀態(tài)。22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，該控制電路基于該數(shù)據(jù)調(diào)整施加于該多個(gè)第一內(nèi)存單元的該偏壓程序中的多個(gè)偏壓配置的一順序。23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，該控制電路基于該數(shù)據(jù)調(diào)整施加于該多個(gè)第一內(nèi)存單元的該偏壓程序中的多個(gè)偏壓配置的一時(shí)序。24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，該控制電路基于該數(shù)據(jù)調(diào)整施加于該多個(gè)第一內(nèi)存單元的該偏壓程序中的至少一偏壓配置的一期間。25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，該控制電路基于該數(shù)據(jù)調(diào)整施加于該多個(gè)第一內(nèi)存單元的該偏壓程序中的至少一偏壓配置的一波形形狀。26.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，該該控制電路基于該數(shù)據(jù)調(diào)整施加于該多個(gè)第一內(nèi)存單元的該偏壓程序中的至少一偏壓配置的一偏壓大小。27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，該控制電路基于該數(shù)據(jù)添加施加于該多個(gè)第一內(nèi)存單元的該偏壓程序中的至少一偏壓配置。28.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，該控制電路基于該數(shù)據(jù)移除施加于該多個(gè)第一內(nèi)存單元的該偏壓程序中的至少一偏壓配置。29.一種用來調(diào)整集成電路上的非揮發(fā)性內(nèi)存的操作條件的設(shè)備的制造方法，包含以下步驟提供一個(gè)半導(dǎo)體基板；于該半導(dǎo)體基板上形成一非揮發(fā)性內(nèi)存數(shù)組，該非揮發(fā)性內(nèi)存數(shù)組包含多個(gè)第一內(nèi)存單元，其儲存一抹除閾值狀態(tài)與一程序閾值狀態(tài)的至少一者；及多個(gè)第二內(nèi)存單元，其儲存該抹除閾值狀態(tài)與該程序閾值狀態(tài)的至少一者，其中該多個(gè)第二內(nèi)存單元儲存關(guān)于該抹除閾值狀態(tài)已被建立在該多個(gè)第一內(nèi)存單元中的次數(shù)的數(shù)據(jù)；及于連接至該非揮發(fā)性內(nèi)存數(shù)組的該半導(dǎo)體基板形成一控制電路，該控制電路導(dǎo)致在該多個(gè)第二內(nèi)存單元中維持關(guān)于該抹除閾值狀態(tài)已被建立在該多個(gè)第一內(nèi)存單元中的次數(shù)的數(shù)據(jù)；及基于關(guān)于該抹除閾值狀態(tài)已被建立在該多個(gè)第一內(nèi)存單元中的次數(shù)的數(shù)據(jù)，施加一偏壓程序至該多個(gè)第一內(nèi)存單元。全文摘要一種非揮發(fā)性內(nèi)存數(shù)組系與計(jì)數(shù)內(nèi)存相關(guān)，且計(jì)數(shù)內(nèi)存將關(guān)于特定閾值狀態(tài)被達(dá)到的次數(shù)的數(shù)據(jù)儲存在相關(guān)的非揮發(fā)性內(nèi)存中。非揮發(fā)性內(nèi)存的老化特征可通過調(diào)整非揮發(fā)性內(nèi)存的操作條件而獲得補(bǔ)償。操作條件的改變?nèi)Q于儲存于計(jì)數(shù)內(nèi)存的數(shù)據(jù)。文檔編號G06F12/00GK1811989SQ20051008331公開日2006年8月2日申請日期2005年7月5日優(yōu)先權(quán)日2005年1月26日發(fā)明者林俞伸,許獻(xiàn)文申請人:旺宏電子股份有限公司