專利名稱：Rfid標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及RFID(射頻識別)標(biāo)簽。用于本說明書中的“RFID標(biāo)簽”還被稱為“RFID標(biāo)簽的嵌入物”，因為其還用作“RFID標(biāo)簽”的內(nèi)部結(jié)構(gòu)部件(嵌入物)。另外，“RFID標(biāo)簽”還稱為“射頻IC標(biāo)簽”。此外，這種“RFID標(biāo)簽”包括非接觸型IC卡。
背景技術(shù)：
近幾年來，提出了以讀取器/記錄器為代表的外部設(shè)備和以非接觸方式使用無線電波交換信息的各種RFID標(biāo)簽。作為一種這樣的RFID標(biāo)簽，還提出了具有用于無線電波通信的天線圖案和IC芯片裝設(shè)在由塑料或紙制成的基片上的結(jié)構(gòu)的標(biāo)簽。上面說明的類型RFID標(biāo)簽被考慮使用在這種模式中這種標(biāo)簽被附著至數(shù)個物品中，并且通過使用外部設(shè)備交換這些物品的信息可識別這些物品。
在這種RFID標(biāo)簽的應(yīng)用模式中，可能實施這樣的非法使用，例如通過剝離附著至確定物品的RFID標(biāo)簽、然后將該RFID貼至另外的物品以控制外部設(shè)備錯誤地識別相關(guān)物品，來將昂貴物品作為低價物品獲得。因此，需要一種能避免這種非法使用的技術(shù)。
在當(dāng)前這種情形下，已經(jīng)提出通過在剝離RFID標(biāo)簽時斷裂天線圖案來禁止通信的方案(例如，專利文獻(xiàn)1至8)。
圖1A和1B分別示出基于現(xiàn)有技術(shù)在RFID標(biāo)簽剝離前狀況的正視圖和側(cè)視圖。
圖1A和1B中示出的RFID標(biāo)簽1由位于基片13上的天線圖案、通過凸塊16連接至天線圖案12的IC芯片11、和通過黏合劑15粘貼至基片13的封皮薄片14形成，該封皮薄片14覆蓋天線圖案12和IC芯片11。
通過將RFID標(biāo)簽1的基片13側(cè)粘貼至物品來使用RFID標(biāo)簽1。與基片13側(cè)被粘貼至物品時的黏合力相比，所設(shè)置的黏合劑15的黏合力較弱。因此，假如RFID標(biāo)簽1被試圖實施非法使用的非法使用者剝離，封皮薄片14就從基片13被剝離。
此外，天線圖案12設(shè)置在或來自與基片13粘貼性相當(dāng)弱的區(qū)域。
圖2A和2B分別示出現(xiàn)有技術(shù)中在剝離RFID標(biāo)簽后狀況的正視圖和側(cè)視圖。
當(dāng)圖1中示出的封皮薄片14被從基片13剝離后，在與基片13粘貼性弱的區(qū)域12a處的天線圖案12與封皮薄片14一起被剝離。因此，天線圖案12喪失了作為通信天線的功能，這禁止了通信。
作為避免非法使用的技術(shù)，提出一種技術(shù)，其中，除了天線圖案，在RFID標(biāo)簽上還設(shè)置一個剝離時破裂的專用圖案，且使用IC芯片檢測專用圖案的破裂。
圖3A和3B分別示出現(xiàn)有技術(shù)中另一RFID標(biāo)簽被剝離前的狀況和剝離后的狀況。
圖3A和3B示出的RFID標(biāo)簽2設(shè)置有天線圖案22、連接至天線圖案22的IC芯片21、和用于斷裂的圖案23，其使用導(dǎo)電油墨24導(dǎo)電。此外盡管沒有示出，但基片和封皮薄片也像圖1示出的RFID標(biāo)簽一樣設(shè)置。
在RFID標(biāo)簽2的情況中，當(dāng)試圖實施非法使用的非法使用者剝離RFID標(biāo)簽2時，封皮薄片被從基片剝離。在RFID標(biāo)簽2的情況中，當(dāng)封皮薄片被剝離時，導(dǎo)電油墨24濺射以將用于斷裂的圖案23設(shè)置為絕緣狀況。其間，IC芯片21檢測用于斷裂的圖案23的此絕緣狀況。此外，圖案的斷裂也可使用濺射的導(dǎo)電油墨24直觀確認(rèn)。
在圖3中說明的RFID標(biāo)簽2的情況中，甚至在封皮薄片被剝離之后，天線圖案22和通信功能仍維持，從而在與外部設(shè)備通信時RFID標(biāo)簽2的剝離被告知外部設(shè)備。
這種方案的例子可從專利文獻(xiàn)中找到，例如美國專利申請公開號2003/075608、美國專利號6421013、美國專利申請公開號2003-524811、日本專利文獻(xiàn)號JP-A-2003-173477、日本專利文獻(xiàn)號JP-A-2005-31153、美國專利申請公開號2003-517659、日本專利文獻(xiàn)號JP-A-2003-346121、日本專利文獻(xiàn)號JP-A-2002-362613和日本專利文獻(xiàn)號JP-A-2002-150248。
然而，上述現(xiàn)有技術(shù)具有的問題在于，由于在RFID被剝離時一部分標(biāo)簽斷裂且斷裂部分是明顯的，修復(fù)斷裂區(qū)域的啟發(fā)和機(jī)會被給予試圖非法使用該標(biāo)簽的人，從而消除非法使用的效果變得不足。此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，例如，當(dāng)附著至確定物品的RFID標(biāo)簽被剝離然后再次粘貼至其它物品時，讀取器/記錄器的讀取器可被控制而錯誤地識別物品信息。
例如，這里可實施非法使用。實際上，一旦已寫入低價物品信息的RFID標(biāo)簽被剝離，然后被再次粘貼至昂貴物品而給出虛假價格。因此，期望一種能避免這種非法使用的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述背景，本發(fā)明的目的是提供一種RFID標(biāo)簽，該標(biāo)簽?zāi)艽_保更有效地避免非法使用，且能夠進(jìn)一步提高天線的輻射和接收特性。
依據(jù)本發(fā)明的一個方面，為實現(xiàn)上述目的，具有天線和電子部件的RFID標(biāo)簽包括發(fā)射和接收天線、形成在天線四周的檢測塊(detection block)以及連接至天線和檢測塊的用于檢測檢測塊的斷裂的電子組件。
依據(jù)本發(fā)明的第二方面，具有天線和電子部件的RFID標(biāo)簽包括發(fā)射和接收天線、形成在天線四周的檢測塊以及連接至天線和檢測塊的用于檢測檢測塊的斷裂的電子組件，此外檢測塊的長度為半波長的非整數(shù)倍。
依據(jù)本發(fā)明的第三方面，具有天線和電子部件的RFID標(biāo)簽包括發(fā)射和接收天線、形成在天線四周的檢測塊以及連接至天線和檢測塊的用于檢測檢測塊的斷裂的電子組件，此外檢測塊由導(dǎo)電材料和包括兩條線的環(huán)路形成。
依據(jù)本發(fā)明的第四方面，具有天線和電子部件的RFID標(biāo)簽包括發(fā)射和接收天線、形成在天線四周的檢測塊以及連接至天線和檢測塊的用于檢測檢測塊的斷裂的電子組件，此外檢測塊由兩條線的間隔狹窄的環(huán)路形成。
依據(jù)本發(fā)明的第五方面，具有天線和電子部件的RFID標(biāo)簽包括發(fā)射和接收天線、形成在天線四周的檢測塊以及連接至天線和檢測塊的用于檢測檢測塊的斷裂的電子組件，此外檢測塊形成為通過向后折疊單環(huán)路獲得的形狀。
依據(jù)本發(fā)明的第六方面，具有天線和電子部件的RFID標(biāo)簽包括發(fā)射和接收天線、形成在天線四周的檢測塊以及連接至天線和檢測塊的用于檢測檢測塊的斷裂的電子組件，此外檢測塊形成為通過向后折疊單環(huán)路獲得的U形。
依據(jù)本發(fā)明的第七方面，具有天線和電子部件的RFID標(biāo)簽包括發(fā)射和接收天線、形成在天線四周的檢測塊以及連接至天線和檢測塊的用于檢測檢測塊的斷裂的電子組件，此外檢測塊由銀膏制成且天線由銅制成。
依據(jù)本發(fā)明的第八方面，具有天線和電子部件的RFID標(biāo)簽包括發(fā)射和接收天線、形成在天線四周的檢測塊以及連接至天線和檢測塊的用于檢測檢測塊的斷裂的電子組件，此外天線包括折疊的偶極天線、偶極天線、微偶極天線(fine dipole antenna)、環(huán)路天線、微環(huán)路天線(fine loop antenna)以及曲折結(jié)構(gòu)。
依據(jù)本發(fā)明的第九方面，具有天線和電子部件的RFID標(biāo)簽包括發(fā)射和接收天線，形成在天線四周的檢測塊以及連接至天線和檢測塊的用于檢測檢測塊的斷裂的電子組件，裝設(shè)天線、檢測塊和電子組件的第一薄膜，覆蓋天線、檢測塊和電子組件的第二薄膜，和設(shè)于外側(cè)而圍繞在第一薄膜和第二薄膜之間的一部分檢測塊且嚴(yán)格黏合至第二薄膜的壁塊。
依據(jù)本發(fā)明的第十方面，具有天線和電子部件的RFID標(biāo)簽包括發(fā)射和接收天線，形成在天線四周的檢測塊以及連接至天線和檢測塊的用于檢測檢測塊的斷裂的電子組件，裝設(shè)天線、檢測塊和電子組件的第一薄膜，覆蓋天線、檢測塊和電子組件的第二薄膜，和設(shè)于外部位置而圍繞在第一薄膜和第二薄膜之間的一部分檢測塊且嚴(yán)格黏合至第二薄膜的壁塊，以及壁塊，該壁塊由熱固性樹脂形成且涂覆一材料，該材料可以從與第一薄膜相接觸的表面處被剝離。


圖1A和1B分別示出現(xiàn)有技術(shù)中RFID剝離前狀況的正視圖和側(cè)視圖。
圖2A和2B分別示出現(xiàn)有技術(shù)中RFID剝離后狀況的正視圖和側(cè)視圖。
圖3A和3B分別示出現(xiàn)有技術(shù)中另一RFID剝離前狀況和剝離后的狀況。
圖4是示出本發(fā)明中RF標(biāo)簽的第一實施例的示意圖。
圖5是示出本發(fā)明中RF標(biāo)簽的第一實施例的天線阻抗的示意圖。
圖6是示出本發(fā)明中RF標(biāo)簽的第二實施例的示意圖。
圖7A和7B分別是在本發(fā)明的RF標(biāo)簽的第二實施例中示出提供檢測塊時天線阻抗的示意圖和示出沒有提供檢測塊時天線阻抗的示意圖。
圖8是示出本發(fā)明中RF標(biāo)簽的第三實施例的示意圖。
圖9是示出本發(fā)明中RF標(biāo)簽的第三實施例的天線的輻射譜示意圖。
圖10是示出圖9中輻射譜的環(huán)路諧振(1)中的電流分布的示意圖。
圖11A、11B和11C示出本發(fā)明中RF標(biāo)簽的第四實施例的示意圖。
具體實施例方式
將參考

本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，這些實施例中并不限制本發(fā)明的技術(shù)范圍。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，將在下面說明用以防止非法使用的RFID標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)和工作。
圖4示出本發(fā)明的RF標(biāo)簽的第一實施例的結(jié)構(gòu)。在這個RFID標(biāo)簽中，工作頻率假定為大約950MHz，但也可選擇其它頻率。這個RFID標(biāo)簽的大小設(shè)定為120mm×60mm。
在該RFID標(biāo)簽，天線18形成在薄膜片3上且檢測塊4形成在天線18的四周。
此外，IC芯片17以橋接在天線18和檢測塊4上的形式設(shè)置。薄膜片由諸如FR-4之類或PET(聚乙烯對苯二酸polyethylene telephthalate的縮寫)的介電材料基底制成。檢測塊4由長度為大約29cm的單環(huán)路形成。RF標(biāo)簽形成在圖4中所示薄膜片3上天線18的四周作為檢測塊4的環(huán)路。此外，天線18和IC芯片17等由封皮薄片(未示出)覆蓋。實際上，使用黏合劑或雙面膠帶等，將RF標(biāo)簽的作為粘貼表面的薄膜片3粘貼至物品。試圖非法使用的人成功地將粘貼至低價物品的RF標(biāo)簽從封皮薄片剝離，并將該標(biāo)簽再次粘貼至昂貴物品用于非法使用。然而，本發(fā)明的RF標(biāo)簽不僅設(shè)置有防止非法使用的檢測圖案，還在天線18四周形成單環(huán)路以檢測甚至在從任意方向剝離該封皮薄片時的非法使用。
此外，如果由于該封皮薄片被剝離而斷裂檢測塊4的環(huán)路的一部分被打開，RF標(biāo)簽的IC芯片檢測該環(huán)路的打開，并且在判斷非法使用已實施時，經(jīng)天線18，將待發(fā)射的物品信息加上指示斷裂發(fā)生的信息(非法使用識別信息)(未示出)發(fā)射給讀取器或管理裝置等(未示出)。因此，管理人員可識別存在非法使用情況的RF標(biāo)簽。此外，當(dāng)IC芯片17檢測非法使用時，RF標(biāo)簽還能夠設(shè)定在發(fā)射指示斷裂發(fā)生的信息之后防止非法使用的功能，例如進(jìn)行鎖定以禁止從外面寫入信息、寫入信息的擦除、以及禁止IC芯片17的所有操作。
圖5示出本發(fā)明的RF標(biāo)簽的第一實施例中的天線阻抗。這個RF標(biāo)簽設(shè)定從圖4中檢測塊4的圖案觀察到的IC芯片17的阻抗為50Ω。此外，從天線觀察到的IC芯片的阻抗設(shè)定為Z＝36-j245[Ω]。
因此，天線阻抗Z1變得等于323+j192[Ω]。當(dāng)Z1被歸一化為50Ω時，獲得Z1＝323/50+j192/50＝6.46+j3.84[Ω]。當(dāng)Z被歸一化為50Ω時，獲得Z＝36-j245＝0.72+j4.9[Ω]。圖5示出在史密斯圓圖(smith chart)上繪制的歸一化阻抗。工作頻率設(shè)定為950MHz。
根據(jù)上面說明能夠理解，天線阻抗Z1和IC芯片17的阻抗Z＝36-j245[Ω]不是共軛關(guān)系，從而沒有獲得匹配。圖5的天線增益變得等于-5.4dBi。根據(jù)這個事實，可以推斷天線增益和該天線與IC芯片之間的匹配均惡化。
這里使用的dBi被稱為絕對增益。通過在與使用無指向性天線進(jìn)行測量的同等條件下測得的一個比值，可以得到該絕對增益，該比值是當(dāng)無線電波從無指向性天線以標(biāo)準(zhǔn)功率向空間輻射時，在遠(yuǎn)離這種無指向性天線的區(qū)域的無線電波的強(qiáng)度與所使用的天線的無線電波強(qiáng)度之比。實際上，絕對增益表示關(guān)于無指向性天線(全向天線)的天線增益。
在本發(fā)明的RF標(biāo)簽的第一實施例中，因阻抗與IC芯片17不匹配，所以天線的輻射-接收特性不是特別好。此外，在本發(fā)明的第一實施例中，由于在天線的四周另外形成單環(huán)路，表明產(chǎn)生足夠特征的無線電波的發(fā)射和接收是不可能的。
因此，通過形成作為RF標(biāo)簽的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)下面的RF標(biāo)簽，以獲得使天線和IC芯片之間的阻抗匹配，從而獲得向管理人員或讀取器/記錄器提示非法使用的足夠特征。
圖6是示出本發(fā)明中RF標(biāo)簽的第二實施例的示意圖。這個RFID標(biāo)簽形成為120mm×60mm的大小，該大小與第一實施例中的大小類似。這個RF標(biāo)簽在結(jié)構(gòu)上不同于第一實施例中的RF標(biāo)簽的檢測塊4。檢測塊41由包括兩條線，即內(nèi)部線路和外部線路的環(huán)路形成。此外，這個檢測塊41形成具有窄間隔的兩條線的環(huán)路。另外，這個檢測塊41的形狀通過向后折疊(fold back)單環(huán)路獲得。在第二實施例的RF標(biāo)簽中，天線18形成在薄膜片3上且檢測塊41形成在天線18的四周。
此外，IC芯片17設(shè)置為橋接在天線18和檢測塊41上。如在第一實施例中的情況中，薄膜片由諸如FR-4之類或PET(聚乙烯對苯二酸的縮寫)的介電材料基底來構(gòu)造。該檢測塊41具有大約58mm的環(huán)路長度。一個約950MHz的工作頻率的波長大約是31.5cm，并且半波長變?yōu)榇蠹s15.7cm。如對第三實施例的說明所述，該檢測塊41的環(huán)路長度偏離了半波長的整倍數(shù)。RF標(biāo)簽形成如圖6所述天線18的四周的檢測塊41的環(huán)路，以及在RF標(biāo)簽上的天線18和IC芯片17等由封皮薄片(未顯示)來覆蓋。
接下來，圖7A和7B分別示出當(dāng)具有本發(fā)明的RF標(biāo)簽的第二實施例中的檢測塊時天線阻抗的示意圖和當(dāng)不具有該檢測塊時天線阻抗的示意圖。圖7A和7B示出在史密斯圓圖上繪制的天線阻抗。
圖7A示出具有圖6的檢測塊41時的阻抗。在這種情況中，天線阻抗假定為Z2。在該RF標(biāo)簽中，圖6中IC芯片17的阻抗Z變得等于36-j245[Ω]。天線阻抗Z2變得等于47+j269[Ω]。當(dāng)Z2被歸一化為50Ω時，得到Z2＝47/50+j269/50＝0.94+j5.38Ω。當(dāng)Z被歸一化為50Ω時，得到Z＝36-j245＝0.72-j4.9Ω。如圖7A所示，將歸一化后的阻抗Z、Z2繪制在史密斯圓圖上。工作頻率設(shè)定為大約950MHz。史密斯圓7A顯示Z和Z2幾乎成共軛關(guān)系且?guī)缀跏瞧ヅ涞摹?br> 通過在史密斯圓圖上繪制不提供檢測塊41時的天線阻抗可得到圖7B。在這種情況下，天線阻抗Z3變得等于44+j236Ω。當(dāng)Z3被歸一化為50Ω時，得到Z3＝44/50+j236/50＝0.88+j4.72Ω，以及將歸一化后的Z3繪制在史密斯圓圖上。圖6中的IC芯片17的阻抗Z＝36-j245[Ω]也繪制在史密斯圓圖上。
因此，可以理解圖7B中的Z和Z3比圖7A的Z和Z2處于更好的共軛關(guān)系，并且達(dá)到充分的匹配。此外，當(dāng)將圖7A與圖7B相比較時，即使在有檢測塊41時或沒有檢測塊41時，天線阻抗沒有在大范圍中改變(與IC芯片17的匹配沒有偏離太多)。當(dāng)如圖7A的情況提供檢測塊41時，天線增益變?yōu)?.2dBi，同時如圖7B的情況假如沒有提供檢測塊41時，天線增益變?yōu)?.6dBi，因此表明天線增益也沒有太多的改變。
圖8示出本發(fā)明中RF標(biāo)簽的第三實施例。該RF標(biāo)簽具有與第二實施例中的標(biāo)簽幾乎相同的結(jié)構(gòu)，盡管檢測塊41和RF標(biāo)簽的天線的形狀是不同的。檢測塊7在天線6的四周形成為包括內(nèi)部線路和外部線路的環(huán)路。不同之處在于在RF標(biāo)簽中的薄膜片的大小小到60mm×30mm，其僅僅是第一和第二實施例中的一半。在第三實施例中的RF標(biāo)簽中，天線6形成在薄膜片3上和檢測塊7形成在天線6的四周。
此外，IC芯片17設(shè)置為橋接在天線6和檢測塊7上。如第二實施例中的情況，薄膜片3由例如FR-4類或PET(聚乙烯對苯二酸的縮寫)類的介電材料基底形成。該檢測塊7具有大約34cm的環(huán)路長度。一個約950MHz工作頻率的波長大約是31.5cm，且半波長大約是15.7cm。檢測塊7的環(huán)路長度偏離如參考圖9所說明的半波長的整倍數(shù)。
圖9示出表示本發(fā)明中RF標(biāo)簽的第三實施例的天線的輻射譜。這里使用的[a.u.]用作相對單位，并且是任意單位的縮寫。在圖9中，場強(qiáng)E[a.u.]繪制在縱軸上，同時頻率繪制在橫軸上。圖9顯示沒有提供檢測塊即沒有提供雙環(huán)路時的曲線，以及顯示提供檢測塊7即提供雙環(huán)路時的曲線。在提供雙環(huán)路的情況下(單環(huán)路分別設(shè)置在內(nèi)部側(cè)和外部側(cè)的環(huán)路)，可發(fā)現(xiàn)環(huán)路的諧振點(diǎn)(1)。此外，可發(fā)現(xiàn)RF標(biāo)簽中天線的最大輻射點(diǎn)(2)。假如檢測塊7的環(huán)路長度設(shè)定為半波長的整倍數(shù)，則環(huán)路的諧振點(diǎn)(1)將會與最大輻射點(diǎn)(2)相匹配。
然而，這種情況是不希望的，因為發(fā)射距離會依賴于環(huán)路的斷路的發(fā)生和不發(fā)生而改變。
因此，在本發(fā)明的RFID標(biāo)簽中，檢測塊7的環(huán)路長度并設(shè)定為半波長的整倍數(shù)。當(dāng)環(huán)路長度被設(shè)定為半波長的整倍數(shù)時，產(chǎn)生這樣的缺陷，即，即使在RF標(biāo)簽設(shè)定在環(huán)路未斷開的情況下與讀取器/記錄器能通信的最大距離處，如果環(huán)路斷開則發(fā)射距離變短。
圖10是示出在圖9中輻射譜的出現(xiàn)環(huán)路諧振(1)的情況下的電流分布。通過作為電阻器中的電流分布的實部以及作為電抗中的電流分布的虛部來表示該分布。在圖10中，電流值繪制在縱軸上且環(huán)路長度繪制在橫軸上。
圖11A、11B和11C示出本發(fā)明中RF標(biāo)簽的第三實施例的示意圖。在圖11A中，天線6形成在薄膜片3上，并且檢測塊的外部線路72和內(nèi)部線路71形成在薄膜片上的天線6的四周。此外，IC芯片17設(shè)置為橋接在天線18和檢測塊71上。薄膜片由例如FR-4類或PET(聚乙烯對苯二酸的縮寫)類的介電材料基底制成。檢測塊(71、72)由大約29cm的環(huán)路長度的兩個環(huán)路(雙環(huán)路)形成。RF標(biāo)簽通過使用樹脂或粘接劑涂覆檢測塊7和天線6以及通過使用形成在其上的封皮薄膜(未示出)涂覆這些部件來構(gòu)成。隔離塊30指示在檢測塊的外部線路72和內(nèi)部線路71之間的隔離位置。例如，當(dāng)封皮薄膜形成在該結(jié)構(gòu)(其中，切割部分設(shè)定在與隔離塊30相匹配的區(qū)域)中時，只有檢測塊的外部線路72可剝離。
圖11B是當(dāng)圖11A被沿(C)-(C)′線切割時RF標(biāo)簽的橫截面圖。
在圖11B的RF標(biāo)簽中，薄膜片3附著至檢測塊的基片8，天線6、IC芯片17、檢測塊的外部線路72以及檢測塊的內(nèi)部線路71形成在薄膜片3上，另外形成壁塊9和隔離塊30，以及在它們之上還形成封皮薄膜19。壁塊9可由像硅樹脂或黏合劑一樣的樹脂制成，或可由例如形成封皮薄膜的材料的材料制成。RF標(biāo)簽可使用基片8作為粘貼表面附著至物品?？蛇x擇地，封皮薄膜可附著至物品上。
圖11C是在橫截面圖11B中的封皮薄膜被剝離時的橫截面圖。
在圖11C，當(dāng)RF標(biāo)簽的封皮薄膜19被剝離時，壁塊9和外部線路72也一起被剝離。
因此，作為附著至物品的RF標(biāo)簽中的檢測塊的線路，僅有內(nèi)部線路10被留下，成為單線路留下的檢測塊與本發(fā)明第一實施例中的結(jié)構(gòu)相同。所以，不可能再使用天線進(jìn)行發(fā)射和接收，從而可防止非法使用。無論從哪個方向上剝離封皮薄膜19，該RF標(biāo)簽均能夠使用檢測塊檢測到剝離。此外，在上述RF標(biāo)簽的任意實施例中，由于使用透明和導(dǎo)電的銀膏等制成檢測塊，以及由銅制成天線，因此難于直觀發(fā)現(xiàn)檢測塊，而且從阻止非法使用的觀點(diǎn)來看，檢測塊能夠容易地被剝離，此外從發(fā)射和接收特性的觀點(diǎn)來看，還可獲得較高增益的天線。
此外，任何類型的結(jié)構(gòu)可用于天線，該天線選自折疊偶極天線、偶極天線、微偶極天線、環(huán)路天線、微環(huán)路天線和曲折結(jié)構(gòu)。
通過引入上述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的RFID能夠避免非法使用，并且通過包括剝離檢測裝置的同時使標(biāo)簽天線和芯片之間匹配，還能夠獲得天線較高的輻射和接收特性，而無天線增益的惡化。
此外，由于沿天線的四周提供剝離檢測裝置，無論從任意方向剝離標(biāo)簽時，由于剝離檢測裝置也被剝離，因此可檢測到標(biāo)簽的剝離。
本發(fā)明的RFID標(biāo)簽?zāi)軌蛟鰪?qiáng)無線電標(biāo)簽領(lǐng)域的安全性，因為可防止例如將標(biāo)簽再粘貼至物品的非法使用。
權(quán)利要求
1.一種RFID標(biāo)簽，包括發(fā)射和接收天線；檢測塊，形成在天線四周；以及電子組件，連接至天線和檢測塊，用于檢測檢測塊是否斷裂。
2.依據(jù)權(quán)利要求1的RFID標(biāo)簽，其中檢測塊的長度為該RFID標(biāo)簽的工作頻率的半波長的非整數(shù)倍。
3.依據(jù)權(quán)利要求1的RFID標(biāo)簽，其中檢測塊由導(dǎo)電材料和包括兩條線的環(huán)路形成。
4.依據(jù)權(quán)利要求1的RFID標(biāo)簽，其中檢測塊由兩條線之間的間隔狹窄的環(huán)路形成。
5.依據(jù)權(quán)利要求1的RFID標(biāo)簽，其中檢測塊形成為通過向后折疊單環(huán)路獲得的形狀。
6.依據(jù)權(quán)利要求1的RFID標(biāo)簽，其中檢測塊形成為通過向后折疊單環(huán)路獲得的U形。
7.依據(jù)權(quán)利要求1的RFID標(biāo)簽，其中檢測塊由銀膏制成且天線由銅制成。
8.依據(jù)權(quán)利要求1的RFID標(biāo)簽，其中天線是折疊的偶極天線、偶極天線、微偶極天線、環(huán)路天線、微環(huán)路天線或曲折結(jié)構(gòu)。
9.依據(jù)權(quán)利要求1的RFID標(biāo)簽，其中檢測塊由導(dǎo)電且透明的材料制成。
10.一種RFID標(biāo)簽，包括發(fā)射和接收天線；檢測塊，形成在天線四周；以及電子組件，連接至天線和檢測塊，用于檢測檢測塊的斷裂；第一薄膜，裝設(shè)天線、檢測塊和電子組件；第二薄膜，覆蓋天線、檢測塊和電子組件；以及壁塊，設(shè)于外側(cè)而圍繞在第一薄膜和第二薄膜之間的一部分檢測塊，且僅黏合至第二薄膜。
11.依據(jù)權(quán)利要求10的RFID標(biāo)簽，其中壁塊由熱固性樹脂形成，且涂覆一材料，該材料可以從與第一薄膜相接觸的表面處被剝離。
12.依據(jù)權(quán)利要求10的RFID標(biāo)簽，其中檢測塊由導(dǎo)電且透明的材料制成。
13.依據(jù)權(quán)利要求10的RFID標(biāo)簽，其中壁塊和第二薄膜由相同材料制成。
14.依據(jù)權(quán)利要求10的RFID標(biāo)簽，其中第二薄膜在外周處設(shè)置有切割部分而包括一部分檢測塊。
15.一種RFID標(biāo)簽，包括發(fā)射和接收天線；檢測塊，形成在天線四周；以及電子組件，連接至天線和檢測塊，用于檢測檢測塊的斷裂；以及基底，用于裝設(shè)天線、檢測塊和電子組件。
全文摘要
使用包括發(fā)射和接收天線、形成在天線四周中的檢測塊、以及連接至天線和檢測塊以檢測檢測塊的斷裂的電子組件的RFID標(biāo)簽，可防止非法使用，在包含檢測裝置的同時，還可獲得標(biāo)簽天線和IC芯片之間的匹配，以及還可獲得天線較高的輻射和接收特性，而不會使天線增益惡化。此外，由于可阻止通過將RFID標(biāo)簽再粘貼至物品來非法使用RFID標(biāo)簽，RFID對于保持安全性是非常有效的。
文檔編號G06K19/073GK1835000SQ200510124848
公開日2006年9月20日 申請日期2005年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月16日
發(fā)明者山城尚志, 馬庭透, 甲斐學(xué), 馬場俊二, 中西裕一 申請人:富士通株式會社