專利名稱：卡與主裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及卡和主裝置，并涉及例如存儲卡和主裝置的工作電壓和容量的檢驗(yàn)。
背景技術(shù)：
近年來，作為一類可移動存儲裝置的存儲卡已大量用于各種便攜式電子裝置，諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)、PDA、照相機(jī)、和移動電話。PC卡和小尺寸的SD(商標(biāo))卡作為存儲卡引起了很大注意。SD(商標(biāo))卡是一種具有內(nèi)置的快閃存儲器，卡控制器等的卡，并具體設(shè)計(jì)為滿足增加的小型化，大容量和較高速度的要求。
傳統(tǒng)上，存儲卡及其主裝置的工作電壓為3.3V(高電壓)的范圍并支持從2.7V到3.6V的電壓范圍。已提出以較低電壓操作的要求，例如1.8V(低電壓)范圍，換言之例如其支持1.65V到1.95V的電壓范圍。
此外，傳統(tǒng)存儲卡的容量不足以存儲大量的數(shù)據(jù)，因而需要存儲大量數(shù)據(jù)的SD(商標(biāo))卡。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一種方式，提供了一種主裝置，配置為從卡讀和向卡寫信息，并提供屬于第一電壓范圍或低于第一電壓范圍的第二電壓范圍的供電電壓，該主裝置配置為向卡發(fā)出電壓識別命令，該命令包含電壓范圍識別部分、差錯(cuò)檢測部分、及檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠郑渲须妷悍秶R別部分包括指示供電電壓屬于第一電壓范圍和第二電壓范圍中的哪一個(gè)的信息，差錯(cuò)檢測部分具有一種模式，其配置為使得已收到電壓識別命令的卡能夠檢測電壓識別命令中的差錯(cuò)，且檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠志哂蓄A(yù)置的模式。
根據(jù)本發(fā)明的一種方式，提供了一種卡，該卡包括存儲信息的存儲器及控制存儲器的控制器，該卡可只處于第一電壓范圍內(nèi)的電壓操作，或可在處于第一電壓范圍的電壓和處于低于第一電壓范圍的第二電壓范圍內(nèi)的電壓操作，且對該卡提供電壓識別命令，該命令包括電壓范圍識別部分、差錯(cuò)檢測部分、及檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠?，其中卡響?yīng)電壓識別命令發(fā)出包括電壓范圍識別部分和差錯(cuò)檢測部分或檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠值捻憫?yīng)，響應(yīng)的電壓范圍識別部分與電壓識別命令的電壓范圍識別部分具有相同的模式，響應(yīng)的差錯(cuò)檢測部分的模式配置為，能夠使已收到響應(yīng)的裝置檢測響應(yīng)中的差錯(cuò)，且響應(yīng)的檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠峙c電壓識別命令的檢驗(yàn)?zāi)Ｊ接邢嗤哪Ｊ健?br>

圖1的圖示示意表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的卡和主裝置的主要部件。
圖2的圖示表示根據(jù)第一實(shí)施例的存儲器卡中NAND型快閃存儲器的數(shù)據(jù)排布。
圖3表示在存儲器初始化前夕由主裝置發(fā)出的命令的一例。
圖4的圖示表示電壓檢驗(yàn)命令內(nèi)容的主要部件。
圖5的圖示表示響應(yīng)電壓檢驗(yàn)命令的內(nèi)容的主部件。
圖6是一流程圖，表示在主裝置操作在高電壓范圍的情形下檢驗(yàn)操作電壓范圍的過程。
圖7是主裝置操作在低電壓范圍的情形下檢驗(yàn)操作電壓范圍過程的流程圖。
圖8的圖示示意表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的存儲器初始化命令內(nèi)容的主要部件。
圖9的圖示表示根據(jù)第二實(shí)施例響應(yīng)存儲器初始化命令的內(nèi)容的主要部件。
圖10是一流程圖，表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例存儲器的初始化過程。
具體實(shí)施例方式
以下將參照

本發(fā)明的實(shí)施例。注意，在以下說明中對實(shí)質(zhì)上具有相同功能和配置的結(jié)構(gòu)元件，指定相同的標(biāo)號，并只在必要時(shí)提供重復(fù)的說明。
(第一實(shí)施例)第一實(shí)施例涉及主裝置和和卡支持的操作電壓范圍交互檢驗(yàn)。
預(yù)期當(dāng)實(shí)現(xiàn)以低電壓操作的卡時(shí)，在市場上存在只支持高電壓存在的卡(高電壓卡)，支持高電壓和低電壓的卡(雙電壓卡)，及提供低電壓的主裝置與提供高電壓的主裝置。
結(jié)果是，當(dāng)一同使用提供低電壓的主裝置(低電壓主裝置)和高電壓卡時(shí)，則引起以下問題。當(dāng)卡插入到主裝置時(shí)，其被來自主裝置的命令初始化。在初始化時(shí)，主裝置向卡發(fā)出命令以便獲取寄存器中的信息，該寄存器存儲關(guān)于卡中提供的操作狀態(tài)的信息。主裝置可從該信息獲取卡所支持的電壓的信息。
當(dāng)獲得關(guān)于操作狀態(tài)的信息時(shí)，高電壓卡按主裝置提供的低電壓供電操作，并從操作狀態(tài)寄存器輸出信息，雖然其不支持低電壓操作。然而，這不能保證操作狀態(tài)寄存器的發(fā)送/接收的有效性，這是因?yàn)榭ㄊ前此恢С值碾妷翰僮鞯摹Ｒ虼?，主裝置試圖初始化插入的卡，并在初始化失敗的情形下，知道卡不支持低電壓操作。
注意當(dāng)一同使用傳統(tǒng)的支持高電壓的主裝置和兩電壓卡時(shí)，則沒有特別的問題，因?yàn)閮烧叨寄軌蛞愿唠妷翰僮鳌?br> 圖1圖示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的卡和主裝置的主要部件。如圖1中所示，卡1包括存儲器3和卡控制器4。
卡1只支持高電壓操作(例如3.3V)，或既支持高電壓又支持低電壓(例如1.8V)操作。注意，低電壓操作實(shí)際上是指，卡1和主裝置2配置為支持包括1.8V的電壓范圍(諸如1.65V到1.95V)。類似地，高電壓操作是指卡1和主裝置2配置為支持包括3.3V的電壓范圍(諸如2.7V到3.6V)。一般來說，操作電壓范圍本身對于卡1和主裝置2兩者是相同的。在低電壓范圍與高電壓范圍之間設(shè)置一個(gè)不使用的電壓區(qū)。
主裝置2包括電壓提供部分5、讀/寫部分6、及命令控制部分7。電壓提供部分5以高電壓或低電壓電源電位Vdd操作，且電源電位Vdd和公共電位Vss提供給卡。讀/寫部分6從卡1讀取數(shù)據(jù)，并向卡1寫數(shù)據(jù)。命令控制部分7發(fā)送并接收命令并往來于卡進(jìn)行響應(yīng)。標(biāo)號11、12、13、14和17將在第二實(shí)施例中說明。
NAND型快閃存儲器可用作為存儲器3。圖2示出數(shù)據(jù)在NAND型快閃存儲器中的排布。NAND型快閃存儲器11的每一頁具有2122個(gè)字節(jié)((512個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)存儲器段+16字節(jié)冗余段)x4)，以及128頁形成一個(gè)可擦除單元(256k字節(jié)+8k字節(jié))。
此外，NAND型快閃存儲器21具有一個(gè)頁面緩沖器21A，用于往來于快閃存儲器輸入和輸出數(shù)據(jù)。頁面緩沖器21A的存儲容量為2112字節(jié)(2048字節(jié)+64字節(jié))。在數(shù)據(jù)寫入等時(shí)，頁面緩沖器21A在對應(yīng)于其自身容量的1個(gè)頁面單元，進(jìn)行往來于快閃存儲器的輸入和輸出數(shù)據(jù)的處理。
當(dāng)NAND型快閃存儲器21的存儲容量例如為1吉比特時(shí)，256-k字節(jié)塊(可擦除單元)的數(shù)目為512。此外，例如使用0.09μm工藝技術(shù)制造NAND型快閃存儲器21。就是說，NAND型快閃存儲器21的設(shè)計(jì)規(guī)則小于0.1μm。
同時(shí)，該實(shí)施例示出可擦除單元是一個(gè)256k字節(jié)塊的情形，但諸如例如可擦除單元為16k字節(jié)塊的構(gòu)成實(shí)際使用中也是有利的。這種情形下，每一頁面具有528字節(jié)(512字節(jié)數(shù)據(jù)存儲器段+16字節(jié)冗余段)，以及32個(gè)頁面形成一個(gè)刪除單元(16k字節(jié)+0.5k字節(jié)(k是1024))。此外，NAND快閃存儲器21可以是一個(gè)二進(jìn)制存儲器，其在一個(gè)存儲單元中存儲1位信息，或可以是多值存儲器，其在一個(gè)存儲單元中存儲2位或多位信息。
以下，將參照圖3到7說明使用圖1中卡1和主裝置2的初始化方法。初始化過程包括各種處理。首先描述由主裝置2在存儲器初始化前發(fā)出的命令的要點(diǎn)。圖3示出由主裝置2在存儲器初始化前發(fā)出的命令的一例。注意，卡1和存儲器2以操作電壓操作，直到通過以下所述的存儲器初始化命令從存儲器2的操作狀態(tài)寄存器獲得信息為止。這期間，卡1必須是可通過操作電壓操作的。
如圖3所示，當(dāng)初始化開始時(shí)，主裝置2發(fā)出復(fù)位命令CMDR，使卡1中的電路復(fù)位。
然后，主裝置2發(fā)出電壓檢驗(yàn)命令CMDV。該命令在本實(shí)施例中是新引進(jìn)的命令。因此，傳統(tǒng)的卡1不認(rèn)識電壓檢驗(yàn)命令CMDV，而且即使其收到這一命令，它也不會向主裝置2發(fā)回響應(yīng)。主裝置2和卡1使用電壓檢驗(yàn)命令CMDV能夠檢驗(yàn)彼此支持的操作電壓(操作電壓范圍)。以下將詳細(xì)說明交互檢驗(yàn)方法。
然后，例如如果卡1支持從數(shù)據(jù)存儲擴(kuò)展的各種I/O功能，主裝置2向卡1發(fā)出初始化命令CMDIO。隨之，提供用于存儲器1的初始化命令。將使用第二實(shí)施例說明存儲器初始化。
現(xiàn)在將說明電壓檢驗(yàn)命令CMDV。圖4示出電壓檢驗(yàn)命令CMDV內(nèi)容的主要部件。如圖4所示，電壓檢驗(yàn)命令CMDV具有至少一個(gè)檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠諧PS和電壓范圍識別部分VOLS。電壓范圍識別部分VOLS具有一個(gè)模式，其唯一示出主裝置2是支持低電壓操作還是支持高電壓操作。
檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠諧PS和電壓范圍識別部分VOLS可能具有任何位數(shù)。然而最好滿足以下的條件。即如以下所述，主裝置2和卡1的操作檢驗(yàn)電壓范圍識別部分VOLS的位模式是否彼此匹配檢驗(yàn)操作電壓范圍。因此，檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠諧PS例如可以是大約8位，而電壓范圍識別部分VOLS例如可以是大約4位，以避免當(dāng)這部分的模式由于噪聲而改變時(shí)不正確的識別。命令部分CM具有用于識別這一命令的指標(biāo)。
往來檢驗(yàn)命令是否從主裝置2向卡1被正確傳送，電壓檢驗(yàn)命令CMDV具有差錯(cuò)檢測代碼部分ED，其使用差錯(cuò)代碼部分ED，使用諸如CRC(循環(huán)冗余校驗(yàn))差錯(cuò)檢測代碼等。卡1能夠使用差錯(cuò)檢驗(yàn)代碼檢測電壓檢驗(yàn)命令CMDV內(nèi)的差錯(cuò)。
圖5示出對電壓檢驗(yàn)命令CMDV響應(yīng)內(nèi)容的主要部件。如圖5所示，對電壓檢驗(yàn)命令的響應(yīng)至少包括檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠諧PA和電壓范圍識別部分VOLA?？?在檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠諧PA中形成與電壓檢驗(yàn)命令CMDV相同的比特模式，并在電壓范圍識別部分VOLA中形成與電壓范圍識別部分VOLS相同的比特模式，以便向主裝置發(fā)送一個(gè)響應(yīng)。如同在電壓檢驗(yàn)命令CMDV的情形那樣，該響應(yīng)可具有差錯(cuò)檢測代碼部分ED。主裝置2可使用差錯(cuò)檢測代碼或比較該響應(yīng)與命令而確定它們是否匹配，以便檢測電壓檢驗(yàn)命令CMDV的響應(yīng)中的差錯(cuò)。
以下，將對主裝置2和卡1使用電壓檢驗(yàn)命令CMDV檢驗(yàn)彼此支持的操作電壓范圍的方法給出說明。該過程依賴于高電壓范圍操作和低電壓范圍操作而不同。首先將說明高電壓范圍操作的過程。圖6是一流程圖，表示當(dāng)主裝置2操作在高電壓范圍時(shí)檢驗(yàn)操作電壓范圍的過程。如圖6所示，在步驟ST1主裝置2向卡1發(fā)出電壓檢驗(yàn)命令CMDV。
在步驟ST2，主裝置2確定對電壓檢驗(yàn)命令CMDV是否有響應(yīng)。如上所述，傳統(tǒng)的卡不識別電壓檢驗(yàn)命令CMDV，因而不發(fā)出對該命令的響應(yīng)。因此，主裝置2確定卡1不是低電壓卡，或換言之確定了按高電壓操作的過程可繼續(xù)進(jìn)行，并進(jìn)行存儲器初始化過程。存儲器初始化過程將在第二實(shí)施例中說明。
同時(shí)，當(dāng)處于初始化下的卡1是這一實(shí)施例的卡時(shí)，卡1向主裝置2發(fā)回圖5所示的響應(yīng)。在這一步驟，卡1首先觀察電壓檢驗(yàn)命令CMDV的電壓范圍識別部分VOLS的比特模式。然后，卡1發(fā)回與電壓范圍識別部分VOLA中這一比特模式有相同比特模式的響應(yīng)。
然后在步驟ST3，主裝置2檢驗(yàn)響應(yīng)中的電壓范圍識別部分VOLA的模式，與電壓檢驗(yàn)命令CMDV中的電壓范圍識別部分VOLS的模式是否匹配。當(dāng)這些模式匹配時(shí)，主裝置2確定卡1是一個(gè)新的卡，對于此卡電壓檢驗(yàn)命令CMDV可被檢驗(yàn)且主裝置2的操作電壓范圍可被支持。
同時(shí)，主裝置2執(zhí)行CRC檢驗(yàn)，或檢驗(yàn)響應(yīng)的比特模式匹配命令的比特模式。接下來，能夠確認(rèn)電壓檢驗(yàn)命令CMDV的發(fā)送和接收是可靠的。
在命令中帶有差錯(cuò)檢測代碼的總線模式的情形下，響應(yīng)中的差錯(cuò)檢測代碼部分ED的模式例如形成為CRC代碼，以檢驗(yàn)響應(yīng)的有效性。在電壓檢驗(yàn)命令CMDV中沒有差錯(cuò)檢測代碼部分ED的總線模式的情形下，命令和響應(yīng)的電壓范圍識別部分VOLS與電壓范圍識別部分VOLA，以及檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠諧PS和CPA分別匹配，并確定響應(yīng)正常。如果確定響應(yīng)正常，電壓檢驗(yàn)過程結(jié)束。然后該流程轉(zhuǎn)移到存儲器初始化過程。這將在第二實(shí)施例中說明。
另一方面，如果電壓范圍識別部分VOLS與電壓范圍識別部分VOLA不匹配，和/或檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠諧PS和檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠諧PA不匹配，并通過差錯(cuò)檢測代碼檢測出差錯(cuò)，則檢驗(yàn)操作電壓范圍的過程結(jié)束。結(jié)果是，初始化過程停止。
圖7是一流程圖，表示當(dāng)主裝置2的操作電壓處于低電壓范圍內(nèi)時(shí)檢驗(yàn)操作電壓的過程。低電壓操作與高電壓操作之間的差別只依賴于以下這點(diǎn)。就是說，如果在步驟ST2沒有來自卡1的響應(yīng)，這意味著卡1不是以低電壓操作。這樣，初始化過程停止，以避免通過操作在低電壓范圍的主裝置2對高電壓卡初始化。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的卡1和主裝置2，卡1和主裝置2基于新提供的命令的發(fā)送/接收，能夠知道彼此支持的操作電壓范圍。因此，通過使用卡1和主裝置2都支持的操作電壓范圍的正常操作，能夠進(jìn)行接下來的初始化過程。此外，當(dāng)兩者都支持的操作電壓范圍不匹配時(shí)，主裝置2可檢測到這一點(diǎn)，并取消初始化過程。結(jié)果是，能夠避免諸如在非正常狀態(tài)的初始化這樣的無用的過程及主裝置的故障。
此外，根據(jù)第一實(shí)施例，電壓檢驗(yàn)命令CMDV具有一種檢驗(yàn)?zāi)Ｊ剑铱?形成與對電壓檢驗(yàn)命令CMDV響應(yīng)中檢驗(yàn)?zāi)Ｊ较嗤哪Ｊ?。比較這些檢驗(yàn)?zāi)Ｊ侥軌驅(qū)﹄妷簷z驗(yàn)命令CMDV的發(fā)送和接收的可靠性提供保證。因而，即使當(dāng)每一命令中沒有代碼差錯(cuò)檢測部分的總線模式時(shí)，也能夠在響應(yīng)中檢測差錯(cuò)。
(第二實(shí)施例)第二實(shí)施例涉及存儲器初始化方法，該方法依賴于卡中加載的存儲器為大容量還是小容量。
隨著能夠存儲大量信息的卡(大容量卡)的實(shí)現(xiàn)，必須新設(shè)置對應(yīng)于大容量卡的格式。新格式的文件系統(tǒng)不同于傳統(tǒng)的低容量格式的系統(tǒng)。此外，使用低容量格式的傳統(tǒng)的主裝置能夠識別大容量卡的文件系統(tǒng)。因此，如果傳統(tǒng)的主裝置初始化大容量卡，卡上的數(shù)據(jù)就會被破壞。
根據(jù)主裝置是否支持大容量，以及被初始化的卡是否支持大容量，可以有以下四種組合。
(1)傳統(tǒng)的主裝置(其不支持大容量)+小容量卡(2)傳統(tǒng)的主裝置+大容量卡(3)大容量支持主裝置(也支持小容量)+小容量卡(4)大容量支持主裝置+大容量卡。
希望主裝置和/或卡檢測采用以上情形哪一個(gè)并據(jù)此作出響應(yīng)。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的卡11加載有小容量或大容量存儲器13，以及卡控制器14。主裝置12包括命令控制部分17。命令控制部分17配置為支持所述第二實(shí)施例的存儲器初始化命令，以及小容量卡和大容量卡以及第一實(shí)施例命令控制部分7的功能。
存儲器初始化命令的內(nèi)容取決于第一實(shí)施例流程圖中過程到達(dá)哪里而不同。如果操作電壓范圍檢驗(yàn)的結(jié)果確定過程已到達(dá)圖6中的A，則主裝置12具有發(fā)出電壓檢驗(yàn)命令CMDV的功能，并于是非傳統(tǒng)格式，或換言之，其支持大容量。此外，在被初始化的卡為小容量卡的情形下，以上的情形(3)適用。這種情形下，主裝置12發(fā)出傳統(tǒng)的存儲器初始化命令。卡1的卡控制器14接收傳統(tǒng)存儲器初始化命令，以便把存儲器初始化為符合先有技術(shù)的模式。
另一方面，如果過程到達(dá)圖6或圖7中的B，則主裝置12使用以下所示的新的初始化命令進(jìn)行存儲器初始化。圖8示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例新的存儲器初始化命令內(nèi)容的主要部件。如圖8所示，存儲器初始化命令包括第一電壓識別部分V1S、第二電壓識別部分V2S、容量識別部分HCS、以及占用通知部分BS。第二電壓識別部分V2S可省略，且只定義第一電壓識別部分V1S。
第一電壓識別部分V1S例如通過多比特配置，且每一個(gè)比特對應(yīng)于特定的電壓寬度(諸如0.1V)。由第一電壓識別部分V1S支持的電壓范圍與第一實(shí)施例的高電壓操作范圍相同。表示當(dāng)前在主裝置12所施加的電壓的比特設(shè)置為“1”。
第二電壓識別部分V2S可按1比特配置。其還可以由多比特形成。如果主裝置12采用低電壓范圍的電壓，則設(shè)置該比特。當(dāng)?shù)诙妷鹤R別部分V2S通過多比特配置時(shí)，第二電壓識別部分V2S中每一比特覆蓋的電壓寬度可小于第一電壓識別部分V1S的寬度，且例如可以為0.05V單位。這樣，即使主裝置和卡的操作電壓在未來進(jìn)一步降低，主裝置也能夠更詳細(xì)地表示其自身的操作電壓。第二電壓識別部分V2S支持的電壓范圍與第一實(shí)施例的低電壓范圍相同。
在由第一電壓識別部分V1S覆蓋的電壓范圍和由第二電壓識別部分V2S覆蓋的電壓范圍之間，提供了一個(gè)中間電壓范圍部分VM。主裝置12不支持對應(yīng)于中間電壓范圍部分VM的電壓范圍，且因而中間電壓范圍部分VM中的所有比特都不顯示“1”。
提供中間電壓范圍部分VM獲得了以下的優(yōu)點(diǎn)?？刂破?4具有電壓調(diào)節(jié)器，以便卡11能夠?qū)?yīng)于兩個(gè)操作電壓范圍。該電壓調(diào)節(jié)器確定來自主裝置12的供電電壓是高電壓還是低電壓，并改變向卡11的操作電壓的供電電壓。這時(shí)，如果兩個(gè)操作電壓范圍是連續(xù)的，電壓調(diào)節(jié)器發(fā)現(xiàn)難以確定基本上處于兩個(gè)操作電壓范圍中間的電壓。其結(jié)果，操作緩慢進(jìn)行。未來避免這種情形，提供了一種不使用的區(qū)域，以幫助電壓調(diào)節(jié)器易于確定供電電壓范圍。
容量識別部分HCS具有一種模式，其指示主裝置12是只支持小容量還是既支持小容量又支持大容量。占用通知部分BS在響應(yīng)中設(shè)置為0或1，并在命令中不變(例如0)。新的存儲器初始化命令可具有由CRC代碼等構(gòu)成的差錯(cuò)檢測部分ED。
圖9示出根據(jù)第二實(shí)施例的存儲器初始化命令的響應(yīng)內(nèi)容的主要部件。如圖9所示，存儲器初始化命令的響應(yīng)內(nèi)容的每一部件具有與命令相同的格式，并包括第一電壓識別部分V1A、第二電壓識別部分V2A、容量識別部分HCA、及占用通知信號BA。
第一電壓識別部分V1A具有與命令中的第一電壓識別部分V1S相同的比特?cái)?shù)，且對應(yīng)于卡11本身支持的操作電壓的所有比特例如可以是“1”。
類似地，第二電壓識別部分V2A具有與命令中的第一電壓識別部分V2S相同的比特?cái)?shù)。對應(yīng)于卡11本身支持的操作電壓的所有比特例如可以是“1”。
容量識別部分HCA指示卡11是小容量卡還是大容量卡。占用通知部分BS在存儲器初始化期間形成一種比特模式，該比特模式指示這一事實(shí)。
以下將參照圖10說明存儲器初始化的方法。圖10是一流程圖，表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的存儲器初始化過程。圖10示出圖6和7中A和B隨后的部分。為了發(fā)出存儲器新的初始化命令，至少卡11和主裝置12兩者都必須支持發(fā)出電壓檢驗(yàn)命令CMDV。此外，當(dāng)卡11為大容量卡時(shí)，必須發(fā)出新的存儲器初始化命令。
如圖10所示，在步驟ST11，主裝置12發(fā)出圖8所示的新的存儲器初始化命令。如果主裝置12支持大容量卡，則這一命令的容量識別部分HCS設(shè)置為一種比特模式，其指示主裝置12支持大容量卡。
注意，當(dāng)主裝置是傳統(tǒng)類型時(shí)，不發(fā)出根據(jù)本實(shí)施例的電壓檢驗(yàn)命令CMDV和存儲器初始化命令(新的存儲器初始化命令)。除此之外，當(dāng)被初始化的卡為對應(yīng)于以上(1)的小容量卡時(shí)，借助于傳統(tǒng)的初始化命令，卡11按與先有技術(shù)兼容的模式被初始化(包括卡11發(fā)回響應(yīng)的操作)。
當(dāng)主裝置是傳統(tǒng)類型，且被初始化的卡11是對應(yīng)于以上(2)的大容量卡時(shí)，沒有收到電壓檢驗(yàn)命令CMDV的卡11不完成由存儲器初始化命令指令的初始化，以便刪除初始化過程。然后該主裝置基于時(shí)間限制檢驗(yàn)檢測到初始化不能進(jìn)行。這使得能夠防止大容量卡錯(cuò)誤地按小容量卡初始化。
然后在步驟STR12，主裝置12確定對新的存儲器初始化命令的響應(yīng)是否存在。當(dāng)沒有收到響應(yīng)時(shí)，認(rèn)為發(fā)生差錯(cuò)并結(jié)束處理。當(dāng)收到響應(yīng)時(shí)，主裝置12在步驟ST13檢驗(yàn)響應(yīng)中的占用通知部分BA的比特模式。主裝置12不斷發(fā)出存儲器初始化命令，直到存儲器初始化結(jié)束，且比特模式指示存儲器初始化已結(jié)束(步驟ST14)。存儲器13的初始化一旦開始，卡只發(fā)送回響應(yīng)并忽略存儲器初始化命令參數(shù)中已設(shè)置的內(nèi)容。主裝置12檢驗(yàn)存儲器13被初始化的時(shí)間限制。
當(dāng)存儲器13的初始化完成時(shí)，在步驟ST15主裝置12檢驗(yàn)容量識別部分HCA的比特模式。當(dāng)初始化結(jié)束時(shí)，檢驗(yàn)容量識別部分HCA起作用。如果被初始化的卡11是新的卡且為小容量的卡，則顯示HCA＝0，這對應(yīng)于以上的情形(3)。結(jié)果是，主裝置12知道卡已作為小容量卡被初始化。如果是大容量卡，則顯示HCA＝1，這對應(yīng)于以上的情形(4)。結(jié)果是，主裝置12知道卡已作為大容量卡被初始化。然后該過程轉(zhuǎn)移到一個(gè)附加過程(例如卡11的ID獲取)。
在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的主裝置12和卡11中，存儲器初始化命令和響應(yīng)包括對于小容量卡或大容量卡的支持信息和識別信息。主裝置12和卡11使用其檢驗(yàn)通信中使用的主裝置是否支持大容量。高容量卡11只在主裝置12和卡11兩者都支持高容量時(shí)才被初始化。小容量卡只在主裝置12和卡11兩者都支持小容量時(shí)才被初始化。而且，因?yàn)橹С执笕萘康闹餮b置12必須也支持小容量，當(dāng)小容量主裝置試圖初始化大容量卡11時(shí)，初始化過程被取消。因而，即使新的或老的主裝置與新的或老的卡一同使用，也能夠防止操作中的差錯(cuò)。
此外，對于業(yè)內(nèi)專業(yè)人員可能出現(xiàn)在本發(fā)明范圍內(nèi)的各種修改和調(diào)整，并且這被理解為這些修改和調(diào)整包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
工業(yè)應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明，能夠提供卡和主裝置，其中能夠交互檢驗(yàn)操作電壓和容量。
權(quán)利要求
1.一種主裝置，配置為從卡讀和向卡寫信息，并提供屬于第一電壓范圍或低于第一電壓范圍的第二電壓范圍的供電電壓，該主裝置配置為向卡發(fā)出電壓識別命令，該命令包含電壓范圍識別部分、差錯(cuò)檢測部分、及檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠郑涮卣髟谟陔妷悍秶R別部分包括指示供電電壓屬于第一電壓范圍和第二電壓范圍中的哪一個(gè)的信息，差錯(cuò)檢測部分具有一種模式，其配置為使得已收到電壓識別命令的卡能夠檢測電壓識別命令中的差錯(cuò)，以及檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠志哂蓄A(yù)置的模式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的主裝置，其特征在于主裝置接收對電壓識別命令的響應(yīng)，該響應(yīng)包括電壓范圍識別部分、和差錯(cuò)檢測部分或檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠郑铄e(cuò)檢測部分具有一種模式，其配置為使得已收到來自卡的響應(yīng)的主裝置能夠檢測響應(yīng)中的差錯(cuò)，電壓識別命令的電壓范圍識別部分和響應(yīng)的電壓范圍識別部分具有相同的模式，并當(dāng)差錯(cuò)檢測部分用來確認(rèn)在響應(yīng)中不存在差錯(cuò)時(shí)，或當(dāng)響應(yīng)的檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠峙c命令的檢驗(yàn)?zāi)Ｊ骄哂邢嗤Ｊ綍r(shí)，向卡發(fā)出下一個(gè)命令。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的主裝置，其特征在于，當(dāng)主裝置沒有收到對電壓識別命令的響應(yīng)時(shí)，主裝置提供屬于第一電壓范圍的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的主裝置，其特征在于該裝置發(fā)出初始化命令，其包括指令卡初始化卡所具有的存儲器的信息，以及該裝置根據(jù)裝置是否收到對電壓識別命令的響應(yīng)而改變初始化命令定義。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的主裝置，其特征在于，當(dāng)主裝置收到電壓識別命令的響應(yīng)時(shí)，卡的初始化命令和響應(yīng)包括與小容量卡或大容量卡初始化相關(guān)的信息。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的主裝置，其特征在于，初始化命令包括指示卡只支持小容量或卡既支持小容量又支持大容量的信息。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的主裝置，其特征在于初始化命令包括第一操作電壓識別部分或第二操作電壓識別部分，第一操作電壓識別部分包括多個(gè)第一比特，其每一個(gè)對應(yīng)于第一寬度電壓，以及第二操作電壓識別部分包括多個(gè)第二比特，其每一個(gè)對應(yīng)于小于第一寬度的第二寬度電壓。
8.一種卡，其特征在于包括存儲信息的存儲器及控制存儲器的控制器，該卡只能在處于第一電壓范圍內(nèi)的電壓操作，或可在處于第一電壓范圍的電壓和處于低于第一電壓范圍的第二電壓范圍內(nèi)的電壓操作，且對該卡提供電壓識別命令，該命令包括電壓范圍識別部分、差錯(cuò)檢測部分、及檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠?，其中卡響?yīng)電壓識別命令發(fā)出包括電壓范圍識別部分和差錯(cuò)檢測部分或檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠值捻憫?yīng)，響應(yīng)的電壓范圍識別部分與電壓識別命令的電壓范圍識別部分具有相同的模式，響應(yīng)的差錯(cuò)檢測部分的模式配置為，能夠使已收到響應(yīng)的裝置檢測響應(yīng)中的差錯(cuò)，以及響應(yīng)的檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠峙c電壓識別命令的檢驗(yàn)?zāi)Ｊ骄哂邢嗤哪Ｊ健?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求8的卡，其特征在于卡記錄信息，卡接收電壓識別命令，卡接收指令存儲器初始化的初始化命令，當(dāng)初始化命令包括指示主裝置只支持小容量卡的信息時(shí)，并且當(dāng)卡為小容量卡時(shí)，卡發(fā)出指示卡為小容量卡的響應(yīng)，以及當(dāng)初始化命令包括指示主裝置只支持小容量卡的信息時(shí)，并當(dāng)且卡不是小容量卡時(shí)，初始化被取消。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的卡，其特征在于卡記錄信息，卡接收電壓識別命令，卡接收指令存儲器初始化的初始化命令，當(dāng)初始化命令包括指示主裝置既支持小容量卡又支持大容量卡的信息時(shí)，并且當(dāng)卡為大容量卡時(shí)，卡發(fā)出指示卡為大容量卡的響應(yīng)，以及當(dāng)初始化命令包括指示主裝置既支持小容量卡又支持大容量卡的信息時(shí)，并且當(dāng)卡為小容量卡時(shí)，卡發(fā)出指示卡為小容量卡的響應(yīng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的卡，其特征在于卡記錄信息，卡不接收電壓識別命令，卡接收指令存儲器初始化的初始化命令，以及當(dāng)卡是小容量卡時(shí)，響應(yīng)指示卡是小容量卡，以及當(dāng)卡不是小容量卡時(shí)，初始化被取消。
全文摘要
本發(fā)明涉及卡與主裝置，其中主裝置(2)從一個(gè)卡(1)讀出信息，并在卡中寫入信息。該主裝置可提供一該電源電壓，該電壓或者屬于第一電壓范圍或小于第一電壓范圍的第二電壓范圍，并向卡發(fā)出電壓區(qū)分命令(CMDV)。電壓區(qū)分命令包含電壓范圍區(qū)分部分(VOLS)、差錯(cuò)檢測部分(ED)、及檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠?CPS)。電壓范圍區(qū)分部分包含指示電源電壓屬于哪個(gè)范圍即第一范圍還是第二范圍的信息。差錯(cuò)檢測部分具有配置的模式，以允許接收電壓區(qū)分命令的卡檢測電壓區(qū)分命令的差錯(cuò)。檢驗(yàn)?zāi)Ｊ讲糠謾z驗(yàn)事先設(shè)置的模式。
文檔編號G06F1/26GK1947130SQ20058001313
公開日2007年4月11日 申請日期2005年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月26日
發(fā)明者藤本曜久 申請人:株式會社東芝