專利名稱：測量透光基板中尺寸變化的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及對透光基板的處理造成的透光基板尺寸變化的測量。
背景技術(shù)：
諸如玻璃基板的透光基板廣泛應(yīng)用于需要透光或光探測的許多器件中。這些器件的示例包括，但不局限于平板顯示器、有源電子器件、光壓器件和生物陣列。將透光基板處理成具體器件可用的形式可能會在透光基板上引入尺寸變化。這種處理的示例包括，但不局限于切割透光基板以及將透光基板加熱到室溫以上。對玻璃基板的切割會從玻璃基板釋放內(nèi)應(yīng)力，從而造成玻璃基板的變形。將玻璃基板加熱到室溫以上可造成玻璃基板的收縮或膨脹。變形、收縮、膨脹和其它類型的尺寸變化在諸如上述器件、尤其是陣列化器件中是有問題的。制造商通常要求陣列化器件中結(jié)合的透光基板具有預(yù)定限制內(nèi)的尺寸變化。作為示例，AMLCD (有源矩陣液晶顯示器件)器件制造商通常要求AMLCD器件中結(jié)合的玻璃基板在處理之后具有小于幾微米的變形。這些尺寸要求會隨AMLCD技術(shù)和制造的進(jìn)步而變得更加嚴(yán)格。
當(dāng)前，基于絕對坐標(biāo)系的測量系統(tǒng)(通常使用干涉測量法)用于測量透光基板中的尺寸變化。在絕對測量中，使用一系列參考標(biāo)記對所測量的透光基板進(jìn)行標(biāo)記。在處理基板之前將參考標(biāo)記預(yù)先表征在X-Y位置上。在處理基板之后，將該基板放回到測量系統(tǒng)上并對X-Y參考結(jié)構(gòu)進(jìn)行重新表征。尺寸變化通過測量之前的參考結(jié)構(gòu)X-Y位置相對于處理之后參考結(jié)構(gòu)X-Y位置的變化來指示。絕對測量系統(tǒng)很可能隨所測量面積的變大而具有很大測量誤差。200680014608.3
綜上所述，需要一種測量透光基板中尺寸變化的方法。這種測量可用于確定該透光基板的尺寸變化是否在預(yù)定限制之內(nèi)。這種測量還可用于細(xì)調(diào)透光基板的成
分以及造成透光基板中尺寸變化的處理步驟。隨著AMLCD產(chǎn)業(yè)朝著大尺寸基板發(fā)展，同樣需要一種以高分辨率(例如亞微米分辨率)測量大基板面積(例如大于2m長)上尺寸變化的方法。

發(fā)明內(nèi)容
在一方面，本發(fā)明涉及一種測量透光基板中尺寸變化的方法，包括在參考板上形成參考標(biāo)記陣列、在透光基板上形成基板標(biāo)記陣列、將參考板和透光基板層疊成使得參考標(biāo)記和基板標(biāo)記重疊、在處理透光基板之前和之后相對于參考標(biāo)記的坐標(biāo)測量基板標(biāo)記的坐標(biāo)、以及從處理透光基板之前和之后所測量的基板標(biāo)記相對坐標(biāo)來確定透光基板中的尺寸變化。
在另一方面，本發(fā)明涉及一種測量透光基板中尺寸變化的系統(tǒng)，包括參考板、向參考板提供剛性支承的平臺、在透光基板與參考板層疊時捕獲參考板和透光基板上的標(biāo)記的圖像的成像裝置、以及耦合到成像裝置以將成像裝置定位在平臺上所需位置的定位裝置。
從以下描述和所附權(quán)利要求書，本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將變得顯而易見。


圖1A示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式測量透光基板中尺寸變化的方法。
圖2B示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的定位在參考板上方的已標(biāo)記透光基板。
圖1C示出基板標(biāo)記相對于參考標(biāo)記的坐標(biāo)。
圖1D示出基板標(biāo)記相對于參考標(biāo)記的初始和最終位置。
圖2A-2D示出適用于本發(fā)明的標(biāo)記示例。
圖3A和3B示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的單焦平面配置中的基板和參考標(biāo)記。
圖4A-4F示出根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的雙焦平面配置中的基板和參考標(biāo)記。圖5A-5C示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的用于測量透光基板中尺寸變化的系統(tǒng)。
具體實施例方式
5現(xiàn)在參考幾個較佳實施方式對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，如附圖所示。在以下描述中，闡述了許多具體細(xì)節(jié)以便于提供對本發(fā)明的透徹理解，然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本發(fā)明可在沒有這些具體細(xì)節(jié)中部分或全部的情況下進(jìn)行實施。在其它情況中，并未詳細(xì)描述公知特征和/或工藝步驟以免對本發(fā)明造成不必要的混淆。本發(fā)明的特征和優(yōu)點可通過附圖及其討論而得到更好的理解。
圖1A是示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式測量諸如玻璃基板的透光基板中尺寸變化的方法的流程圖。該方法涉及在參考板S,上形成標(biāo)記M,的陣列(100)。標(biāo)記
M,充當(dāng)固定局域標(biāo)尺，將針對該標(biāo)尺測量透光基板中的尺寸變化。不對參考板S,進(jìn)行造成其尺寸變化的任何處理步驟。該方法還涉及在透光基板S2上形成標(biāo)記M2的陣列(102)。就標(biāo)記分布和形狀而言，透光基板S2上的標(biāo)記M2的陣列與參考板S,上的標(biāo)記M,的陣列相同或相似。該方法還包括將透光基板S2層疊在參考板S,上使得透光基板S2上的標(biāo)記M2的陣列和參考板S,上的標(biāo)記Mi的陣列重疊(104)。這種層疊可包括將透光基板S2置于參考板S,上方(或在其上)或者將參考板S,
置于透光基板S2上方(或其上)。
該方法還包括使用適當(dāng)成像系統(tǒng)獲取已層疊的參考標(biāo)記M,和基板標(biāo)記M2的圖像(106)。該步驟稱為第一測量觀察，且所獲取的圖像稱為第一測量圖像。第一測量圖像可以是單個圖像，或者例如如果逐節(jié)點捕獲參考標(biāo)記M,和基板標(biāo)記M2，則第一測量圖像還可以是圖像陣列。該方法還包括處理第一測量圖像以確定各個基板標(biāo)記M2相對于參考標(biāo)記中對應(yīng)之一 Mi的初始坐標(biāo)(Xi,yi) (108)。參考標(biāo)記Mj中對應(yīng)之一通常是最接近參考標(biāo)記M"圖1B示出由參考和基板標(biāo)記M^ M2組成的第一測量圖像的視圖。圖lC示出基板標(biāo)記M2相對于參考標(biāo)記N^的坐標(biāo)(Xi,yi)。
返回到圖1A，在獲取第一測量圖像之后，將透光基板S2從參考板S,分離并進(jìn)行處理(110)。這種處理可包括，例如切割透光基板S2和/或加熱透光基板S2
到更高溫度。在對透光基板S2進(jìn)行處理之后，層疊透光基板S2和參考板S"吏得基
板標(biāo)記M2和參考標(biāo)記M,重疊并可從透光基板S2上方的位置觀察到(112)。該方法包括使用成像系統(tǒng)分別獲取參考板S!和透光基板S2上的參考標(biāo)記Mp和基板標(biāo)記M2 (114)。本步驟稱為第二測量觀察，且所獲取的圖像稱為第二測量圖像。
該方法還包括處理第二測量圖像以確定各個基板標(biāo)記M2相對于參考標(biāo)記中對應(yīng)之
一 M,的最終坐標(biāo)(Xf,yf) (116)。
該方法還包括計算透光基板S2上各個節(jié)點(由基板標(biāo)記M2表示)的初始和最終坐標(biāo)之間的差異(118)。這些差異表示透光基板S2中與第一測量觀察的局域
6尺寸差異變化。在第一測量觀察過程中透光基板S2相對于參考板S！的取向和位置很可能不同于在第二測量觀察過程中透光基板S2相對于參考板Si的取向和位置。在一實施方式中，該方法包括對因在第一和第二測量觀察中相對于參考板S〗定位透光基板S2的差異造成的透光基板S2中尺寸變化測量的誤差進(jìn)行校正。
假設(shè)透光基板S2為剛性且剛性體移動誤差大于工藝尺寸變化，則可對轉(zhuǎn)動和
平移誤差在數(shù)學(xué)上進(jìn)行求解。圖ID示出基板標(biāo)記M2相對于參考標(biāo)記M,的初始位
置Ri和最終位置Rf的圖示。對于各個基板標(biāo)記
; 廣i , = i r+z) + ￡ (i)
其中Rf是所測量的最終位置，Ri是所測量的初始位置，RT是剛性體的轉(zhuǎn)動/平移，D是由給定工藝導(dǎo)致的基板中尺寸變化，且E是測量誤差。對于標(biāo)記陣列
"} = {i r} +W (2)
其中(}表示矩陣且r表示留數(shù)(residual),即尺寸變化。已知Rf和R;。 RT和r
通過使用例如線性回歸的求解聯(lián)立方程的任何適當(dāng)技術(shù)來確定。該剛性體補(bǔ)償旨在將第二觀察測量還原到第一測量觀察的初始位置。
回到圖1A，測量的質(zhì)量受到參考板S，平坦度的影響。平坦度是指參考板S,的波度。如果參考板S,不足夠平坦，則參考板S!和透光基板S2不會連續(xù)接觸，從而在參考板S,與透光基板S2之間造成潛在氣隙或褶皺，這可影響測量的再現(xiàn)性。因此，參考板S,較佳地由具有良好平坦度的基板制成。在一實施方式中，參考板S,的平坦度不大于100 pm并可在10至100 pm之間。該平坦度要求是在特定面積上，通常是100mii^正方形面積。
較佳地，在與透光基板S2接觸時，參考板S,不會因透光基板S2的內(nèi)應(yīng)力或熱應(yīng)力而翹曲。為了減小測量對溫度變化的敏感度，參考板S,較佳地具有與透光基板S2相似(即相等或接近)的熱膨脹系數(shù)(CTE)。當(dāng)透光基板S2是AMLCD玻璃時，硼硅酸鹽材料或AMLCD玻璃可用作參考板S!。當(dāng)參考板S!被定位在透
光基板S2上方(或其上)時，參考板Si應(yīng)該透光以允許在透光基板S2上方的位置
觀察透光基板S2上的標(biāo)記M2。
選擇參考板S,的其它標(biāo)準(zhǔn)至少部分地取決于用于進(jìn)行測量的傳感器類型。通常，參考板Si較佳地隨時間保持穩(wěn)定。當(dāng)使用光學(xué)透鏡的成像系統(tǒng)用于進(jìn)行測量時，參考板S,較佳地具有最小宏觀和微觀劃痕的光滑玻璃表面，因為這種劃痕會影響測量圖像的質(zhì)量。對于大尺寸測量，參考板S,應(yīng)該足夠剛性使得它不會在處理過程中碎裂。如果參考板Si由多片制成，則應(yīng)該隨時間確保多片的機(jī)械和熱穩(wěn)定性。此外，應(yīng)該達(dá)到平坦度要求，尤其在接合邊緣處。
分別在參考板S,和透光基板S2上的標(biāo)記M。 M2可具有各種各樣的幾何或非
幾何形狀。圖2A-2D示出適用于本發(fā)明的標(biāo)記M的示例。在圖2A中，標(biāo)記M是 線。在圖2B中，標(biāo)記M是圓。在圖2C中，標(biāo)記M是十字線。在圖2D中，標(biāo)記 M是點?？蓪?biāo)記M均勻地置于參考板和透光基板上，即標(biāo)記之間的間距均勻， 或者可將其隨機(jī)地置于參考板和透光基板上，即標(biāo)記之間的間距不均勻。例如，圖
2A-2C中的標(biāo)記M被均勻設(shè)置而圖2D中的標(biāo)記M被隨機(jī)設(shè)置?？墒褂弥T如油墨 標(biāo)記系統(tǒng)、刻圖系統(tǒng)、刻蝕工具或激光標(biāo)記系統(tǒng)的任何適當(dāng)標(biāo)記系統(tǒng)來在參考板和 透光基板上設(shè)置標(biāo)記。透光基板上的標(biāo)記必須能夠經(jīng)受該透光基板在第一測量觀察 和第二測量觀察之間可能受到的任何處理步驟而保留下來。
回到圖1A，參考板S,的位置可在透光基板S2的上方或下方?？蓪⒖及錝1 和透光基板S2定位成使得標(biāo)記M,、 M2處于單焦平面或出于雙焦平面中。在單焦 平面配置中，參考和基板標(biāo)記M" M2位于同一平面，且具有單焦點的成像系統(tǒng)適 于捕獲標(biāo)記的圖像。在雙焦平面配置中，參考和基板標(biāo)記Mh M2位于不同平面中。 圖3A和3B示出單焦平面配置中的參考和基板標(biāo)記Mp M2。需要在作了標(biāo)記之 后翻轉(zhuǎn)參考板S,或透光基板S2以將標(biāo)記置于同一平面。翻轉(zhuǎn)大的透光基板而不損 壞它們是困難的。圖4A-4D示出雙焦平面配置中的參考和基板標(biāo)記M^ M2。雙焦 平面配置允許參考板和透光基板在不操作參考板或透光基板在測量系統(tǒng)上的取向 的情況進(jìn)行標(biāo)記和測量。
對于雙焦平面配置，存在各種方法捕獲不同平面上的標(biāo)記。 一種方法涉及捕 獲同一焦深內(nèi)的平面。在該方法中，所測量基板的厚度影響焦深。隨著焦深增加， 由成像系統(tǒng)收集光的效率降低。一種增加對比度的可能方法是通過對各個測量圖像 實施更高的積分比率時間(integration rate time)。第二種方法涉及在兩個分離時間 框架下測量兩個平面。實現(xiàn)第二種方法的示例包括在成像系統(tǒng)第一 Z-位置捕獲兩 個平面并在成像系統(tǒng)第二 Z-位置捕獲兩個平面。實現(xiàn)第二種方法的另一示例包括 不同時刻使用不同的聚焦透鏡來捕獲各個平面。第三種捕獲不同平面上標(biāo)記的方法 涉及使用具有兩個焦平面的成像系統(tǒng)同時捕獲兩個平面。
圖5A示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的用于測量透明基板中尺寸變化的系統(tǒng) 500。該系統(tǒng)500包括剛性支承工作臺504的支承結(jié)構(gòu)502。支撐結(jié)構(gòu)502較佳地 是隔振臺，即裝有消除諧振或非諧振振動頻率的無源和/或有源隔振器。工作臺504 提供剛性支承參考板508和透光基板509的平臺506。平臺506較佳地具有良好的
8臺506的平坦度不大于100pm或者在10和100pm之間。將框 架515附加到工作臺504兩側(cè)。框架515支承定位裝置510。定位裝置510能夠在 工作臺504上移動附加其上的物體，諸如成像系統(tǒng)512或標(biāo)記系統(tǒng)(圖5B中的517)。 工作臺504應(yīng)該足夠堅固以支承定位裝置510和其它附加到定位裝置510的其它設(shè) 備而無過度振動。工作臺504應(yīng)該具有高剛度，以避免定位裝置510在工作臺504 上移動時動態(tài)偏斜，特別是測量面積較大，例如在2 m長的數(shù)量級上時。工作臺 504可由花崗石材料制成。
定位裝置510可以是xy臺或xyz臺或升降臺或笛卡爾自動機(jī)或能夠沿至少兩 個正交方向移動的其它裝置。較佳地，定位裝置510能夠微移動。較佳地，定位裝 置510能夠在例如大于2m的大面積上微移動。較佳地，定位裝置510具有剛度， 使其在包括標(biāo)記、測量和按需的玻璃處理的各個步驟期間合理地接近節(jié)點。為說明 目的，定位裝置510還包括在框架515上支承的線性臺514。線性臺514可提供沿 y方向的線性移動。定位裝置510還包括使其末端支承在線性臺514上的線性臺 516。線性臺516可提供沿x方向的線性移動。成像系統(tǒng)512可由耦合到線性臺516 的的框架520支承。在可選實施方式中，框架520可由提供沿z方向移動的線性臺 代替，從而允許成像系統(tǒng)512的z-位置可相對于工作臺504調(diào)節(jié)?；蛘?，可在線性 臺516和線性臺514的末端之間設(shè)置提供沿z方向線性移動的線性臺，以允許線性 臺516的z-位置可相對于臺504調(diào)節(jié)。
系統(tǒng)500較佳地包括將參考板508夾緊到工作臺504的機(jī)構(gòu)或方法，至少在 參考板508與工作臺504接觸的配置中如此。夾緊方法可涉及使用機(jī)械裝置，諸如 C-夾具。然而，這種夾具可干擾透光基板509在參考板508上的放置。 一種可選方 法是使用真空夾緊。圖5C示出適于本發(fā)明的真空夾緊系統(tǒng)。在另一實施方式中， 線性凹槽522在工作臺504上形成。同樣在附加到工作臺504兩側(cè)的框架515中形 成一個或多個出口 524。出口 524可與線性凹槽522連通?？赏ㄟ^將出口 524連接 到真空源并吸出線性凹槽522中的空氣來將參考板508夾緊到工作臺504。參考板 508還可包括與框架515中另一組出口 528連通的孔526。可經(jīng)由出口 528將孔526 連接到真空源以允許將透光基板509真空夾緊到參考板508?？尚谐赡軌颡毩⑦B接 到真空源的分離的孔組526，使得真空夾緊可在參考板508上選擇性提供。這是有 用的，因為透光基板509的尺寸可以變化并且可能并不覆蓋參考板508上的所有孔。 分離的孔組526允許真空夾緊面積與透光基板尺寸匹配。當(dāng)需要從參考板508移除 透光基板509時，將空氣通過出口 528泵入孔526中以釋放透光基板509。真空夾
9緊的另一選擇包括，但不局限于靜電夾具，其中透光基板509和/或參考板508可 由不同電荷壓緊。
回到圖5A，成像系統(tǒng)512通常包括相機(jī)534。在一實施方式中，相機(jī)534使 用CCD("電荷耦合器件")傳感器作為光傳感器。然而，本發(fā)明不局限于使用CCD 傳感器作為光傳感器。也可使用CMOS傳感器或其它固態(tài)傳感器。在其中光傳感 器是CCD傳感器的實施方式中，它包括稱為感光單元(photosite)的光敏單元的 陣列。這些感光單元通常由硅制成并在光入射其上時發(fā)射電子。各個感光單元具有 關(guān)聯(lián)的彩色濾光片以允許CCD傳感器檢測色彩。成像系統(tǒng)512通常還包括光學(xué)系 統(tǒng)536。光學(xué)系統(tǒng)536可包括用于將來自諸如參考板508或透光基板509上標(biāo)記的 物體的光聚焦到相機(jī)534的光傳感器上的一個或多個透鏡。透鏡較佳地具有低畸變 和像差。成像系統(tǒng)512還可包括縮放特征，這可通過光學(xué)系統(tǒng)536光學(xué)地實現(xiàn)或通 過相機(jī)534數(shù)字地實現(xiàn)。成像系統(tǒng)512還可包括控制其操作并將由相機(jī)534中光傳 感器收集的信息處理成圖像文件的處理器。處理器可支持各種形式的圖像文件格 式，諸如TIFF和JPEG。成像系統(tǒng)512還可包括用于存儲圖像文件的存儲器。
系統(tǒng)500可包括用于照明測量區(qū)域532的一個或多個照明器530。照明可從工 作臺504的上方或下方提供。兩個最常用的照明技術(shù)包括黑場和明場照明。相機(jī) 534基于從測量區(qū)域532反射的光制作圖像。系統(tǒng)500還包括用于控制定位裝置510 的移動使得可通過使用成像系統(tǒng)512對參考板508和透光基板509的所需部分進(jìn)行 成像的計算機(jī)系統(tǒng)538。計算機(jī)系統(tǒng)538通常包括處理器540和視頻監(jiān)視器542以 及與該系統(tǒng)交互所必需的其它外圍設(shè)備(未示出)，諸如鍵盤和鼠標(biāo)。這些外圍設(shè) 備是本領(lǐng)域公知的，以下不再贅述。計算機(jī)系統(tǒng)538可從成像系統(tǒng)512接收圖像文 件并處理該圖像文件。例如，處理器540可執(zhí)行計算基板標(biāo)記相對于參考標(biāo)記的坐 標(biāo)的算法。處理器540還可執(zhí)行基于第一和第二測量觀察計算透光基板509中尺寸 變化的算法，包括補(bǔ)償由于透光基板509相對于參考板508放置造成的旋轉(zhuǎn)和位移。
因為測量對溫度敏感，系統(tǒng)500較佳地包括包圍測量區(qū)域532的溫控腔533。
作為示例，溫控腔533能夠使用穩(wěn)態(tài)空氣流保持所需溫度到土o.orc。然而，達(dá)到
這種溫度要求的成本使其不能用于較大基板。在這種情形中，可對溫度要求放寬。 例如，如果AMLCD用作透光基板，則較大的表面積使該基板能夠很快使其溫度 適應(yīng)環(huán)境溫度。如果支承結(jié)構(gòu)是較大的塊，則需要較大并延伸的梯度溫度來改變平 臺的尺寸。在這種情況下，溫度要求被放寬。溫度建?？捎糜诖_定適當(dāng)溫度要求。 在操作中，將參考板508定位在平臺506上并且標(biāo)記系統(tǒng)(圖5B中的517)用于在參考板508上形成標(biāo)記陣列。同一過程對透光基板509重復(fù)。標(biāo)記系統(tǒng)(圖 5B中的517)的移動可由計算機(jī)系統(tǒng)538控制。標(biāo)記系統(tǒng)517可以是油墨標(biāo)記系 統(tǒng)或激光標(biāo)記系統(tǒng)或刻劃系統(tǒng)或蝕刻工具或任何其它適當(dāng)?shù)臉?biāo)記系統(tǒng)。在標(biāo)記之 后，將透光基板509和參考板508在平臺506上層疊以允許使用成像系統(tǒng)512對透 光基板509和參考板508上的標(biāo)記進(jìn)行成像，即第一參考觀察。之后，從平臺506 移走透光基板509，進(jìn)行處理并返回到平臺506以供第二測量觀察。
本發(fā)明通常提供以下優(yōu)點。相對測量技術(shù)能夠以高分辨率測量較小或較大的 透光基板的尺寸變化。本發(fā)明包括對因在處理透光基板之前和之后透光基板相對于 參考板的放置引起的測量誤差進(jìn)行校正。該測量降低了對溫度變化的敏感度，因為 使用了具有與所測量透光基板類似CTE的參考板以及與通常在諸如基于干涉測量 法的絕對坐標(biāo)測量系統(tǒng)中使用的一個全局參考(0,0,0)不同，使用了局域標(biāo)尺標(biāo)記。 實現(xiàn)在延長的測量周期上有良好的測量可重復(fù)性和再現(xiàn)性。標(biāo)記位置的相對坐標(biāo)測 量允許定位裝置的移動要求相比絕對坐標(biāo)測量有所放寬，這造成測量系統(tǒng)的總成本 降低。
雖然本發(fā)明是針對有限數(shù)量的實施方式描述的，但是得益于本公開的本領(lǐng)域 技術(shù)人員應(yīng)該理解，可提出不背離本文公開的本發(fā)明的范圍的其它實施方式。因此， 本發(fā)明的范圍應(yīng)該僅由所附權(quán)利要求書限定。
1權(quán)利要求
1.一種測量透光基板中尺寸變化的方法，包括在參考板上形成參考標(biāo)記陣列；在所述透光基板上形成基板標(biāo)記陣列；將所述參考板和所述透光基板層疊成使所述參考標(biāo)記和所述基板標(biāo)記重疊；在處理所述透光基板之前和之后相對于所述參考標(biāo)記的坐標(biāo)測量所述基板標(biāo)記的坐標(biāo)；以及從在處理所述透光基板之前和之后所測量的所述基板標(biāo)記的相對坐標(biāo)之間的差異來確定所述透光基板中的尺寸變化。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述參考板和透光基板層疊發(fā) 生在處理所述透光基板之前和之后。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，還包括補(bǔ)償因在處理所述透光基 板之前或之后所述透光基板相對于所述參考板的定位差異造成的所述尺寸變化的、口妖差。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述參考板和所述透光基板層 疊包括將所述參考標(biāo)記從所述基板標(biāo)記偏移使得所述參考和基板標(biāo)記都可見。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，測量所述基板標(biāo)記的坐標(biāo)包括獲 取所述參考標(biāo)記和基板標(biāo)記的圖像。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述參考板和透光基板層疊包 括將所述參考標(biāo)記和基板標(biāo)記置于同一平面上。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述參考板和透光基板層疊包 括將所述參考標(biāo)記和基板標(biāo)記置于不同平面上。
8. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述參考標(biāo)記陣列與所述基板標(biāo) 記陣列基本上相同。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在測量坐標(biāo)時將所述參考 板和透光基板支承在剛性平臺上。
10. —種測量透光基板中尺寸變化的系統(tǒng)，包括 參考板；向所述參考板提供剛性支承的平臺；成像裝置，在所述透光基板與所述參考板層疊時捕獲所述參考板和所述透光 基板上的標(biāo)記的圖像；以及定位裝置，耦合到所述成像裝置以將所述成像裝置置于所述平臺上所需位置。
11. 如權(quán)利要求IO所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述參考板具有與所述透光基 板相似的熱膨脹系數(shù)。
12. 如權(quán)利要求IO所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括用于將所述參考板夾緊 到所述平臺的機(jī)構(gòu)。
13. 如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述機(jī)構(gòu)包括所述平臺中的一 個或多個通路，所述通路與所述參考板的表面連通使得在將所述通路連接到真空源 時所述參考板被夾緊到所述平臺。
14. 如權(quán)利要求IO所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括用于將所述透光基板夾緊到所述參考板的機(jī)構(gòu)。
15. 如權(quán)利要求IO所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括用于在所述參考板和所述透光基板上形成標(biāo)記的標(biāo)記裝置。
16. 如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述定位裝置被耦合到所述標(biāo) 記裝置以將所述標(biāo)記裝置置于所述平臺上所需的位置。
17. 如權(quán)利要求IO所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括包圍包含所述參考板和 透光基板的測量區(qū)域的溫控腔。
18. 如權(quán)利要求IO所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括控制所述定位裝置在所 述平臺上移動的處理器。
19. 如權(quán)利要求IO所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述定位裝置提供沿至少兩個 正交方向上的運(yùn)動。
20. 如權(quán)利要求IO所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括定位成照明所述參考板 和透光基板上標(biāo)記的一個或多個照明器。
全文摘要
一種測量透光基板中尺寸變化的方法包括在參考板上形成參考標(biāo)記陣列、在透光基板上形成基板標(biāo)記陣列、將參考板和透光基板層疊成使得參考標(biāo)記和基板標(biāo)記重疊、在處理透光基板之前和之后相對于參考標(biāo)記的坐標(biāo)測量基板標(biāo)記的坐標(biāo)、以及從在處理透光基板之前和之后所測量的基板標(biāo)記的相對坐標(biāo)之間的差異來確定透光基板中的尺寸變化。
文檔編號G06F1/28GK101495939SQ200680014608
公開日2009年7月29日 申請日期2006年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月28日
發(fā)明者A·J·普里斯科達(dá), K·C·坎恩, R·L·?？怂?申請人:康寧股份有限公司