專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)#^件，其會(huì)嫩進(jìn)行， 通信。財(cái)卜，本發(fā)明 及一種其中僅接收M或者僅傳，據(jù)的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
近些年，由于被稱作普遍雜的信息社會(huì)，因雌制環(huán)境使衛(wèi)if可時(shí)候和任 何地點(diǎn)只要他/她想，就斷方問(wèn)信息網(wǎng)絡(luò)。在這種環(huán)境下，浙魁正技術(shù)吸引了 注意，從而纟^h膽分配ID (iP，號(hào)碼)；因此，闡明膽歷程，并利于制臘、
管理等。特別是，《頓育腿f(wàn)i^娜通信的半導(dǎo)^^件的RFID (射頻i賜ij)技 術(shù)，如RFID *絲(也稱作IC t礎(chǔ)、IC芯片、RF (射頻)豐礎(chǔ)、職禾絡(luò)、電 子繊口應(yīng)答器)已,頓。
將參考圖2說(shuō)鵬詢多進(jìn)行職M通信的半導(dǎo)i^l件的一般結(jié)構(gòu)。 育,進(jìn)行戯繊通信的半導(dǎo)^m件101包括織102和半導(dǎo)條成電路 111。半導(dǎo)傳^l件101中的電路被分淑莫擬部分914和數(shù)字部分915。半導(dǎo)fl^成 電路111具有電路±央如高頻電路103、電源電路104、復(fù)位電路105，時(shí)鐘產(chǎn)生電 路106、 f^解調(diào)電路107、 調(diào)制電路108、控制電路109以及存儲(chǔ)器電路110。 電源電路104具有電路±央如整流電路112、存儲(chǔ)電容器113和恒壓電路114。 接下來(lái)，將參考圖3的時(shí)序圖解釋如圖2中所示半導(dǎo)^^件101的操作。 從圖2中的，102接收，信號(hào)如圖3中的A'。 M)l圖2中的高頻電路 103將職信號(hào)A，輸A^電源電路104。在電源電路104中職信號(hào)Al鱅入到 整流電路112。輸入到整流電路112中的 信號(hào)"| 流并_@3151存儲(chǔ)電容器 113被進(jìn)一步平滑。因此，第一高電源電勢(shì)(以下，稱作VDDH)艦電源電路 104產(chǎn)生(圖3中的B，)。 ]tW卜，電源電路104還i!31恒壓電路114 (圖3中的C，) 從VDDH產(chǎn)生第二高電源電勢(shì)(以下，稱作VDD)。 VDD^f氐于VDDH的電勢(shì)。 注意，在構(gòu)成半導(dǎo)條成電路lll的多個(gè)電路中，低電源電勢(shì)(以下，稱作VSS) 是共用的，且例如可j頓GND。對(duì)應(yīng)于VDD和VSS之間電勢(shì)差的第一DC電源 feE和對(duì)應(yīng)于VDD和VSS之間電勢(shì)差的第二 DC電源電壓被Jlf共到構(gòu)成半導(dǎo)體
集成電路lll的該多個(gè)電路(模擬部分和數(shù)字部分)。第一DC電源電壓是高于第 二DC電源電壓的電壓。電壓相互不同的兩個(gè)DC電源電壓(以下，還稱作兩種 ，的DC電源電壓)ffl51電源電路104產(chǎn)生。
It^卜，艦圖2中的高頻電路103被傳想懈調(diào)電路107的信號(hào)如圖3中的 D，糊班船戯科周(解調(diào)信號(hào)911)。解調(diào)信號(hào)911!戯俞入到時(shí)鐘產(chǎn)生電路106，且 時(shí)鐘產(chǎn)生電路106輸出時(shí)鐘912。而且，信號(hào)ffiil高頻電路103被輸A^復(fù)位電 路105，且復(fù)位電路105輸出復(fù)位信號(hào)913。復(fù)位信號(hào)913、時(shí)鐘912和解調(diào)信號(hào) 911被傳超啦制電路109。之后，被傳超啦制電路109的信號(hào)ffliffi制電路109 被分析。根據(jù)被分析的信號(hào)，輸出存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器電路110中的信息。從存儲(chǔ)器電 路110輸出的信肩JlM^制電路109編碼。而且，被編碼的信號(hào)被輸AJ擻據(jù)調(diào) 制電路108中并ffl31纖102以戯信號(hào)被傳送。
其中使用所接收的無(wú)線信號(hào)產(chǎn)生雨中DC電源電壓的結(jié)構(gòu)在例如參考文獻(xiàn) 1:曰本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)No.2002-319007中有描述。

發(fā)明內(nèi)容
在育,進(jìn)行職繊通信的半導(dǎo)#^件101中，不向繊解調(diào)電路107掛共 VDD，且從M解調(diào)電路107輸出的解調(diào)信號(hào)911的電壓幅度幾乎與VDDH和 VSS之間的電勢(shì)差相同。
另一方面，時(shí)鐘產(chǎn)生電路106和控制電路109被掛賄作為高電源電勢(shì)的 VDD。此外，在時(shí)鐘產(chǎn)生電路106和控制電路109中，輸入信號(hào)中的一個(gè)是解調(diào) 信號(hào)9U。
由此，在時(shí)鐘產(chǎn)生電路106禾口控制電路109中，作為輸入信號(hào)中一個(gè)的解調(diào) 信號(hào)911的腿幅度不同于所掛共的電源電壓(第二DC電源電壓對(duì)應(yīng)于VDD 和VSS之間的電勢(shì)差)。因此，輸入信號(hào)和電路中(時(shí)鐘產(chǎn)生電路106和控制電 路109)信號(hào)的電壓幅度和脈沖寬度是不同的，赫在時(shí)鐘產(chǎn)生電路106和控制 電路109中，所輸入信號(hào)和所輸出信號(hào)的電壓幅度和脈沖寬度是不同的。
例如，時(shí)鐘產(chǎn)生電路106和控制電路109中的輸入信號(hào)(對(duì)應(yīng)刊科周信號(hào)911) 的脈沖寬度稱作Tl (圖3中的D，)。在時(shí)鐘產(chǎn)生電路106和控制電路109中的信 號(hào)g時(shí)鐘產(chǎn)生電路106和控制電路109的輸出信號(hào)中電壓幅度^ VDD和VSS 之間的電勢(shì)差，與圖3中的E'相似，且脈沖寬度變成Tl+ot (a是非0的數(shù)字)。
在如圖2中所示半導(dǎo)#§|件101中，模擬部分的電路被Hf共有第一DC電源
電壓(對(duì)應(yīng)于VDDH和VSS之間的電勢(shì)差)，并且數(shù)字部分的電路被^f^W第二 DC電源電壓(對(duì)應(yīng)于VDD和VSS之間的電勢(shì)差)，其電壓幅度低于第一DC電 源電壓的電壓幅度?？紤]自被掛共有高電源電壓的電路(使用第一DC電源電壓 作為電源電壓的電路)的輸出輸入到被^f^W低電源電壓的電路(使用第二 DC 電源電壓作為電源電壓的電路)中的斷兄。在這種情況下，如果脈沖寬度T1的信 號(hào)輸入到被提供有地電源電壓的電路中，貝咱該電路輸出的信號(hào)在脈沖下降時(shí)具 有延遲，i劾於中寬度艦Tl+a (a〉0)。另一方面，考慮自被衛(wèi)賄低電源電壓 的電路G頓第二DC電源電壓作為電源電壓的電路)的輸出輸入到被掛賄高 電源電壓的電路(使用第一 DC電源電壓作為電源電壓的電路)中的情況。在這 種情況下，如果脈沖寬度T1的信號(hào)輸A5嫩掛賄高電源電壓的電路中，則自該 電路輸入的信號(hào)扯升時(shí)具有鵬；由此，脈沖寬度成為T(mén)l+a (a<0)。
與類似于圖3中D'的輸入信號(hào)的脈沖寬度T1不同的是，將主要描述在時(shí)鐘 產(chǎn)生電路106和控制電路109中的信號(hào)g時(shí)鐘產(chǎn)生電路106和控制電流109中 的輸出信號(hào)的脈沖寬度頓與圖3中的E，樹(shù)以的Tl+ot的原因。通常，在電壓幅 度不同的兩個(gè)信號(hào)中，其中一個(gè)信號(hào)的"0"和"1"轉(zhuǎn)換的電勢(shì)不同于其中另一信號(hào)
的"o"和"r轉(zhuǎn)換的電勢(shì)。因此，例如，當(dāng)電路3M:〗頓這兩個(gè)信號(hào)中的一個(gè)作為 輸入信號(hào)且j頓與另一信號(hào)的電壓幅度相同的電壓作為電源電壓來(lái)操作時(shí)，與電 路MiOT輸入信號(hào)和具有相同電壓幅度的電源電iBt作的情況相比，輸出信號(hào) 的"o"和"r轉(zhuǎn)換的時(shí)序也改變了。由此，輸出信號(hào)的脈沖寬度也改變。如J^f述，
當(dāng)作為輸入信號(hào)中一個(gè)的解調(diào)信號(hào)911的電壓幅度不同于在時(shí)鐘產(chǎn)生電路106和 控制電路109中樹(shù)共的電源電壓時(shí)，輸入信號(hào)和電路中信號(hào)的腿幅度和脈沖寬
度不同，^t輸入信號(hào)和輸出信號(hào)的電壓幅度和脈沖寬度是不同的。
根據(jù)J^i^因，圖3中D'解調(diào)信號(hào)的脈沖寬度(Tl)不同于圖3中E'輸出 信號(hào)的脈沖寬度(Tl+(x)。在倉(cāng),進(jìn)^^ 通信的半導(dǎo)體器件中，信號(hào)的脈沖 寬J^131標(biāo)準(zhǔn)確定，且半導(dǎo)mi件101可能出錯(cuò)或者半導(dǎo)#^件101不響應(yīng)的這 種柳章在信號(hào)脈沖寬度極為不同的瞎況下發(fā)生。
考慮到上述情況，本發(fā)明的目的是防止錯(cuò)誤或故障，如由于育,進(jìn)行，數(shù) 據(jù)通信的半導(dǎo)伸器件中脈沖寬度差別大導(dǎo)致的不響應(yīng)。
為了解決戰(zhàn)問(wèn)題，^i行職繊通信的半導(dǎo)mi件中，電平轉(zhuǎn)移電路被
掛共于其中輸出電壓幅度幾乎與第一 DC電源電壓相同的信號(hào)的電路和被掛賄
第二DC電源電壓的電路之間，在本發(fā)明中，i織二DC電源電壓的電壓幅度低 于第一DC電源電壓的電壓幅度。注意，電平轉(zhuǎn)移電路被^f^^第一 DC電源電 壓和第二 DC電源電壓。注意，本發(fā)明不限于進(jìn)行職繊通信的半導(dǎo)#^件， 且也可替換地采用僅進(jìn)行^ 接收的半導(dǎo)體器件或6^4行 傳送的半 導(dǎo)條件。
特別是，ffiSfi^M通信的半導(dǎo)體器件中，電平轉(zhuǎn)移電路被Mf共于娜 解調(diào)電路和傳送其薩解調(diào)電路輸出的信號(hào)(解調(diào)信號(hào))的電路(以下，也稱作 電路塊)之間。該電路塊涉及多個(gè)電路的組，其中作為難實(shí)現(xiàn)了預(yù)定功能。注 意，本發(fā)明不限于進(jìn)行無(wú)線 通信的半導(dǎo)#^件，可以替換i棘用僅進(jìn)行激 數(shù)據(jù)接收的半導(dǎo)體器件。
因此，懶糊信號(hào)的電壓幅度和脈沖寬度幾乎等于在每一個(gè)電路塊中的信號(hào) 的電壓幅度和脈沖寬度，將解調(diào)信號(hào)傳超U齡電路塊，或者4魏科周信號(hào)的電壓 幅度和脈沖寬度幾乎等于自旨電路塊輸出的信號(hào)的電壓幅度和脈沖寬度。
例如，鄉(xiāng)科周信號(hào)被傳想啲電路是控制電路的情況下，采用以下結(jié)構(gòu)。半 導(dǎo) 1件包撤軍調(diào)無(wú)線信號(hào)的 解調(diào)電路，輸入 解調(diào)電路的輸出信號(hào)的電 平轉(zhuǎn)移電路，和輸入電平轉(zhuǎn)移電路的輸出的控制電路。 解調(diào)電路的輸出信號(hào) 的電壓幅度頓與第一DC電源電壓的相同。電平轉(zhuǎn)移電路被^f賄第一 DC電 源電壓和第二 DC電源電壓，其電壓幅度低于第一 DC電源腿的幅度?？刂齐?路被掛M第二 DC電源電壓。^11入到電平轉(zhuǎn)移電路中的輸入信號(hào)是 解調(diào) 電路的輸出信號(hào)；因此，電壓幅度與第一 DC電源電壓的相同。在轉(zhuǎn)換之后，電 平轉(zhuǎn)移電路輸出輸入信號(hào)的電壓幅度。因此，從電平轉(zhuǎn)移電路輸出的信號(hào)的電壓 幅度與第二DC電源電壓的相同。
1 ￡行職 通信的半導(dǎo)體器件中，j魏科周信號(hào)的電壓幅度和脈沖寬度幾 乎等于每個(gè)電路塊中的信號(hào)的電壓幅度和脈沖寬度，^#4魏科周信號(hào)的電壓幅度 和脈沖寬度幾乎等于自*電路±央輸出的信號(hào)的電壓幅度和脈沖寬度。因此，與 常規(guī)半導(dǎo)mi件相比，可以獲得其中防止錯(cuò)誤或故障如不響應(yīng)、并且能精確傳送 存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器電路中的信息的半導(dǎo)mi件。


圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式1和實(shí)施例模式2的圖2是說(shuō)明常規(guī)結(jié)構(gòu)的圖3是說(shuō)明常規(guī)結(jié)構(gòu)的圖-,
圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式2的亂
圖5A至5C均是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式3的圖6是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式4的圖7A至7D均是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式5的圖8A和8B均是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖9A至9E均是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的亂
圖10A至10D均是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式5的圖11A至11C均是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式6的圖12A和12B均是說(shuō)明用于弓l出布線的方法的亂
圖13是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式7的圖14A至14E均是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式7的亂
圖15A和15B均是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式8的圖16A和16B均是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式8的圖17A和17B均是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例模式8的圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參考

本發(fā)明的實(shí)施例模式。然而，容易働軍，各種改變和改 艦于本領(lǐng)域技術(shù)人員都是明顯的。因此，除非這種改變和6fc5ffl兌離了本發(fā)明的 范圍，否則都應(yīng)認(rèn)為其包括&tb。注意，在不同圖中，以下4繊述的本發(fā)明結(jié)構(gòu) 中的相同部^lil相同的參考數(shù)字^。
(實(shí)施例模式l)
在實(shí)施例模式l中，纟繊述根據(jù)本發(fā)明的離多進(jìn)行繊娜通信的半導(dǎo)條 件的結(jié)構(gòu)以及該半導(dǎo)mi件的操作。
首先，根據(jù)本發(fā)明的肖,進(jìn)行琉娜通信的半導(dǎo)mi件的結(jié)構(gòu)于圖1中示 出。半導(dǎo)#^件201具有織202和半導(dǎo)條成電路211。在半導(dǎo)##|件201中的
電路被分成為模擬部分和數(shù)字部分。
作為纖202，可4頓偶極織、貝占片殘(patch antenna)、環(huán)形織和八 木，(Yagj antenna)中的任一種。
財(cái)卜，作為在，202中傳送和接收，信號(hào)的方法，可^ffi電磁f給方法、 電磁感應(yīng)方法和電磁波方法中的任一種。半導(dǎo)條成電路211具有電路塊，如高頻電路203、電源電路204、復(fù)位電 路205、時(shí)鐘產(chǎn)生電路206、電平轉(zhuǎn)移電路215、 解調(diào)電路207、數(shù)據(jù)調(diào)制電 路208、控制電路209和存儲(chǔ)器電路210。電源電路204具有電路塊，如整流電路 212、存儲(chǔ)電容器213和恒壓電路214。
模擬部分904包括纖202、高頻電路203、電源電路204、復(fù)位電路205、 時(shí)鐘產(chǎn)生電路206、電平轉(zhuǎn)移電路215、 解調(diào)電路207、 M調(diào)制電路208等， 且數(shù)字部分905包括控制電路209、存儲(chǔ)器電路210等。
接下來(lái)，將說(shuō)明半導(dǎo)^ll件201的操作。ffl31織202接收的無(wú)線信號(hào)M 高頻電路203被傳糊每一個(gè)電路土央。艦高頻電路203被傳翻電源電路204 中的信號(hào)被輸入到整流電路212。艦存儲(chǔ)電容器213整流并進(jìn)一步平滑信號(hào)。 因此，產(chǎn)生第一高電源電勢(shì)(VDDH)。 VDDH輸入到恒壓電路214且產(chǎn)生第二高 電源電勢(shì)(VDD)。 VDD劍氐于VDDH的電勢(shì)。
注意，在構(gòu)成半導(dǎo)條成電路211的多個(gè)電路塊的DC電源電壓中，低電源 電勢(shì)(以下稱作VSS)是共用的，且GND可用于VSS。對(duì)應(yīng)于VDDH和VSS 之間的電勢(shì)差的第一DC電源電壓和對(duì)應(yīng)于VDD和VSS之間的電勢(shì)差的第二DC 電源電壓被樹(shù)共至購(gòu)成半導(dǎo) 成電路211的該多個(gè)電路土央(模擬部分904和數(shù) 字部分905)。第一DC電源電壓是高于第二DC電源電壓的電壓。電壓相互不同 的多個(gè)DC電源電壓(以下稱作多種鄉(xiāng)的DC電源電壓)M:電源電路204產(chǎn) 生。
跳解調(diào)艦高頻電路203被傳超'鵬解調(diào)電路207中的信號(hào)(解調(diào)信 號(hào)921)。而且，解調(diào)信號(hào)921被傳超盹平轉(zhuǎn)移電路215。而且，信號(hào)艦高頻 電路203卞M入到復(fù)位電路205 ，并且復(fù)位電路205輸出復(fù)位信號(hào)903 。
匕，電平轉(zhuǎn)移電路215、時(shí)鐘產(chǎn)生電路206和控制電路209均被掛賄第 二DC電源電壓(對(duì)應(yīng)于VDD和VSS之間的電勢(shì)差)。此外，電平轉(zhuǎn)移電路215 也被^f^W第一DC電源電壓(對(duì)應(yīng)于VDDH和VSS之間的電勢(shì)差)。
解調(diào)信號(hào)921的電壓幅度等于或者高于電平轉(zhuǎn)移電路215的輸出信號(hào)的電壓 幅度。解調(diào)信號(hào)921被電平移動(dòng)，以使電壓幅M51電平轉(zhuǎn)移電路215斷氐，并 被傳，附鐘產(chǎn)生電路206和控制電路209。在時(shí)鐘產(chǎn)生電路206和控制電路209 中，輸AM31電平轉(zhuǎn)移電路2l5使電壓幅度m^乎與第二DC電源電壓(對(duì)應(yīng) 于VDD和VSS之間的電勢(shì)差)相同的信號(hào)(電平轉(zhuǎn)移解調(diào)信號(hào)901 )。換句話說(shuō)，i!31將解調(diào)信號(hào)轉(zhuǎn)換成電壓幅度幾乎與第二 DC電源電壓(VDD和VSS之間的 電勢(shì)差)相同的信號(hào)(電平轉(zhuǎn)移解調(diào)信號(hào)901)，電平轉(zhuǎn)移電路215輸出解調(diào)信號(hào)。 電平移動(dòng)解調(diào)信號(hào)901 M^入到時(shí)鐘產(chǎn)生電路206，且時(shí)鐘產(chǎn)生電路206輸 出時(shí)鐘902。復(fù)位信號(hào)903、時(shí)鐘902和電平移動(dòng)解調(diào)信號(hào)901被傳超廿控制電路 209。
在時(shí)鐘產(chǎn)生電路206和控制電路209中的信號(hào)的TO幅度或者從時(shí)鐘產(chǎn)生電 路206和控制電路209輸出的信號(hào)的電壓幅度與所提供的電源電壓具有一些差別 (第二DC電源電壓對(duì)應(yīng)于VDD和VSS之間的電勢(shì)差)。因此，在時(shí)鐘產(chǎn)生電 路206和控制電路209中，可防止輸入信號(hào)的脈沖寬度和電路中信號(hào)脈沖寬度之 間S^輸入信號(hào)的脈沖寬度禾嚇出信號(hào)的脈沖寬度之間有大的差別。
在{頓根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)#^件的無(wú)^1信系統(tǒng)中，可{頓半導(dǎo)#^件201、 已知結(jié)構(gòu)的讀/寫(xiě)器、連接到讀/寫(xiě)器的天線以及用于控制讀/寫(xiě)器的控制端子。半 導(dǎo)#^|件201和連接至贖/寫(xiě)器的^的衝訪法是單向通信g雙向通信，并且 也可4OT空分多址方法、極化分割OT存取(polarization division multiplex access) 方法、頻分多址方法、時(shí)分多址方法、石盼多址方法以及正交頻分OT方法。
，信號(hào)是其中調(diào)制載波的信號(hào)。調(diào)制載波是模擬調(diào)制^#是數(shù)字調(diào)制，其 可以是幅度調(diào)制、相位調(diào)制、頻率調(diào)制和光譜擴(kuò)散中的任一種。
載波的頻率育採(cǎi)用300 GHz頗高且3 THz頓低的亞毫米波、30 GHz或 更多且低于300 GHz的極高頻率波、高于3 GHz且低于30 GHz的微波、300 MHz ，高且低于3 GHz的超高頻率波、30 MHz ，高且低于300 MHz的很高頻率 波、3MHz鞭高且低于30MHz的高頻率波、300 kHz頓高且低于3 MHz的 中頻率波、30 kHz鞭高且低于300kHz的長(zhǎng)頻率波、以及3 kHz頗高且低于 30 kHz的很長(zhǎng)頻率波中的任一種。
作為存儲(chǔ)器電路210，可艦DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、SRAM (靜 態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、FeRAM (鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、掩模ROM (只ii^儲(chǔ)器)、 EPROM (電可編程只蹄儲(chǔ)器)、EEPROM (電可擦除可編程只蹄儲(chǔ)器)赫 快閃存儲(chǔ)器。
根據(jù)±^構(gòu)，在根據(jù)本發(fā)鵬,進(jìn)行職娜通信的半導(dǎo)#^件中，與常 規(guī)半導(dǎo)傳器件相比，能防止錯(cuò)誤或故障如不響應(yīng)，并且能精確傳i^存儲(chǔ)器電路中 存儲(chǔ)的信息c
(實(shí)施例模式2)
在實(shí)施例模式2中，根據(jù)本發(fā)明的具有圖1中所示結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)#^件的操作
可參考圖4中的時(shí)序表說(shuō)明。
從圖1中的，202接收與圖4中的A相似的 信號(hào)。，信號(hào)A經(jīng)由 圖1中的高頻電路203被傳想他源電路204。傳超魄源電路204的 信號(hào) 被輸入到整流電路212。因此，ffiil存儲(chǔ)電容器213整流腿一步平滑職信號(hào)A。 之后，產(chǎn)生與圖4中的B相似的第一高電源電勢(shì)(VDDH)。第一高電源電勢(shì) (VDDH)被輸入到恒壓電路214以產(chǎn)生與圖4中的C相似的第二高電源電勢(shì) (VDD)。財(cái)卜，經(jīng)由圖1中的高頻電路203被傳超1」 解調(diào)電路207的信號(hào)與 圖4中的D相^i鵬戯軍調(diào)(解調(diào)信號(hào)921)。而且，解調(diào)信號(hào)921被傳超魄平轉(zhuǎn) 移電路215。
feth，電平轉(zhuǎn)移電路215、時(shí)鐘產(chǎn)生電路206和控制電路209均被Jli^W與 圖4中的C相似的電源電壓(第二 DC電源電壓與VDD和VSS之間的電勢(shì)相 對(duì)應(yīng))。itWh電平轉(zhuǎn)移電路215還il^W第一 DC電源電壓(與VDDH和VSS 之間的電勢(shì)差相對(duì)應(yīng))。注意，解調(diào)信號(hào)921的脈沖寬度根據(jù)所接收信號(hào)(從纖 202接收的職信號(hào))而不同且不是恒定的。在圖4中，解調(diào)信號(hào)921的脈沖寬 度稱作T1。此外，解調(diào)信號(hào)921的電壓幅度幾乎與和圖4中的D相似的VDDH 和VSS之間的電勢(shì)差相同。
接下來(lái)，iffil電平轉(zhuǎn)移電路215被電平移動(dòng)以卩對(duì)絲科周信號(hào)921的電壓幅度 的信號(hào)(圖4中的E:對(duì)應(yīng)于圖1中的電平轉(zhuǎn)移解調(diào)信號(hào)901)被傳超附鐘產(chǎn)生 電路206和控制電路209。在圖4中的信號(hào)中，電壓幅度是VDD和VSS之間的 電勢(shì)差鵬中寬度幾乎是T1。
在時(shí)鐘產(chǎn)生電路206和控制電路209中信號(hào)的電壓幅度或者子時(shí)鐘產(chǎn)生電路 206和控制電路209的輸出信號(hào)的電壓幅度與所提供的電源電壓(VDD和VSS之 間的電勢(shì)差)幾乎不具有差別。因此，在時(shí)鐘產(chǎn)生電路206和控制電路209中可
防止在所輸入信號(hào)的脈沖寬度和電路中信號(hào)脈沖寬度之間^i^; 輸入信號(hào)的脈
沖寬度和所輸出信號(hào)的脈沖寬度之間大的差別。
根據(jù)戰(zhàn)結(jié)構(gòu)，在根據(jù)本發(fā)哪嫩進(jìn)纟玩線娜通信的半導(dǎo)mi件中，與常 規(guī)半導(dǎo)mi件相比，能防止錯(cuò)誤或故障如不響應(yīng)并旨,精確傳送在存儲(chǔ)器電路中 存儲(chǔ)的信I。
該實(shí)施例模式育鵬與實(shí)施例模式1的任意組合來(lái)實(shí)施。 (實(shí)施例模式3)
在實(shí)施例模式3中，將說(shuō)明作為根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)飾器件的結(jié)構(gòu)元件的電平 轉(zhuǎn)移電路。
電平轉(zhuǎn)移電路的實(shí)例于圖5A中示出。在圖5A中，電平轉(zhuǎn)移電路具有為N 溝道晶體管的晶體管501、 502和503和為P溝道晶體管的晶體管504、 505、 506、 507和508。晶體管501和502的每一個(gè)中的源極被^lf^"低電源電勢(shì)(VSS)。 晶體管501的漏IK^接到晶體管504的漏極和晶體管507的柵極。晶體管504的 源^i接到晶體管506的漏極。晶體管506和507的源^3^接到晶體管506的漏 極。晶體管506和507的源極被^f^W第二高電源電勢(shì)(VDD)。晶體管507的 漏S^接到晶體管505的源極。晶體管505的漏^^接到晶體管506的柵極和晶 體管502的漏極。相互連接的晶體管501和504的柵^3i接到晶體管508和503 的漏極。晶體管508的源極被衛(wèi)共有第一高電源電勢(shì)(VDDH)，且晶體管503的 源極被JI^W低電源電勢(shì)(VSS)。晶體管502、 503、 505和508的柵極相互連接， 其用作電平轉(zhuǎn)移電路的輸入。此外，晶體管501和504的漏極以及晶體管507的 柵極用作電平轉(zhuǎn)移電路的輸出。
注意，電平轉(zhuǎn)移電路不限于圖5A中示出的電路。電路名稱不限于電平轉(zhuǎn)移 電路?？刹捎萌我缓讨须娐忿q勾，只要電路群俞入信號(hào)和輸出信號(hào)之間具有不同電 壓幅度，且輸入信號(hào)的電壓幅度艦電平轉(zhuǎn)移至與樹(shù)共到電路的電源電壓相同的 電壓幅度而輸出。
在圖5A中的電平轉(zhuǎn)移電路中，當(dāng)輸入信號(hào)的電壓幅度的計(jì)算結(jié)果是5V時(shí)， VDDH是5V， VDD是3V，且VSS是GND (OV)的計(jì)算結(jié)果于圖5B和5C中 不出。
在圖5B中，輸入信號(hào)的電壓幅度是5V，周期是大約5ms (大約3^is+大約 2^s)，且頻率是大約20kHz。在圖5C中，輸出信號(hào)的電壓幅度是3V，且周期和 頻率幾乎與輸入信號(hào)的那些相同。換句話說(shuō)，幾乎不改MU入信號(hào)禾嚇出信號(hào)的 脈沖寬度，輸出信號(hào)的電壓幅度幾乎與掛共給電路的電源電壓的相同。
從 解調(diào)電路207輸出的解調(diào)信號(hào)被轉(zhuǎn)換成具有小電壓幅度的信號(hào)，并通 過(guò)電平轉(zhuǎn)移電路215被傳超附鐘產(chǎn)生電路206和控制電路209，如上所述。由 此，時(shí)鐘產(chǎn)生電路206和控制電路209中信號(hào)的電壓幅度和自時(shí)鐘產(chǎn)生電路206
和控制電路209的輸出信號(hào)的電壓幅度與所掛共的腿幅度幾乎不具有差別(對(duì) 應(yīng)于VDD和VSS之間的電勢(shì)差)。因此，在時(shí)鐘產(chǎn)生電路206和控制電路209 中能防止所輸入信號(hào)的脈沖寬度和電路中信號(hào)的脈沖寬度之間或者所輸入信號(hào)的 脈沖寬度和所輸出信號(hào)的脈沖寬度之間大的差別。
根據(jù)J^構(gòu)，在根據(jù)本發(fā)鵬嫩進(jìn)行職繊通信的半導(dǎo)^fl件中，與常 規(guī)半導(dǎo)##1件相比，能防止錯(cuò)誤或柳勃懷響應(yīng)并且能精確傳送存儲(chǔ)器電路中存 儲(chǔ)制言息。
該實(shí)施例模式育,與實(shí)施例模式1和2任意組合來(lái)實(shí)施。 (實(shí)施例模式4)
在實(shí)施例模式4中，將說(shuō)明用于制造根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)mi件的掩t飾局。 用于制造根據(jù)本發(fā)明的能夠進(jìn)行無(wú)線 通信的半導(dǎo)體器件的部分掩凈 局于圖6中示出。圖6中示出的撤飾局對(duì)應(yīng)于實(shí)施例模式3中示出的圖5A的 電路圖。在圖6中，與圖5A中那些相同的部分 1相同參考數(shù)字 。注意， 作為掩1f^局，典型地示出了與其每一個(gè)是晶體管的有源層的半導(dǎo)體層(半導(dǎo)體 層6601和6602)、作為柵電極的第一導(dǎo)電層6603、作為連接到源豐 1極的電極 自線的第二導(dǎo)電層6604以及連接半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電層6604的撤蟲(chóng)孔6605。 半導(dǎo)體層6601是P溝道晶體管的有源層，且半導(dǎo)體層6602是N溝道晶體管的有 源層。
圖6中所示撤I^局的特征在于以步進(jìn)方式切去電，M^線的角(典型示出 角6001、 6002、 6003和6004)。步進(jìn)削角(stepped chamfer)是10拜，少，或
者是布線線寬的1 / 5 ，多且1 / 2 ，少的長(zhǎng)度。掩模圖案4OT該撤，局制 造并且^頓掩模圖織行導(dǎo)Ell莫的嫩lJ處理以形成電豐M^線。因此，能獲得其 中切去電極赫線圖案的角的微。注意，可進(jìn)一步圓化電，M^線圖案的角。 換句話說(shuō)，fflM3g當(dāng)設(shè)置曝光劍特的頓J劍牛，布線的圖案開(kāi)^(可較1^ 局更 平滑。由此，形戯中角變圓的布線。
當(dāng)在布線和電極中平滑并圓化了彎曲部分或線寬變化部分的角時(shí)，雜以下 影響。當(dāng)fflil切去凸部(圖6中的角6002)進(jìn)行{柳等離子體的干 鵬財(cái)，能 抑制由于放電導(dǎo)致的精細(xì)顆粒產(chǎn)生。即^^生精細(xì)顆粒，在清洗時(shí)也能防止精細(xì) 顆粒聚驗(yàn)該角處，并且f鵬切去凸繊掉精細(xì)顆粒。由此，可解決在制紅 藝中精細(xì)顆粒^^的問(wèn)題，高產(chǎn)量。盡管使用第一導(dǎo)電層6603和第二導(dǎo)電層6604形成的電極和布線的部分角被 切去的結(jié)構(gòu)于圖6中示出，但是本發(fā)明不限于此。還可以將戰(zhàn)削角結(jié)構(gòu)用于所 有角。形卜，還可以將戰(zhàn)肖桷結(jié)構(gòu)用于4柳其它導(dǎo)電層形成的電極和布線。
而且，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)#^件的另一電路制造中以及電平轉(zhuǎn)移電路中也 可以采用布線和電極的，結(jié)構(gòu)。
該實(shí)施例模式可fflil與實(shí)施例模式1至3的任意組合實(shí)施。
(實(shí)施例模式5)
在實(shí)施例模式5中，將參考圖7A至7D、圖10A至10D和圖12A和12B說(shuō)
明根據(jù)本發(fā)明的會(huì),進(jìn)行職娜通信的半導(dǎo)^I件的偉'JS:藝。
圖7A至7D示出了圖1中所示的半導(dǎo)體器件201中天線202的結(jié)構(gòu)實(shí)例。 纖202能以兩種方式掛共。圖7A和7C示出了一種方式(以下，稱作第一纖 結(jié)構(gòu))而圖7B和7D示出了另一種方式(以下，稱作第二殘結(jié)構(gòu))。圖7C對(duì)應(yīng) 于髓圖7A中的A-A'取得的截面圖，圖7D對(duì)應(yīng)于髓圖7B中的B-B'取得的截面圖。
在第一，結(jié)構(gòu)中，，202被衛(wèi)共于設(shè)有多個(gè)元件(以下，稱作元件組601) 的襯底600上方(見(jiàn)圖7A和7C)。元件組601形成了除了根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)條 件的，之外的電路。元件組601包括多個(gè)薄膜晶體管。^^f示出的結(jié)構(gòu)中，將 用作纖202的導(dǎo)制莫樹(shù)共在與連接到元件組601中的薄膜晶體管的源lg^漏極 的布線相同的層中。然而，用作，202的導(dǎo)電膜被J^共在與元件組601中的薄 膜晶體管的柵電極664相同的層中，^t在被衛(wèi)共以鶴元件組601的絕緣膜上 方。
在第二織結(jié)構(gòu)中，端子部分602被^f共在設(shè)有元件組601的襯底600上方。 之后，被l^共在作為不同于襯底600的襯底的襯底610上方的，202連接到端 子部分602 (見(jiàn)圖7B和7D)。 ^P萬(wàn)示出的結(jié)構(gòu)中，連接到元件組601中的薄膜晶 體管的源^^漏極的部分布OT作端子部分602。之后，被劍 202的襯 底600禾口襯底610相互附著以便于在端子部分602 ^b^接。導(dǎo)頓粒603禾口樹(shù)脂 604被^f共在襯底600和襯底610之間。纖202和端子部分602艦導(dǎo)^^粒 603電連接。
將說(shuō)明元件組601的結(jié)構(gòu)和審臘方法。大S^J^大襯底上方且稍后將M 切割完成分割的元件組601可以被便宜:tfeM共。作為襯底600，例如，可j頓玻
璃襯底如硼硅MJI玻璃和硼硅勝呂,、石凝寸底、陶瓷襯底等。itl^卜，也可使 用在其上方將形成絕緣膜的半導(dǎo)m寸底。也可使用由合淑對(duì)脂形成的具有柔性的 襯底，如塑料。襯，面可ffiilCMP方法等拋^^平坦化。而且，還可以4頓通 M光玻璃襯底、石^W底或半導(dǎo)術(shù)寸底薄薄地形成的襯底。
作為掛共于襯底600上方的基膜(base film) 661，可{頓絕緣膜如氧化硅、 氮化^ift氮化硅。基膜661能防止包含在襯底600中的M^屬如Na或Mi^屬 分離U半導(dǎo)體層662中，并不利地影響薄膜晶體管的特性。在圖7A至7D中，基 膜661由單層形成；然而，其可由兩層頗多層形成。注意，當(dāng)雜廁廣散不是大 問(wèn)題的時(shí)候，不總是需要樹(shù)共基膜661，如使用石英襯底的情況。
注意，可以將高密度等離子體直接施加到襯底600的表面。高密度等離子體 例如M3KOT 2.45GHz的高頻產(chǎn)生。注意，4頓具有1011至1013cm-3的電子密度、 2eV或更小的電子，和5eV ，小的離子育糧的高密度等離子體。以這種方式， 以低電子纟鵬為特征的高密度等離子條剤氏動(dòng)能的有源種類；因此，與常規(guī)等 離子體艦相比能形成具有^>等離子術(shù)員傷和缺陷的膜。等離子體可ili^頓 禾,射頻 的等離子體處理^§產(chǎn)生，i謝頻M]，徑向縫隙，。產(chǎn)ttt 頻的，和襯底600以20至80mm (優(yōu)選20至60mm)的距離來(lái)放置。
fflil在含有氮(N)禾口稀有氣體(含有He、 Ne、 Ar、 Kr和Xe中的至少一 種)的氣氛、含有氮、氫(H)和稀有氣體的氣氛、或者含有氨(NH3)禾嚇有氣 體的氣氛中進(jìn)行高密度等離子體處理，可以氮化襯底600的表面。在襯底600由 玻璃、石英、硅晶片等形成的瞎況下，在含有氮化硅作為主要成分的襯底600的 表面上方形成的氮化物層可用作阻擋層，以概/a人襯底600側(cè)擴(kuò)散的雜質(zhì)。氧化 硅膜或氮氧化硅膜可通過(guò)等離子體CVD方法形成在氮化物層上方以用作基膜 661。
通過(guò)將相似的高密度等離子體處理應(yīng)用到由氧化硅或氮氧化硅形成的基膜 661的表面，可氮化i錄面和自該表面l-10nm的深度。由于該極其薄的氮化^！ 用作阻擋層忠4形成于其上的半導(dǎo)體層662具撤小的應(yīng)力，因此其是有利的。
能將結(jié)晶半導(dǎo)體膜或非晶半導(dǎo)體鵬作半導(dǎo)體層662。而且，也可4頓有機(jī) 半導(dǎo)體膨結(jié)晶半導(dǎo)體膜可ffi^晶化非晶半導(dǎo)體膜獲得?？蓪⒓す饨Y(jié)晶化方法、 《OT RTA ^i火爐的熱結(jié)晶化方法、{#9 結(jié)晶化的金屬元素的熱結(jié)晶化方法 等用作結(jié)晶化方法。半導(dǎo)體層662包括溝道形成區(qū)662a和一對(duì)雜質(zhì)區(qū)662b，將賦
予導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素添加至所述雜質(zhì)區(qū)662b。 iSii^f示出的是其中以比向雜質(zhì)區(qū) 662b低的濃度向MI加雜質(zhì)元素的低濃j^^質(zhì)區(qū)662c被ilf共在溝道形成區(qū)662a 和i亥對(duì)雜質(zhì)區(qū)662b之間的結(jié)構(gòu)；然而，本發(fā)明不限于此。不一定^f共低濃^^質(zhì) 區(qū)662c。
注意，半導(dǎo)體層662和與這些半導(dǎo)體層同時(shí)形成的布線4繼被引導(dǎo)(lead), 以使當(dāng)從垂直于襯底600的頂表面的方向3005上看時(shí)，角被圓化。圖12A和12B 歸出引導(dǎo)布線的方法的示意圖。圖中布線3011與半導(dǎo)體層662同時(shí)形成。圖12A 示出了引導(dǎo)布線的常規(guī)方法。圖12B示出了本發(fā)明引導(dǎo)布線的方法。本發(fā)明的布 線3011的角部分1502a與常M^線3011的角部分1501a相比被圓化了。如實(shí)施 例模式4中示出的掩，I^局可用于圓化角部分。圓化的角部分可防止^t等殘留 在布線的角部分。以這種方式，可減少由M導(dǎo)致的半導(dǎo)體器件的缺陷并且能提 高產(chǎn)量。
賦予導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素可添加到薄膜晶體管的溝道形成區(qū)662a中。以這種 方式，育鵬制薄膜晶體管的閾值電壓。
由氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等形成的單層或多層的SJ1可用作第一絕緣膜 663。在這種情況下，，化氣m^氮化氣氛中將高密度等離子體施加于第一絕緣 膜663的表面；因此，可氧lh^氮化第一絕緣膜663使其頓密。高密度等離子 體例如ffi^頓2.45GHz的高頻產(chǎn)生，如J^f述。注意，可{頓具有電子密度為 1011至1013 / cm3頗多且電子纟鵬為2eV頓小，以及離子會(huì)疆為5eV鞭小的 高密度等離子體。3131^9禾,射頻 的等離子體處理，產(chǎn)生等離子體，該 射頻、 采用徑向縫隙天線。在產(chǎn)生高密度等離子體的裝置中，產(chǎn)，頻的， 和襯底600以20至80mm (優(yōu)選，20至60mm)的距離來(lái)放置。
在形，一絕緣膜663之前，半導(dǎo)體層662的表面可以ffiil^半導(dǎo)體層662 和半導(dǎo)體層660的表面施加高密度等離子做理而被氧化或氮化。此時(shí)，通過(guò)在 氧化氣^^氮化氣氛中于300至45(TC的 鵬下對(duì)襯底600進(jìn)行M，會(huì)g與形成 于其上的第一絕緣膜663形成有利界面。
作為氮化氣氛，可l頓含有氮(N)禾口稀有氣體(含有He、 Ne、 Ar、 Kr和 Xe中的至少一種)的氣氛、含有氮、氫(H)禾口稀有氣體的氣^#含有氨(NH3) 和稀有氣體的氣氛。作為氧化氣氛，可使用含有氧(0)和稀有氣體的氣氛、含 有氧、氫(H)禾口稀有氣體的氣m^"含有一氧化二氮(N20)和稀有氣體的氣氛。
作為柵電極664， "Spf頓Ta、 W、 Ti、 Mo、 Al、 Cu、 Cr、和Nd中的一種元 素或者含有多種，元素的合金或化合物。替換地，可采用由這些元素、其合金 或化糊形成的單層結(jié)構(gòu)^i結(jié)構(gòu)。在圖中，柵電極664具有兩層結(jié)構(gòu)。注意， 柵電極664和與柵電極664同時(shí)形成的布線 被弓|導(dǎo)使得當(dāng)從垂直于襯底600 頂表面的方向3005上看時(shí)，其角部分被圓化。柵電極664和布線可與圖12B中所 示方向相似也被引導(dǎo)?？?頓實(shí)施例模式4中所示的撤飾局，以圓化角部分。 柵電極664和與柵電極664同時(shí)形成的布線在圖中示出為布線3012。艦圓l林 發(fā)明的布線3012的角部分1502b，與常夫M線3012的角部分1501b相比，能防 止灰塵等殘留在布線的角部分上。以這種方式，能^1>由妙導(dǎo)致的半導(dǎo)#^件 的缺陷，高產(chǎn)量。
薄膜晶體管由半導(dǎo)體層662、柵電極664和第一絕緣膜663形成，，一絕 緣膜663用作半導(dǎo)體層662和柵電極664之間的柵^^色緣膜。在該實(shí)施例模式中， 薄膜晶體管具有頂柵結(jié)構(gòu)；然而，其可以是在半導(dǎo)體層下方具有柵電極的底柵晶 體管，或者是在半導(dǎo)體層上方和下方都具有柵電極的雙柵晶體管。
希望第二絕緣層667是絕緣膜，如具有阻擋特性的氮化 ，以阻擋離子雜 質(zhì)。第二絕緣膜667由氮化硅或織化^^成。第二絕緣膜667用作防止半導(dǎo)體 層662污染的^J戶膜。S51在沉積滯二絕緣膜667之后引入氫氣并施加，高密 度等離子體處理，可氫化第二絕緣層667。替換地，可M31引入氮(NH3)氮化并 氫化第二絕緣層667。另外，可艦與氫氣一起引入氧、1化二氮(N20)等進(jìn) 龍化氮化處理和氫化處理。ilil用鄉(xiāng)去進(jìn)欄'匕鵬、氧化處理聽(tīng)化氮化 處理，育巨使得第二絕緣層667的表臓密。以這種方式，增強(qiáng)了作為傲戶膜的第 二絕緣層667的功能。當(dāng)在400至450。C施加熱處理時(shí)，引入到第二^^膜667 中的氫被釋放出來(lái)，從而會(huì)鎮(zhèn)化半導(dǎo)體層662。注意，能與j頓第一絕緣膜663 的氫化組湖豫氫化。
第三絕緣層665由無(wú)t形色緣膜^w豐形色緣膜的單層結(jié)構(gòu)s^a結(jié)構(gòu)形成。作
為無(wú)t形色緣膜，可4頓由CVD方法形成的氧化鄉(xiāng)莫、ffiilSOG (旋涂玻璃)形 成的氧化賺等。作為有豐形色緣膜，可i頓由聚酉ffl安、聚醐安、BCB (苯并環(huán) 丁烯)、丙烯酸、正光敏有機(jī)樹(shù)脂、負(fù)光敏有mi對(duì)月誇形成的膜。
第三絕緣膜665可由金屬形成，該金屬具有由硅(Si)和氧(0)的 成 的框架結(jié)構(gòu)。將至A噴有氫(如;KS或芳f^烴)的有機(jī)基團(tuán)用作該材料的％( 。
替換地，可將氟代基用作取4堪。進(jìn)一步替換地，可將氟《鎖B至d^有氫的有
機(jī)基團(tuán)用作取^S。
作為布線666，可4柳A1、 M、 W、 Mo、 Ti、 Pt、 Cu、 Ta、 Au、和Mn中的
一種元素或者含有多種這些元素的合金。替換地，可采用這些元素g合金形成 的單層結(jié)構(gòu)^置結(jié)構(gòu)。在圖中，布線666具有單層結(jié)構(gòu)。注意，布線666伏選 被弓瞎使得當(dāng)從垂直于襯底600的頂表面的方向3005上看時(shí)其角部分是圓化的。 布線666與圖12B中所示方法相條也被弓|導(dǎo)。使用實(shí)施例模式4中所示槲I^局 以圓化角部分。將布線666示出為圖中的布線3013。 M31圓〗tt發(fā)明的布線3013 的角部分1502c，與常M^線3013的角部分1501c相比，能防止M^^留在布 線的角部分處。以這種方式，可減少由M導(dǎo)致的半導(dǎo)體器件的缺陷并提高產(chǎn)量。 在圖7A和7C中所示的結(jié)構(gòu)中，布線666用作連接到薄膜晶贈(zèng)的源極和漏極的 布線并且也用作幾202。在圖7B和7D中所示的結(jié)構(gòu)中，布線666用作連接到 薄膜晶體管的源極和漏極的布線并且還用{輸子部分602。在圖12A和12B中， 示出了連接布線666和薄膜晶體管的源極和漏極的撤好L 3014。
注意，織202 t^!3K頓含納糊粒如Au、 Ag和Cu的導(dǎo)繊的液滴泄 放方法形成。液滴泄放方法是M31泄放液滴形成圖案的方法的共同術(shù)語(yǔ)，如噴墨 方法或分配方法，其優(yōu)點(diǎn)在于改善了材料的利用效率等。
在圖7A和7C中示出的結(jié)構(gòu)中，第四絕緣層668形成于布線666上方。作 為第四絕緣膜668，能JOT無(wú)拋色緣膜^W拋色緣膜的單層結(jié)構(gòu)^fifi結(jié)構(gòu)。第 四絕緣膜668用作，202的^J戶層。
可以按照原樣^ffi形成于襯底600上方的元件組601 (見(jiàn)圖10A);然而，元 件組601從襯底600剝離(見(jiàn)圖10B)并附著到柔性襯底701 (見(jiàn)圖10C)。柔性 襯底701具有柔性，對(duì)于其可f柳由聚碳酸酯、聚芳酯、聚1PI等形成的塑料襯 底、陶瓷襯底等。
艦(A)在襯底600和元件組601之間予!5fe樹(shù)共剝離層并ailj頓嫩糊 去除剝離層，(B) ffl514OT嫩臍i」部分去除剝離層并從襯底600物理地剝離元件 組601，或(C)機(jī)^i也去除其上方形^件組601的具有高熱阻的襯底600g M:用溶滅氣體嫩鵬其去除，將元件組601從襯底600剝離。注意，物理剝 離對(duì)應(yīng)于iffil外部應(yīng)力剝離，例如，ffiil從寧觜吹出的TO、超聲波等。
J^E方法(A)和(B)通31在具有高熱阻的襯底600和元件組601之間提
供金屬氧化物膜和借助結(jié)晶化弱^^屬氧化物膜以剝離元件組601， ^# 1在
具有高熱阻的襯底600和元件組601之間掛共含有氫的非晶鄉(xiāng)莫和借助激光照射 或嫩怯除非晶磁莫以錄l漓元件組601，來(lái)具體實(shí)現(xiàn)。
已經(jīng)剝離的元件組601 M fOT商業(yè)化粘著劑附著至操性襯底701，該粘著
齊,如是基于環(huán)敦對(duì)脂的粘著劑淑對(duì)脂忝加劑。
當(dāng)元件組601附著到其上方形i ^的柔性襯底701上以^[玩件組601和天 線電連接時(shí)，誠(chéng)薄、龍輕并且當(dāng)下降時(shí)能抗振的半導(dǎo)#^件(見(jiàn)圖IOC)。當(dāng) 4頓柔性襯底701時(shí)，掛共便宜的半導(dǎo)體芯片。jtW，由于柔性襯底701具有柔 性，因此其倉(cāng),附著到彎曲表面跡規(guī)貝暖面且能實(shí)現(xiàn)多種應(yīng)用。例如，作為本 發(fā)明的半導(dǎo)#^件的一種模式的無(wú)線標(biāo)志720例如能緊緊附著至,如表面上，該 表面例如是藥瓶中的一種(見(jiàn)圖10D)。而且，通31重新利用襯底600，能以低成 本制造半導(dǎo)#^件。
該實(shí)施例模式倉(cāng)鵬與實(shí)施例模式1至4的任意組合來(lái)實(shí)施。
(實(shí)施例模式6)
該實(shí)施例模式中，將參考圖11A至11C說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的具有柔性結(jié)構(gòu)的 半導(dǎo)飾器件。圖11A中，半導(dǎo)傳器件包括柔性f尉戶層801、包^^802的柔性 {斜戶層803禾口ffiil剝離工藝和減薄襯底形成的元件組804。元件組804例如具有 與實(shí)施例模式5中描述的元件組601相似的結(jié)構(gòu)。在傲戶層803上方形成的纖 802電連接到元件組804;在圖11中，繊802僅在f尉戶層803上形成；然而， 本發(fā)明不限于該結(jié)構(gòu)且織802也可形成于傲戶層801上方。注意，由氮化鵬 等形成的阻擋膜可形成于元件組804和f斜戶層801和《尉戶層803之間。結(jié)果，能 ^{共具有 的可靠性的半導(dǎo)#^件而不污染元件組804。
，802可由Ag、 Cu或用Ag或Cu電鍍的金屬形成。元件組804和， 802育BM3H頓各向異性導(dǎo)制莫并施加紫外線鵬^g聲波處S^相互連接。注 意，元件組804和織802可M:J柳導(dǎo)EllM目互附著。
艦由l尉戶層801禾口〈尉戶層803夾住元件組804，完成半導(dǎo)mi件(見(jiàn)圖11A 中的箭頭)。
圖11B示出了以這種方式形成的半導(dǎo)體器件的截面結(jié)構(gòu)。被夾住的元件組 804具有5拜頗小^"雌0.1至3拜的厚度3003 。此外，當(dāng)體的j對(duì)戶層801 和{尉戶層803具有厚度d時(shí)，f尉戶層801和傲戶層803中的每一刊腿具有厚度(d/2) ±30Mm，且到腿(d/2) ±10拜。另外，希望j斜戶層801禾W斜戶層803中 的每一個(gè)具有10至200拜的厚度。而且，元件組804具有l(wèi)Omm見(jiàn)方(100mm2) ，小且更，為0.3至4mm見(jiàn)方(0.09至16mm2)的面積。
由有IW脂材料形成的傲戶層801和傲戶層803對(duì)彎曲具有高 力。由剝 離工藝和襯底減薄形成的元件組804與單晶半導(dǎo)體相比對(duì)彎曲也具有較高抵抗 力。由于元件組804、 〈^ 戶層801和i^戶層803能緊mi也相互附著而不具有ftf可 空間，因此完成的半導(dǎo)#^件對(duì)彎曲具有高概亢力。由傲戶層801和傲戶層803 包圍的元件組804可樹(shù)共于另HM本的表面上方或內(nèi)部赫iiA到紙中。
將參考圖11C給出將包括元件組804的半導(dǎo)體器件附著到具有彎曲表面的襯 底的瞎況的說(shuō)明。圖中，示出選自元件組804的一個(gè)晶體管881。在晶體管881 中，根據(jù)柵電極807的電勢(shì)，電^/人源極和漏極中的一個(gè)805流向源極和漏極中 的另一個(gè)806。衛(wèi)共晶體管881，以使在晶體管881中電流的方向(載流子移動(dòng)方 向3004)和襯底880的弧線方向以直角相交。iM3^種設(shè)置，即使襯底880彎曲 并畫(huà)出弧形，晶體管881也會(huì)較小地魏力影響，并由此能抑制包括在元件組804 中的晶體管881的特性的變化。
該實(shí)施例模式可Mil與實(shí)施例模式1至5任意組合來(lái)實(shí)施。
(實(shí)施例模式7)
在該實(shí)施例模式中，將示出包括在半導(dǎo)#§1件201的電路中的晶體管的結(jié)構(gòu) 實(shí)例。晶體管可由在單晶襯底上形成的MOS晶體管以及薄膜晶體管(TFT)形成。 圖13是示出包,些電路的晶體管的截面結(jié)構(gòu)的圖。圖13示出了 N溝道晶體管 2001和2002、電容器元件2004、電阻元件2005和P溝道晶體管2003 。 ^晶體 管被Mf共有半導(dǎo)體層305、絕緣層308和柵電極309。柵電極309形成為第一導(dǎo)電 層303和第二導(dǎo)電層302的體結(jié)構(gòu)。Ith^卜，圖14A至14E就應(yīng)于圖13中所 示的晶體管、電容器元件和電阻元件的頂視亂圖13也會(huì)被涉及到。
在圖13中，在N溝道晶體管2001的半導(dǎo)體層305中，形成一對(duì)雜質(zhì)區(qū)307 以?shī)A住并在溝道長(zhǎng)度方向上(載流子流動(dòng)的方向上)撤蟲(chóng)與柵電極309 ，的區(qū) 域。因此，劍雜質(zhì)區(qū)307形成于柵電極309的兩側(cè)上。雜質(zhì)區(qū)306是源極和漏 極區(qū)，其與布線304撤蟲(chóng)。雜質(zhì)區(qū)307 ^氐濃度漏極(LDD)區(qū)，其中雜質(zhì)元素 以低于雜質(zhì)區(qū)306的雜質(zhì)濃度的濃度被摻雜。在N溝道晶體管2001中， 添加到雜質(zhì)區(qū)306和雜質(zhì)區(qū)307中，作為賦予N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)。
如圖14A中所示，形麟一N溝道晶體管2001中的柵電極309的第一導(dǎo)電 層303以便在第二導(dǎo)電層302的兩側(cè)上展開(kāi)。在這種情況下，形麟一導(dǎo)4^303 以使其膜厚度薄于第二導(dǎo)EfeM302的膜厚度。形，一導(dǎo)電層303以具有倉(cāng), 在10至100kV下加速的離子種類的膜厚度。形^i^質(zhì)區(qū)307以與柵電極309的 第一導(dǎo)電層303體。換句話說(shuō)，形成與柵電極309體的LDD區(qū)。在該^l勾中， ffilfOT第二導(dǎo),302作為掩模經(jīng)由柵電極309中的第一導(dǎo)電層303添加一種 導(dǎo)電 的雜質(zhì)以自對(duì)準(zhǔn)方，^^質(zhì)區(qū)307。換句話說(shuō)，與柵電極309 的 LDD區(qū)以自對(duì)準(zhǔn)方5t^成。
將在柵電極的兩側(cè)上具有LDD區(qū)的晶體管用于用于圖1中的電源電路204 中的整流電路212的整流晶體管或者包括在用^l輯電路的傳i5W及(也稱俏莫 擬開(kāi)關(guān))中的晶體管。這些晶體管具有源電極和漏電極，其中施加了正電壓和負(fù) 電壓；因此，^^在柵電極的兩側(cè)上衛(wèi)共LDD區(qū)。
在圖13中，雜質(zhì)區(qū)307形成于N溝道晶體管2002的半導(dǎo)體層305中的柵電 極309的4l讓。雜質(zhì)區(qū)307 ^j氏濃度漏極(LDD)區(qū)，其中雜質(zhì)元素以低于雜 質(zhì)區(qū)306的雜質(zhì)濃度的濃度被摻雜。如圖l犯中所示，形成N溝道晶體管2002 中的柵電極309的第一導(dǎo)te303以在第二導(dǎo)電層302的Hi上展開(kāi)。在這種情 況下，LDD區(qū)tMi^由第一導(dǎo)EUl 303 j頓第二導(dǎo)電層302作為掩才I^加一種 導(dǎo)電 的雜質(zhì)以自對(duì)準(zhǔn)方5^成。
在柵電極的一側(cè)上具有LDD區(qū)的晶體管可用于其中僅在源和漏電fet間施 加正電壓或負(fù)電壓的晶體管。具體地，該晶體管可應(yīng)用至促ei輯門(mén)如反相電路、 NAND電路、NOR電路或鎖存電路中包括的晶體管，或者在模擬電路如讀出放大 器、tlil產(chǎn)生電路或VCO (電壓控制振蕩器)中包括的晶體管。
在圖13中，電容器元件2004 M31將絕緣層308夾在第一導(dǎo)電層303和半導(dǎo) 體層305之間形成。形成電容器元件2004的半導(dǎo)體層305被掛將雜質(zhì)區(qū)310和 311。雜質(zhì)區(qū)311形成于與第一導(dǎo)電層303體的半導(dǎo)體層305的健中。itb^卜， 雜質(zhì)區(qū)310與布線304撤蟲(chóng)。 一種導(dǎo)電鄉(xiāng)的雜質(zhì)育超由第一導(dǎo)電層303添加到 雜質(zhì)區(qū)311中；因此，SV質(zhì)區(qū)310和311中含有的雜質(zhì)濃度可以是相同#同 的。在任一種情況下，制作半導(dǎo)體層305以用作電容器元件2004中的電極因此， tti^添加一種導(dǎo)電鄉(xiāng)的雜質(zhì)以斷氐電阻。il^卜，如圖14C中所示，可i!314頓 第二導(dǎo)電層302作為輔助電極，制臘第一和第二導(dǎo)電層303和302以足夠用作電
容器元件2004的電極。因此，可以ffl31采用其中第一導(dǎo)電層303與第二導(dǎo)頓 302組合的多電極結(jié)構(gòu)以自對(duì)準(zhǔn)的方，成電容器元件2004。
電容器元件2004可用作電源電路204的存儲(chǔ)電容器213 g高頻電路203 的諧振電容器。特別是，由于將正禾晩電壓施加到電容器元件2004的兩個(gè)端子之 間，因此諧振電容器需要用作不1 兩個(gè)端子之間的正和負(fù)電壓的電容器。
在圖13中，電阻元件2005由第一導(dǎo)電層303形成(也見(jiàn)圖14D)。第一導(dǎo) 幅303被形成為大約30至150nm的膜厚；因此，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置其寬度或長(zhǎng)度以 形成電阻元件2005。
電阻元件2005可用作數(shù)據(jù)調(diào)制電路208的電阻負(fù)載。此外，在ffii!VCO等 控制電流的情況下其也可以用作負(fù)載。電阻元件2005可由含有賦予導(dǎo)電類型的高 濃度雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層或具有薄的膜厚度的金屬層形成。半導(dǎo)體層的電阻取決 于膜厚度、膜質(zhì)量、雜質(zhì)濃度、激活比率，而金屬層的電阻取決于膜厚度和MM
量，iM其具剤艮小的波動(dòng)。
在圖13中，在P溝道晶體管2003中，半導(dǎo)體層305被^f，雜質(zhì)區(qū)312。 雜質(zhì)區(qū)312用作與布線304 ，魏蟲(chóng)的源極和漏極區(qū)。柵電極309的結(jié)構(gòu)是其中疊放 了第一和第二導(dǎo)電層303和302的結(jié)構(gòu)(也見(jiàn)圖14E)。 P溝道晶體管2003是具有 單個(gè)漏極，而不具有LDD區(qū)的晶體管。在形成P溝道晶體管2003的瞎況下， 糊朋等添加到雜質(zhì)區(qū)312作為賦予P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)。另一方面，具有單個(gè)漏極 結(jié)構(gòu)的N溝道晶體管也可M 添加作為賦予N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)的f^至雜質(zhì)區(qū) 312而形成。
ffi51高密度等離子體處理氧化或氮化半導(dǎo)體層305禾口柵豐誕色緣層308中的一 個(gè)或兩個(gè)。以與實(shí)施例模式5中所示方法相同的方^iS行處理。
根據(jù)，處理，可斷氏半導(dǎo)體層305和柵，彪色緣層308之間的界面的缺陷等 級(jí)。柵膨色緣層308可 膨色緣層308進(jìn)行鵬形成為致密膜。換句謝兌， 可以抑制產(chǎn)生電荷缺陷糊制晶體管的閾值電壓的波動(dòng)。It[^卜，當(dāng)以3V頓小
的電壓驅(qū)動(dòng)晶體管時(shí)，M;等離子體處理氧化或氮化的絕緣層育調(diào)作柵膨色緣層
308。而且，當(dāng)晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓是3V，大時(shí)，柵^^色緣層308可Mffl合由 等離子體M形成于半導(dǎo)體層305的表面上方的絕緣層和由CVD方法(等離子體 CVD方法或熱CVD方法)沉積的絕緣層形成。而且，以相同的方式，該絕緣層 也可用作電容器元件2004的介電層。在這種情況下，通過(guò)等離子體M形成的絕
緣層被形成為1至lOnm厚，其^it密膜；因此，可以形成具有高電荷容量的電
容器元件。
育^1M^且合膜軒同的導(dǎo)腿形成多種結(jié)構(gòu)元件，其說(shuō)明參考圖13和圖14A 至14E給出。其中僅形成了第一導(dǎo)電層的區(qū)域和其中疊置了第一和第二導(dǎo)電層的 區(qū)域ffii3W頓具有斷氐光^艘功能、由半透明膜構(gòu)成的掛將衍射光柵圖案鄉(xiāng) 助圖案的光掩模或者掩模版(reticle)形成。換句話說(shuō)，在于光刻步驟中將光謝亢 蝕劑暴露到光的過(guò)程中，要顯影的抗蝕齊腕模的厚度iKl調(diào)整光掩模的光傳輸?shù)?光量而不同。在這種情況下，被掛賄^f,斜邵,小的狹縫的^^模或掩模 版可用于形成具有如上所述的復(fù)雜形狀的上述抗蝕劑。此外，在顯影之后在約 20(TC下進(jìn)《亍烘焙，以，由;^6l^亢l3tl齊訴才料形成的lt模圖案。
It,,通謝OT被掛共W^助圖案的光掩?；蜓跇?shù)坂，其中i繊助圖案由衍 射光柵圖案或半透明膜構(gòu)成并具有斷氏光強(qiáng)度的功能，可3i^賣形成僅形成了第一 導(dǎo)電層的區(qū)嫩卩體了第一和第二導(dǎo)電層的區(qū)域。如圖14A中所示，僅形成了第 一導(dǎo)電層的區(qū)域可選擇地形成于半導(dǎo)體層上方。劍共在半導(dǎo)體層上方僅形成了第 一導(dǎo)電層的區(qū)域效果在于，LDD區(qū)能以自對(duì)準(zhǔn)方鄉(xiāng)成等；然而，僅形成了第一 導(dǎo)電層的區(qū)域不必處于除了半導(dǎo)體層(與柵電^3^賣形成的布線區(qū)域)的頂面之 外的區(qū)域中。M3^ra光掩?；蜓谀０妫槐匦蚊蟛季€部分中僅形成了第一導(dǎo) 電層的區(qū)域；由此，基本能陶飾線密度。
在圖13和圖14A至14E的情況下，第一導(dǎo)電層由30至50nm厚的難熔金屬 如鴇(W)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)棘鉬(Mo)或者含有i刻隹熔金 屬作為其主要成分的合金或化^t)形成。lt附，第二導(dǎo)電層由300至600nm厚的 難熔金屬如鎢(W)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)或者鉬(Mo)或者含有 該難熔金屬作為其主要成分的合金或化^t)形成。例如，第一和第二導(dǎo)電層均由 不同導(dǎo)電材料形成，在隨后將進(jìn)行的t^涉驟中具有不同t膝腿度。作為實(shí)例， TaN膜可用作第一導(dǎo)電層且鉤膜可用作第二導(dǎo)電層。
該實(shí)施例模式示出了用于在1^U步驟中^ffi相同光掩?；虺稩^，
被提供有由衍射光柵圖案或半透明膜構(gòu)成并具有斷氐光5艘功能的輔助圖案的光 掩?；蜓谀０妫謩e制造均具有不同電+麟構(gòu)的晶體管、電容器元件和電阻元件 的方法。因此，可根據(jù)電路特性帝隨并集成具有不同模式的元件，而不增加步驟。 該實(shí)施例模式可艦與實(shí)施例模式1至6的任意組合來(lái)實(shí)施。
(實(shí)施例模式8)
在該實(shí)施例模式中，可用作半導(dǎo)#^件201的存儲(chǔ)器電路210等的靜態(tài)RAM (SRAM)的實(shí)例將參考圖15A和15B、圖16A和16B以及圖17A和17B說(shuō)明。
tti^用硅禾晗有硅作為其成分的結(jié)晶半導(dǎo)體形成圖15A中示出的半導(dǎo)體層 lO和ll。例如，作為半導(dǎo)體層10和11，采用多晶硅、單晶硅等M5t激艦火等 結(jié)晶化的^l莫。除lfet外，還可以采用顯示出半導(dǎo)慚寺性的金屬氧化物半導(dǎo)體、 非晶^#有機(jī)半導(dǎo)體。
在任一種情況下，首先形成的半導(dǎo)體層形成于具有絕 面的襯底的#^ 面或一部分(具有比作為晶體管的半導(dǎo)體區(qū)域確定的區(qū)域面積大的區(qū)域)上。之
后，在半導(dǎo)體層上方fflii光刻技術(shù)形成掩模圖案。包括晶體管的源極和漏極區(qū)以
及溝道形成區(qū)的特性形沃的島狀半導(dǎo)體層10和11通逝頓掩模圖案進(jìn)行半導(dǎo)體 層的鵬處棘形成。
用于形成圖15A中示出的半導(dǎo)體層10和11的光掩模被掛共有圖15B中示 出的掩模圖案2000。掩模圖案2000根據(jù)用于光刻步驟的抗蝕劑是正型還是負(fù)型 而不同。在{頓正型抗蝕劑的情況下，制造圖15B中示出的掩模圖案2000作為光 遮蔽部分。掩模圖案2000具有與去除了其頂部部分A的多邊形相同的形狀。例 如，切去光掩模圖案以便切J雜角處為lO^m頗小的魏三角形一邊。此外， 彎曲部分B具有角被彎曲的微以便不正交。當(dāng)彎曲部分B放大時(shí)，械以多個(gè) 等級(jí)彎曲的開(kāi)沐(見(jiàn)參考實(shí)施例模式5中的圖6示出的結(jié)構(gòu))。
圖15B中示出的掩模圖案2000的微反映在圖15A中示出的半導(dǎo)體層10 和ll中。在這種情況下，與掩模圖案2000相似的形狀被轉(zhuǎn)移，g被轉(zhuǎn)移以便 進(jìn)一步圓化掩模圖案2000的角。換句衙兌，也可劍共其中圖案^R較掩模圖案 2000進(jìn)一步被平滑的圓化部分。
部分地含有至4,化^^氮化硅的絕緣層形成于半導(dǎo)體層10和11的上方。 形成絕緣層的一個(gè)目的是柵膨色緣層。然后，如圖16A中所示，形 極布線12、 13和14以使其部分與半導(dǎo)體層^S。柵極布線12與半導(dǎo)體層10相對(duì)應(yīng)地形成。 柵極布線13與半導(dǎo)體層10和11相應(yīng)地形成。itWh柵極布線14與半導(dǎo)體層10 和11相應(yīng)地形成。ffl5i形成具有高導(dǎo)電性的金屬層或半導(dǎo)體層，柵極布線的皿
iM:光刻技術(shù)形itt絕緣層上方。
用于形^iS些柵極布線的光掩模被掛賄于圖16B中示出的掩模圖案2濯。掩模圖案2濯具有其中在每一，彎成L m的魏三角辦皮去除一角以使該三
角形的一邊為10Mm頗小^^于或長(zhǎng)于掩模圖案2腦的五分之一寬度且等于 或短于掩模圖案2濯的一半寬度的圖案；因此圓化了媳。換句話說(shuō)，當(dāng),Ai:面 看時(shí)，在纖^f模圖案2畫(huà)的周線是彎曲的。具體地，為了形成纖的圓形周 線，去除部分掩模圖案2腦，其對(duì)應(yīng)于具有構(gòu)^ 的相互垂直的兩條第一直線 和與該兩條第一直線成約45度角的第二直線的等腰M三角形。當(dāng)去除該三角形 時(shí)，兩,屯角形成于掩模圖案2100中。此時(shí)，掩模圖案210(HtiaiiS當(dāng)調(diào)整 蝕刻劍特口 /或掩模設(shè)計(jì)彩蜮」，以使與第一直線禾嗨二直線撤蟲(chóng)的曲線形成于 每一,屯角部分中。注意，彼此相等的等腰飾三角形的兩邊的長(zhǎng)度等于或長(zhǎng)于 掩模圖案2100的五分之一寬度且等于或短于掩模圖案2100的一半寬度。M卜， 纖的內(nèi)周線也根據(jù)纖的周線制成彎曲的。圖16B中示出的掩模圖案2000的形 狀被反映到圖16A中所示的柵極布線12、 13和14中。在這種情況下，與掩模圖 案2100相似的柳可被轉(zhuǎn)移赫可被轉(zhuǎn)移以進(jìn)一步圓化掩模圖案2100的角。換 句話說(shuō)，也可掛共其中較掩模圖案2100被更加平滑化的圖案形l犬的圓化部分。具 體地，柵極布線12、 13和14的角可以被圓化。當(dāng)ilil等離子體進(jìn)行干 封賅ij時(shí) 能抑制凸部中由于過(guò)泄放產(chǎn)生的精細(xì)顆粒，即使在清洗時(shí)聚集了精細(xì)顆粒也能沖 洗掉在角處聚集的精細(xì)顆粒。因此，具有可以完^f頁(yè)期的產(chǎn)量提高的效果。
層間絕緣層歡瞎柵極布線12、 13和14形成的層。層間絕緣層4頓如氧化 硅的無(wú)機(jī)絕緣材料或4OT聚MI安、丙烯酸樹(shù)月誇的有軀色緣材料形成。絕緣層 如氮化硅或氧氮化硅可以插入層間絕緣層和柵極布線12、 13和14之間。此外， 絕緣層如氮化硅或氧氮化^f共鶴間絕緣層上方。絕緣層能防止半導(dǎo)體層禾嗰 極絕緣層受雜質(zhì)污染，所述雜質(zhì)例如就于薄膜晶體管(TFT)不觀的外來(lái)金 屬離子或濕氣。
鶴間絕緣層的預(yù)定健中形成開(kāi)口。例如，在下層和半導(dǎo)體層中衝共與柵 極布線對(duì)應(yīng)的開(kāi)口。在由金屬^^屬化^的單層或多層形成的布線層中，其掩 模圖案ffiil光刻技術(shù)形成，且預(yù)定圖案31ilt頓」處理形成。之后，如圖17A中所 示，形成布線15、 16、 17、 18、 19和20，以使其部分與半導(dǎo)體層10和11交疊。 具體元件fflil布線在其間連接。布線沒(méi)有以直線連接其間的具體元件，而是由于 布局的限制其包括彎曲部分。lit^卜，在與其它布線或其他區(qū)域的撤蟲(chóng)部分中布線 的寬度改變。當(dāng)接觸孔的尺寸等于駄于布線的寬度時(shí)，布線寬度變化以在撤蟲(chóng)
部分中擴(kuò)展。
形J^^些布線15至20的光掩模被Jlf共有圖17B中示出的掩模圖案2200。 還在這種情況下，布線均具有其中在^h，彎成L形狀的l^三角形的一角被 去除以使該三角形的一邊為10,或更小^#^于或長(zhǎng)于布線的五分之一寬度且 等于或短于布線的一半寬度的圖案；因此，圓化了 。換句話說(shuō)，/Ai:方看時(shí) 纖中布線的周線是彎曲的。具體地，為了形/ fc^的圓形周線，去除部分布線， 其對(duì)應(yīng)于具有構(gòu)成 的相互垂直的兩條第一直線和與這兩條第一直線構(gòu)成約45 度角的第二直線的等腰魏三角形。當(dāng)去除該三角形時(shí)，兩W屯角形成于布線中。 此時(shí)，布線ttM31ig當(dāng)調(diào)整嫩U斜特卩/或掩模設(shè)計(jì)彩蜮j，以使與第一直線 和第二直線接觸的曲線在,屯角部分中形成。注意，彼此相等的等腰飾三角 形的兩邊的長(zhǎng)度等于或長(zhǎng)于布線的五分之一寬度且等于或短于布線的一半寬度。 此外，纖的內(nèi)周線也根據(jù)纖的周線制成彎曲的。在這種布線中，當(dāng)iffil等離 子體進(jìn)行干激蟲(chóng)刻時(shí)，能抑制凸部中由于過(guò)泄放導(dǎo)致的精細(xì)顆粒的產(chǎn)生，且在凹 進(jìn)部分中，即使在清洗時(shí)產(chǎn)生精細(xì)顆粒也能沖洗掉可能在角處聚集的精細(xì)顆粒。 因此，具有可以完^f頁(yè)期的提高產(chǎn)量的效果?？深A(yù)肌ttiMl圓化布線的角制 造布線的電傳導(dǎo)。此外，非常有利之處在于，在并行掛共多個(gè)布線的結(jié)構(gòu)中，沖 洗掉M以4OT具有圓化角的布線。 .
在圖17A中，形成N溝道晶體管21、 22、 23和24以及P溝道晶體管25和 26。 N溝道晶體管23和P溝道晶體管25被包括在反相器27中。N溝道晶體管 24和P溝道晶體管26被包括在反相器28中。包 g^六個(gè)晶體管的電路形成 SRAM。絕緣層如氮化硅，化，成于這些晶體管的上層中。
本實(shí)施例模式可M與實(shí)施例模式1至7任意組合來(lái)實(shí)施。
在該實(shí)施例中，將參考圖8A和8B以及圖9A至9E說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo) #^件201的應(yīng)用?？蒳iil將其掛共辦氏幣、硬幣、證券、不記名債券、證件(駕 駛證或身份l正；見(jiàn)圖9A)、封裝容器(爐紙或瓶；見(jiàn)圖9B)、記錄介質(zhì)(見(jiàn)圖 9A)如DVD軟件、 :和錄{象帶5^頓半導(dǎo)#^1件201。此外，可ffiM^f共給 運(yùn)輸工具如瞎、摩托車和自行車(見(jiàn)圖9D)、個(gè)人物品如包和眼鏡(見(jiàn)圖9E)、 食品、衣物、日用品和電子設(shè)備來(lái)使用半導(dǎo)體器件201。電子設(shè)備包括液晶顯示 驢、EL顯^g、電概幾(也簡(jiǎn)斜爾作電年蜮電視接收機(jī))、蜂窩電i將。
半導(dǎo)#^件201能附著至鵬體表面或者^(guò)A到固定的物體內(nèi)部。例如，半導(dǎo) #^件201 tt^^AiU書(shū)的紙中或者由有豐鵬脂形成的有t鵬脂封裝中。fflil在 紙幣、硬幣、證券、不記名《驗(yàn)、證件等中掛共半導(dǎo)#^件201，能防止其偽造 品。It[^卜，ffi3i將半導(dǎo)^^件201樹(shù)共^^寸裝容器、記錄介質(zhì)、個(gè)人物品、食品、 衣物、日用品、電子設(shè)備等中，能利于檢測(cè)系統(tǒng)和租賃店系統(tǒng)的效率。而且，通 過(guò)在運(yùn)輸工具中提供半導(dǎo)mi件201，能防止其偽造品和被偷。fflil在活懶慟 物中植入半導(dǎo)WI件201 ，每一種活體者阿容易地識(shí)別。例如，fflii將職^i己 注入到活懶f]家畜中，其出生年、性別、血液等可以被容易地i賜"
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件201可用于任一種物體(包括活體)。 半導(dǎo)#^件201具有斜巾優(yōu)點(diǎn)，其能無(wú)線地傳送和接收娜，其能被處理成 多種微，期艮據(jù)所選頻率等具有寬方向性和i賜ij區(qū)域。
接下來(lái)，將參考圖8A和8B說(shuō)明利用半導(dǎo)^fl件201的系統(tǒng)的一種模式。 讀/寫(xiě)器820掛共于包括顯示部分821的便攜式終端的側(cè)表面上。半導(dǎo)#^件201 掛共于物體822的側(cè)表面上(見(jiàn)圖8A)。當(dāng)讀/寫(xiě)器820被保持在附著至,體822 上的半導(dǎo)#^件201的P(逝時(shí)，顯示部分821顯示出關(guān)于物體822的信息，如物 體的原料、產(chǎn)地、每一工藝的測(cè)試結(jié)果、？Mi己錄和描述。作為另一系統(tǒng)，M 過(guò)傳送帶承載物體826的情況下，會(huì)gffl31J頓讀/寫(xiě)器824和半導(dǎo)#§1件201來(lái)檢 Stl體826 (見(jiàn)圖8B)。以這種方式，Mil將根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件201用于系 統(tǒng)，能容易獲得信息并且可掛共具有高功能和高添加值的系統(tǒng)。 本實(shí)施例模式可M與實(shí)施例模式1至8任意組合來(lái)實(shí)施。 本申請(qǐng)基于2005年5月27號(hào)向日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)序列號(hào) No.2005-156469,艦并入其鄉(xiāng)內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括數(shù)據(jù)解調(diào)電路，其中解調(diào)無(wú)線信號(hào)；電平轉(zhuǎn)移電路，其中輸入數(shù)據(jù)解調(diào)電路的輸出信號(hào)；和控制電路，其中輸入電平轉(zhuǎn)移電路的輸出，其中電平轉(zhuǎn)移電路被提供有第一DC電源電壓和第二DC電源電壓，第二DC電源電壓的電壓幅度低于第一DC電源電壓的電壓幅度，其中控制電路被提供有第二DC電源電壓，和其中電平轉(zhuǎn)移電路輸出具有與第二DC電源電壓的電壓幅度相同的電壓幅度的信號(hào)，其是由具有與第一DC電源電壓的電壓幅度相同的電壓幅度的輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換的。
2. —種半導(dǎo)#^件，包括 幾，其育,行職繊通信； 解調(diào)電路，其中解調(diào)，信號(hào)； 電平轉(zhuǎn)移電路，其中輸入 解調(diào)電路的輸出信號(hào)；和 控制電路，其中輸入電平轉(zhuǎn)移電路的輸出，其中電平轉(zhuǎn)移電路被JlfM第一 DC電源電壓和第二 DC電源電壓，第二 DC電源電壓的電壓幅度低于第一DC電源電壓的電壓幅度， 其中控制電路被掛賄第二DC電源電壓，禾口其中電平轉(zhuǎn)移電路輸出具有與第二DC電源電壓的電壓幅度相同的電壓幅度 的信號(hào)，其是由具有與第一 DC電源電壓的電壓幅度相同的電壓幅度的輸入信號(hào) 轉(zhuǎn)換的。
3、—種半導(dǎo)#^件，包搖殘，其鵬亍職翻通信； 解調(diào)電路，其中解調(diào)，信號(hào)；電源電路，用于產(chǎn)生第一 DC電源電壓和第二DC電源電壓，根據(jù)所述趟 信號(hào)，第二DC電源電壓的電壓幅度低于第一DC電源電壓的電壓幅度； 電平轉(zhuǎn)移電路，其中輸入M解調(diào)電路的輸出信號(hào)；禾口 控制電路，其中輸入電平轉(zhuǎn)移電路的輸出，其中電平轉(zhuǎn)移電路被提供第一DC電源電壓和第二DC電源電壓， 其中控制電路被提供第二DC電源電壓，和其中電平轉(zhuǎn)移電路輸出具有與第二DC電源電壓的電壓幅度相同的電壓幅度的信號(hào)，其是由具有與第一 DC電源電壓的電壓幅度相同的電壓幅度的輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換的。
4. 如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)的半導(dǎo)器件，其中控制電路是用于分IOT1 解調(diào)職信號(hào)獲得的信號(hào)的電路。
5. 如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體器件，其中數(shù)據(jù)解調(diào)電路的輸出信號(hào)的脈沖寬度與電平轉(zhuǎn)移電路的輸出信號(hào)的脈沖寬度相同。
6、—種半導(dǎo)鄉(xiāng)牛，包括天線；解調(diào)電路，其可操作地與天線連接并用于解調(diào)來(lái)自天線的無(wú)線信號(hào)； 電平轉(zhuǎn)移電路，其可操作地與數(shù)據(jù)解調(diào)電路連接； 控制電路，其可操作地與電平轉(zhuǎn)移電路連接；和電源電路，用于連接至少電平轉(zhuǎn)移電路和控制電路。
全文摘要
本發(fā)明的目的是防止在能夠進(jìn)行無(wú)線數(shù)據(jù)通信的半導(dǎo)體器件中由于脈沖寬度差導(dǎo)致的錯(cuò)誤或故障如不響應(yīng)。在半導(dǎo)體器件中，電平轉(zhuǎn)移電路被提供于數(shù)據(jù)解調(diào)電路和每一個(gè)電路塊之間，在該電路塊中，從數(shù)據(jù)解調(diào)電路輸出解調(diào)信號(hào)。以這種方式，解調(diào)信號(hào)的電壓幅度幾乎與自每一電路塊的輸出信號(hào)的電壓幅度相等。因此，解調(diào)信號(hào)的脈沖寬度幾乎與每一電路塊中的信號(hào)的脈沖寬度相等，或者解調(diào)信號(hào)的脈沖寬度幾乎與自每一電路塊的輸出信號(hào)的脈沖寬度相等。因此，可以防止由于脈沖寬度差導(dǎo)致的錯(cuò)誤或故障如不響應(yīng)。
文檔編號(hào)G06K19/07GK101194276SQ20068001851
公開(kāi)日2008年6月4日 申請(qǐng)日期2006年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月27日
發(fā)明者松嵜隆德, 鹽野入豐 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所