專利名稱：觸摸屏及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種觸摸屏及顯示裝置，尤其涉及一種釆用碳納米管透明導 電層的觸摸屏及使用該觸摸屏的顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來，伴隨著移動電話與觸摸導航系統(tǒng)等各種電子設(shè)備的高性能化和 多樣化的發(fā)展，在液晶等顯示設(shè)備的前面安裝透光性的觸摸屏的電子設(shè)備逐 步增加。這樣的電子設(shè)備的利用者通過觸摸屏， 一邊對位于觸摸屏背面的顯 示設(shè)備的顯示內(nèi)容進行視覺確認， 一邊利用手指或筆等方式按壓觸摸屏來進 行操作。由此，可以操作電子設(shè)備的各種功能。
按照觸摸屏的工作原理和傳輸介質(zhì)的不同，現(xiàn)有的觸摸屏分為四種類 型，分別為電阻式、電容式、紅外線式以及表面聲波式。其中電容式觸摸屏 因準確度較高、抗干擾能力強應用較為廣泛。
現(xiàn)有技術(shù)中的電容型觸摸屏(請參見"連續(xù)薄膜電容式觸摸屏的研究",
李樹本等，光電子技術(shù)，vol 15,p62(1995))包括一玻璃基板， 一透明導電層， 以及多個金屬電極。在該電容型觸摸屏中，玻璃基板的材料為納釣玻璃。透 明導電層為例如銦錫氧化物(ITO)或銻錫氧化物(ATO)等透明材料。電 極為通過印制具有低電阻的導電金屬(例如銀)形成。電極間隔設(shè)置在透明 導電層的各個角處。此外，透明導電層上涂覆有鈍化層。該鈍化層由液體玻 璃材料通過硬化或致密化工藝，并進行熱處理后，硬化形成。
當手指等觸摸物觸摸在觸摸屏表面上時，由于人體電場，手指等觸摸物 和觸摸屏中的透明導電層之間形成一個耦合電容。對于高頻電流來說，電容 是直接導體，手指等觸摸物的觸摸將從接觸點吸走一個很小的電流。這個電 流分別從觸摸屏上的電極中流出，并且流經(jīng)這四個電極的電流與手指到四角 的距離成正比，觸摸屏控制器通過對這四個電流比例的精確計算，得出觸摸 點的位置。
因此，透明導電層對于觸摸屏是一必需的部件，現(xiàn)有技術(shù)中透明導電層通常采用ITO層，但是ITO層作為透明導電層具有機械和化學耐用性不夠 好等缺點。進一步地，釆用ITO層作透明導電層存在電阻阻值分布不均勻的 現(xiàn)象，導致現(xiàn)有的電容式觸摸屏存在觸摸屏的分辨率低、精確度不高等問題。 因此，確有必要提供一種分辨率高、精確度高及耐用的觸摸屏，以及使 用該觸摸屏的顯示裝置。

發(fā)明內(nèi)容
一種觸摸屏，該觸摸屏包括一基體； 一透明導電層，該透明導電層設(shè)置 于上述基體的一表面；以及至少兩個電極，該至少兩個電極間隔設(shè)置并與該 透明導電層電連接。其中，所述的透明導電層包括至少兩個重疊的碳納米管 層，每一碳納米管層包括多個定向排列的碳納米管，且相鄰的兩個碳納米管 層中的碳納米管沿同 一 方向排列。
一種顯示裝置，其包括一觸摸屏，該觸摸屏包括一基體， 一透明導電層， 該透明導電層設(shè)置于上述基體的一表面，以及至少兩個電極，該至少兩個電 極間隔設(shè)置并與該透明導電層電連接； 一顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備正對且靠近 觸摸屏的基體設(shè)置。其中，所述的透明導電層包括至少兩個重疊的碳納米管 層，每一碳納米管層包括多個定向排列的碳納米管，且相鄰的兩個碳納米管 層中的碳納米管沿同一方向排列。
與現(xiàn)有技術(shù)的觸摸屏及顯示裝置相比較，本技術(shù)方案提供的觸摸屏及顯 示裝置具有以下優(yōu)點其一，透明導電層包括至少兩個重疊的碳納米管層， 由于碳納米管層具有較好的力學性能，從而使得上述的透明導電層具有較好 的機械強度和韌性，故，釆用上述的碳納米管層作透明導電層，可以相應的 提高觸摸屏的耐用性，進而提高了使用該觸摸屏的顯示裝置的耐用性。其二， 上述碳納米管層中的碳納米管薄膜包含多個碳納米管，且上述的碳納米管在 每一碳納米管薄膜中定向排列，且相鄰的兩個碳納米管層中的碳納米管沿同 一方向排列。故，采用上述的碳納米管層作透明導電層，可使得透明導電層 具有均勻的阻值分布，從而提高觸摸屏及使用該觸摸屏的顯示裝置的分辨率 和精確度。


6觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是沿圖i所示的線n-ir的剖視圖。
圖3是本技術(shù)方案實施例的透明導電層的碳納米管薄膜的掃描電鏡圖。
圖4是本技術(shù)方案實施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是本技術(shù)方案實施例的顯示裝置的工作原理示意圖。
具體實施例方式
以下將結(jié)合附圖詳細說明本技術(shù)方案的觸摸屏及顯示裝置。
請參閱圖1和圖2，觸摸屏20包括一基體22、 一透明導電層24、 一防 護層26及至少兩個電極28。基體22具有一第一表面221以及與第一表面 221相對的第二表面222。透明導電層24設(shè)置在基體22的第一表面221上； 上述至少兩個電極28分別設(shè)置在透明導電層24的每個角處或邊上，且與透 明導電層24形成電連接，用以在透明導電層24上形成等電位面。防護層26 可直接設(shè)置在透明導電層24以及電極28上。
所述基體22為一曲面型或平面型的結(jié)構(gòu)。該基體22由玻璃、石英、金 剛石或塑料等硬性材料或柔性材料形成。所述基體22主要起支撐的作用。
所述透明導電層24包括至少兩個重疊的碳納米管層，每一碳納米管層 包括多個定向排列的碳納米管，且相鄰的兩個碳納米管層中的碳納米管沿同 一方向4非列。
進一步地，上述每一碳納米管層可以是一個碳納米管薄膜或多個平行且 無間隙的鋪設(shè)的碳納米管薄膜。在每一個碳納米管層中，碳納米管沿同一方 向排列?？梢岳斫?，由于上述的碳納米管層中的碳納米管薄膜可以平行且無 間隙的鋪設(shè)，故，上述碳納米管層的的長度和寬度不限，可根據(jù)實際需要制 成具有任意長度和寬度的碳納米管層。此外，由于上述碳納米管層中的碳納 米管薄膜還可重疊設(shè)置，故，上述碳納米管層的厚度也不限，可根據(jù)實際需 要制成具有任意厚度的碳納米管層。
進一步地，上述的每個碳納米管層中的每一碳納米管薄膜都包括多個首 位相連且擇優(yōu)取向排列的碳納米管束，相鄰的碳納米管束之間通過范德華力 連接。由于碳納米管薄膜具有一定的韌性，可以彎折，故本技術(shù)方案實施例 中的碳納米管薄膜可為平面結(jié)構(gòu)也可為曲面結(jié)構(gòu)，從而本技術(shù)方案提供的透
7明導電層24及觸摸屏20也可為曲面結(jié)構(gòu)或平面結(jié)構(gòu)。
碳納米管薄膜的長度和寬度與生長碳納米管陣列的基底的尺寸有關(guān)。具 體地，基底的尺寸越大，形成碳納米管陣列的尺寸就越大，故，最終形成的 碳納米管薄膜的尺寸也越大；反之，基底的尺寸越小，最終形成的碳納米管 薄膜的尺寸也越小。
本實施例中采用4英寸的基底生長超順排碳納米管陣列，該碳納米管薄 膜的厚度為0.5納米 100微米。當碳納米管薄膜中的碳納米管為單壁碳納米 管時，該單壁碳納米管的直徑為0.5納米~50納米。當碳納米管薄膜中的碳 納米管為雙壁石友納米管時，該雙壁石友納米管的直徑為1.0納米 50納米。當 碳納米管薄膜中的碳納米管為多壁碳納米管時，該多壁碳納米管的直徑為 1.5納米 50納米。
本技術(shù)方案實施例透明導電層24制備方法主要包括以下步驟 步驟一提供一碳納米管陣列，優(yōu)選地，該陣列為超順排碳納米管陣列。 本技術(shù)方案實施例提供的碳納米管陣列為單壁碳納米管陣列、雙壁碳納 米管陣列或多壁碳納米管陣列。本實施例中，超順排碳納米管陣列的制備方 法采用化學氣相沉積法，其具體步驟包括(a)提供一平整基底，該基底可 選用P型或N型硅基底，或選用形成有氧化層的硅基底，本實施例優(yōu)選為采 用4英寸的硅基底；(b)在基底表面均勻形成一催化劑層，該催化劑層材料 可選用鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)或其任意組合的合金之一；(c)將上述 形成有催化劑層的基底在700 900。C的空氣中退火約30分鐘 90分鐘；(d) 將處理過的基底置于反應爐中，在保護氣體環(huán)境下加熱到500 740°C,然后 通入碳源氣體反應約5~30分鐘，生長得到超順排碳納米管陣列，其高度為 200 400微米。該超順排碳納米管陣列為多個彼此平行且垂直于基底生長的 碳納米管形成的純碳納米管陣列。通過上述控制生長條件，該超順排碳納米 管陣列中基本不含有雜質(zhì)，如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。該碳納 米管陣列中的碳納米管彼此通過范德華力緊密接觸形成陣列。該碳納米管陣 列與上述基底面積基本相同。
本實施例中碳源氣可選用乙炔、乙烯、曱烷等化學性質(zhì)較活潑的碳氫化 合物，本實施例優(yōu)選的碳源氣為乙炔；保護氣體為氮氣或惰性氣體，本實施 例優(yōu)選的保護氣體為氬氣。
8可以理解，本實施例提供的碳納米管陣列不限于上述制備方法。也可為 石墨電極恒流電弧放電沉積法、激光蒸發(fā)沉積法等。
步驟二釆用一拉伸工具從碳納米管陣列中拉取獲得一碳納米管薄膜。 其具體包括以下步驟(a)從上述碳納米管陣列中選定一定寬度的多個碳納 米管片斷，本實施例優(yōu)選為采用具有一定寬度的膠帶接觸碳納米管陣列以選 定一定寬度的多個碳納米管片斷；(b)以一定速度沿基本垂直于碳納米管陣 列生長方向拉伸該多個碳納米管片斷，以形成一連續(xù)的碳納米管薄膜。
在上述拉伸過程中，該多個碳納米管片段在拉力作用下沿拉伸方向逐漸 脫離基底的同時，由于范德華力作用，該選定的多個碳納米管片斷分別與其 他碳納米管片斷首尾相連地連續(xù)地被拉出，從而形成一碳納米管薄膜。該碳 納米管薄膜包括多個首尾相連且定向排列的碳納米管束。該碳納米管薄膜中 碳納米管的排列方向基本平行于碳納米管薄膜的拉伸方向。
步驟三制備兩個碳納米管層，并重疊設(shè)置，從而形成透明導電層24。
取上述制備的兩個碳納米管薄膜分別作一碳納米管層，即每一碳納米管 層包括一個碳納米管薄膜。重疊設(shè)置上述的兩個碳納米管層，并使得到上述 兩個碳納米管層中的定向排列的碳納米管沿同一方向排列?？梢岳斫猓捎?碳納米管薄膜中碳納米管的排列方向基本平行于碳納米管薄膜的拉伸方向， 故，可以使得上述的兩個碳納米管層之間的碳納米管都沿著平行于碳納米管 薄膜的拉伸方向排列。
請參閱圖3，該碳納米管薄膜為擇優(yōu)取向排列的多個碳納米管束首尾相 連形成的具有一定寬度的碳納米管薄膜。該碳納米管薄膜中碳納米管的排列 方向基本平行于碳納米管薄膜的拉伸方向。該直接拉伸獲得的定向排列的碳 納米管薄膜比無序的碳納米管薄膜具有更好的均勻性，即具有更均勻的厚度 以及更均勻的導電性能。同時該直接拉伸獲得碳納米管薄膜的方法簡單快 速，適宜進行工業(yè)化應用。
可以理解，由于本實施例超順排碳納米管陣列中的碳納米管非常純凈， 且由于碳納米管本身的比表面積非常大，所以該碳納米管薄膜本身具有較強 的粘性。因此，該碳納米管薄膜作為透明導電層24可直接粘附在基體22的 一個表面上。
另外，可使用有機溶劑處理上述粘附在基體22上的碳納米管層。具體地，可通過試管將有機溶劑滴落在碳納米管層表面浸潤整個碳納米管層。該 有機溶劑為揮發(fā)性有機溶劑，如乙醇、曱醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本實 施例中采用乙醇。所述至少兩個碳納米管層經(jīng)有機溶劑浸潤處理后，在揮發(fā) 性有機溶劑的表面張力的作用下，每一碳納米管層中的平行的碳納米管片斷 會部分聚集成碳納米管束，因此，該碳納米管薄膜可牢固地貼附在基體表面， 且表面體積比減小，粘性降低，具有良好的機械強度及韌性。
可以理解，所述透明導電層24和基體22的形狀可以根據(jù)觸摸屏20的 觸摸區(qū)域的形狀進行選擇。例如觸摸屏20的觸摸區(qū)域可為具有一長度的長 線形觸摸區(qū)域、三角形觸摸區(qū)域及矩形觸摸區(qū)域等。本實施例中，觸摸屏20 的觸摸區(qū)域為矩形觸摸區(qū)域。
對于矩形觸摸區(qū)域，透明導電層24和基體22的形狀也可為矩形。為了 在上述的透明導電層24上形成均勻的電阻網(wǎng)絡，需在該透明導電層24的四 個角處或四邊上分別形成四個電極28。上述的四個電極28可由金屬材料形 成。具體地，在本實施例中，基體22為玻璃基板，所述四個電極28為由銀 或銅等低電阻的導電金屬鍍層或者金屬箔片組成的條狀電極28。上述電極 28間隔設(shè)置在上述的透明導電層24同一表面的四個邊上?？梢岳斫?，上述 的電極28也可以設(shè)置在透明導電層24的不同表面上或基體的一個表面上， 其關(guān)鍵在于上述電極28的設(shè)置能使得在透明導電層24上形成等電位面即 可。本實施例中，所述電極28設(shè)置在透明導電層24的遠離基體的一個表面 上。所述電極28可以釆用濺射、電鍍、化學鍍等沉積方法直接形成在透明 導電層24上。另外，也可用銀膠等導電粘結(jié)劑將上述的四個電極28粘結(jié)在 透明導電層24上。
可以理解，所述的金屬電極28亦可設(shè)置于透明導電層24與基體22之 間，且與透明導電層24電連接，并不限于上述的設(shè)置方式和粘結(jié)方式。只 要能使上述的電極28與透明導電層24上之間形成電連接的方式都應在本發(fā) 明的保護范圍內(nèi)。
進一步地，為了延長透明導電層24的使用壽命和限制耦合在接觸點與 透明導電層24之間的電容，可以在透明導電層24和電極之上設(shè)置一透明的 防護層26,防護層26可由氮化硅、氧化硅、苯丙環(huán)丁烯(BCB)、聚酯膜或 丙烯酸樹脂等形成。該防護層26具有一定的硬度，對透明導電層24起保護作用?？梢岳斫?，還可通過特殊的工藝處理，爿t人而使得防護層26具有以下 功能，例如減小炫光、降低反射等。
在本實施例中，在形成有電極28的透明導電層24上設(shè)置一二氧化硅層 用作防護層26,該防護層26的硬度達到7H ( H為洛氏硬度試驗中，卸除主 試驗力后，在初試驗力下壓痕殘留的深度)。可以理解，防護層26的硬度和 厚度可以根據(jù)需要進行選擇。所述防護層26可以通過導電銀膠直接粘結(jié)在 透明導電層24上。
此外，為了減小由顯示設(shè)備產(chǎn)生的電磁干擾，避免從觸摸屏20發(fā)出的 信號產(chǎn)生錯誤，還可在基體22的第二表面222上設(shè)置一屏蔽層25。該屏蔽 層25可由銦錫氧化物薄膜(ITO)、銻錫氧化物薄膜(ATO)或碳納米管薄 膜等透明導電材料形成。所述的碳納米管薄膜可以是定向排列的或其它結(jié)構(gòu) 的碳納米管薄膜。本實施例中，該屏蔽層25的具體結(jié)構(gòu)可與透明導電層24 相同。該碳納米管薄膜作為電接地點，起到屏蔽的作用，從而使得觸摸屏20 能在無干擾的環(huán)境中工作。
請參閱圖4及圖2,本技術(shù)方案實施例提供一顯示裝置100,該顯示裝 置100包括一觸摸屏20， 一顯示設(shè)備30。該顯示設(shè)備30正對且靠近觸摸屏 20的基體第二表面222設(shè)置。進一步地，上述的顯示設(shè)備30與觸摸屏20 間隔設(shè)置或集成設(shè)置。
顯示設(shè)備30可以為液晶顯示器、場發(fā)射顯示器、等離子顯示器、電致 發(fā)光顯示器、真空焚光顯示器及陰極射線管等顯示設(shè)備中的一種。
請參閱圖5及圖2，進一步地，當顯示設(shè)備30與觸摸屏20間隔一定距 離設(shè)置時，可在觸摸屏20的屏蔽層25遠離基體22的一個表面上設(shè)置一鈍 化層104，該鈍化層104可由氮化硅、氧化硅、苯丙環(huán)丁烯、聚酯膜、丙烯 酸樹脂硅等材料形成。該鈍化層104與顯示設(shè)備30的正面間隔一間隙106 設(shè)置。具體地，在上述的鈍化層104與顯示設(shè)備30之間設(shè)置兩個支撐體108。 該鈍化層104作為介電層使用，所述鈍化層104與間隙106可保護顯示設(shè)備 30不致于由于外力過大而損壞。
當顯示設(shè)備30與觸摸屏20集成設(shè)置時，可將上述的支撐體108直接除 去，而將鈍化層104直接設(shè)置在顯示設(shè)備30上。即，上述的鈍化層104與 顯示設(shè)備30之間無間隙地接觸設(shè)置。另外，上述的顯示裝置100進一步包括一觸摸屏控制器40、 一顯示設(shè) 備控制器60及一中央處理器50。其中，觸摸屏控制器40、中央處理器50 及顯示設(shè)備控制器60三者通過電路相互連接，觸摸屏控制器40連接電極28， 顯示設(shè)備控制器60連接顯示設(shè)備30。
本實施例觸摸屏20及顯示裝置IOO在應用時的原理如下觸摸屏20在 應用時可直接設(shè)置在顯示設(shè)備30的顯示面上。觸摸屏控制器40根據(jù)手指等 觸摸物70觸摸的圖標或菜單位置來定位選擇信息輸入，并將該信息傳遞給 中央處理器50。中央處理器50通過顯示器控制器60控制顯示設(shè)備30顯示。
具體地，在使用時，透明導電層24上施加一預定電壓。電壓通過電極 28施加到透明導電層24上，從而在該透明導電層24上形成等電位面。使用 者一邊視覺確認在觸摸屏20后面設(shè)置的顯示設(shè)備30的顯示， 一邊通過手指 或筆等觸摸物70按壓或接近觸摸屏20的防護層26進行操作時，觸摸物70 與透明導電層24之間形成一耦合電容。對于高頻電流來說，電容是直接導 體，于是手指從接觸點吸走了一部分電流。這個電流分別從觸摸屏20上的 電極中流出，并且流經(jīng)這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比，觸摸 屏控制器40通過對這四個電流比例的精確計算，得出觸摸點的位置。之后， 觸摸屏控制器40將數(shù)字化的觸摸位置數(shù)據(jù)傳送給中央處理器50。然后，中 央處理器50接受上述的觸摸位置數(shù)據(jù)并執(zhí)行。最后，中央處理器50將該觸 摸位置數(shù)據(jù)傳輸給顯示器控制器60，從而在顯示設(shè)備30上顯示接觸物70 發(fā)出的觸摸信息。
本技術(shù)方案實施例提供的顯示裝置IOO具有以下優(yōu)點其一，透明導電 層24包括至少兩個重疊設(shè)置的碳納米管層，由于碳納米管層具有較好的力 學性能，從而使得上述的透明導電層24具有較好的機械強度和韌性，故， 釆用上述的碳納米管層作透明導電層24，可以相應的提高觸摸屏20的耐用 性，進而提高了使用該觸摸屏的顯示裝置IOO的耐用性。其二，上述碳納米 管層中的碳納米管薄膜包含多個碳納米管，且上述的碳納米管在每一碳納米 管薄膜中定向排列，且相鄰的兩個碳納米管層中的碳納米管沿同 一方向排 列。故，采用上述的碳納米管層作透明導電層24,可使得透明導電層具有均 勻的阻值分布，從而提高觸摸屏20及使用該觸摸屏的顯示裝置100的分辨 率和精確度。其三，采用本技術(shù)方案制備碳納米管層，由于可直接鋪設(shè)在基體22上形成透明導電層24,無需濺射和加熱等工藝，故，降低了觸摸屏20 和顯示裝置IOO的制作成本，簡化了制作工藝。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當然，這些依 據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種觸摸屏，包括一基體；一透明導電層，該透明導電層設(shè)置于上述基體的一表面；以及至少兩個電極，該至少兩個電極間隔設(shè)置并與該透明導電層電連接，其特征在于，所述透明導電層包括至少兩個重疊的碳納米管層，每一碳納米管層包括多個定向排列的碳納米管，且相鄰的兩個碳納米管層中的碳納米管沿同一方向排列。
2. 如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述碳納米管層為一碳納米管薄 膜或多個平行無間隙鋪設(shè)的碳納米管薄膜。
3. 如權(quán)利要求2所述的觸摸屏，其特征在于，所述碳納米管薄膜進一步包括多 個碳納米管束片段，每個碳納米管束片段具有大致相等的長度且每個碳納米 管束片段由多個相互平行的碳納米管束構(gòu)成，碳納米管束片段兩端通過范德 華力相互連接。
4. 如權(quán)利要求2所述的觸摸屏，其特征在于，所述碳納米管薄膜的厚度為0.5 納米 10(H敖米。
5. 如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述碳納米管包括單壁碳納米管、 雙壁-友納米管和多壁-灰納米管。
6. 如權(quán)利要求5所述的觸摸屏，其特征在于，所述單壁碳納米管的直徑為0.5 納米 50納米，雙壁石友納米管的直徑為1.0納米 50納米，多壁碳納米管的直 徑為1.5納米~50納米。
7. 如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述至少兩電極為金屬鍍層或者 金屬箔片。
8. 如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述至少兩個電極間隔地設(shè)置于 透明導電層遠離基體的一表面上。
9. 如權(quán)利要求8所述的觸摸屏，其特征在于，所述至少兩個電極通過一導電銀 膠設(shè)置在透明導電層上。
10. 如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏進一步包括一防護層， 該防護層設(shè)置于透明導電層的遠離基體的一個表面上。
11. 如權(quán)利要求IO所述的觸摸屏，其特征在于，所述防護層的材料為氮化硅、氧化硅、苯丙環(huán)丁烯、聚酯膜或丙烯酸樹脂。
12. 如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏是平面觸摸屏或者曲 面觸摸屏。
13. 如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述基體的材料為玻璃、石英、 金剛石或塑料。
14. 如權(quán)利要求1所述的觸摸屏，其特征在于，所述觸摸屏進一步包括一屏蔽層， 該屏蔽層設(shè)置于上述基體遠離透明導電層的一表面上，該屏蔽層為銦錫氧化 物薄膜、銻錫氧化物薄膜或碳納米管薄膜。
15. 如權(quán)利要求14所述的觸摸屏，其特征在于，所述碳納米管薄膜包括多個碳納 米管，上述的多個碳納米管在上述的碳納米管薄膜中定向排列。
16. —種顯示裝置，包括一觸摸屏，該觸摸屏包括一基體； 一透明導電層，該透明導電層設(shè)置于上述 基體的一表面；以及至少兩個電極，該至少兩個電極間隔設(shè)置并與該透明導 電層電連才妄；一顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備正對且靠近觸摸屏的基體遠離透明導電層的一表面 設(shè)置，其特征在于，所述的透明導電層包括至少兩個重疊的碳納米管層，每一碳納 米管層包括多個定向排列的碳納米管，且相鄰的兩個碳納米管層中的碳納米 管沿同一方向排列。
17. 如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示設(shè)備為液晶顯示器、 場發(fā)射顯示器、等離子顯示器、電致發(fā)光顯示器、真空熒光顯示器及陰極射 線管中的一種。
18. 如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示設(shè)備與觸摸屏間隔設(shè) 置或集成設(shè)置。
19. 如權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其特征在于，所述觸摸屏進一步包括一鈍化 層，該鈍化層設(shè)置于觸摸屏和顯示設(shè)備之間，與觸摸屏相接觸設(shè)置，與顯示 設(shè)備間隔設(shè)置。
20. 如權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其特征在于，所述鈍化層的材料為氮化硅、氧化硅、苯丙環(huán)丁烯、聚酯膜或丙烯酸樹脂。
21.如權(quán)利要求20所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置進一步包括一觸 摸屏控制器、 一顯示設(shè)備控制器及一中央處理器，其中，觸摸屏控制器、中 央處理器及顯示設(shè)備控制器三者通過電路相互連接，觸摸屏控制器連接觸摸 屏的電極，顯示設(shè)備控制器連接顯示設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種觸摸屏，該觸摸屏包括一基體；一透明導電層，該透明導電層設(shè)置于上述基體的一表面；以及至少兩個電極，該至少兩個電極間隔設(shè)置并與該透明導電層電連接。其中，所述的透明導電層包括至少兩個重疊的碳納米管層，每一碳納米管層包括多個定向排列的碳納米管，且相鄰的兩個碳納米管層中的碳納米管沿同一方向排列。進一步地，本發(fā)明還涉及一種顯示裝置，其包括一顯示設(shè)備及一觸摸屏。
文檔編號G06F3/044GK101458593SQ20071012500
公開日2009年6月17日 申請日期2007年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月12日
發(fā)明者亮 劉, 姜開利, 范守善 申請人:清華大學;鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司