專(zhuān)利名稱(chēng)：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、電源控制方法、以及通信裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、電源控制方法、以及通信裝置，更 具體地，涉及用于物理提高防篡改性的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、電源控制方 法、以及通信裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，可通過(guò)設(shè)置用于監(jiān)控?fù)p壞行為(tampering action )(例 如，打開(kāi)和破壞殼體)的監(jiān)控電路來(lái)保護(hù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的 裝置(例如，參見(jiàn)日本未審查專(zhuān)利申誚^>開(kāi)第2005-56439號(hào))已經(jīng) 得到了廣泛應(yīng)用。
這種裝置均可以包括用于監(jiān)控電路的后備電源(例如，電池)， 使得即使主電源處于關(guān)閉(OFF)狀態(tài)，也能監(jiān)控?fù)p壞行為。
發(fā)明內(nèi)容
當(dāng)設(shè)置了用于監(jiān)控電路的后備電源時(shí)，存在這樣的可能性在 去除了后備電源以停止監(jiān)控電路的運(yùn)行之后，可以截取和篡改數(shù)據(jù)。
考慮到上述情況提出了本發(fā)明。期望可以物理提高防篡改性。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括存儲(chǔ)器；監(jiān)控裝 置，用于監(jiān)控對(duì)于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的未授權(quán)行為；第一電源， 用于向監(jiān)控裝置供電；以及蓄電裝置，用于當(dāng)停止從第一電源向監(jiān) 控裝置供電時(shí)向監(jiān)控裝置供電，蓄電裝置在從第一電源向監(jiān)控裝置 供電的同時(shí)充電。
存儲(chǔ)器可以是易失性的，并且第 一 電源還可以向存儲(chǔ)器供電。
根據(jù)第一實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置還可以包括供電控制裝置。當(dāng) 停止從第 一 電源向存儲(chǔ)器供電時(shí)，蓄電裝置還可以向存儲(chǔ)器供電， 并且當(dāng)停止從第一電源向存儲(chǔ)器供電之后經(jīng)過(guò)了預(yù)定時(shí)間時(shí)，供電 控制裝置可以停止從蓄電裝置向存儲(chǔ)器供電。
根據(jù)第一實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置還包括用于向監(jiān)控裝置提供 電能的第二電源。第一電源可以是當(dāng)?shù)诙娫搓P(guān)閉時(shí)向監(jiān)控裝置提 供電能的后備電源，并且蓄電裝置可以通過(guò)第一電源和第二電源中 的一個(gè)充電。
第一電源可以是電池，并且蓄電裝置可以是電容器。
才艮據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的電源控制方法， 該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括存儲(chǔ)器和用于監(jiān)控對(duì)于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù) 據(jù)的未授權(quán)行為的監(jiān)控裝置，該方法包括以下步驟在從電源向監(jiān)
控裝置供電的同時(shí)對(duì)包括在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置中的蓄電裝置充電；以及 當(dāng)停止從電源向監(jiān)控裝置供電時(shí)，從蓄電裝置向監(jiān)控裝置供電。
根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于與具有非接觸集成電路卡功能 的裝置進(jìn)行通信的通信裝置，包括存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)從具有非接 觸集成電路卡功能的裝置中讀取的數(shù)據(jù)；監(jiān)控裝置，用于監(jiān)控對(duì)于 存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的未授權(quán)行為；電源，用于向監(jiān)控裝置供電； 以及蓄電裝置，用于當(dāng)停止從電源向監(jiān)控裝置供電時(shí)向監(jiān)控裝置供 電，蓄電裝置在從電源向監(jiān)控裝置供電的同時(shí)充電。
在本發(fā)明的第 一 和第二實(shí)施例中，在乂人電源向監(jiān)控裝置供電的 同時(shí)，對(duì)蓄電裝置充電，并且當(dāng)停止從電源向監(jiān)控裝置供電時(shí)，蓄 電裝置向監(jiān)控裝置供電。
在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，在從電源向監(jiān)控裝置供電的同時(shí)， 對(duì)蓄電裝置充電，并且當(dāng)停止從電源向監(jiān)控裝置供電時(shí)，蓄電裝置 向監(jiān)控裝置供電。
根據(jù)本發(fā)明的第一、第二、和第三實(shí)施例，可以將電能提供給 用于監(jiān)控對(duì)于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的未授權(quán)行為的監(jiān)控裝置。另 外，才艮據(jù)本發(fā)明的第一、第二、和第三實(shí)施例，可以物理地l是高防 篡改性。
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的讀取器-寫(xiě)入器的方框圖2是示出了圖1所示控制模塊的結(jié)構(gòu)實(shí)例的截面圖3是圖2所示的一個(gè)保護(hù)基板的一個(gè)表面的結(jié)構(gòu)實(shí)例的示
圖4是圖2所示的一個(gè)保護(hù)基板的其他表面的結(jié)構(gòu)實(shí)例的示
圖5是示出了圖1所示的控制模塊的功能結(jié)構(gòu)的方框圖6是示出了圖5所示的隨枳4"lT出單元的功能結(jié)構(gòu)的方?jīng)_匡
圖7是示出了圖5所示的總線置亂單元的功能結(jié)構(gòu)的詳細(xì)框
圖8是示出了圖5所示的一個(gè)篡改監(jiān)控電路的結(jié)構(gòu)實(shí)例的電路
圖9是示出了圖5所示的一個(gè)篡改監(jiān)控電路的運(yùn)行實(shí)例的時(shí)序
圖IO是示出了圖5所示的電源控制器的結(jié)構(gòu)實(shí)例的電路圖11是示出了圖5所示的電源控制器的運(yùn)行實(shí)例的時(shí)序圖12是示出了由圖1所示的讀取器-寫(xiě)入器執(zhí)行的置亂密鑰生 成處理的流^I圖13是示出了由圖1所示的讀取器-寫(xiě)入器執(zhí)行的存儲(chǔ)器存取 控制處理的流禾呈圖；以及
圖14是示出了由圖1所示的讀取器-寫(xiě)入器執(zhí)行的損壞行為監(jiān) 控處理的流程圖。
具體實(shí)施例方式
在描述本發(fā)明的實(shí)施例之前，以下討論權(quán)利要求的特征和本發(fā) 明實(shí)施例中公開(kāi)的具體元件之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。這些描述旨在保證在 本說(shuō)明書(shū)中描述支持所要求的發(fā)明的實(shí)施例。因而，即使在隨后實(shí) 施例中的元件沒(méi)有^皮描述為與本發(fā)明的某一特征相關(guān)，也不一定表 示該元件與權(quán)利要求的該特征不相關(guān)。相反地，即使本文中將某元 件描述為與權(quán)利要求的某一特征相關(guān)，也不一定表示該元件與權(quán)利 要求的其他特征不相關(guān)。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置(例如，圖1所示的控
制模塊13)包括存儲(chǔ)器(例如，圖5所示的RAM171);監(jiān)控裝 置(例如，圖5所示的篡改監(jiān)控電路105-1 - 105-6),用于監(jiān)控對(duì) 于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的未授權(quán)行為；第一電源(例如，圖10 所示的電池351),用于向監(jiān)控裝置供電；以及蓄電裝置(例如，圖 10所示的電容器355)，用于當(dāng)停止從第一電源向監(jiān)控裝置供電時(shí) 將向監(jiān)控裝置供電，蓄電裝置在從第 一電源向監(jiān)控裝置供電的同時(shí) 充電。
根據(jù)第一實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置還包括電源控制裝置(例如， 圖10所示的電池電壓才企測(cè)器358)。當(dāng)停止/人第一電源向存儲(chǔ)器供 電時(shí)，蓄電裝置還可以向存儲(chǔ)器供電，并且當(dāng)停止從第一電源向存 儲(chǔ)器供電之后經(jīng)過(guò)了預(yù)定時(shí)間時(shí)，供電控制裝置可以停止從蓄電裝 置向存儲(chǔ)器供電。
根據(jù)第一實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置還包括用于向監(jiān)控裝置提供 電能的第二電源(例如，圖1所示的主電源14)。第一電源可以是 當(dāng)?shù)诙娫搓P(guān)閉時(shí)向監(jiān)控裝置提供電能的后備電源，并且蓄電裝置 可以通過(guò)第一電源和第二電源中的一個(gè)充電。
根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置(例如，圖1所示
的控制模塊13)的電源控制方法，該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括存儲(chǔ)器(例 如，圖5所示的RAM 171)和用于監(jiān)控對(duì)于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù) 的未授權(quán)行為的監(jiān)控裝置(例如，圖5所示的篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6)，該方法包括以下步驟在從電源(例如，圖IO所示的電池 351 )向監(jiān)控裝置供電的同時(shí)對(duì)包括在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置中的蓄電裝置 (例如，圖10所示的電容器355)充電；以及當(dāng)停止乂人電源向監(jiān)控 裝置供電時(shí)，從蓄電裝置向監(jiān)控裝置供電。
根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于與具有非接觸集成電路卡功能 的裝置(例如，圖1所示的IC卡2 )進(jìn)4亍通信的通信裝置(例如， 圖1所示的讀取器-寫(xiě)入器1),包括存儲(chǔ)器(例如，圖5所示的 RAM 171)，用于存儲(chǔ)從具有非接觸集成電路卡功能的裝置中讀取 的數(shù)據(jù)；監(jiān)控裝置(例如，圖5所示的篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6 ), 用于監(jiān)控對(duì)于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的未授權(quán)行為；電源(例如， 圖10所示的電池351),用于向監(jiān)控裝置供電；以及蓄電裝置(例 如，圖10所示的電容器355),用于當(dāng)停止從電源向監(jiān)控裝置供電 時(shí)向監(jiān)控裝置供電，蓄電裝置在從電源向監(jiān)控裝置供電的同時(shí)充 電。
以下，參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
圖l是示出了應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施例的讀取器-寫(xiě)入器l的實(shí)例的 方框圖。讀取器-寫(xiě)入器l包括天線ll、 RF (射頻)驅(qū)動(dòng)基板12、 控制才莫塊13、以及主電源14。
RF驅(qū)動(dòng)基板12經(jīng)由天線11通過(guò)使用具有單一頻率的載波來(lái) 執(zhí)行與非接觸型IC (集成電路)卡2的電磁感應(yīng)鄰近通信。作為由 RF驅(qū)動(dòng)基板12使用的載波頻率，例如，可以使用13.56 MHz (兆 赫)的ISM(工業(yè)、科學(xué)與醫(yī)學(xué))頻帶等。鄰近通信表示當(dāng)兩個(gè)裝
置之間的距離在幾十厘米內(nèi)時(shí)，其可以彼此進(jìn)行通信的通信。鄰近 通信包括為了使兩個(gè)裝置(的殼體)彼此接觸而執(zhí)行的一種通信類(lèi)型。
控制模塊13執(zhí)行用于使用IC卡2來(lái)實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)的處理。如果需 要，控制模塊13通過(guò)天線11和RF驅(qū)動(dòng)基板12將用于業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù) 寫(xiě)到IC卡2上以及從IC卡2上讀取用于業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)。另外，控制 才莫塊13可以并行地執(zhí)行用于多種業(yè)務(wù)類(lèi)型的處理。具體地，讀取 器-寫(xiě)入器1可以使用非接觸型IC卡2來(lái)單獨(dú)地提供多種業(yè)務(wù)，例 如，電子貨幣業(yè)務(wù)、預(yù)付卡業(yè)務(wù)、以及用于各種交通工具的票卡業(yè) 務(wù)。
主電源14提供使RF驅(qū)動(dòng)基板12和控制模塊13工作所需的電能。
圖2是示出了控制模塊13的結(jié)構(gòu)實(shí)例的截面圖。
形成控制模塊13，以使主基板32和保護(hù)基^反33 ~ 36設(shè)置在長(zhǎng) 方體的殼體31中。主基4反32基本設(shè)置在殼體31的高度方向的中 心附近。4呆護(hù)基4反33 ~ 36與殼體31的面31A ~ 31D的內(nèi)表面在形 狀和面積上基本一致。保護(hù)基板33~36固定在殼體31的面31A ~ 31D的內(nèi)表面。另外，與保護(hù)基板33~36類(lèi)似，在形狀和面積上 與殼體31的另兩個(gè)面(未示出)的內(nèi)表面基本一致的保護(hù)基板也 固定在殼體31的另兩個(gè)面的內(nèi)表面。換句話(huà)說(shuō)，布置了保護(hù)基板 33-36和另兩個(gè)保護(hù)基板(即， 一共六個(gè)保護(hù)基板)，從而基本上 覆蓋了殼體31的所有內(nèi)表面并包圍主基板32。在圖2中，雖然控 制模塊13的每個(gè)內(nèi)表面和每個(gè)保護(hù)基板之間都具有預(yù)定的間隙， 但可以將保護(hù)基板布置為與殼體31的內(nèi)表面接觸。 主基板32具有用于在其上執(zhí)行控制模塊13的處理的部件，其 中，控制才莫塊13包括CPU (中央處理單元)101 (圖5 )和RAM 171
(圖5)。
如下參照?qǐng)D8等所述，為了才全測(cè)損壞4亍為(tampering action ) 而設(shè)置了六個(gè)保護(hù)基一反，例如，該損壞4于為為了i者如截取和篡改存 4諸在i殳置在主基玲反32上的RAM 171中的翁:才居的未^^又4亍為而打開(kāi) 和磁)不殼體31。
圖3和圖4示出了保護(hù)基板33的結(jié)構(gòu)實(shí)例。圖3示出了圖2 中的主基板32側(cè)的保護(hù)基板33的表面33A的結(jié)構(gòu)實(shí)例。圖4示出 了圖2中的殼體31側(cè)的保護(hù)基板33的表面33B的結(jié)構(gòu)實(shí)例。
如上所述，保護(hù)基板33是大小和形狀與殼體31的內(nèi)表面31A 基本一致的矩形。連接器41B基本設(shè)置在保護(hù)基板33的表面33A 的中心處。在除了連接器41B之外的表面33A區(qū)域中，以每一個(gè)對(duì) 于表面33A的長(zhǎng)度或?qū)挾榷挤浅Ｕ拈g隔、沿基本平行于表面33A 的長(zhǎng)度的縱向來(lái)布置對(duì)于表面33A的長(zhǎng)度或?qū)挾榷挤浅＜?xì)的導(dǎo)線 51A，其中，導(dǎo)線51A基本覆蓋整個(gè)表面33A。在表面33B上，以 每一個(gè)對(duì)于表面33B的長(zhǎng)度或?qū)挾榷挤浅Ｕ拈g隔、沿基本平行于 與表面33A上的導(dǎo)線51A的長(zhǎng)度方向垂直的表面33B的寬度的長(zhǎng) 度方向來(lái)布置對(duì)于表面33B的長(zhǎng)度或?qū)挾确浅＜?xì)的導(dǎo)線51B,其中， 導(dǎo)線51B基本覆蓋整個(gè)表面33B。通過(guò)通孔(through via) 52和53 來(lái)連接導(dǎo)線51A和51B，以形成一條導(dǎo)電線。換句話(huà)說(shuō)，基本在保 護(hù)基板33的全部?jī)蓚€(gè)面33A和33B上，都以柵格的形式對(duì)導(dǎo)線進(jìn) 行布線。
接下來(lái)，如果需要，將導(dǎo)線51A和51B統(tǒng)稱(chēng)為"導(dǎo)線51"。
類(lèi)似于保護(hù)基板33,對(duì)于除保護(hù)基板33之外的其他五個(gè)基板， 基本在每個(gè)基纟反的全部?jī)蓚€(gè)面上，都以棚"格的形式對(duì)導(dǎo)線進(jìn)4于布線 (未示出且未描述)。即，以每一個(gè)對(duì)于殼體31的表面的長(zhǎng)度或?qū)?度都非常窄的間隔來(lái)對(duì)相對(duì)于殼體31的每個(gè)表面的長(zhǎng)度或?qū)挾确?常細(xì)的導(dǎo)線進(jìn)行布線，從而基本覆蓋殼體31的整個(gè)面。因而，當(dāng) 發(fā)生破壞行為(例如，在殼體31中鉆孔)時(shí)，基本覆蓋殼體31的 整個(gè)面的部分導(dǎo)線^f艮可能斷開(kāi)。
在每個(gè)保護(hù)基板上，優(yōu)選地，每條導(dǎo)線都盡可能地細(xì)，并且優(yōu) 選地，導(dǎo)線鄰近部分之間的距離盡可能地窄。
再次參考圖2,主基板32和保護(hù)基板33通過(guò)連接器41A和41B 彼此電連接。主基板32和保護(hù)基板34通過(guò)連接器42A和42B 4皮此 電連接。主基板32和保護(hù)基板35通過(guò)連接器43A和43B彼此電連 接。主機(jī)板32和保護(hù)基板36通過(guò)連接器44A和44B彼此電連4妄。 另外，兩個(gè)保護(hù)基板(未示出)通過(guò)連接器(未示出)電連接至主 基板32。換句話(huà)i兌，當(dāng)打開(kāi)殼體31的每個(gè)面時(shí)，都會(huì)斷開(kāi)固定在 殼體31的每個(gè)內(nèi)表面的保護(hù)基板和主基板32的電連接。
控制模塊13不僅包括上述連接器，還包括用于電連接RF驅(qū)動(dòng) 基板12與主電源14的連接器。
圖5是示出了圖1所示的控制模塊13的功能結(jié)構(gòu)的方框圖。 控制模塊13包括CPU 101、存儲(chǔ)器存取控制器102、存儲(chǔ)部103、 復(fù)位電路104、篡改監(jiān)控電路105-1-105-6、以及電源控制器106。 存儲(chǔ)器存取控制器102包括開(kāi)關(guān)141、置亂密鑰變更指令單元142、 隨機(jī)數(shù)輸出單元143、以及總線置亂單元144?？偩€置亂單元144 包括置亂密鑰存儲(chǔ)部151和地址總線置亂電路152。置亂密鑰存l諸 部151包括置亂密鑰緩沖器161和內(nèi)部存儲(chǔ)器162。存儲(chǔ)部103包 括RAM 171和非易失性存儲(chǔ)器172。CPU 101和地址總線置亂電路152通過(guò)具有n位總線寬度的地 址總線121相互連接。地址總線置亂電路152和存儲(chǔ)部103通過(guò)具 有等于地址總線121的總線寬度的n位總線寬度的地址總線122相 互連接。此外，通過(guò)具有m位總線寬度的數(shù)據(jù)總線123,使CPU 101 和存儲(chǔ)部103相互連接。
通過(guò)才丸行預(yù)定程序，CPU 101執(zhí)行用于4吏用IC卡2實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù) 的處理。另外，CPU101可以并行地^執(zhí)行對(duì)應(yīng)于多種業(yè)務(wù)的程序。 4奐句話(huà)i兌，CPU 101可以并刊_;也#^亍用于多種業(yè)務(wù)的處理。
CPU 101將用于每個(gè)業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)部103中的RAM 171 或非易失性存儲(chǔ)器172中以及從存儲(chǔ)部103中的RAM 171或非易 失性存儲(chǔ)器172中讀取用于每個(gè)業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)。在以下描述中，如果 必要，"將數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)部103中的RAM 171或非易失性存儲(chǔ)器172 中，，被簡(jiǎn)單地表示為"將數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)部103中"，以及如果必要， "從存儲(chǔ)部103中的RAM 171或非易失性存儲(chǔ)器172中讀取數(shù)據(jù)" 被簡(jiǎn)單地表示為"從存^f諸部103中讀取數(shù)據(jù)"。
當(dāng)CPU 101將數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)部103中時(shí)，CPU 101使用地址總 線121向地址總線置亂電路152提供表示邏輯地址(其表示邏輯數(shù) 據(jù)寫(xiě)入位置)的邏輯地址信號(hào)，并使用數(shù)據(jù)總線123向存儲(chǔ)部103 提供包括寫(xiě)入數(shù)據(jù)且表示數(shù)據(jù)寫(xiě)入指令的寫(xiě)入信號(hào)。當(dāng)CPU 101從 存4諸部103讀取4t據(jù)時(shí)，CPU 101 ^吏用;l也址總線121向;也址總線置 亂電路152提供表示邏輯地址(其表示邏輯數(shù)據(jù)讀取位置)的邏輯 地址信號(hào)，并4吏用數(shù)據(jù)總線123向存儲(chǔ)部103 4是供表示數(shù)據(jù)讀取指 令的讀取〗言號(hào)。
存儲(chǔ)器存取控制器102通過(guò)CPU 101來(lái)控制存儲(chǔ)部103的存取。
在包括在存儲(chǔ)器存取控制器102中的部件中，當(dāng)用戶(hù)給出變更 置亂密鑰的指令時(shí)，按下開(kāi)關(guān)141。當(dāng)用戶(hù)4姿下開(kāi)關(guān)141時(shí)，開(kāi)關(guān) 141向置亂密鑰變更指令單元142提供表示開(kāi)關(guān)141已祐:按下的信號(hào)。
當(dāng)按下開(kāi)關(guān)141時(shí)，置亂密鑰變更指令單元142向隨才幾凄t輸出 單元143提供置亂密鑰變更指令。另外，當(dāng)置亂密鑰變更指令單元 142基于從篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6輸出的監(jiān)控信號(hào)來(lái)檢測(cè)諸如 殼體31的-皮壞和打開(kāi)的損壞^f于為時(shí)，置亂密鑰變更指令單元142 向隨機(jī)數(shù)輸出單元143提供置亂密鑰變更指令。
當(dāng)置亂密鑰變更指令單元142向隨機(jī)數(shù)輸出單元143提供表示 置亂密鑰變更指令的信號(hào)時(shí)，隨機(jī)數(shù)輸出單元143生成由n位串形 成的偽隨機(jī)數(shù)，并將偽隨機(jī)數(shù)作為置亂密鑰輸出至置亂密鑰緩沖器 161。
輯地址轉(zhuǎn)換為將實(shí)際訪問(wèn)的存儲(chǔ)部103中的物理地址的處理。
在包括在總線置亂單元144中的部件中，置亂密鑰存^f諸部151 存儲(chǔ)由隨機(jī)數(shù)輸出單元143提供的作為置亂密鑰的偽隨機(jī)數(shù)。具體 地，置亂密鑰存儲(chǔ)部151中的置亂密鑰緩沖器161存儲(chǔ)由隨機(jī)數(shù)輸 出單元143提供的作為置亂密鑰的偽隨機(jī)數(shù)。另外，置亂密鑰緩沖 器161還提供置亂密鑰并將其存儲(chǔ)在內(nèi)部存儲(chǔ)器162中。由諸如閃 存的非易失性存儲(chǔ)器或由電池支持的RAM等構(gòu)成內(nèi)部存儲(chǔ)器162。 即使主電源14處于關(guān)閉(OFF)狀態(tài)，內(nèi)部存儲(chǔ)器162仍連續(xù)地存 儲(chǔ)置亂密鑰。另外，當(dāng)將主電源14從關(guān)閉狀態(tài)變?yōu)榻油顟B(tài)時(shí)， 置亂密鑰緩沖器161讀取并存儲(chǔ)在內(nèi)部存儲(chǔ)器162中存4諸的置亂密 鑰。直到在接通主電源14之后完成了從內(nèi)部存儲(chǔ)器162讀取置亂 密鑰，置亂密鑰緩沖器161才向復(fù)位電路104提供復(fù)位指令信號(hào)。
通過(guò)使用存儲(chǔ)在置亂密鑰緩沖器161中的置亂密鑰來(lái)置亂由從 CPU 101纟是供的邏輯地址信號(hào)表示的邏輯地址，地址總線置亂電^各 152將邏輯地址轉(zhuǎn)換為存4諸部103中將實(shí)際訪問(wèn)的物理地址。換句 話(huà)il，通過(guò)置亂llr入邏輯地址，地址總線置亂電路152將物理地址 分配給邏輯地址。地址總線置亂電路152向存儲(chǔ)部103提供表示通 過(guò)轉(zhuǎn)換獲得的物理地址的物理地址信號(hào)。
在包括在存儲(chǔ)部103中的部件中，RAM 171存儲(chǔ)高安全性數(shù)據(jù) (例如，業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)和個(gè)人信息)。通過(guò)來(lái)自電源控制器106的電能 來(lái)保持存儲(chǔ)在RAM171中的數(shù)據(jù)。當(dāng)停止提供來(lái)自電源控制器106 的電能時(shí)，擦除所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
例如，非易失性存儲(chǔ)器172由非易失性存儲(chǔ)器(例如，閃存)、 EEPROM(電可纟察可編程只讀存々者器)、HDD(石更盤(pán)驅(qū)動(dòng)器)、MRAM (磁電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、FeRAM (鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、以 及OUM (雙向通用存々者器，ovonic unified memory )中的 一個(gè)形成。 非易失性存儲(chǔ)器172存儲(chǔ)低安全性數(shù)據(jù)。
當(dāng)向RAM 171和非易失性存儲(chǔ)器172中的每一個(gè)提供來(lái)自 CPU 101的寫(xiě)入信號(hào)時(shí)，將包括在寫(xiě)入信號(hào)中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入RAM 171 和非易失性存々者器172的每一個(gè)中的物理地址處，RAM 171和非易 失性存儲(chǔ)器172中的每一個(gè)其通過(guò)由地址總線置亂電路152提供的 物理地址信號(hào)表示。另外，當(dāng)提供來(lái)自CPU101的讀取信號(hào)時(shí)，讀 取在RAM 171和非易失性存儲(chǔ)器172的每一個(gè)中的物理地址處的 數(shù)據(jù)，RAM 171和非易失性存儲(chǔ)器172中的每一個(gè)由從地址總線置 亂電路152提供的物理地址信號(hào)來(lái)表示，并通過(guò)數(shù)據(jù)總線123將所 讀取的數(shù)據(jù)提供給CPU 101。
雖然從置亂密鑰緩沖器161向復(fù)位電路104提供了復(fù)位指令信 號(hào)，但復(fù)位電路104通過(guò)向CPU 101提供復(fù)位信號(hào)來(lái)初始化CPU 101的習(xí)犬態(tài)。
如下參考圖8等描述的，墓改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6中的每一 個(gè)都監(jiān)控諸如殼體31的破壞或打開(kāi)的損壞行為，并將表示監(jiān)控結(jié) 果的監(jiān)控信號(hào)提供給電源控制器106和置亂密鑰變更指令單元142。
在下文中，當(dāng)不必區(qū)分篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6中的每一個(gè) 時(shí)，每個(gè)篡改監(jiān)控電路均被稱(chēng)作"篡改監(jiān)控電路105"。
如下參考圖IO等描述的，向電源控制器106提供來(lái)自主電源 14的電能，并控制提供給控制模塊13的每個(gè)部分的電能。當(dāng)檢測(cè) 到對(duì)控制模塊13進(jìn)行了損壞行為時(shí)，電源控制器106停止向存儲(chǔ) 部103供電，從而擦除RAM 171中的數(shù)據(jù)。
圖6是示出了隨機(jī)數(shù)輸出單元143的功能結(jié)構(gòu)的方框圖。隨機(jī) ^t豐lr出單元143包^"隨枳4t生成器201和開(kāi)關(guān)202。
隨機(jī)數(shù)生成器201包括LFSR (線性反饋移位寄存器)隨機(jī) 數(shù)輸出單元211，其包括具有L1位的移位寄存器；LFSR隨才幾數(shù)輸 出單元212，其包括具有L2位的移位寄存器；以及EXOR(異或) 電路213。
LFSR隨機(jī)數(shù)輸出單元211和212基于公知的LFSR原理，其 中，具有通過(guò)移位寄存器中預(yù)定位所表示的值的異或邏輯和作為反 饋值被輸入至移位寄存器。隨機(jī)數(shù)生成器201通過(guò)使用EXOR電路 213來(lái)獲4尋的由LFSR隨枳4t輸出單元211和212生成的兩個(gè)不同 的M序列偽隨機(jī)數(shù)的每一位的異或邏輯和，來(lái)生成Gold序列隨機(jī)
數(shù)。包括在隨機(jī)凄t生成器201中的LFSR隨積4t輸出單元的凄t量不 限于兩個(gè)，也可以是三個(gè)或者更多個(gè)。
當(dāng)從置亂密鑰變更指令單元142接收到表示置亂密鑰變更指令 的輸入信號(hào)時(shí)，接通開(kāi)關(guān)202,從而通過(guò)開(kāi)關(guān)202將表示由隨機(jī)數(shù) 發(fā)生器201生成的Gold序列隨機(jī)數(shù)的位串輸出至置亂密鑰緩沖器 161。
圖7是示出了總線置亂單元144的功能結(jié)構(gòu)的詳細(xì)方框圖。
置亂密鑰緩沖器161包括具有n位的串4亍輸入和并4亍輸出移位 寄存器。在置亂密鑰緩沖器161中，由隨機(jī)數(shù)輸出單元143作為串 行信號(hào)提供的偽隨機(jī)數(shù)被存儲(chǔ)為置亂密鑰。
地址總線置亂電路161通過(guò)使用異或電路251-1 ~ 251-n來(lái)獲得 具有位Al ~ An且通過(guò)地址總線121從CPU 101 ^是供的邏輯地址信 號(hào)所表示的n位邏輯地址中的每個(gè)位與具有位Kl Kn且存儲(chǔ)在置 亂密鑰緩沖器161中的n位置亂密鑰中的每個(gè)位之間的異或邏輯 和，來(lái)將邏輯地址轉(zhuǎn)換為具有位SA1 ~ SAn的n位物理地址。地址 總線置亂電路152使用地址總線122向存儲(chǔ)部103提供表示通過(guò)轉(zhuǎn) 才灸獲4尋的物理;也址的物理;也址4言號(hào)。
圖8是示出了圖5所示的篡改監(jiān)控電路105-1的實(shí)例的電路圖。 篡改監(jiān)控電路105-1包括在保護(hù)基板33上的導(dǎo)線51、電阻器301、 302、和303、 p型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)304、 比較電壓源元件305、以及電壓比較器306。
MOSFET 304的柵—及經(jīng)由點(diǎn)A、連4妄器41A和41B、以及導(dǎo)線 51連4妄至電阻器301的一端，并且經(jīng)由點(diǎn)A連4妄至電阻器302的 一端。MOSFET304的源4及經(jīng)由點(diǎn)B連4妄至電阻器303的一端和電
壓比專(zhuān)交器306的正才及端子。MOSFET 304的漏才及連4妄至電阻器302 不同于連4妄至MOSFET304的初財(cái)及那一端的另 一端。MOSFET 304 的漏極還連接至比較電壓源元件305的負(fù)極端子并且接地。換句話(huà) 說(shuō)，篡改監(jiān)控電路105-1由MOSFET 304的漏極接地的源極跟隨器 (source follower )電路構(gòu)成。
電阻器301不同于連4妄至導(dǎo)線51的那一端的另一端經(jīng)由連才妄 器41B和41A連接至電源控制器106的另 一端以及電阻器303不同 于連接至點(diǎn)B的那一端的另一端。比較電壓源元件305的正極端子 連接至電壓比較器306的負(fù)極端子。電壓比較器306的輸出端子經(jīng) 由點(diǎn)Sl連接至電源控制器106和圖5所示的置亂密鑰變更指令單 元142。
電阻器302的電阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電阻器301的電阻。因:t匕，點(diǎn)A(即， MOSFET 304的柵極端)處的電壓增大為基本上等于來(lái)自電源控制 器106的輸入電壓的電壓，并且MOSFET304的源極電壓隨著變?yōu)?基本上等于柵極電壓。從而，點(diǎn)A和B具有基本相等的電壓。因此， 將基本等于來(lái)自電源控制器106的輸入電壓的電壓輸入至電壓比較 器306的正極端子。比較電壓源元件305將約等于來(lái)自電源控制器 106的輸入電壓的一半的電壓輸入至電壓比較器306的負(fù)極端子。 當(dāng)輸入至電壓比較器306的正極端子的電壓大于輸入至電壓比較器 306的負(fù)極端子的電壓時(shí)，從電壓比較器306輸出的監(jiān)控信號(hào)的電
而得到的值。當(dāng)輸入至電壓比較器306的負(fù)極端子的電壓大于輸入 至電壓比較器306的正極端子的電壓時(shí)，從電壓比較器306輸出的 監(jiān)控信號(hào)的電壓約為0伏特。
參照?qǐng)D9，以下將描述篡改監(jiān)控電^各105-1的工作實(shí)例。圖9 示出了當(dāng)對(duì)控制模塊13的殼體31的面31A執(zhí)行損壞行為(例如，
打開(kāi)或磁:壞)時(shí)點(diǎn)A、 B、和S1處的電壓改變實(shí)例。在圖9中，時(shí)
間h表示執(zhí)4亍損壞;f亍為的時(shí)間。
如上所述，在沒(méi)有異常情況出現(xiàn)的時(shí)間k之前的狀態(tài)下，點(diǎn)A 和B處電壓中的每一個(gè)都約等于來(lái)自電源控制器106的輸入電壓。 因此，在電壓比較器306的正極端子處的電壓(即，點(diǎn)B處的電壓) 大于電壓比較器306的負(fù)極端子處的電壓(即，比較電壓源元件305 的電壓)。因此，電壓比較器306的輸出電壓(即，點(diǎn)S1處的電壓)
得到的正值。
例如，在時(shí)間t!處當(dāng)打開(kāi)控制才莫塊13的殼體31的面31A以使 連4妻器41A和41B分離、以及當(dāng)執(zhí)4亍諸如在面31A中鉆孔的石皮壞 4亍為/人而〗吏導(dǎo)線51斷線的情況下，在電源4空制器106和MOSFET 304之間發(fā)生斷線，^吏得點(diǎn)A具有0伏特的電壓。因此，如圖9所 示，點(diǎn)B具有約為0伏特的電壓，以及電壓比較器306的負(fù)極端子 處的電壓大于電壓比辟交器306的正才及端子處的電壓。因此，電壓比 較器306的輸出電壓(即，點(diǎn)S1處的電壓)約為O伏特。
因此，基于從篡改監(jiān)控電路105-1輸出的監(jiān)控信號(hào)，可以檢測(cè) 到損壞^f亍為(例如，殼體31的打開(kāi)或石皮壞)。
同樣，篡改監(jiān)控電路105-2- 105-6在結(jié)構(gòu)上與篡改監(jiān)控電路 105-1 —致。因此，由于篡改監(jiān)控電i 各105-2 ~ 105-6的描述是重復(fù) 的所以沒(méi)有描述它們。類(lèi)似于篡改監(jiān)控電路105-1，可以基于來(lái)自 篡改監(jiān)控電路105-2 ~ 105-6中的每一個(gè)的監(jiān)控信號(hào)，來(lái)才企測(cè)損壞行 為(例如，殼體31的打開(kāi)或^ 皮壞)。
因此，可以通過(guò)監(jiān)控來(lái)自篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6的監(jiān)控信 號(hào)來(lái)確保對(duì)殼體31的所有面的損壞行為(例如，打開(kāi)或^^壞)的檢測(cè)。
在以下描述中，篡改監(jiān)控電路105-2包4舌在〗呆護(hù)基^反34上的導(dǎo) 線。篡改監(jiān)控電路105-3包括在保護(hù)基板35上的導(dǎo)線。篡改監(jiān)控電 路105-4包括在保護(hù)基板36上的導(dǎo)線。篡改監(jiān)控電路105-5和105-6 包括在對(duì)應(yīng)于殼體31的兩個(gè)面(未示出)的保護(hù)基4反上的導(dǎo)線。
圖IO是示出了圖5所示的電源控制器106的結(jié)構(gòu)實(shí)例的電路 圖。電源4空制器106包才舌作為主電源14的后備電源的電池351、電 池插座352、 二才及管353和354、電容器355、電源調(diào)節(jié)器356、電 阻器357、電池電壓檢測(cè)器358、以及開(kāi)關(guān)359。
電池351被安裝在電池插座352中。在這種狀態(tài)下，電池351 的正才及連4妄至用于防止回流的二才及管353的正才及、電阻器357的一 端、以及電池電壓檢測(cè)器358的輸入端Tll。電池351的負(fù)極連接 至電容器355的一端和電容器357不同于的連4妄至電池351正4及的 那一端的另一端，并且接地。二極管353的負(fù)極連接至用于防止回 流的二極管354的負(fù)極、電容器355不同于連接至電池351的負(fù)極 的那一端的另一端、以及電源調(diào)節(jié)器356的輸入端Tl。 二極管354 的正4及連4妻至主電源14。
電源調(diào)節(jié)器356的l俞出端T2連4妾至電池電壓^r測(cè)器358的電 源端T13、開(kāi)關(guān)359的一端、CPU 101、存儲(chǔ)器存取控制器102、復(fù) 位電路104、以及篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6。電池電壓檢測(cè)器358 的輸出端T12連接至開(kāi)關(guān)359的電壓4企測(cè)端(未示出)。開(kāi)關(guān)359 不同于連接至電源調(diào)節(jié)器356的輸出端T2的那一端的另一端被連 接至存儲(chǔ)部103。另夕卜，開(kāi)關(guān)359的電壓才企測(cè)端(未示出)經(jīng)由點(diǎn) SI ~ S6連接至篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6。
電源調(diào)節(jié)器356通過(guò)將從主電源14通過(guò)二極管354輸入的電 壓或/人電池351通過(guò)二才及管353l命入的電壓專(zhuān)i:換為預(yù)定電壓，來(lái)乂人 輸出端T2輸出基本恒定的電壓。從輸出端T2輸出的電壓經(jīng)由CPU
101、 存儲(chǔ)器存取控制器102、復(fù)位電路104、篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6、電池電壓4企測(cè)器358、以及開(kāi)關(guān)359 ^先提供給存儲(chǔ)部103。 換句話(huà)i兌，通過(guò)電源調(diào)節(jié)器356 4吏來(lái)自主電源14或電池351的電 能的電壓穩(wěn)定，并將穩(wěn)定電壓的電能提供給存儲(chǔ)器存取控制器102、 復(fù)位電3各104、篡 文監(jiān)控電^各105-1 ~ 105-6、電池電壓4企測(cè)器358、 以及存々者部103。因此，即僅:4亭止從主電源14和電池351之一提供 的電能，也能將穩(wěn)定的電能提供給CPU 101、存儲(chǔ)器存取控制器
102、 復(fù)位電路104、篡改監(jiān)控電3各105-1 ~ 105-6、電池電壓才企測(cè)器 358、以及存儲(chǔ)部103。
另夕卜，主電源14或電池351為電容器352充電，以-使其達(dá)到 預(yù)定電壓，同時(shí)主電源14或電池351向電容器355提供電能。當(dāng) 停止/人主電源14或電池351 ^是供電能時(shí)，存儲(chǔ)在電容器355中的 電能經(jīng)由電源調(diào)節(jié)器356、 CPU 101、存儲(chǔ)器存取控制器102、復(fù)位 電路104、篡改監(jiān)控電路105-1-105-6、電池電壓檢測(cè)器358、以及 開(kāi)關(guān)359被提供給存儲(chǔ)部103。例如，電容器355由超級(jí)電容器(電 偶層電容器)形成。電容器355能夠?yàn)镃PUIOI、存儲(chǔ)器存取控制 器102、復(fù)位電路104、篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6、電池電壓檢測(cè) 器358、以及存^f諸部103^是供至少預(yù)定時(shí)間(例如，30至40分4中) 的電能的充電容量。
電池電壓4企測(cè)器358通過(guò)^r測(cè)輸入至輸入端Tll的電壓(即， 由電池351施加給電阻器357的電壓)來(lái)檢測(cè)電池351的去除。當(dāng) 輸入端Tll處的電壓等于或小于預(yù)定閾值時(shí)，電池電壓4企測(cè)器358 通過(guò)使用內(nèi)部計(jì)凄t器(未示出)來(lái)啟動(dòng)時(shí)間測(cè)量。當(dāng)輸入端Tll處
的電壓等于或小于閾值的狀態(tài)持續(xù)時(shí)，輸出端T12處的電壓從高電 平(例如，5伏特)變?yōu)閖氐電平(例如，O伏特)。
當(dāng)來(lái)自篡改監(jiān)控電路105-1 -105-6的監(jiān)控信號(hào)和來(lái)自電池電 壓檢測(cè)器358的輸出信號(hào)的電壓中的任一個(gè)等于或小于預(yù)定閾值 時(shí)，斷開(kāi)開(kāi)關(guān)359，以停止從電源控制器106向存儲(chǔ)部103提供電能。
以下將參照?qǐng)D11來(lái)描述電源控制器106的實(shí)例。圖11示出了 在主電源14處于切斷狀態(tài)且篡改監(jiān)控電^各105-1 ~ 105-6沒(méi)有4僉測(cè) 到損壞4于為的狀態(tài)下，乂人電池插座352中去除電池351的情況下， 從電池電壓檢測(cè)器358的端子Tll和T12輸出的電壓、以及電源控 制器106向存儲(chǔ)部103輸出的電壓的變化實(shí)例。在圖11中，時(shí)間 tu表示從電池插座352中去除電池351的時(shí)間。
在電池351被安裝到電池插座352中的時(shí)刻tn之前的狀態(tài)下， 電池351將正電壓輸入至電池電壓4企測(cè)器358的輸入端Tll,以及 電池電壓;f全測(cè)器358的輸出端T12將高電平電壓輸入至開(kāi)關(guān)359。 另外，由于篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6沒(méi)有才企測(cè)到損壞行為，因此 開(kāi)關(guān)359接通，并且篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6將正電壓輸入至開(kāi) 關(guān)359。這就經(jīng)由開(kāi)關(guān)359將從電源調(diào)節(jié)器356的輸出端T2輸出的 電能提供給存儲(chǔ)部103。此時(shí)，從電源調(diào)節(jié)器356的輸出端T2輸出 的電能也被提供給CPU 101、存儲(chǔ)器存取控制器102、復(fù)位電路104、 篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6、以及電池電壓檢測(cè)器358。
當(dāng)在時(shí)間tn乂人電池插座352中去除電池351時(shí)，llr入至電池電 壓才企測(cè)器358的輸入端Tll的電壓約為0伏特，并且電池電壓^r測(cè) 器358通過(guò)使用內(nèi)部計(jì)數(shù)器來(lái)啟動(dòng)時(shí)間測(cè)量。另外，電容器355啟 動(dòng)放電，使得經(jīng)由電源調(diào)節(jié)器356將存儲(chǔ)在電容器355中的電能提
供給CPU 101、存儲(chǔ)器存取控制器102、復(fù)位電路104、篡改監(jiān)控 電路105-1 ~ 105-6、以及電池電壓4全測(cè)器358。
在電池電壓4企測(cè)器358啟動(dòng)時(shí)間測(cè)量之后經(jīng)過(guò)了子貞定時(shí)間Ta 的時(shí)間t。處，電池電壓檢測(cè)器358將輸出端T12的電壓從高電平 變?yōu)榈碗娖?。這使得開(kāi)關(guān)359斷開(kāi)，以停止向存儲(chǔ)部103提供電能， 從而擦除了存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部103中的RAM 171中的數(shù)據(jù)。
同樣，在時(shí)間112之后，經(jīng)由電源調(diào)節(jié)器356將來(lái)自電容器355 的電能連續(xù)地提供給CPU 101、存儲(chǔ)器存取控制器102、復(fù)位電路 104、篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6、以及電池電壓才金測(cè)器358。因此， 即使去除了電池351,篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6也連續(xù)執(zhí)行損壞 行為的監(jiān)控。
在時(shí)間Ta期間，電池351連才妄至電池電壓4全測(cè)器358。當(dāng)l命入 至輸出端Tll的電壓超出預(yù)定閾值時(shí)，停止通過(guò)內(nèi)部計(jì)tt器進(jìn)行的 時(shí)間測(cè)量。因此，通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定時(shí)間Ta，即使主電源14處于斷 開(kāi)狀態(tài)，也可以在不擦除RAM 171中的凄t據(jù)的情況下更換電池351 。 當(dāng)不必考慮電池351的更換時(shí)，在時(shí)間tu處，可以斷開(kāi)開(kāi)關(guān)359。
接下來(lái)，下面將參照?qǐng)D12 ~ 14來(lái)描述讀取器-寫(xiě)入器1的處理。
首先，以下將參照?qǐng)D12所示的流程圖來(lái)描述由讀取器-寫(xiě)入器 1沖丸行的置亂密鑰生成處理。例如，當(dāng)用戶(hù)4安下開(kāi)關(guān)141時(shí)，開(kāi)始 置亂密鑰生成處理。
在步驟S1中，隨機(jī)數(shù)輸出單元143輸出偽隨機(jī)數(shù)。具體地， 開(kāi)關(guān)141向置亂密鑰變更指令單元142提供表示開(kāi)關(guān)141已按下的 信號(hào)。置亂密鑰變更指令單元142通過(guò)向開(kāi)關(guān)202提供表示置亂密 鑰變更指令的信號(hào)來(lái)接通開(kāi)關(guān)202。在讀取器-寫(xiě)入器1的主電源14
處于4妄通狀態(tài)時(shí)，隨枳4t生成器201連續(xù)地生成偽隨積4t。開(kāi)關(guān)202 的4妄通啟動(dòng)通過(guò)開(kāi)關(guān)202將偽隨才幾數(shù)從隨機(jī)凄t生成器201輸出至置 亂密鑰緩沖器161。當(dāng)從隨機(jī)數(shù)生成器201輸出了 n位偽隨機(jī)數(shù)時(shí)， 斷開(kāi)開(kāi)關(guān)202。
在步驟S2中，總線置亂單元144設(shè)置置亂密鑰。此后，置亂 密鑰生成處理結(jié)束。具體地，在置亂密鑰緩沖器161中，由n位串 形成的并由P逭機(jī)凄t輸出單元143提供的偽隨枳4t作為置亂密鑰#皮存 儲(chǔ)在內(nèi)部寄存器中。置亂密鑰緩沖器161提供置亂密鑰并將其存儲(chǔ) 在內(nèi)部存儲(chǔ)器162中。換句話(huà)說(shuō)，通過(guò)內(nèi)部存儲(chǔ)器162來(lái)備份置亂 密鑰。
可以將當(dāng)讀取器—寫(xiě)入器1的數(shù)量為多個(gè)時(shí)的每個(gè)控制模塊13 設(shè)置具有不同值并難以預(yù)測(cè)的置亂密鑰。例如，在從工廠裝運(yùn)讀取 器-寫(xiě)入器l之前，執(zhí)行置亂密鑰生成處理。
接下來(lái)，以下將參照?qǐng)D13所示的流程圖來(lái)描述由讀取器-寫(xiě)入 器1執(zhí)行的存儲(chǔ)器存取控制處理。例如，當(dāng)接通讀取器-寫(xiě)入器1 的主電源14時(shí)，開(kāi)始存儲(chǔ)器存取控制處理。
在步驟S31中，接通讀取器-寫(xiě)入器1的主電源14,從而置亂 密鑰緩沖器161開(kāi)始向復(fù)位電路104提供復(fù)位指令信號(hào)。
在步驟S32中，復(fù)位電^各104通過(guò)向CPU 101 4是供復(fù)位信號(hào)來(lái) 復(fù)位CPU 101。這初始化了 CPU 101的狀態(tài)。
在步驟S33中，置亂密鑰緩沖器161讀取存儲(chǔ)在內(nèi)部存儲(chǔ)器162 中的置亂密鑰。置亂密鑰緩沖器161將所讀取的置亂密鑰存儲(chǔ)在內(nèi) 部寄存器中。
在步驟S34中，置亂密鑰緩沖器161停止向復(fù)位電路104提供 復(fù)位指令信號(hào)。因此，復(fù)位電路104停止提供復(fù)位信號(hào)，并且CPU 101開(kāi)始4丸4于程序。
在步驟S35中，CPU101確定是否寫(xiě)入凄t據(jù)。如果在執(zhí)4亍禾呈序 的過(guò)程中，在下一步驟中不執(zhí)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入，則CPU101確定不寫(xiě)入 凄t據(jù)，并且處理前進(jìn)至步艱夂S36。
在步驟S36中，CPU101確定是否讀取數(shù)據(jù)。如果在執(zhí)行程序 的過(guò)程中，在下一步驟中不執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取，則CPU101確定不讀取 數(shù)據(jù)，并且處理返回至步驟S35。
在此之后，重復(fù)執(zhí)4亍步驟S35和S36，直到在步駛朵S35中CPU 101確定寫(xiě)入凄史才居，或者在步驟S36中CPU 101確定讀取凄t才居。
如果在沖丸4亍程序的過(guò)程中，在下一步驟中(在步驟S35中)批i 行了數(shù)據(jù)寫(xiě)入，則CPU 101確定寫(xiě)入lt據(jù)，并且處理前進(jìn)至步艱《 S37。
在步驟S37中，CPU101給出寫(xiě)入數(shù)據(jù)的指令。具體地，CPU 101使用地址總線121來(lái)向地址總線置亂電路152提供表示邏輯數(shù) 據(jù)寫(xiě)入位置的邏輯地址信號(hào)。CPU 101還使用數(shù)據(jù)總線123來(lái)向存 儲(chǔ)部103纟是供包括寫(xiě)入數(shù)據(jù)并表示數(shù)據(jù)寫(xiě)入指令的信號(hào)。
在步驟S38中，地址總線置亂電路152將邏輯地址轉(zhuǎn)換為物理 地址。具體地，地址總線置亂電路152通過(guò)獲得由邏輯地址信號(hào)表 示的邏輯地址中的每一位和存儲(chǔ)在置亂密鑰緩沖器161中的置亂密 鑰中的每一位之間的異或邏輯和，并置亂邏輯地址，來(lái)將邏輯地址 轉(zhuǎn)換為物理地址。地址總線置亂電路152 4吏用地址總線122向存儲(chǔ) 部103提供表示通過(guò)轉(zhuǎn)換得到的物理地址的物理地址信號(hào)。
在步驟S39中，存儲(chǔ)部103寫(xiě)入數(shù)據(jù)。具體地，在RAM 171 或非易失性存儲(chǔ)器172中，在由物理地址信號(hào)表示的RAM 171或 非易失性存儲(chǔ)器172中的物理地址處寫(xiě)入包括在乂人CPU 101^是供的 寫(xiě)入信號(hào)中的數(shù)據(jù)。因此，即使CPU101給出將數(shù)據(jù)寫(xiě)入連續(xù)的邏 輯地址處的指令，而實(shí)際上，數(shù)據(jù)凈皮寫(xiě)入RAM 171或非易失性存 儲(chǔ)器172中以便進(jìn)行隨機(jī)地分配。因而，將難以分析和篡 文存儲(chǔ)在 RAM 171或非易失性存儲(chǔ)器172中的數(shù)據(jù)的內(nèi)容。
此后，處理返回步驟S35,并執(zhí)行S35和隨后的步驟。
如果在執(zhí)行程序的過(guò)程中，在下一步驟中(在步驟S36中)執(zhí) 4亍了^:據(jù)讀取，則CPU 101確定讀取fW居，并且處理前進(jìn)至步驟 S40。
在步艱朵S40中，CPU101主會(huì)出讀取數(shù)據(jù)的指令。具體地，CPU 101將地址總線121用于向地址總線置亂電路152提供表示邏輯凄史 據(jù)讀取位置的邏輯地址信號(hào)。CPU 101還使用數(shù)據(jù)總線123向存儲(chǔ) 部103提供表示凄t據(jù)讀耳又指令的讀取信號(hào)。
類(lèi)似于步驟S38，在步驟S41中，邏輯地址^皮轉(zhuǎn)4灸成物理;也址。 經(jīng)由地址總線122將表示通過(guò)轉(zhuǎn)換所得到的物理地址的物理i也址信 號(hào)從地址總線置亂電路152提供給存儲(chǔ)部103。
在步驟S42中，存儲(chǔ)部103讀取數(shù)據(jù)。具體地，RAM 171或非 易失性存儲(chǔ)器172讀取存儲(chǔ)在由物理地址信號(hào)表示的物理地址處的 數(shù)據(jù)，并且使用數(shù)據(jù)總線123向CPU 101提供所讀取的數(shù)據(jù)。
此后，處理前進(jìn)至步驟S35,并執(zhí)行步驟S35以及隨后的步驟。
如上所述，當(dāng)讀耳又器-寫(xiě)入器1的凄t量為多個(gè)時(shí)，可以容易:^也為 每個(gè)控制模塊13設(shè)置不同的置亂密鑰。即使分析了為一個(gè)控制模
塊13設(shè)置的置亂密鑰，也難以使用該置亂密鑰來(lái)分析和篡改存l諸 在另一控制模塊13的RAM 171或非易失性存儲(chǔ)器172中的數(shù)據(jù)。 因此，可以使基于數(shù)據(jù)分布和數(shù)據(jù)篡改的破壞最小化。
另外，關(guān)于用于生成偽隨機(jī)數(shù)的方法和用于置亂地址的方法， 可以在不進(jìn)行更改的情況下使用相關(guān)技術(shù)，而不必提供新的復(fù)雜電 路。因此，除了輸入置亂密鑰變更指令，用戶(hù)不必付出其他努力。 因而，可以輕易地提高存儲(chǔ)在RAM 171或非易失性存儲(chǔ)器172中 的數(shù)據(jù)的安全性。
*接下來(lái)，以下將參照?qǐng)D14所示的流程圖來(lái)描述讀取器-寫(xiě)入器 l執(zhí)行的損壞行為監(jiān)控處理。例如，當(dāng)在從工廠裝運(yùn)了讀取器-寫(xiě)入 器l之后開(kāi)始使用讀取器-寫(xiě)入器1時(shí)，開(kāi)始進(jìn)行損壞行為監(jiān)控處理。
在步驟S61中，電池電壓檢測(cè)器358確定是否已停止從電池351 才是供電能。參照?qǐng)D10和圖11，如上所述，例如，當(dāng)由于從電池插 座352去除電池351而使輸入端Tll處的電壓從超過(guò)預(yù)定闊值的狀 態(tài)變?yōu)榈扔诨蛐∮陬A(yù)定閾值的值時(shí)，電池電壓^r測(cè)器358確定已停 止從電池351纟是供電能，并且處理前進(jìn)至步驟S62。
在步驟S62中，電池電壓檢測(cè)器358通過(guò)使用內(nèi)部計(jì)數(shù)器(未 示出)來(lái)開(kāi)始時(shí)間測(cè)量。
此后，處理返回至步驟S61,并執(zhí)行步驟S61和隨后的步驟。
如果在步驟S61中，輸入端Tll處的電壓超過(guò)閾值，或者繼續(xù) 等于或小于閾值，則電池電壓檢測(cè)器358確定從電池351提供電能，
或者持續(xù)已停止從電池351提供電能的狀態(tài)，并且處理前進(jìn)至步驟 S63。
在步驟S63中，電池電壓檢測(cè)器358確定是否已重新開(kāi)始從電 池351提供電能。具體地，當(dāng)輸入端Tll處的電壓從等于或小于閾 值的值變?yōu)槌^(guò)閾值的值時(shí)，電池電壓檢測(cè)器358確定已重新開(kāi)始 乂人電池351提供電能，并且處理前進(jìn)至步驟S64。
在步驟S64中，電池電壓檢測(cè)器358使用內(nèi)部計(jì)數(shù)器(未示出)
4亭止時(shí)間測(cè)量。
此后，處理返回至步艱《S61，并4丸4于步驟S61和隨后的步驟。
在步驟S63中，當(dāng)輸入端Tll處的電壓繼續(xù)大于閾值，或者繼 續(xù)等于或小于閾值時(shí)，電池電壓檢測(cè)器358確定保持從電池351提 供電源的狀態(tài)，或者保持已停止從電池351才是供電源的狀態(tài)，并且 處5里前進(jìn)至S65。
在步驟S65中，電池電壓檢測(cè)器358確定在停止從電池351提 供電能之后是否要經(jīng)歷預(yù)定時(shí)間。當(dāng)內(nèi)部計(jì)數(shù)器的值表示預(yù)定時(shí)間 或者更多的時(shí)間時(shí)，電池電壓4企測(cè)器358確定在4f止從電池351摘: 供電能之后經(jīng)歷了預(yù)定時(shí)間，并且處理前進(jìn)至步驟S66。
在步驟S66中，電源控制器106停止向存^ft部103才是供電能， 從而結(jié)束損壞行為監(jiān)控處理。具體地，電池電壓檢測(cè)器358將輸出 端T12處的電壓從高電平變?yōu)榈碗娖?。這使開(kāi)關(guān)359斷開(kāi)，以停止 從電源調(diào)節(jié)器359向存儲(chǔ)部103提供電能，從而擦除了存儲(chǔ)在存儲(chǔ) 部103的RAM 171中的凄t據(jù)。
在步驟S65中，當(dāng)內(nèi)部計(jì)數(shù)器(未示出)的值表示小于預(yù)定時(shí) 間的值時(shí)，電池電壓檢測(cè)器358確定在停止乂人電池351 4是供電能之 后未經(jīng)歷預(yù)定時(shí)間，或者未4f止從電池351提供電能，并且處理前 進(jìn)至步驟S67。
在步驟S67中，電源控制器106確定是否已對(duì)殼體31執(zhí)行了 損壞4亍為。具體地，如上參照?qǐng)D8和圖9所述，在由于殼體31的 打開(kāi)、破壞等而在電源控制器106與篡改監(jiān)控電路105中的 MOSFET (在圖8中的篡改監(jiān)控電路105-1的情況下為MOSFET 304)的柵極之間發(fā)生斷線的情況下，從發(fā)生斷線的篡改監(jiān)控電路 105輸出的監(jiān)控信號(hào)具有約為0伏特的電壓。當(dāng)來(lái)自篡改監(jiān)控電路 105-1 ~ 105-6的監(jiān)控信號(hào)中的任一個(gè)具有等于或小于預(yù)定閾值的值 時(shí)，電源控制器106確定已對(duì)殼體31執(zhí)行了損壞行為，并且處理 前進(jìn)至步驟S68。
在步驟S68中，電源控制器106停止向存4諸部103提供電能。 具體地，來(lái)自篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6的監(jiān)控信號(hào)的電壓中的任 一個(gè)變?yōu)榈扔诨蛐∮陬A(yù)定閾值，從而斷開(kāi)開(kāi)關(guān)359，并且停止/人電 源調(diào)節(jié)器356向存儲(chǔ)部103纟是供電能。這4察除了存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部103 中的RAM 171中的教:才居。
在步驟S69,存儲(chǔ)器存取控制器102變更置亂密鑰，并且損壞 行為監(jiān)控處理結(jié)束。具體地，當(dāng)來(lái)自篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6的 監(jiān)控信號(hào)的電壓中的任一個(gè)變?yōu)榈扔诨蛐∮陬A(yù)定閾值時(shí)，置亂密鑰 變更指令單元142通過(guò)向開(kāi)關(guān)202提供表示置亂密鑰變更指令的信 號(hào)來(lái)4妄通隨積4tl俞出單元143中的開(kāi)關(guān)202。開(kāi)關(guān)202的4妄通啟動(dòng) 了經(jīng)由開(kāi)關(guān)202從隨機(jī)數(shù)生成器201向置亂密鑰緩沖器161輸出偽 隨機(jī)數(shù)。當(dāng)從隨機(jī)數(shù)生成器201輸出了 n位偽隨機(jī)數(shù)時(shí)，斷開(kāi)開(kāi)關(guān) 202。在置亂密鑰緩沖器161中，由n位串形成并從隨機(jī)數(shù)輸出單 元143提供的偽隨機(jī)數(shù)作為新的置亂密鑰被存儲(chǔ)在內(nèi)部寄存器中。
另外，置亂密鑰緩沖器161提供置亂密鑰并將其存儲(chǔ)在內(nèi)部存儲(chǔ)器 162中。
在步驟S69中，可以將由于未執(zhí)行地址置亂而未^皮用作置亂密 鑰并且其數(shù)字均為零的位串值強(qiáng)制地設(shè)置為置亂密鑰。
如果在步艱《S67中，確定未對(duì)殼體31扭J亍損壞4于為，則處理 返回至步驟S61,并且45M于步驟S61和隨后的步驟。
例如，如上所述，即使為了停止篡改監(jiān)控電i 各105-1 ~ 105-6的 工作而去除電池351,篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6也繼續(xù)工作。乂人 而，可以提高控制模塊13的防篡改性。另夕卜，當(dāng)在去除電池351 之后預(yù)定時(shí)間已結(jié)束時(shí)，擦除RAM 171中的凝:據(jù)。因此，可以進(jìn) 一步提高控制模塊13的防篡改性。
此外，確保了檢測(cè)損壞行為(例如，殼體31的打開(kāi)或破壞)。 由于當(dāng)4企測(cè)到損壞4亍為時(shí)4察除了 RAM 171中的凝:據(jù)，因此，可以 進(jìn)一步提高控制模塊13的防篡改性。
另外，當(dāng)檢測(cè)到損壞行為時(shí)，變更置亂密鑰，因此，即使沒(méi)有 才察除RAM 171中的凄t才居，也難以通過(guò)4吏用ICE (in-circuit emulator, 回if各仿真器)等來(lái)分析RAM 171中的凄t據(jù)。
上述的描述舉例說(shuō)明了保護(hù)RAM 171 (易失性存儲(chǔ)器)中的數(shù) 據(jù)的情況。然而，例如，當(dāng)4企測(cè)到電池351的去除、或者殼體31 的打開(kāi)或石皮壞時(shí)，可以通過(guò)〗察除或石皮壞非易失性存儲(chǔ)器172中的凄t 據(jù)來(lái)保護(hù)非易失性存儲(chǔ)器172中的數(shù)據(jù)。在擦除作為易失性存儲(chǔ)器 的RAM 171中的數(shù)據(jù)的情況下，與擦除非易失性存儲(chǔ)器172中的 ^t據(jù)的情況相比，由于處理器(例如，CPU)不需要工作，因此，
可以利用較少的電能來(lái)擦除數(shù)據(jù)?？梢詫㈦娙萜?55的電容抑制為 低值。
另外，通過(guò)形成具有多層結(jié)構(gòu)的保護(hù)基板33 36,而不形成具 有單層結(jié)構(gòu)的保護(hù)基板33~36，導(dǎo)線布線圖案可以設(shè)置在每一層 上。
而且，每個(gè)保護(hù)基板上導(dǎo)線的導(dǎo)線布線圖案不限于上述實(shí)例。 代替地，可以每一個(gè)對(duì)于殼體31的每個(gè)面的長(zhǎng)度或?qū)挾榷挤浅Ｕ?的間隔對(duì)導(dǎo)線進(jìn)行布線，以基本覆蓋殼體31的所有面。
另外，不必在每個(gè)保護(hù)基板上i殳置導(dǎo)線。相反地，可以將導(dǎo)線 設(shè)置在殼體31的內(nèi)表面上，或者可以將導(dǎo)線設(shè)置在殼體31的外表 面牙口內(nèi)表面之間。
在上述實(shí)施例中，電池351 -f又用于在不4吏用主電源14的情況 下使控制模塊13工作。
另夕卜，用于處理上述實(shí)施例中電池351的去除的4支術(shù)不限于上 述篡改監(jiān)控電路105-1 ~ 105-6。該技術(shù)對(duì)于需要向其提供用于工作 的電能的篡改監(jiān)控電路(例如，用于導(dǎo)致故障而監(jiān)控?zé)峁舻臏囟?監(jiān)控電路)是有效的。
盡管在上述描述中，為每個(gè)保護(hù)基板設(shè)置了篡改監(jiān)控電路105, 但是例如通過(guò)將在多個(gè)保護(hù)基板上的導(dǎo)線串聯(lián)連接，可以減少篡改 監(jiān)控電路的數(shù)量。
另夕卜，當(dāng)檢測(cè)到電池351的去除之后，類(lèi)似于通過(guò)篡改監(jiān)控電 路105來(lái)檢測(cè)損壞行為的情況，可以變更置亂密鑰。
盡管上述描述舉例證明了將Gold序列用作置亂密鑰的情況， 4旦是用作置亂密鑰的隨初4t或偽隨枳4t不限于上述實(shí)例。例如，可 以使用在僅使用 一個(gè)LFSR的情況下所獲得的M序列偽隨機(jī)數(shù)，以 及可以使用利用了熱噪聲的物理隨才幾數(shù)。
另外，用于置亂地址的方法不限于上述實(shí)例，而可以^吏用利用 基于隨機(jī)數(shù)或偽隨機(jī)數(shù)來(lái)設(shè)置置亂密鑰的另 一方法。
盡管上述描述舉例說(shuō)明了作為與讀取器-寫(xiě)入器1進(jìn)行通信的 一方的IC卡2,但讀取器-寫(xiě)入器1可以與非接觸IC卡功能裝置(例 如，便攜式電話(huà)、PDA(個(gè)人數(shù)字助理)、計(jì)時(shí)器、以及具有非接 觸IC卡功能的計(jì)算機(jī))進(jìn)行通信。
另夕卜，圖5中示出的存儲(chǔ)器存取控制器102可以應(yīng)用于除了讀 取器-寫(xiě)入器1之外的其他存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)讀取/寫(xiě)入裝置。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以 有多種修改、組合、子組合和改進(jìn)，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求 或等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，包括存儲(chǔ)器；監(jiān)控裝置，用于監(jiān)控對(duì)于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的未授權(quán)行為；第一電源，用于向所述監(jiān)控裝置供電；蓄電裝置，用于當(dāng)從所述第一電源停止向所述監(jiān)控裝置供電時(shí)向所述監(jiān)控裝置供電，所述蓄電裝置在從所述第一電源向所述監(jiān)控裝置供電的同時(shí)充電。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中所述存儲(chǔ)器是易失性的；以及 所述第一電源還向所述存儲(chǔ)器供電。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，還包括供電控制裝置，其中當(dāng)從所述第一電源停止向所述存儲(chǔ)器供電時(shí)，所述蓄電 裝置還向所述存儲(chǔ)器供電；以及當(dāng)從所述第 一 電源停止向所述存儲(chǔ)器供電之后經(jīng)過(guò)了預(yù) 定時(shí)間時(shí)，所述供電控制裝置停止乂人所述蓄電裝置向所述存儲(chǔ) 器供電。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，還包括用于向所述監(jiān)控 裝置供電的第二電源，其中所述第一電源是當(dāng)關(guān)閉所述第二電源時(shí)向所述監(jiān)控裝置 供電的后備電源；以及所述蓄電裝置由所述第 一 電源和所述第二電源中的 一個(gè) 充電。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中所述第一電源是電池；以及 所述蓄電裝置是電容器。
6. —種用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的電源控制方法，所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包 括存儲(chǔ)器和用于監(jiān)控對(duì)于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的未授 權(quán)行為的監(jiān)控裝置，所述電源控制方法包括以下步驟在從電源向所述監(jiān)控裝置供電的同時(shí)，對(duì)包括在所述數(shù) 據(jù)存^f諸裝置中的蓄電裝置充電；以及當(dāng)從所述電源停止向所述監(jiān)控裝置供電時(shí)，從所述蓄電 裝置向所述監(jiān)控裝置供電。
7. —種用于與具有非接觸集成電路卡功能的裝置進(jìn)行通信的通 信裝置，所述通信裝置包括存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)從所述具有非接觸集成電路卡功能的 裝置中讀取的數(shù)據(jù)；監(jiān)控裝置，用于監(jiān)控對(duì)于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的 未授權(quán)行為；電源，用于向所述監(jiān)控裝置供電；以及蓄電裝置，用于從所述電源停止向所述監(jiān)控裝置供電時(shí) 將向所述監(jiān)控裝置供電，所述蓄電裝置在從所述電源向所述監(jiān) 控裝置供電的同時(shí)充電。
8. —種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，包括存儲(chǔ)器；監(jiān)控單元，用于監(jiān)控對(duì)于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的 未授權(quán)行為；第一電源，用于向所述監(jiān)控單元供電；蓄電單元，用于當(dāng)從所述第一電源停止向所述監(jiān)控單元 供電時(shí)向所述監(jiān)控單元供電，所述蓄電單元在從所述第 一 電源 向所述監(jiān)控單元供電的同時(shí)充電。
9. 一種用于與具有非接觸集成電路卡功能的裝置進(jìn)行通信的通 信裝置，所述通信裝置包括存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)從所述具有非接觸集成電路卡功能的 裝置中讀取的lt據(jù)；監(jiān)控單元，用于監(jiān)控對(duì)于存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的 未授權(quán)行為；電源，用于向所述監(jiān)控單元供電；以及蓄電單元，用于當(dāng)從所述電源停止向所述監(jiān)控單元供電 時(shí)向所述監(jiān)控單元供電，所述蓄電單元在從所述電源向所述監(jiān) 4空單元供電的同時(shí)充電。
全文摘要
一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括存儲(chǔ)器；監(jiān)控單元，用于監(jiān)控對(duì)于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的未授權(quán)行為；第一電源，用于向監(jiān)控單元提供電能；以及電能存儲(chǔ)單元，用于當(dāng)停止向監(jiān)控單元提供來(lái)自第一電源的電能時(shí)將電能提供給監(jiān)控單元，并且在從第一電源向監(jiān)控單元提供電能的同時(shí)對(duì)電能存儲(chǔ)單元充電。
文檔編號(hào)G06F12/14GK101114258SQ20071013761
公開(kāi)日2008年1月30日 申請(qǐng)日期2007年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月28日
發(fā)明者村岡如竹 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社