專利名稱：硬盤電源控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
硬盤電源控制電路技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型有關(guān)一種控制為硬盤提供電源，尤其是-種由可編程器件和脈 沖信號共同控制硬盤運(yùn)行狀態(tài)的硬盤電源控制電路。背景技術(shù)：
在臺式計算機(jī)中，SATA (Serial Advanced Technology Attachment)硬盤一般 都是直接從供電電源中直接獲得能量，因此無法通過控制供電電源而控制SATA 硬盤的運(yùn)行狀態(tài)。但是在有限的空間以及一些特定機(jī)臺中SATA硬盤的電源來源 于主板或者與主板相連的接口卡上，就想到控制SATA硬盤的運(yùn)行狀態(tài)，從而達(dá) 到在不毀壞SATA硬盤的情況下任意的插拔該SATA硬盤。鑒于上述，有必要開發(fā)一種硬盤電源控制電路，用以控制SATA硬盤的運(yùn)行 狀態(tài)，即插即拔該硬盤。
發(fā)明內(nèi)容因此，本實用新型的目的即提供一種硬盤電源控制電路，用以控制SATA 硬盤的運(yùn)行狀態(tài)。為達(dá)成上述目的，本實用新型提供一種硬盤電源控制電路，耦合于一南橋 或者其它可編程器件與一硬盤電源連接器之間，用以控制與該硬盤電源連接器 耦合的硬盤的運(yùn)行狀態(tài)，該電路包括一受控單元，該受控單元的輸入端耦接上 述南橋或者其它可編程器件以及脈沖信號，輸出端耦合二三極管基極，該二三 極管的發(fā)射極接地，集電極分別耦接第二、第三正電壓源，且該二集電極還分 別耦合一 P-MOS場效應(yīng)管的柵極，該二 P-MOS場效應(yīng)管的源極分別連接上述 第二、第三正電壓源，漏極分別耦合上述硬盤電源連接器的第一、第二接口， 且該漏極與該源極之間耦合一電阻。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該電路集成于主板或者與主板相連的接口卡上，利用可 編程器件的輸出以及使用者可自行控制的脈沖信號共同控制SATA硬盤的運(yùn)行 狀態(tài)，實現(xiàn)即插即拔該硬盤的目的另，該可編程器件還可引出多個信號控制 相應(yīng)SATA硬盤，兼容性好。
圖1為本實用新型的硬盤電源控制電路的電路圖。
具體實施方式
參閱圖l,為本實用新型的硬盤電源控制電路的電路圖，該電路集成于主板
或者與主板相連的接口卡上，耦合于一南橋或者其它可編程器件(未示)與一
硬盤電源連接器2之伺，用以控制耦合于該硬盤電源連接器2輸出端的硬盤運(yùn) 行狀態(tài)，該電路包括一受控單元，該受控單元的輸入端耦接上述南橋或者其它 可編程器件以及使用者選擇激活或關(guān)閉硬盤時機(jī)的脈沖信號，輸出端耦合三極 管基極，以控制一 SATA硬盤為例進(jìn)行說明，該受控單元為一上升沿D觸發(fā)器1， 詳言之，該上升沿D觸發(fā)器l的數(shù)據(jù)輸入端ll、時鐘脈沖端12耦接來源于南 橋或者其它可編程器件的信號GPOl、 GP03一BLINK，其中，該時鐘脈沖端12 還耦合一電阻R2接地，清零端13耦合復(fù)位^號RST (脈沖信號)，預(yù)置端14 串聯(lián)一電阻R1接第一正電壓源Vccl (+5V),輸出端15通過串聯(lián)一基極直流偏 置電阻R3分別連接二NPN型三極管Q1、 Q2的基極，且該二基極還分別引出 一濾波電容C接地，該二三極管Q1、 Q2的發(fā)射極接地，集電極分別串聯(lián)集電 極直流偏置電阻R4、 R7耦接第二、第三正電壓源Vcc2、 Vcc3，本實施例中， 該第二、三正電壓源Vcc2、 Vcc3的電壓值分別為+12V、 +5V,且該二集電極與 該二集電極直流偏置電阻R4、 R7的連接節(jié)點分別定義為I 、 II,該二節(jié)點I 、 1I分別引出電阻R5、 R8—端，該電阻R5、 R8另一端分別耦合電容C1、 C2接 地，且該電阻R5、 R8該端還分別耦合P溝道MOS場效應(yīng)管Ul、 U2的柵極， 該二 P-MOS場效應(yīng)管Ul 、 U2的源極分別連接上述第二、第三正電壓源Vcc2、 Vcc3，且該源極還引出電解電容C3、 C4正極，該電解電容C3、 C4負(fù)極接地， 該二P-MOS場效應(yīng)管Ul、 U2的漏極分別耦合硬盤電源連接器2的第一、第二 接口21、 22,其中P-MOS場效應(yīng)管U2的漏極還耦合發(fā)光二極管3正極，該發(fā) 光二極管3負(fù)極串聯(lián)一電阻R10接地，且該二 P-MOS場效應(yīng)管Ul、 U:2的漏極 與該源極分別耦合電阻R6、 R7，且本實施例中為防止過流損壞場效應(yīng)管，該二 P-MOS場效應(yīng)管Ul、 U2皆為8管腳P溝道耗盡型場效應(yīng)管，其中，三源極管 腳分別連接第二、第三正電壓源Vcc2、 Vcc3，四漏極管腳分別連接硬盤電源連 接器2的第一、第二接口21、 22。
以下說明該電路的原理當(dāng)?shù)谝徽妷涸碫ccl輸出+5V為上升沿D觸發(fā)器 l提供能量，南橋或者其它可編程器件控制輸出的GP01信號為+5V (邏輯高) 且GP03—BLINK為上升沿時，輸出端15高電平(+5V)，三極管Q1、 Q2導(dǎo)通， 節(jié)點I、 II下拉至地為邏輯低電平(0V), P-MOS場效應(yīng)管Ul、 U2導(dǎo)通，漏 極電壓分別上拉至第二、三正電壓源Vcc2 (+12V)、 Vcc3 (+5V)電壓，即+12V、 +5丫直接加載于硬盤電源連接器2的第一、第二接口21、 22，則SATA硬盤可 借由硬盤電源連接器2獲得高電平而動作，同時發(fā)光二極管3正極電壓遠(yuǎn)高于 負(fù)極電壓，則發(fā)光二極管3導(dǎo)通發(fā)光提醒使用者SATA硬盤目前正處于運(yùn)行狀態(tài)， 不宜插拔。
反之，當(dāng)?shù)谝徽妷涸碫ccl輸出+5V為上升沿D觸發(fā)器1提供能量，南橋 或者其它可編程器件控制輸出的GPOl信號為0V (邏輯低)且GP03—BLINK 為上升沿時，輸出端15低電平(0V)，三極管Q1、 Q2截止，節(jié)點I、 II電壓即分別上拉為第二、三正電壓源Vcc2 (+12V)、 Vcc3 (+5V)電壓(邏輯高)， P-M0S場效應(yīng)管U1、 U2截止，第二、三正電壓源Vcc2 (+12V)、 Vcc3 (+5V) 分別經(jīng)電阻R6、 R9分壓而在第一、第二接口21、 22呈現(xiàn)低電平，SATA未動 作，同時發(fā)光二極管3正負(fù)極壓差低于該發(fā)光二極管3的導(dǎo)通電壓，則發(fā)光二 極管3截止，使用者可借由發(fā)光二極管3未發(fā)光了解該SATA硬盤目前未運(yùn)行， 可自行插拔。以上，濾波電容C與基極直流偏置電阻R3、濾波電容C1與電阻R5、濾波 電容C2與電阻R8分別組成RC振蕩電路，限定電壓上升時間，且濾波電容C、 Cl、 C2分別引第一、第二、第三正電壓源Vccl、 Vcc2、 Vcc3的高頻成分入地。電解電容C3、 C4亦同樣引第二、第三正電壓源Vccl、 Vcc2、 Vcc3的高頻 成分入地，且為P-MOS場效應(yīng)管Ul、 U2的源極儲能。為控制二個SATA硬盤的運(yùn)行狀態(tài),南橋或者其它可編程器件還可輸出控制 信號GP02耦接一上升沿D觸發(fā)器，該上升沿D觸發(fā)器分別耦合二 NPN型三 極管，該二NPN型三極管分別耦合一P-MOS場效應(yīng)管。
權(quán)利要求1、一種硬盤電源控制電路，耦合于一南橋或者其它可編程器件與一硬盤電源連接器之間，用以控制與該硬盤電源連接器耦合的硬盤的運(yùn)行狀態(tài)，其特征在于包括一受控單元，該受控單元的輸入端耦接上述南橋或者其它可編程器件以及脈沖信號，輸出端耦合二三極管基極，該二三極管的發(fā)射極接地，集電極分別耦接第二、第三正電壓源，且該二集電極還分別耦合一P-MOS場效應(yīng)管的柵極，該二P-MOS場效應(yīng)管的源極分別連接上述第二、第三正電壓源，漏極分別耦合上述硬盤電源連接器的第一、第二接口，且該漏極與該源極之間耦合一電阻，如此受控接口輸出高、低電平，三極管以及P-MOS場效應(yīng)管相應(yīng)導(dǎo)通或截止，則該電路輸出高、低電平，硬盤啟動或關(guān)閉。
2、 如權(quán)利要求1所述的硬盤電源控制電路，其特征在于該受控單元為至 少一上升沿D觸發(fā)器，該上升沿D觸發(fā)器的數(shù)據(jù)輸入端、時鐘脈沖端耦接二來 源于南橋或者其它可編程器件的信號，清零端耦合由使用者以脈沖控制的復(fù)位 信號，預(yù)置端串聯(lián)一電阻接第一正電壓源。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的硬盤電源控制電路，.其特征在于該二三極管 皆為NPN型三極管。
4、 如權(quán)利要求3所述的硬盤電源控制電路，其特征在于該第一、第二、 三正電壓源的電壓值分別為+5V、 +12V、 +5V。
5、 ^t權(quán)利要求4所述的硬盤電源控制電路，其特征在于該二 P-MOS場 效應(yīng)管皆為8管腳P溝道耗盡型場效應(yīng)管，其中，三源極管腳分別第二、第三 連接正電壓源，四漏極管腳分別連接硬盤電源連接器的第一、第二接口。
專利摘要一種硬盤電源控制電路，耦合于一南橋或者其它可編程器件與一硬盤電源連接器之間，用以控制與該硬盤電源連接器耦合的硬盤的運(yùn)行狀態(tài)，該電路包括一受控單元，該受控單元的輸入端耦接上述南橋或者其它可編程器件以及脈沖信號，輸出端耦合二三極管基極，該二三極管的發(fā)射極接地，集電極分別耦接第二、第三正電壓源，且該二集電極還分別耦合一P-MOS場效應(yīng)管的柵極，該二P-MOS場效應(yīng)管的源極分別連接上述第二、第三正電壓源，漏極分別耦合上述硬盤電源連接器的第一、第二接口，且該漏極與該源極之間耦合一電阻。利用本電路可控制硬盤的運(yùn)行狀態(tài)，實現(xiàn)即插即拔的目的。
文檔編號G06F1/26GK201004206SQ200720066638
公開日2008年1月9日 申請日期2007年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月25日
發(fā)明者陳志龍 申請人:環(huán)達(dá)電腦(上海)有限公司