專利名稱：電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及的是一種電容式觸控面板的技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種可將金屬 走線層中的主線路金屬層完全覆蓋的保護(hù)層結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參閱圖1所示為現(xiàn)有一種電容式觸控面板的俯一見結(jié)構(gòu)示意圖，以及圖2 所示圖1的A-A剖面結(jié)構(gòu)示意圖；所述的電容式觸控面板IO是以基板11作為 介電層，在所述的基板11的上下兩面制作X電極12與Y電極13，在主動區(qū)域 以外的走線則以金屬(Metal)走線層14布局以降低走線阻抗，的后再以保護(hù)層 (Passivation layer) 15覆蓋X電極12、 Y電極13與所述的金屬走線層14;如圖1 所示，當(dāng)X電極12通過金屬走線層14布局至接合區(qū)域111時，會在對應(yīng)所述 的接合區(qū)域111的保護(hù)層15作出一開口 151，以露出所有金屬走線層14的末端。請參閱圖3所示圖1接合區(qū)域的局部放大圖，以及圖4所示圖3的B-B剖 面的局部放大結(jié)構(gòu)示意圖；所述的金屬走線層14的末端外露在所述的保護(hù)層15 的開口 1W后，是可作為與外部訊號(圖中未示出)電性連接的焊墊(Bondingpad) 使用；如圖4所示所述的金屬走線層14的結(jié)構(gòu)，其是由氧化銦錫(ITO)層141、 第一保護(hù)金屬層142a、主線路金屬層143與第二保護(hù)金屬層142b堆棧形成，所 述的氧化銦錫層141位于最底層，也即設(shè)置在所述的基板11頂面；由于所述的 主線路金屬層143容易氧化腐蝕，因此所述的第一保護(hù)金屬層142a、主線路金 屬層143與第二保護(hù)金屬層142b在鍍膜時是一體成型，的后，再進(jìn)行所述的保 護(hù)層15的設(shè)置；附帶說明的是，所述的第一保護(hù)金屬層142a與第二保護(hù)金屬 層142b可為鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈥(Ti)、鉬鈮合金(Mo-Nb)等金屬層，所述的主 線路金屬層143可為鋁(A1)、鋁釹合金(Al-Nd)等金屬層；由于現(xiàn)有所述的保護(hù) 層15的開口 151設(shè)計，致使所述的鋁(A1)層143外露，因此容易導(dǎo)致鋁(A1)層 143產(chǎn)生腐蝕現(xiàn)象，而在信賴性測試(Rdiability Test)時造成測試不良的問題。發(fā)明內(nèi)容有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實用新型的主要目的在于提出一種電容式觸控 面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，用以克服上述缺陷。為達(dá)到上述目的，本實用新型提出 一種電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其包含一基板、復(fù)數(shù)金屬走線層以及至少一保護(hù)層；所述的基板具有復(fù)數(shù)第一 電極，所述的復(fù)數(shù)金屬走線層是設(shè)置在所述的基板表面，且與所述的復(fù)數(shù)第一 電極電連接，所述的金屬走線層包含一主線路金屬層以及一疊加在所述的主線 路金屬層表面的保護(hù)金屬層，所述的至少一保護(hù)層是覆蓋在所述的金屬走線層 表面，所述的保護(hù)層相對應(yīng)在所述的復(fù)數(shù)金屬走線層處設(shè)有開口，所述的開口 是僅可使得所述的金屬走線層的保護(hù)金屬層外露，而所述的主線路金屬層是完 全被覆蓋在所述的保護(hù)層下。與現(xiàn)有技術(shù)比較本實用新型的有益效果在于，可將金屬走線層中的主線路 金屬層完全覆蓋，避免金屬走線層腐蝕的問題。


圖1是現(xiàn)有電容式觸控面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1的A-A剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖l接合區(qū)域的局部放大圖；圖4是圖3的B-B剖面的局部放大結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實用新型實施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是圖5的C-C剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是圖5接合區(qū)域的局部放大圖；圖8是圖7的D-D剖面的局部放大結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說明10-電容式觸控面板；ll-基板；lll-接合區(qū)域；12-X電極； 13-Y電極；14-金屬(Metal)走線層；141-氧化銦錫(ITO)層；142a-第 一鉬(Mo)層； 142b陽第二鉬(Mo)層；143-鋁(Al)層15-保護(hù)層(Passivation layer); 151墨開口； 20-電容式觸控面板；21-基板；211-接合區(qū)域；22-第一電極；23-第二電極；24-金 屬(Metal)走線層；241-氧化銦錫(ITO)層；242a-第 一鉬(Mo)層；242b-第二鉬(Mo) 層；243-鋁(Al)層；25-保護(hù)層(Passivation layer); 251-開口。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖，對本新型上述的和另外的技術(shù)特征和優(yōu)點(diǎn)作更詳細(xì)的說明。請參閱圖5所示本實用新型的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，以及圖6所示圖5的C-C 剖面結(jié)構(gòu)示意圖；本實用新型所提供的所述的電容式觸控面板20,其具有一基 板21,所述的基板21的上下兩面制作第一電極22與第二電極23,所述的第一 電極可為X電極與第二電極可為Y電極，且所述的基板21表面設(shè)有復(fù)數(shù)的金 屬走線層24,所述的金屬走線層24的一端是連接所述的第一電極22,所述的 金屬走線層24的另一端則延伸在所述的基板21的接合區(qū)域211,再在所述的第 一電極22、第二電極23與所述的金屬走線層24表面分別覆蓋一保護(hù)層25，所 述的保護(hù)層25可為氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化硅(SiOx)或丙烯酸樹 脂(AcrylicResin)等絕緣性材料涂布成型；前述所述的基板21、第一電極22、第 二電極23、金屬走線層24與保護(hù)層25的作用及其所能達(dá)成的功效，可與圖l 所示所述的基板ll、 X電極12、 Y電極13、金屬走線層14與保護(hù)層15相同， 此處不予贅述；必須說明的是，所述的接合區(qū)域2U的位置、范圍或型態(tài)并不 限于圖標(biāo)態(tài)樣，圖標(biāo)僅作為說明例。請參閱圖7所示圖5接合區(qū)域的局部放大圖，以及圖8所示圖7的D-D剖 面的局部放大結(jié)構(gòu)示意圖；其中，所述的金屬走線層24包含一氧化銦錫(ITO) 層241、第一鉬(Mo)層242a、 一鋁(A1)層243以及一第二鉬(Mo)層242b,所述 的氧化銦錫(ITO)層241是設(shè)置在所述的基板21表面，所述的第一鉬(Mo)層242a 是疊加在所述的氧化銦錫(1T0)層241表面，所述的鋁(A1)層243是疊加在所述 的第一鉬(Mo)層242a表面，所述的第二鉬(Mo)層242b是疊加在所述的鋁(A1) 層243表面，且所述的第一、第二鉬(Mo)層242a、 242b也可為鉻(Cr)、鈥(Ti)、 鉬鈮合金(Mo-Nb)等金屬層，而所述的鋁(Al)層是可為鋁釹合金(Al-Nd)等金屬 層；必須說明的是，所述的金屬走線層24并不限于上述結(jié)構(gòu)，可將所述的氧化 銦錫(ITO)層241省略，僅在所述的基板21依序由下而上疊加所述的第一鉬(Mo) 層242a、鋁(A1)層243與第二鉬(Mo)層242b也可；綜合上述可知，所述的金屬 走線層24的主要結(jié)構(gòu)在于具有一第一保護(hù)金屬層(相當(dāng)在所述的第一鉬(Mo)層 242a)、主線路金屬層(相當(dāng)在所述的鋁(A1)層243)與第二保護(hù)金屬層(相當(dāng)在所述 的第二鉬(Mo)層242b),且所述的第一保護(hù)金屬層、主線路金屬層與第二保護(hù)金 屬層的材質(zhì)可依實際所需設(shè)置，本實施例僅以鉬(Mo)與鋁(Al)為說明例，但并不 限于此。如圖8所示，本實用新型的特點(diǎn)在于，所述的保護(hù)層25設(shè)有復(fù)數(shù)開口 251, 所述的開口 251是分別對應(yīng)設(shè)置在所述的復(fù)數(shù)金屬走線層24位于所述的接合區(qū) 域211的一端，所述的開口 251小于相對應(yīng)的所述的金屬走線層24外部輪廓， 僅可使得所述的位于所述的金屬走線層25最上層的第二鉬(Mo)層242b棵露在 所述的開口 251,至于設(shè)置在所述的第二鉬(Mo)層242b下的所述的鋁(Al)層243、 氧化銦錫(ITO)層241、第一鉬(Mo)層242a、第一電極22與第二電極23則可完 全被覆蓋在所述的保護(hù)層25下；如此，不僅可對第一電極22、第二電極23與 金屬走線層24作完整與良好的保護(hù)，且由于所述的鋁(A1)層243不致外露，因 此可避免在信賴性測試時造成鋁層243產(chǎn)生腐蝕現(xiàn)象，或造成信賴性測試不良 的問題。此外附帶說明的是， 一般而言，所述的保護(hù)層25的厚度為KA(千埃)單位， 而所使用的導(dǎo)電粒子(A CF conductive particle)為um單位，其數(shù)量級的差異達(dá)10 倍以上，也即，導(dǎo)電粒子可順利填充在所述的開口 251內(nèi)，以利于構(gòu)裝程序 (bonding),驗證本實用新型在具體實施上并無問題。以上說明對本新型而言只是說明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員理解，在不脫離以下所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可做出許 多修改，變化，或等效，但都將落入本實用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其特征在于其包含一基板，其具有復(fù)數(shù)第一電極；復(fù)數(shù)金屬走線層，其設(shè)置在所述的基板表面，且與所述的復(fù)數(shù)第一電極電連接，所述的金屬走線層分別包含一主線路金屬層以及一疊加在所述的主線路金屬層表面的保護(hù)金屬層；至少一保護(hù)層，其覆蓋在所述的金屬走線層表面，所述的保護(hù)層相對應(yīng)于所述的金屬走線層處分別對應(yīng)設(shè)有復(fù)數(shù)開口，所述的開口僅供所述的金屬走線層的保護(hù)金屬層外露，而所述的主線路金屬層完全被覆蓋在所述的保護(hù)層下。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的基板具有 一接合區(qū)域；所述的復(fù)數(shù)金屬走線層的一端連接所述的復(fù)數(shù)第一電極，另一端延伸在所 述的接合區(qū)域；所述的保護(hù)層的開口設(shè)置在所述的復(fù)數(shù)金屬走線層延伸至所述的接合區(qū)域 的一端。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的保護(hù)層的開口小于所述的金屬走線層的外部輪廓。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的保護(hù)層為氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或丙烯酸樹脂其中之一。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的保護(hù)層以涂布方式成型。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的金屬走線層包含一第一保護(hù)金屬層，其設(shè)置在所述的基板表面； 一主線路金屬層，其疊加在所述的第一鉬層表面； 一第二保護(hù)金屬層，其疊加在所述的主線路金屬層表面； 所述的保護(hù)層的開口以供所述的第二保護(hù)金屬層外露。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的金屬走線層還包含一氧化銦錫層，所述的氧化銦錫層設(shè)置在所述的基板 表面，所述的第一保護(hù)金屬層疊加在所述的氧化銦錫層表面。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的主線路金屬層采用鋁或鋁釹合金其中之一；所述的保護(hù)金屬層采用鉬、鉻、鈦、鉬鈮合金其中之一。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的基板的一面設(shè)有所述的復(fù)數(shù)第一電極，另面設(shè)有復(fù)數(shù)第二電極。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述的第一電極為X電極，所述的第二電極為Y電極。
專利摘要本實用新型為一種電容式觸控面板接合區(qū)域的結(jié)構(gòu)，其包含一基板、復(fù)數(shù)金屬走線層以及至少一保護(hù)層；所述的基板具有復(fù)數(shù)第一電極；所述的復(fù)數(shù)金屬走線層，是設(shè)置在所述的基板上且與所述的復(fù)數(shù)第一電極電連接，所述的金屬走線層包含一主線路金屬層以及一疊加在所述的主線路金屬層表面的保護(hù)金屬層；所述的至少一保護(hù)層是覆蓋在所述的金屬走線層表面，所述的保護(hù)層相對應(yīng)在所述的金屬走線層處設(shè)有復(fù)數(shù)開口，所述的開口是分別可供相對的所述的金屬走線層的保護(hù)金屬層外露，而所述的主線路金屬層是完全被覆蓋在所述的保護(hù)層下。
文檔編號G06F3/044GK201107767SQ20072030561
公開日2008年8月27日 申請日期2007年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月27日
發(fā)明者劉秋梅, 呂世仲, 尤鵬智, 郭崇倫, 郭建忠, 黃敬佩 申請人:勝華科技股份有限公司